STM32片內FLASH特定地址寫入數據不被擦除方法

1、STM32中存儲區(qū)分為：隨機存取存儲器RAM和只讀存儲器ROM。 其中：RAM為常說的內存，比如手機的2G內存4G內存等，就是程序跑起來的時候所占用的存儲空間，特點是掉電數據丟失。ROM為常說的硬盤，比如手機的64G和128G等，可以簡單的理解為硬盤的存儲空間，特點是掉電數據不丟失，所以又叫“非易失性存儲器件”。 ROM又包含：EEPROM和flash。作為ROM的一份子，flash的特點自然是掉電數據不丟失。但是，flash在STM32中比較重要，程序也是保存在這個地方，所以輕易不讓用戶進行隨意的讀寫，以避免不必要的問題。1、STM32 FLASH操作流程Flash操作已經屬于嵌入式設備中很

2、底層的操作了，直接對地址進行存取，簡單描述，Flash操作大致需要以下流程：1、確定要寫入Flash的首地址（稍后介紹確定地址的方法）2、解鎖Flash3、對Flash進行操作（寫入數據）4、對Flash重新上鎖1.1 如何查找并選定要寫入Flash十六進制地址值的方法要想選定安全的Flash地址進行讀寫，可以根據自己的STM32 MCU型號，查找數據手冊，確定FLASH的地址區(qū)段，因為起始段會存儲代碼，所以一定要避開起始段，以避免數據錯誤。（我一般是根據Flash大小計算Flash的最末尾地址，往前推一段地址空間，在這里一般不會對代碼中的數據產生覆蓋等影響）我此次操作Flash使用的MCU是

3、STM32103C8T6，所以以該型號MCU為例進行描述：在數據手冊中，可以看到STM32103C8T6的flash起始地址是0x0800 0000（如下圖所示），而STM32103C8T6的Flash大小為64K，可以計算出STM32103C8T6的Flash地址范圍是：0x0800 00000x0800 FFFF（計算方法參考另一篇博客：STM32內存大小與地址的對應關系以及計算方法）。這里選取0x0800 F000作為讀寫操作的起始地址，對于C8T6這款MCU，操作這個起始地址應該算是很安全的范圍了。 主存儲器，該部分用來存放代碼和數據常數（如 const 類型的數據）。對于大容量產品，

4、其被劃分為 256 頁，每頁 2K 字節(jié)。注意，小容量和中容量產品則每頁只有 1K 字節(jié)。從上圖可以看出主存儲器的起始地址就是 0X08000000， B0、B1 都接 GND 的時候，就是從 0X08000000開始運行代碼的2、Flash基本知識點2.1 Flash容量Flash根據容量大小可以分為以下三種：1、小容量產品：Flash大小為1-32KB（STM32F10X_LD）2、中容量產品：Flash大小為64-128KB（STM32F10X_MD）3、大容量產品：Flash大小為256KB以上（STM32F10X_HD）2.2 ST庫對Flash操作的支持ST庫中對Flash操作主要

5、提供了以下幾類操作API函數：1、Flash解鎖、鎖定函數 void FLASH_Unlock(void);/解鎖函數：在對Flash操作之前必須解鎖void FLASH_Lock(void);/鎖定函數：同理，操作完Flash之后必須重新上鎖2、Flash寫操作函數 FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);/32位字寫入函數FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);/16位半字寫入函數FLASH_Status F

6、LASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);/用戶選擇字節(jié)寫入函數 注：這里需要說明，32 位字節(jié)寫入實際上是寫入的兩次 16 位數據，寫完第一次后地址+2，這與我們前面講解的 STM32 閃存的編程每次必須寫入 16 位并不矛盾。寫入 8位實際也是占用的兩個地址了，跟寫入 16 位基本上沒啥區(qū)別。3、Flash擦除函數 FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);FLASH_Stat

7、us FLASH_EraseOptionBytes(void);4、獲取Flash狀態(tài) FLASH_Status FLASH_GetStatus(void); 獲取Flash狀態(tài)函數，主要是為了獲取Flash的狀態(tài)，以便于根據狀態(tài)對Flash進行操作。該函數返回值是通過枚舉類型定義的，在代碼中可以看到FLASH_Status類型定義如下（具體含義看注釋即可）：                    

8、;                             typedef enum                   

9、0;                                                  

10、60;                              FLASH_BUSY = 1,        /忙           &

11、#160;                                       FLASH_ERROR_PG,      /編程錯誤   &#

12、160;                                               FLASH_ERROR_WRP,

13、60;  /寫保護錯誤                                                &

14、#160;  FLASH_COMPLETE,      /操作完成                                        &#

15、160;          FLASH_TIMEOUT         /操作超時                              

16、;                     FLASH_Status;5、等待操作完成函數 FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout); 注：在執(zhí)行閃存寫操作時，任何對閃存的讀操作都會鎖住總線，在寫操作完成后讀操作才能正確地進行；既在進行寫或擦除操作時，不能進行代碼或數據的讀取操作。所以在每次操作之前，我們都要等待上一次操作完

17、成這次操作才能開始。根據ST庫提供的上述函數，我們可以自己編寫Flash的讀寫操作代碼如下：3.1 先定義一個Flash操作的起始地址宏定義和Flash狀態(tài)指示標志位#define STARTADDR 0x0800F000 /STM32F103C8T6適用volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_BUSY; /Flash操作狀態(tài)變量3.2 編寫各個讀寫函數/ Name: WriteFlashOneWord/ Function: 向內部Flash寫入32位數據/ Input: WriteAddress：數據要寫入的目標地址（偏移地址）/ WriteDat

18、a： 寫入的數據/void WriteFlashOneWord(uint32_t WriteAddress, uint32_t WriteData) FLASH_UnlockBank1(); FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); FLASHStatus = 1; /清空狀態(tài)指示標志位 FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR); if(FLASHStatus = FLASH_COMPLETE) FLASHStatus = 1; /清空狀態(tài)指示標志位

19、 FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(STARTADDR+WriteAddress, WriteData); /flash.c 中API函數 FLASHStatus = 1; /清空狀態(tài)指示標志位 FLASH_LockBank1(); / Name: WriteFlashData/ Function: 向內部Flash寫入數據/ Input: WriteAddress：數據要寫入的目標地址（偏移地址）/ data： 寫入的數據首地址/ num： 寫入數據的個數/void WriteFlashData(uint32_t WriteAddress, uint8_t da

20、ta, uint32_t num) uint32_t i = 0; uint16_t temp = 0; FLASH_UnlockBank1(); /解鎖flash FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); FLASHStatus = 1; /清空狀態(tài)指示標志位 FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR);/擦除整頁 if(FLASHStatus = FLASH_COMPLETE)/flash操作完成 FLASHStatus = 1; /清空狀態(tài)指示標

21、志位 for(i=0; i<num; i+) temp = (uint16_t)datai; FLASHStatus = FLASH_ProgramHalfWord(STARTADDR+WriteAddress+i*2, temp);/寫入數據 FLASHStatus = 1; /清空狀態(tài)指示標志位 FLASH_LockBank1(); /鎖定flash / Name: ReadFlashNBtye/ Function: 從內部Flash讀取N字節(jié)數據/ Input: ReadAddress：數據地址（偏移地址）/ ReadBuf：讀取到的數據存放位置指針/ ReadNum：讀取字節(jié)個數/ Output: 讀取的字節(jié)數/int