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文檔簡介

1、項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B目錄目錄21.2.測試匯總表3測試環(huán)境和條件32.1 測性質(zhì)32.22.32.4試樣(DUT)3儀器和輔助設(shè)備3測試、時間和地點33.4.測試依據(jù)和參考標準4測試模型及配置44.1 DUT 配置44.2 實驗儀器設(shè)備配置4時鐘測試55.1 測試結(jié)果55.2 測試步驟55.5.3 檢測點和判據(jù)65.4 測試.66.CPU 端電平測試96.1 測試結(jié)果96.2 測試步驟106.36.4檢測點和測試判據(jù)11. 117.DDR SDRAM 端電平測試197.1 測試結(jié)果197.2 測試步驟197.3 檢測點和7.4 測試判據(jù)20.208.DDR S

2、DRAM 讀操作時序測試328.1 測試結(jié)果328.2 測試步驟338.3 檢測點和8.4 測試判據(jù)33.339.DDR SDRAM 寫操作時序測試379.1 測試結(jié)果379.2 測試步驟379.3 檢測點和9.4 測試測試判據(jù)38.38. 4910.11.測試發(fā)現(xiàn)的問題和分析49第 2 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B1. 測試匯總表2. 測試環(huán)境和條件2.1 測性質(zhì)如:樣機例試、bug回歸等2.2試樣(DUT)2.3儀器和輔助設(shè)備2.4測試、時間和地點第 3 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝測

3、試項執(zhí)行人開始時間結(jié)束時間環(huán)境溫度環(huán)境濕度測試地點時鐘測試Cpu 端電平測試DDR SDRAM 端電平測試DDR SDRAM 讀時序測試DDR SDRAM 寫時序測試設(shè)備名稱設(shè)備型號規(guī)格說明數(shù)量示波器SDA62001 臺探頭HFP25003 把萬用表FLUKE 15B1 個型號硬件版本軟件版本(boot、CTL、Main)測試程序版本生產(chǎn)序列號測試項目結(jié)果(Pass/Fail)測試審核時鐘測試Cpu 端電平測試DDR SDRAM 端電平測試DDR SDRAM 讀時序測試DDR SDRAM 寫時序測試項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B3. 測試依據(jù)和參考標準4. 測試模型及配

4、置4.1 DUT 配置硬件配置為:M7606-CM IIIV1.0樣機軟件配置為:Boot:10.2.45514Ctrl: RGNOS 10.3.00(3),Main:無Hardware_test:31117Release(50932)4.2實驗儀器設(shè)備配置第 4 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝測試項目示波器測試模板萬用表時鐘測試CPU 端時鐘測試DDR SDRAM 端時鐘測試:電阻檔-在試樣上電之前測試示波器地和試樣地之間的電阻值; AC 電壓檔-在試樣上電之后測試示波器地和試樣地之間的AC 電壓值。Cpu 端電平測試電阻檔-在試樣上電之前測試示波器地和試樣地之間的電

5、阻值; AC 電壓檔-在試樣上電之后測試示波器地和試樣地之間的AC 電壓值。DDR SDRAM 端電平測試電阻檔-在試樣上電之前測試示波器地和試樣地之間的電阻值; AC 電壓檔-在試樣上電之后測試示波器地和試樣地之間的AC 電壓值。DDR SDRAM 讀時序測試電阻檔-在試樣上電之前測試示波器地和試樣地之間的電阻值; AC 電壓檔-在試樣上電之后測試項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B5. 時鐘測試5.1 測試結(jié)果5.2 測試步驟1) 按照測試準備.doc文檔進試前的準備:測試準備.doc2)將 HFP2500 探頭SDA6000 的第一通道;3) 打開 SDA6000 示波

6、器,并調(diào)用測試模板:Cpu_clock_6000.lss;4) 點擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏;5) 進行 CPU 的輸入時鐘測試,并保存時鐘波形; 6)調(diào)用測試模板:ddr_sdram_clock_6000.lss; 7)點擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏;8)進行 DDR SDRAM 的輸入時鐘測試,并保存時鐘波形;9)拍攝 1 張體現(xiàn)如下信息:(命名為:(被測信號名).jpg;如 CLKIN.jpg) 時鐘信號對應(yīng)探頭的點觸位置靠近 CPU 端; 大致體現(xiàn)出示波器上的顯示波形; 測試完成!第 5 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝測試項目規(guī)格結(jié)果P

