單相橋式PWM逆變器設(shè)計

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上 安陽師范學(xué)院本科學(xué)生畢業(yè)設(shè)計報告單相橋式PWM逆變器的設(shè)計作 者 李 巖 松系 （院） 物理與電氣工程學(xué)院專 業(yè) 電氣工程及其自動化 年 級 2008級專升本學(xué) 號 指導(dǎo)教師 陳 永 超 日 期 2010年06月01日成 績 專心-專注-專業(yè)學(xué)生誠信承諾書本人鄭重承諾：所呈交的論文是我個人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫的研究成果，也不包含為獲得安陽師范學(xué)院或其他教育機構(gòu)的學(xué)位或證書所使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中作了明確的說明并表示了謝意。

2、簽名：日期：論文使用授權(quán)說明本人完全了解安陽師范學(xué)院有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許論文被查閱和借閱；學(xué)校可以公布論文的全部或部分內(nèi)容，可以采用影印、縮印或其他復(fù)制手段保存論文。簽名：導(dǎo)師簽名：日期：單相橋式PWM逆變器的設(shè)計李巖松(安陽師范學(xué)院 物理與電氣工程學(xué)院，河南 安陽 )摘 要：本文簡要介紹了PWM的基本原理，設(shè)計了一個單相全橋PWM控制的逆變器。該設(shè)計包括主電路、驅(qū)動電路、SPWM信號產(chǎn)生電路、過流保護等方面的設(shè)計。該逆變器主電路采用的是功率型器件MOSFET；驅(qū)動電路采用的是現(xiàn)在大功率MOSFET、IGBT專用驅(qū)動芯片IR2110；PWM信號產(chǎn)

3、生電路采用的是CD4538芯片控制產(chǎn)生的；過流保護采用的是用電流互感器檢測保護的。經(jīng)過系統(tǒng)的設(shè)計調(diào)試，可以得到穩(wěn)定的逆變正弦波，頻率在20-50赫茲范圍內(nèi)可調(diào)。此設(shè)備可以應(yīng)用在系統(tǒng)變電站和調(diào)度所得繼電保護和綜合自動化管理設(shè)備上，此逆變器在眾多場合能夠得到廣泛應(yīng)用。關(guān)鍵詞：單相全橋；主電路；IR2110；CD45381 引言隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，正弦波輸出變壓變頻電源已被廣泛應(yīng)用在各個領(lǐng)域中，與此同時對變壓變頻電源的輸出電壓波形質(zhì)量也提出了越來越高的要求。對逆變器輸出波形質(zhì)量的要求主要包括兩個方面：一是穩(wěn)態(tài)精度高；二是動態(tài)性能好。因此，研究開發(fā)既簡單又具有優(yōu)良動、靜態(tài)性能的逆變器控制策略，

4、已成為電力電子領(lǐng)域的研究熱點之一。電力電子器件的發(fā)展經(jīng)歷了晶閘管（SCR）、可關(guān)斷晶閘管（GTO）、晶體管（BJT）、絕緣柵晶體管（MOSFET）等階段。目前正向著大容量、高頻率、易驅(qū)動、低損耗、模塊化、復(fù)合化方向發(fā)展，與其他電力電子器件相比，MOSFET具有高可靠性、驅(qū)動簡單、保護容易、不用緩沖電路和開關(guān)頻率高等特點，為了達到這些高性能，采用了許多用于集成電路的工藝技術(shù)，如外延技術(shù)、離子注入、精細(xì)光刻等。MOSFET最大的優(yōu)點是無論在導(dǎo)通狀態(tài)還是短路狀態(tài)都可以承受電流沖擊。它的并聯(lián)不成問題，由于本身的關(guān)斷延遲很短，其串聯(lián)也容易。盡管MOSFET模塊在大功率應(yīng)用中非常廣泛，但其有限的負(fù)載循環(huán)次

