MOS管特性分析-文檔資料

1、1實(shí)驗(yàn)課1 MOS管特性分析本課程作業(yè)要求： 1、提交手工計(jì)算、繪圖(Visio)結(jié)果。必須對(duì) 結(jié)果進(jìn)行分析。 2、提交仿真sp文件、仿真結(jié)果截圖。對(duì)比1的 結(jié)果，觀察是否一致，若不一致說(shuō)明原因。3、提交的實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求是word或pdf文件。2MODEL無(wú)說(shuō)明情況下,實(shí)驗(yàn)采用課本32頁(yè)給出的MODELNMOSLEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9 JS

2、=1.0e-8PMOSLEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 PHI=0.8 NSUB=5e+14 LD=0.09e-6 U0=100 LAMBDA=0.2TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-11MJ=0.5 MJSW=0.3 CGDO=0.3e-9 JS=0.5e-83用到的命令格式.IC V(n)=3V *規(guī)定n節(jié)點(diǎn)的初始電壓為3V。.Tran 10us 5ms UIC *在規(guī)定的初始條件下進(jìn)行瞬態(tài)分析。 .DC V(n) 0 3.3V 0.05V *直流分析，對(duì)節(jié)點(diǎn)n的電位進(jìn)行掃描，最小為0V 步進(jìn)0.05V 最大3.3V .Tran

3、 10us 5ms *執(zhí)行5ms的瞬態(tài)分析，計(jì)算時(shí)間間隔10us，也即每10us給出一個(gè)仿真數(shù)值。 *整個(gè)瞬態(tài)曲線由 500個(gè)點(diǎn)組成。.DC V(n) 0 3.3V 0.05V sweep V(m) 0 3V 0.5V *直流分析，對(duì)節(jié)點(diǎn)n的電位進(jìn)行掃描，最小為0V 步進(jìn)0.05V 最大3.3V *同時(shí)對(duì)M點(diǎn)電位掃描，得出7條曲線。 .MODEL NMOS NMOS() *建立model，第一個(gè)NMOS為model name ； 第二個(gè)NMOS為model 類型 ；()內(nèi)注明各參數(shù)的值 4示例 MOS管IV 特性分析*model NMOS*.MODEL NMOS NMOS (+LEVEL=1

4、VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 +NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1+TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11+MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9 JS=1.0e-8)*model PMOS*.MODEL PMOS PMOS (+LEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 PHI=0.8 +NSUB=5e+14 LD=0.09e-6 U0=100 LAMBDA=0.2+TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-11+MJ=0

5、.5 MJSW=0.3 CGDO=0.3e-9 JS=0.5e-8)*netlist* M1 DN GN SN BN NMOS W=1u L=0.5u M2 DP GP SP BP PMOS W=1u L=0.5u5示例 MOS管IV 特性分析*source*VDSN DN SN 0VGSN GN SN 0VSN SN 0 0VBN BN 0 0VSDP SP DP 0VSGP SP GP 0VSP SP 0 3.3VBP BP 0 3.3*analysis*.DC VDSN 0 3.3 0.05 sweep VGSN 0 3 0.5.DC VSDP 3.3 0 0.05 sweep VSGP 3 0 0.5*output*.options post acct be i(M1) i(M2) LX7(M1) LX7(M2) *LX7() 求器件跨導(dǎo).end61、執(zhí)行示例中的仿真程序，給出仿真結(jié)果。并在NMOS的柵源電壓為1.2V時(shí)，PMOS源柵電壓等于1.2V時(shí)，分別仿真得出二者漏電流特性曲線。這種情況下，手工計(jì)算出對(duì)于NMOS，當(dāng)VDS=1V時(shí)漏電流、跨導(dǎo)的值；對(duì)于PMOS V