7、ass / Fail時鐘測試外部輸入時鐘需要滿足 CPU_CLKIN 時鐘指標要求外部輸入時鐘需要滿足 Sdram 的 clk 時鐘指標要求變更說明變更無無結(jié)論和說明: 無示波器地和試樣地之間的AC 電壓值。DDR SDRAM 寫時序測試電阻檔-在試樣上電之前測試示波器地和試樣地之間的電阻值; AC 電壓檔-在試樣上電之后測試示波器地和試樣地之間的AC 電壓值。項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B5.3 檢測點和判據(jù)5.4 測試5.4.1 測試指標指標可直接參見測試表ØCK/CK#_信號測試(時鐘測試)【以 NBR2500_HY5DU161622 為例】表(8.1.

8、1)Miron_Ddr_Sdram_時鐘最大值要求(MT46V16M16)表(8.1.1)hynix_ HY5DU161622_時鐘指標要求第 6 頁 共 49福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以頁拷貝-上圖說明:時鐘的電平最值指標備注:Hynix 的 DDR_Sdram中對時鐘的電平最大最小值沒有要求,因此參考 MicronDDR_Sdram中的時鐘要求。檢驗點判據(jù)是否(Y/N)備注防靜電是否已經(jīng)帶上靜電環(huán)?接地試樣地和示波器地是否接觸充分?電平測試指標當前被測 CPU,電平指標是否已經(jīng)更新?項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B由 表(8.1.1)Miron_Ddr_Sdra

9、m_時鐘最大值要求和表(8.1.1)hynix_ddr_sdram_時鐘指標要求得出如下時鐘指標:表(8.1.1)CK/CK#_時鐘指標提?。ㄌ筋^測試)表(8.1.1)測試說明第 7 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝被測信號:CK/CK#時鐘交叉點電平(V)電平最大值(V)電平最小值(V)時鐘周期(ns)上升時間下降時間測試函數(shù)CrossMaxMinPeriodleve lRise#levelfalllevel測試函數(shù)設(shè)置/設(shè)置電平高電平設(shè)置為:1.56V 低電平設(shè)置為:0.94V注意:測試之前要進行探頭校準,并保存探頭校準波形。被測信號時鐘交叉點電平(V)電平最大值(V

10、)電平最小值(V)時鐘周期(ns)上升時間(ns)下降時間(ns)CK/CK#1.05,1.452.8-0.36,12按照上升下降時間用于選擇建立保持時間-上圖說明:上升下降時間需要測試。-上圖說明:時鐘周期指標-上圖說明:時鐘交叉點電平指標項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:BØ8.1.2 CK/CK#_信號測試(差分探頭測試)【以 HY5DU161622 為例】表(8.1.2)HY5DU161622 時鐘指標由表(8.1.2)HY5DU161622 時鐘指標,得到時鐘的信號指標如下:表(8.1.2)CK/CK#_時鐘指標提?。ú罘痔筋^測試)表(8.1.2)測試說明

11、5.4.2 測試表格1.CK/CK#_信號測試(時鐘測試)第 8 頁 共49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝被測信號: CK/CK#時鐘交叉點電平(V)電平最大值(V)電平最小值(V)時鐘周期(ns)上升時間(ns)下降時間(ns)測試指標1.05,1.452.8-0.36,12按照上升下降時間用于選擇建立保持時間CK0/CK0#實測值Pass/fail/CK1/CK1#實測值被測信號: CK/CK#高電間低電間電平最大值電平最小值Jitter測試函數(shù)widthlevelwidthlevelMaxMinJitterlevel測試函數(shù)設(shè)置電平設(shè)置為 0V,邊沿為 pos電平設(shè)置為 0V

12、,邊沿為 neg/被測信號: CK/CK#高電間低電間電平最大值電平最小值Jitter測試指標0.45,0.5 5TCK0.45,0.5 5TCK3.1V0.7VDDR_SDRAM 的 jitter 指標在JEDEC 指南和 DDR_SDRAM 顆粒的上沒有說明。經(jīng)過sumsang 的技術(shù)工程師確認: jitter 一般需要小于 TCK 的 5%!-上圖說明:時鐘高低電間-上圖說明:差分探頭測得時鐘的電平最值項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B2CK/CK#_信號測試(差分探頭測試)5.4.3波形6. CPU 端電平測試6.1 測試結(jié)果第 9 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)