5、數(shù)使其可靠性成了問題，其主要失效機理是陰極引線焊點開路和焊點較低的疲勞強度，另外絕緣材料的缺陷也是一個問題。在現(xiàn)有的正弦波輸出變壓變頻電源產(chǎn)品中，為了得到SPWM波，一般都采用雙極性調(diào)制技術(shù)。該調(diào)制方法的最大缺點是它的4個功率管都工作在較高頻率(載波頻率)，從而產(chǎn)生了較大的開關(guān)損耗，開關(guān)頻率越高，損耗越大。本次畢業(yè)設(shè)計研究單相橋式PWM逆變電路，通過該電路實現(xiàn)逆變電源變壓、變頻輸出。2 設(shè)計任務(wù)與要求2.1設(shè)計任務(wù)通過所學(xué)習(xí)的電力電子課程完成單相全橋PWM逆變主電路及驅(qū)動電路的設(shè)計，主電路采用可控的MOSFET作為元器件，開關(guān)管用芯片IR2110驅(qū)動，設(shè)計參數(shù)如下：直流電壓為60V；阻感負(fù)載；

6、負(fù)載中R=2，L=1mH；要求輸出頻率范圍：10HZ50HZ；結(jié)合單相全橋PWM的產(chǎn)生做系統(tǒng)整體設(shè)計；制做相關(guān)電路及裝置；結(jié)合控制電路，進行整體調(diào)試；最終獲得設(shè)計的成功。2.2 設(shè)計要求（1）以實用、易用、成本低為目的，完成系統(tǒng)設(shè)計所列出的幾個參數(shù)；（2）基本技術(shù)指標(biāo)：實現(xiàn)逆變輸出正弦電。（3）能實現(xiàn)穩(wěn)定逆變。3 系統(tǒng)整體方案設(shè)計根據(jù)功能要求，該系統(tǒng)應(yīng)包括逆變主電路、SPWM信號產(chǎn)生電路、過電流保護、驅(qū)動電路、直流穩(wěn)壓電源和濾波輸出電路等模塊，系統(tǒng)總體框圖如圖1所示圖1 系統(tǒng)總體框圖3.1 逆變主電路直流電經(jīng)過逆變電路將直流電逆變成交流電，再經(jīng)過濾波、從而輸出穩(wěn)定的交流電。關(guān)于逆變主電路的選擇

7、可以有以下兩種選擇，第一采用全橋逆變主電路，第二采用半橋逆變主電路，本次設(shè)計采用的是全橋逆變，關(guān)于全橋逆變主電路的選擇和半橋逆變主電路的選擇下面做一個詳細(xì)介紹。全橋逆變電路，它有四個橋臂，每個橋臂由一個可控器件和一個反并聯(lián)二極管組成。二極管采用的是IN5408，直流側(cè)接有一個足夠大的電容，負(fù)載連接在四個橋臂聯(lián)結(jié)點之間，其逆變電路的主要缺點是使用器件多，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，并且所需驅(qū)動電路比較復(fù)雜，不容易調(diào)試，優(yōu)點是效率高，鑒于目前效率在生產(chǎn)上占主要指標(biāo)所以選擇這種逆變器的設(shè)計。 圖2逆變主電路選擇功率管MOSFET作為開關(guān)器件，為了進一步增強電路的安全性和穩(wěn)定性，防止 MOSFET擊穿，選用耐壓值100

8、V的功率管MOSFET IRF540,此芯片采用TO-220封裝，在外殼溫度Tc=20OC時可以通過30A電流，其導(dǎo)通電阻為0.85歐姆，在滿載運行時功耗較大，使用時安裝散熱片。開關(guān)管的頻率要合適，如果開關(guān)頻率過高，則一方面會增加開關(guān)管的開關(guān)損耗，另一方面會有死區(qū)累積效應(yīng)，會使輸出電壓降低。如果開關(guān)頻率過低，會使輸出諧波頻率降低，這樣大大增加輸出濾波器的體積，經(jīng)過測試開關(guān)頻率取20KHz輸出效果較好。由于開關(guān)管存在一定的開通和關(guān)段時間，為防止兩個開關(guān)器件之間出現(xiàn)直通，使電路發(fā)生短路，控制信號中必須設(shè)定幾個微秒的死區(qū)時間，在死去時間內(nèi)，兩個開關(guān)器件都截止。盡管死區(qū)時間非常短暫，引起的輸出電壓誤差

9、較小，但是開關(guān)的頻率較高，死區(qū)引起的誤差的累加值將會引起負(fù)載的電流的波形畸變，使輸出電壓降低。全橋逆變主電路的工作原理如下：由圖2可以看出全橋電路有四個橋臂，可以看成是有兩個半橋電路組合而成，橋臂一和橋臂四做為一對，橋臂二和橋臂三作為另一對，在SPWM信號作用下，當(dāng)輸入的信號是高電平時開關(guān)管1和管4導(dǎo)通，當(dāng)輸入的信號是低電平時，管子2和管子4導(dǎo)通組成回路實現(xiàn)逆變，全橋逆變主電路里面的反串聯(lián)的穩(wěn)壓管是為了保證MOSFET柵極和源極有足夠的電壓導(dǎo)通和保護MOSFET避免因為電壓過高而燒毀MOSFET設(shè)計的。第二種方法采用半橋逆變電路，它有兩個橋臂，每個橋臂由一個可控器件和一個反并聯(lián)二極管組成。而且

10、在直流側(cè)接有兩個相互串聯(lián)的足夠大的電容，兩個電容的連接點便成為直流電源的中點，負(fù)載連接在直流電源中性點和兩個橋臂聯(lián)結(jié)點之間，半橋逆變電路的缺點是結(jié)構(gòu)簡單，使用器件少，其缺點是輸出交流電壓的幅值Um僅為Ud/2，且直流側(cè)需要兩個電容串聯(lián)，工作時還要控制兩個電容器電壓的均衡，最重要的是在當(dāng)今能源緊缺的今天，功率是一個很重要的問題，半橋逆變功率只有百分之五十左右，因此半橋電路常采用于幾KW以下的小功率逆變電源，所以不采用此方案。3.2 SPWM產(chǎn)生電路PWM控制的基本原理：PWM（Pulse Width Modulation）控制就是對脈沖的寬度進行調(diào)制的技術(shù)。即通過對一系列脈沖的寬度進行調(diào)制，來等

11、效的獲得所需要的波形（含形狀和幅值）。在采樣控制理論中有一個重要的結(jié)論：沖量相等而形狀不同的窄脈沖加在具有慣性環(huán)節(jié)上時，其效果基本相同。效果基本相同是指環(huán)節(jié)的輸出響應(yīng)波形基本相同，上述原理稱為面積等效原理。沖量即指窄脈沖的面積。如果把各輸出波形用傅里葉變換分析，則其低頻段非常接近，僅在高頻段略有差異。以正弦PWM控制為例，把正弦半波分成N等份,就可把其看成是N個彼此相連的脈沖序列所組成的波形。這些脈沖寬度相等,都等于 /N,但幅值不等，且脈沖頂部不是水平直線，而是曲線,各脈沖的幅值按正弦規(guī)律變化。如果把上述脈沖序列利用相同數(shù)量的等幅而不等寬的矩形脈沖代替,使矩形脈沖的中點和相應(yīng)正弦波部分的中點