13、本公司同意,嚴禁以拷貝測試項目規(guī)格結(jié)果Pass / FailCPU 端信號電平測試DDR SDRAM 發(fā)出信號的 DC 電平需要滿足CPU 的輸入指標要求備注:每個信號需要保存 1 幅波形波形被測信號:高電間低電間電平最大值電平最小值Jitter測試指標0.45,0.5 5TCK0.45,0.5 5TCK3.1V0.7VDDR_SDRAM 的 jitter 指標在JEDEC 指南和 DDR_SDRAM 顆粒的上沒有說明。經(jīng)過sumsang 的技術(shù)工程師確認: jitter 一般需要小于 TCK 的 5%!CK0/CK0#實測值Pass/failCK1/CK1#實測值Pass/failCK2/C

14、K2#實測值Pass/failPass/failCK2/CK2#實測值Pass/fail項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B6.2 測試步驟1) 按照測試準備.doc文檔進試前的準備:測試準備.doc2)將 PP007SDA6050 的通道 1;3) 打開 SDA6050 示波器,并調(diào)用測試模板:Cpu_dianping_6050.lss;4) 安裝測試程序,并進入測試程序界面;5) 按照預(yù)先選擇的測試點,進行信號測試;6)在測試程序下,用 ddr_sdram_rd 0x3000000 0x3F00000 0xAAAAAAAA 0x55555555 10000發(fā)起對 DDR

15、SDRAM 的讀操作,并確認讀操作7) 點擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏;8) DC 電平測試:;由于測試程序發(fā)出的 DDR SDRAM 讀操作中沒有參雜寫操作,因此可以用 Top 和Base 函數(shù)來統(tǒng)計 DC 電平值;9) 保存 DC 電平測試波形;10) 點擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏;11) 上沖測試:由于測試程序發(fā)出的 DDR sdram 讀操作中沒有參雜寫操作,因此可以用 max函數(shù)來統(tǒng)計出上沖的最大值;用數(shù)據(jù)信號作為觸發(fā),得到上沖盡量嚴重的信號,用游標卡出數(shù)據(jù)信號在2.625V 處的時間寬度,保存波形;如果過沖沒有超過 2.625V,那么將光標放在 2.625

16、V處,保存波形;12) 點擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏;13) 下沖測試:由于測試程序發(fā)出的 DDR SDRAM 讀操作中沒有參雜寫操作,因此可以用 min函數(shù)來統(tǒng)計出下沖的最小值;用數(shù)據(jù)信號作為觸發(fā),得到下沖盡量嚴重的信號,用游標卡出數(shù)據(jù)信號在-0.3V 處的時間寬度,保存波形;如果下沖沒有低于-0.3V,那么將光標放在-0.3V 處,保存波形;14) 按照步驟7)到 13)完成所有信號測試;15)拍攝 1 張體現(xiàn)如下信息:(命名為:(被測信號名).jpg;如 DQ1.jpg) 數(shù)據(jù)信號對應(yīng)探頭的點觸位置靠近 CPU 端; 大致體現(xiàn)出示波器上的顯示波形;第 10 頁 共 49 頁

17、福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝DDR SDRAM 發(fā)出信號的上下沖需要滿足CPU 的輸入指標要求變更說明變更無無結(jié)論和說明: 無項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B測試完成!6.3 檢測點和判據(jù)6.4 測試6.4.1 測試指標指標可以直接參見測試表【以 MPC8541(core:300mhz)為例】數(shù)據(jù)線和 DQS 信號按照 1:1 的比例進Cpu_DC 電平指標試。Ø圖(8.2.2)MPC8541_CPU_DC 指標表(8.2.1)MPC8541_CPU_DDR_DC 指標提取ØCpu_上沖/下沖指標圖(8.2.2)MPC8541_CPU 上沖和