12、重合,且使矩形脈沖和相應(yīng)的正弦波部分面積(沖量)相等,就得到脈沖序列。這就是PWM波形。可以看出各脈沖的幅值相等，而寬度是按正弦規(guī)律變化的。根據(jù)面積等效原理，PWM波形和正弦半波是等效的。對于正弦波的負(fù)半周,也可以用同樣的方法得到PWM波形。像這種脈沖的寬度按正弦規(guī)律變化而和正弦波等效的PWM波形，也稱SPW（Sinusoidal PWM）波形。產(chǎn)生SPWM電路可以有如下幾種方法，本文選用的是用自然采樣法去獲得SPWM 的。自然采樣法即是正弦波作為調(diào)制波，三角波作為載波，通過三角波的調(diào)制得到SPWM的波形，可以采用模擬電路構(gòu)成三角載波和正弦調(diào)制波發(fā)生電路，用比較器來確定他們的交點，在交點時刻來

13、控制開關(guān)管通斷，可以生成SPWM波，方法簡單便于實現(xiàn)，所以采用此方案。圖3 CD4538的管腳和功能表在設(shè)計SPWM時要考慮死區(qū)的影響，所以在設(shè)計的時間重點放在死區(qū)延時上。其死區(qū)延時主要是由高精度的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器CD4538完成，CD4538管腳和功能表如圖3所示。CD4538 由兩個高精度可重觸發(fā)地單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)發(fā)器組成，Q和Q非輸出有緩沖，輸出特性對稱。該器件工作時，需外接一個電阻 Rx和一個電容 Cx，調(diào)節(jié) Rx和Cx 數(shù)值，可得到兩個不同寬度地單穩(wěn)態(tài)脈沖，既可以調(diào)節(jié)Rx和Cx 數(shù)值就可以改變死區(qū)時間，并且傳輸延遲時間不受Rx 和 Cx 變化地影響。SPWM信號產(chǎn)生電路如圖4所示，其仿真輸出波

14、形結(jié)果如圖5所示。也可以采用數(shù)字化規(guī)律采樣法，將正弦波信號和三角波信號分別存于ROM中，然后將正弦波數(shù)據(jù)與三角波數(shù)據(jù)進行比較，輸出兩路SPWM信號，采用此方案價格較貴，不符合性價比的要求。圖4 SPWM信號產(chǎn)生電路 圖5仿真輸出波形3.3 驅(qū)動電路輸出SPWM信號經(jīng)驅(qū)動電路驅(qū)動逆變橋的開關(guān)管。本文驅(qū)動電路的設(shè)計采用的是驅(qū)動芯片。驅(qū)動芯片采用IR公司生產(chǎn)的大功率MOSFET和IGBT專用驅(qū)動集成電路芯片IR2110，IR2110是IR公司生產(chǎn)的大功率MOSFET和IGBT專用驅(qū)動集成電路，可以實現(xiàn)對MOSFET和IGBT的最優(yōu)驅(qū)動，該芯片具有光耦隔離和電磁隔離的優(yōu)點，同時還具有快速完整的保護功能

15、和自帶死區(qū)，因而它可以提高控制系統(tǒng)的可靠性，減少電路的復(fù)雜程度。所以選用此方案。IR2110的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理框圖如圖6所示。圖中HIN和LIN為逆變橋中同一橋臂上下兩個功率MOS的驅(qū)動脈沖信號輸入端。兩路輸出HO和LO分別與兩輸入HIN和LIN相對應(yīng)，SD為保護信號輸入端，當(dāng)該腳接高電平時，IR2110的輸出信號全被封鎖，其對應(yīng)的輸出端HO和LO恒為低電平；而當(dāng)該腳接低電平時，IR2110的輸出信號跟隨HIN和LIN而變化，兩路均能正常輸出，在實際電路里，該端接用戶的保護電路的輸出。IR2110的輸入端為滯環(huán)施密特出發(fā)電路，以提高抗干擾能力和接受上升沿環(huán)慢的輸入邏輯信號，Vdd/Vcc電平