18、下沖指標第 11 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝參數(shù)Symbol指標(V)備注High-level input voltageVih1.43,2.8Low-level input voltageVil-0.3,1.07檢驗點判據(jù)是否(Y/N)備注防靜電是否已經(jīng)帶上靜電環(huán)?接地試樣地和示波器地是否接觸充分?數(shù)據(jù)信號測試點測試點是否靠近 CPU 端?抓取的波形抓取的波形是否是對 DDR sdram讀操作的波形?信號質(zhì)量差的信號(過沖大,有臺階)信號質(zhì)量差的信號是否已經(jīng)加入到 DDR sdram 讀操作的時序測試中?電平測試指標當前被測 CPU,電平指標是否已經(jīng)更新?項目名稱

19、 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B按照圖(8.2.2)MPC8541_CPU 上沖和下沖指標進行指標提取,得到:表(8.2.2)MPC8541_CPU 上沖和下沖指標提取表(8.2.2)測試說明6.4.2 測試表格【以 MPC8541(core:300mhz)為例】數(shù)據(jù)線和 DQS 信號按照 1:1 的比例進試。1CPU_DC 電平測試表(6.4.2.1)DC 測試_表格第 12 頁共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝數(shù)據(jù)信號測試點Vih 指標(V)Vil 指標 Vih 測試值Vil 測試值PASS/FAIL測試說明當 CE#信號和 WE#信號為高電平,此時的數(shù)據(jù)線為

20、 CPU 的輸入信號,測試此時的數(shù)據(jù)線電平。指南要求測試軟件能嚴格區(qū)分 Ddr_Sdram 讀寫操作(即:測試軟件發(fā)起寫操作中不參雜讀操作, 測試軟件發(fā)起讀操作中不參雜寫操作),此項測試就不需要使用 CE#和 WE#作為參考信號,直接點測數(shù)據(jù)和 DQS 信號。測試方法用 TOP 和 BASE 統(tǒng)計出信號的 DC 值;用 max 和 min 統(tǒng)計出信號的最大最小值;如果上沖超過 2.625V,則卡出 2.625V 處的電平寬度(或調(diào)用 widelevel 函數(shù)測量),上沖沒 有超過 2.625V,則將光標放在 2.625V 處;如果下沖小于-0.3V,則卡出-0.3V 處的電平寬度(或調(diào)用wid

21、elevel 函數(shù)測量),如果下沖大于-0.3V,則將光標放在-0.3V 處;參數(shù)指標備注CPU 輸入信號上沖上沖:-,3VGVdd=2.5VTsys=10ns2.625V 處的上度:-, 1 nsCPU 輸入信號下沖下沖:-0.7,-V-0.3V 處的下度: -, 1 ns項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B第 13 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝(V)(V)(V)(1)DQ01.43,2.8-0.3,1.07DQ1同上同上DQ2同上同上DQ3同上同上DQ4同上同上DQ5同上同上DQ6同上同上DQ7同上同上DQ8同上同上DQ9同上同上DQ10同上同上

22、DQ11同上同上DQ12同上同上DQ13同上同上DQ14同上同上DQ15同上同上DQ16同上同上DQ17同上同上DQ18同上同上DQ19同上同上DQ20同上同上DQ21同上同上DQ22同上同上DQ23同上同上DQ24同上同上DQ25同上同上DQ26同上同上DQ27同上同上DQ28同上同上DQ29同上同上DQ30同上同上DQ31同上同上DQ32同上同上DQ33同上同上DQ34同上同上DQ35同上同上DQ36同上同上DQ37同上同上DQ38同上同上DQ39同上同上DQ40同上同上DQ41同上同上項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:BNote(1):Vih 和 Vil 這兩個參數(shù)都達

23、標,則填入:PASS;否則填入:FAIL。2CPU_DC 電平過沖/下沖測試表(6.4.2.2)過沖下沖測試_表格第 14 頁共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝數(shù) 據(jù)信號測試點上沖指標下沖指標上沖實測值下沖實測值PASS/FAILDQ0上沖:-,3V下沖:-0.7,-V2.625V 處的上度:-, 1 ns-0.3V 處的下度: -, 1 nsDQ42同上同上DQ43同上同上DQ44同上同上DQ45同上同上DQ46同上同上DQ47同上同上DQ48同上同上DQ49同上同上DQ50同上同上DQ51同上同上DQ52同上同上DQ53同上同上DQ54同上同上DQ55同上同上DQ56同上同