16、轉(zhuǎn)換電路把輸入邏輯信號電平轉(zhuǎn)換為輸出驅(qū)動信號電平，其兩路輸出均采用圖騰柱輸出，輸出級由兩只峰值電流為2A以上，內(nèi)阻為3歐姆以下的N溝道FET組成，輸出級可提供的驅(qū)動電壓為15V20V。驅(qū)動電路接線圖如圖7所示，懸浮電源VB可以從電源VCC通過二極管DIODE對電容C7充電自舉獲得（因為對于橋式電路，每一路驅(qū)動都必須獨立的直流電源）其二極管必須是快恢復(fù)二極管其耐壓值必須超過主電路直流輸入電壓，電容C7的電容值的選取決定于開關(guān)頻率及MOSFET輸入電容充放電的要求等。H0和L0是兩路驅(qū)動信號輸出端，驅(qū)動同一橋臂的MOSFET，IR2110的自舉電容選擇不好，容易造成芯片損壞或不能正常工作。VB和V

17、S之間的電容為自舉電容。自舉電容電壓達到8.3V以上，才能夠正常工作，一般來說，SPWM的開關(guān)頻率較高，應(yīng)采用小容量電容，以提高充電電壓，否則在有限的時間內(nèi)無法達到自舉電壓，實驗表明采用33F的自舉電容時，驅(qū)動電路的工作狀態(tài)良好。圖6 IR2110的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖7 驅(qū)動電路也可以采用分立元件去驅(qū)動，分立元件主要采用對管來實現(xiàn)信號的放大和隔離，但是其沒有保護功能，不易實現(xiàn)對下級電路的保護，并且電路復(fù)雜，給調(diào)試帶來很多不便，費用也比較昂貴，沒有上述用專用驅(qū)動芯片驅(qū)動比較好，所以不選用這種驅(qū)動方法。3.4 過流保護電流過大可以使驅(qū)動信號關(guān)斷，以達到保護開關(guān)管避免因為開關(guān)管因為電流過大而燒毀管子的目的。

18、本文采用的是電流互感器的方法來測量電流的，采用電流互感器測量電流。電流互感器可以將電流量線性變換為電壓量，通過測量電壓可以方便的測量電流，電流電壓變換器可以作測量用時與被測電路隔離，因此對被測電路的影響較小，并且，具有能耗小，頻帶寬，信號還原性好，價格便宜等優(yōu)點，所以選用電流互感器這種方案。過電流保護原理如圖8所示，圖中的電阻R17稱為檢測電阻，一般比較小，R13盡量大一點，可以忽略其對檢測電阻的分流作用。LM311接成電壓比較器的形式，5V基準(zhǔn)電壓通過R14、R18組成的分壓電路分壓后接入電壓比較器的同相端，作為給定基準(zhǔn)電壓，來自霍爾電流傳感器的逆變器輸入電流信號經(jīng)濾波電路后與基準(zhǔn)電壓進行較

19、，正常工作時電壓比較器輸出高電平。短路發(fā)生時，逆變器輸入電流增加，使得霍爾電流傳感器輸電壓增加，電壓比較器輸入電壓大于基準(zhǔn)電壓，電壓比較器輸出由高電平變低電平，從而通過控制核心使驅(qū)動信號迅速關(guān)斷。圖8過電流保護電路 也可以采用電阻采樣的方法測量電流，在負(fù)載端串聯(lián)一個采用電阻，對采用電阻兩端電壓進行差分放大，根據(jù)歐姆定律換算成電流值，測量是需要一高精度的無感電阻器作為采樣電阻，該方案優(yōu)點是信號還原好，缺點是電路比較復(fù)雜，功耗比較大。所以不選用這種做法。 3.5 直流穩(wěn)壓電源模塊采用一般的整流橋、濾波、集成穩(wěn)壓電路組成的穩(wěn)壓電壓，為其它各個模塊提供所需要的直流穩(wěn)定電壓。本次畢業(yè)設(shè)計設(shè)計主要是主電路