24、上DQ57同上同上DQ58同上同上DQ59同上同上DQ60同上同上DQ61同上同上DQ62同上同上DQ63同上同上DQS0同上同上DQS1同上同上DQS2同上同上DQS3同上同上DQS4同上同上DQS5同上同上DQS6同上同上DQS7同上同上項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B第 15 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝DQ1同上同上同上同上DQ2同上同上同上同上DQ3同上同上同上同上DQ4同上同上同上同上DQ5同上同上同上同上DQ6同上同上同上同上DQ7同上同上同上同上DQ8同上同上同上同上DQ9同上同上同上同上DQ10同上同上同上同上DQ11同上同上同

25、上同上DQ12同上同上同上同上DQ13同上同上同上同上DQ14同上同上同上同上DQ15同上同上同上同上DQ16同上同上同上同上DQ17同上同上同上同上DQ18同上同上同上同上DQ19同上同上同上同上DQ20同上同上同上同上DQ21同上同上項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B第 16 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝同上同上DQ22同上同上同上同上DQ23同上同上同上同上DQ24同上同上同上同上DQ25同上同上同上同上DQ26同上同上同上同上DQ27同上同上同上同上DQ28同上同上同上同上DQ29同上同上同上同上DQ30同上同上同上同上DQ31同上同上同上

26、同上DQ32同上同上同上同上DQ33同上同上同上同上DQ34同上同上同上同上DQ35同上同上同上同上DQ36同上同上同上同上DQ37同上同上同上同上DQ38同上同上同上同上DQ39同上同上同上同上DQ40同上同上同上同上DQ41同上同上同上同上項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B第 17 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝DQ42同上同上同上同上DQ43同上同上同上同上DQ44同上同上同上同上DQ45同上同上同上同上DQ46同上同上同上同上DQ47同上同上同上同上DQ48同上同上同上同上DQ49同上同上同上同上DQ50同上同上同上同上DQ51同上同上同上同

27、上DQ52同上同上同上同上DQ53同上同上同上同上DQ54同上同上同上同上DQ55同上同上同上同上DQ56同上同上同上同上DQ57同上同上同上同上DQ58同上同上同上同上DQ59同上同上同上同上DQ60同上同上同上同上DQ61同上同上同上同上項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B6.4.3波形第 18 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝備注:上下沖測試保存在同一幅波形。波形每個信號可保存 3 幅波形:DC 電平測試波形,上沖測試波形和下沖測試波形;也可將電平測試和DQ62同上同上同上同上DQ63同上同上同上同上DQS0同上同上同上同上DQS1同上同上同上同上

28、DQS2同上同上同上同上DQS3同上同上同上同上DQS4同上同上同上同上DQS5同上同上同上同上DQS6同上同上同上同上DQS7同上同上同上同上DQS0同上同上同上同上項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B7. DDR SDRAM 端電平測試7.1 測試結(jié)果7.2 測試步驟1)按照測試準備.doc文檔進試前的準備:測試準備.doc2)將 PP007SDA6050 的通道 1;3) 打開 SDA6050 示波器,并調(diào)用測試模板:ddr_sdram_dianping_6050.lss;4) 安裝測試程序,并進入測試程序界面;5) 按照預(yù)先選擇的測試點,進行信號測試;6)在測試程序下

29、,用 ddr_sdram_wr 0x3000000 0x3F00000 0xAAAAAAAA 0x55555555 1000發(fā)起對 DDR SDRAM 的寫操作,并確認寫操作7) 點擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏;8) DC 電平測試:;由于測試程序發(fā)出的 DDR SDRAM 寫操作中沒有參雜讀操作,因此可以用 Top和 Base 函數(shù)來統(tǒng)計 DC 電平值;9) 保存 DC 電平測試波形;10) 點擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏;11) 上沖測試:用光標卡出盡可能大的 2.5V 處的上度,超過 2.5V 的電平值為信號的 max 值減去2.5V,由于示波器沒有計算面積的函數(shù)

30、,因此采用2.5V 處的上度x超過 2.5V 的電平值/2,得到上度的面積。Ex:2.5V 處的上度=3ns,超過 2.5V 的電平值=1V,那么上沖的面積為 1.5V-ns;12)點擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏;第 19 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝測試項目規(guī)格結(jié)果Pass / FailDDR SDRAM 端電平測試CPU 發(fā)出信號的DC 電平需要滿足 DDR SDRAM 的輸入指標要求CPU 發(fā)出信號的上下沖需要滿足 DDR SDRAM 的輸入指標要求變更說明變更無無結(jié)論和說明: 無項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B13)下沖測試:

31、用光標卡出盡可能大的 0V 處的下度,低于 0V 的電平值為信號的 min 值,由于示波器沒有計算面積的函數(shù),因此采用0V 處的下度x低于 0V 的電平值/2,得到下度的面積。Ex:0V 處的電平寬度=3ns,低于 0V 的電平值=1V,那么下沖的面積為 1.5V-ns;14)按照步驟7)到 13)完成除 OE#外的所有待測信號測試;15)拍攝 1 張體現(xiàn)如下信息:(命名為:(被測信號名).jpg;如 DQ1.jpg)需要體現(xiàn)出:被測信號的點觸位置靠近 DDRSDRAM 端; 需要大致體現(xiàn)出示波器上的顯示波形測試完成!7.3 檢測點和判據(jù)7.4 測試7.4.1 測試指標指標可以直接參見測試【以

32、 HY5DU161622 為例】數(shù)據(jù)信號,DQS,地址信號,表信號和命令信號全測。ØDdr_Sdram_DC 電平指標表(8.3.1)HY5DU161622 的 DC 電平指標由表(8.3.1)HY5DU161622 的電平指標得出:表(8.3.1)Ddr_Sdram_DC 電平指標提取ØDdr_Sdram_上沖/下沖指標第 20 頁 共49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝參數(shù)Symbol指標(V)備注High-level input voltageVih1.4,2.8/Low-level input voltageVil-0.3,1.1/檢驗點判據(jù)是否(Y/N)

33、備注防靜電是否已經(jīng)帶上靜電環(huán)?接地試樣地和示波器地是否接觸充分?數(shù)據(jù)信號測試點測試點是否靠近 DDR SDRAM 端?信號質(zhì)量差的信號(過沖大,有臺階)信號質(zhì)量差的信號是否已經(jīng)加入到 DDR SDRAM 讀操作的時序測試中?電平測試指標當前被測 DDR SDRAM,電平指標是否已經(jīng)更新?項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B表(8.3.2)地址和信號的上下沖表(8.3.2)數(shù)據(jù)和 DQS 和 DM 信號的上下沖由表(8.3.2)地址和信號的上下沖 和表(8.3.2)數(shù)據(jù)和 DQS 和 DM 信號的上下沖得出 HY5DU161622 的上下沖指標如下表:表(8.3.2)HY5DU

34、161622 的上下沖指標提取第 21 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意,嚴禁以拷貝信號上下沖指標備注地址和信號上沖最大值4.0V下沖最大值-1.5V上沖超過 2.5V 的信號面積小于 4.5V-ns下沖低于 0V 的信號面積小于 4.5V-ns數(shù)據(jù) & DQS & DM 信號上沖最大值3.7V項目名稱 DDR DDR SDRAM 測試報告密級:B表(8.3.2)測試說明7.4.2 測試表格【以 HY5DU161622 為例】數(shù)據(jù),地址信號和信號全測。1DDR_SDRAM_DC 測試_表格表(7.4.2.1)DC 測試_表格第 22 頁 共 49 頁福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本

35、公司同意,嚴禁以拷貝數(shù)據(jù)信號測 試點Vih 指標 (V)Vil 指標 (V)Vih 測試值(V)Vil 測試值(V)PASS/FAIL(1)DQ01.4,2.8-0.3,1.1DQ1同上同上DQ2同上同上DQ3同上同上DQ4同上同上DQ5同上同上DQ6同上同上DQ7同上同上DQ8同上同上DQ9同上同上DQ10同上同上DQ11同上同上DQ12同上同上DQ13同上同上DQ14同上同上DQ15同上同上DQ16同上同上測試說明需要的參考信號為:CE#和 WE#,在 CE#和 WE#信號都為低電平區(qū)域,為寫操作數(shù)據(jù); 在 CE#為低電平區(qū)域,為寫操作地址, 和命令信號;指南要求測試軟件能嚴格區(qū)分 Ddr_Sdram 讀寫操作(即:測試軟件發(fā)起寫操作中不參雜讀操作,測試軟件發(fā)起讀操作中不參雜寫操作),此項測試就不需要使用 CE#和 WE#作為參考信號,

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