20、的設(shè)計，對于直流穩(wěn)壓電源這一塊沒有過多的去設(shè)計，根據(jù)學(xué)院現(xiàn)在所有的設(shè)備，用直流穩(wěn)壓電源器做直流穩(wěn)壓電源，學(xué)院所能提供的直流穩(wěn)壓電源最高可達到60V，能夠滿足主電路設(shè)計所用直流電源，所以無需設(shè)計電源。4 系統(tǒng)電路的調(diào)試4.1調(diào)試儀器TDS1002型60MHZ1 0GS/s雙通道數(shù)字存儲示波器，高精度數(shù)字萬用表，直流穩(wěn)壓電源，頻譜分析儀，信號發(fā)生器。4.2 調(diào)試方案其測試步驟如圖9所示圖9電路調(diào)試流程圖調(diào)試步驟如下：先檢查元器件是否有在做PCB的時候把元器件放反的情況，還有是否把極性電容的極性是否插反，然后再用萬用表檢查一下電路板上的焊點，看電路板上的焊點是否有因虛焊導(dǎo)致電路不通，在調(diào)試過程中就有

21、這種事情發(fā)生。最后，檢查電路中有沒有共地的部分沒有共地，等等。在調(diào)試SPWM時，先用示波器檢查一下SPWM輸入端的輸入信號是否正常，如果不正常就是說沒有辦法去驅(qū)動開關(guān)管去工作，當(dāng)檢查輸入信號沒有問題時就去看IR2110的各個管腳的電壓波形是否正常。主要看驅(qū)動全橋電路中一對橋臂的上下橋管子的IR2110的7管腳和1管腳的電壓波形是否正常，如果不正常級沒有辦法去使開關(guān)管正常導(dǎo)通，因為7管腳驅(qū)動上橋臂MOSFET，1管腳驅(qū)動下橋臂MOSFET。另外還要檢查3管腳的電壓波形是否正常，不正常的話IR2110就沒有辦法工作更不可能提供導(dǎo)通的SPWM。在調(diào)試過程中遇到一些問題就是主電路的一個中性點沒有接地，

22、在調(diào)試7管腳的電壓波形時高電壓正常但是低電壓很不正常，經(jīng)過檢查后發(fā)現(xiàn)加了一個地線最后7管腳的電壓波形正常了。在調(diào)試驅(qū)動電路控制開關(guān)管時，先要把直流穩(wěn)壓電源的電壓調(diào)的很小在2015V之間，剛開始把電壓加到5V看看有沒有輸出信號，在看有沒有輸出信號的時候示波器的跟蹤頻率要盡可能小，這樣在觀察時間比較好觀察。在這一部分調(diào)試的時候出現(xiàn)點問題就是開關(guān)管的導(dǎo)通問題，剛開始不知道怎么調(diào)試不過最后根據(jù)工作原理進行逐個調(diào)試成功了，在查詢問題所在的時候先用示波器觀察穩(wěn)壓管兩端的電壓是否正?？词欠衲軌驖M足開關(guān)管導(dǎo)通的電壓15-20V，在檢查過程中發(fā)現(xiàn)有一個穩(wěn)壓管是壞的，更換掉使開關(guān)管互補對稱導(dǎo)通。在輸出端用示波器觀

23、察輸出信號的時候，由于帶的負(fù)載的不同，輸出信號也有所不同，采用大電容進行濾波，得出的結(jié)果還有很多毛刺，而且負(fù)載的加入對SPWM的影響也比較大，IR2110的7管腳的電壓比實際電壓要升高3-4V.5 總結(jié)過此次畢業(yè)設(shè)計，熟悉并掌握電力電子器件的實用，對一些常用的主電路或保護電路等有深入的了解。大致上了解了單相橋式PWM逆變電路的設(shè)計，基本掌握了單相橋式PWM逆變電路的工作原理，通過主電路硬件的制作以及主電路的仿真，對電路和工作原理進一步理解。單相全橋PWM逆變的設(shè)計主要運用了模擬電子技術(shù)、數(shù)字電子技術(shù)和電力電子技術(shù)。系統(tǒng)主要由主電路、驅(qū)動電路、保護電路和SPWM產(chǎn)生電路模塊組成，主電路將直流電經(jīng)

24、過逆變電路將直流電逆變成交流電，在經(jīng)過濾波、從而輸出穩(wěn)定的交流電。采用分立元件組成比較和振蕩電路產(chǎn)生SPWM信號，經(jīng)驅(qū)動電路驅(qū)動逆變器開關(guān)管關(guān)和斷，改變信號發(fā)生器的頻率和幅值就可以改變SPWM的頻率和調(diào)制比，從而改變波形的頻率和幅度；過流保護就是電流過大是使其輸出產(chǎn)生高電平，用其控制驅(qū)動信號關(guān)斷，以達到保護開關(guān)管的目的，最終通過調(diào)試實現(xiàn)了設(shè)計基本要求。通過這次畢業(yè)設(shè)計設(shè)計使我們學(xué)會了理論與實踐的有效結(jié)合，鍛煉了我們的動手能力及分析問題和解決問題的能力，為我們以后的工作和學(xué)習(xí)奠定了良好的基礎(chǔ)。致謝本論文是在陳老師的悉心指導(dǎo)下完成的。陳老師淵博的專業(yè)知識，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)態(tài)度，精益求精的工作作風(fēng)，誨人不

25、倦的高尚師德，嚴(yán)以律己、寬以待人的崇高風(fēng)范，樸實無華、平易近人的人格魅力對我影響深遠(yuǎn)。不僅使我樹立了遠(yuǎn)大的學(xué)術(shù)目標(biāo)、掌握了基本的研究方法，還使我明白了許多待人接物與為人處世的道理。本論文從選題到完成，每一步都是在陳老師的指導(dǎo)下完成的，傾注了陳老師大量的心血。在此，謹(jǐn)向陳老師表示崇高的敬意和衷心的感謝！對于院里領(lǐng)導(dǎo)的關(guān)心和實驗室的老師們的辛勤，給我們提供了實驗室這樣一個良好的設(shè)計環(huán)境表示深深地感謝；感謝實驗室老師的指導(dǎo)和幫助.我的畢業(yè)課題是單相橋式PWM逆變器的設(shè)計，是一個實際的小工程。作為一個本科生，我對實際的工程設(shè)計認(rèn)識不夠，經(jīng)驗不足，難免在設(shè)計的整體框架中，有很多的細(xì)節(jié)沒有考慮。我們的指導(dǎo)

26、老師陳永超老師并沒有指責(zé)，而是給予我們鼓勵和很多寶貴的建議，并且悉心引導(dǎo)，給予我們一個比較清晰的設(shè)計思路。正是基于陳老師的悉心指點和大家的全心的幫助，我才能比較順利地完成畢業(yè)設(shè)計。謝謝！參考文獻1 孫傳友.測控電路及裝置M.北京：北京航空航天大學(xué)出版社,2002年.2 謝自美.電子線路綜合設(shè)計M.武漢：華中科技大學(xué)出版社，2006年.3 黃正瑾.電子設(shè)計競賽賽題解析M.南京：東南大學(xué)出版社，2003年.4 楊邦文.新型實用電路制作200例M.北京：人民郵電出版社，1998年.5 王兆安，黃俊等.電力電子技術(shù)M.北京: 機械工業(yè)出版社,2008年.6 陳學(xué)平.Protel 2004M.北京：人民

27、教育出版社,2005.97 何小艇.電子系統(tǒng)設(shè)計M.浙江：浙江大學(xué)出版社,2004.6Single-phase bridge PWM inverter designLi Yansong(School of Physics and Electrical Engineering,Anyang Normal University,Anyang, Henan )Abstract：This paper introduces the basic principles of PWM design a single-phase full-bridge PWM controlled inverter. The design includes the main circuit, driver circuit, SPWM signal generation ci