單極型場效應(yīng)管及其放大電路

1、上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(Field Effect Transistor)4.1 單極型場效應(yīng)管概述單極型場效應(yīng)管概述4.3 絕緣柵場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)4.4 N溝道耗盡型溝道耗盡型MOS管管4.5 各種場效應(yīng)管特性比較及注意事項各種場效應(yīng)管特性比較及注意事項 4.2 結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管(JEFT)4.6 場效應(yīng)管放大器及其靜態(tài)分析場效應(yīng)管放大器及其靜態(tài)分析4.7 場效應(yīng)管放大電路微變等效電路分析場效應(yīng)管放大電路微變等效電路分析基本要求基本要求:1 了解了解JFET和和MOS管的工作原理、特性曲線及主要參數(shù)

2、管的工作原理、特性曲線及主要參數(shù)2 掌握用估算法和小信號模型法分析靜態(tài)及動態(tài)性能指標(biāo)掌握用估算法和小信號模型法分析靜態(tài)及動態(tài)性能指標(biāo)3 了解三極管及場效應(yīng)管放大電路的特點了解三極管及場效應(yīng)管放大電路的特點上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)N溝道溝道P溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型耗盡型耗盡型N溝道溝道P溝道溝道N溝道溝道P溝道溝道（耗盡型）（耗盡型）FET場效應(yīng)管場效應(yīng)管JFET結(jié)型結(jié)型MOSFET絕緣柵型絕緣柵型(IGFET)分類分類增強(qiáng)型增強(qiáng)型FET vGS=0時沒有導(dǎo)電溝道，時沒有導(dǎo)電溝道，iD=0;vGS0形成形成 感生溝道的感生溝道的FET

3、。符號中的虛線表明了其特點。符號中的虛線表明了其特點。 反之，為反之，為耗盡型耗盡型。4.1 單極型單極型場效應(yīng)管場效應(yīng)管概述概述上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)4.2 結(jié)型場效應(yīng)管(JFET) 4.2.1 JFET的結(jié)構(gòu) 4.2.3 JFET的特性曲線 4.2.2 JFET的工作原理 4.2.3 JFET的主要參數(shù) 上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 結(jié)構(gòu)示意圖 N溝道溝道P溝道溝道按導(dǎo)電溝道分按導(dǎo)電溝道分 4.2.1 JFET的結(jié)構(gòu)上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精

4、品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 源極源極，用用S或或s表示表示N型導(dǎo)電溝道型導(dǎo)電溝道漏極漏極，用用D或或d表示表示 P型區(qū)型區(qū)P型區(qū)型區(qū)柵極柵極，用用G或或g表示表示柵極柵極，用用G或或g表示表示符號符號符號符號 結(jié)構(gòu)實際結(jié)構(gòu) 柵結(jié)正偏時，柵極電流的方向從柵結(jié)正偏時，柵極電流的方向從P指向指向N 4.2.1 JFET的結(jié)構(gòu)上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)偏置電壓的要求：偏置電壓的要求：1 )柵柵-源極間加一負(fù)電壓源極間加一負(fù)電壓(vGS 0)作用：作用：使柵使柵-源極間的源極間的PN結(jié)反偏，柵極電流結(jié)反偏，柵極電流iG0，場效應(yīng)管

5、呈現(xiàn)，場效應(yīng)管呈現(xiàn)很高的輸入電阻很高的輸入電阻(高達(dá)高達(dá)107 左右左右)。2)漏漏-源極間加一正電壓源極間加一正電壓(vDS0)作用：作用：使使N溝道中的多數(shù)載流子電子在電場作用下由源極向漏極溝道中的多數(shù)載流子電子在電場作用下由源極向漏極作漂移運動，形成漏極電流作漂移運動，形成漏極電流iD。 在上述兩個電源的作用下在上述兩個電源的作用下,iD的大小主要受柵的大小主要受柵-源電壓源電壓vGS控制，控制，同時也受漏同時也受漏-源電壓源電壓vDS的影響。的影響。工作原理（以（以N溝道溝道JFET為例）為例） 4.2.2 JFET的工作原理上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬

6、電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(1) VGS對溝道的控制作用對溝道的控制作用 (假設(shè)假設(shè)vDS=0)當(dāng)當(dāng)VGS0時時 當(dāng)溝道夾斷時，對應(yīng)當(dāng)溝道夾斷時，對應(yīng)的柵源電壓的柵源電壓VGS稱為稱為夾斷夾斷電壓電壓VP （ 或或VGS(off) ）。）。對于對于N溝道的溝道的JFET，VP V(BR)DS反向擊穿反向擊穿 4.2.2 JFET的工作原理上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(3) VGS和和VDS同時作用時同時作用時導(dǎo)電溝道更容易夾斷，導(dǎo)電溝道更容易夾斷，對于同樣的對于同樣的VDS ， ID的值比的值比VGS=0時的值要小。時的值要小。VG

7、D=VGS- -VDS =VP 當(dāng)當(dāng)VP VGS0 時，時，在預(yù)夾斷處在預(yù)夾斷處iD/mA 0 vDS/VvGS=0vGS=-1VvGS=VP預(yù)夾斷軌跡預(yù)夾斷軌跡VGD=VGS- -VDS =VP 預(yù)夾斷點預(yù)夾斷點VGS VP 溝道截止溝道截止iD=0截止區(qū)截止區(qū) 4.2.2 JFET的工作原理上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)綜上分析可知綜上分析可知 溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電， 所以場效應(yīng)管也稱為單極型三極管。 JFET是電壓控制電流器件，iD受vGS控制 預(yù)夾斷前iD與vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后， iD趨于飽和。 JF

8、ET柵極與溝道間的PN結(jié)是反向偏置的，因 此iG0，輸入電阻很高。 4.2.2 JFET的工作原理上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)const.DSDGS)( vvfi2. 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性 const.GSDDS)( vvfi)0()1(GSP2PGSDSSD vVVvIiVP1. 輸出特性輸出特性 飽和區(qū)飽和區(qū)線性放大區(qū)線性放大區(qū) VGS v vT T( (開啟電壓開啟電壓) )時，出現(xiàn)時，出現(xiàn)N N型導(dǎo)型導(dǎo)電溝道電溝道 當(dāng)當(dāng) vGS足夠大，足夠大， VT 時，襯底中電子被吸引到表面，形成時，襯底中電子被吸引到表面，形成N型導(dǎo)電溝道型導(dǎo)

9、電溝道(感生溝道感生溝道)，將兩個，將兩個N型區(qū)連通。型區(qū)連通。反型層反型層( (溝道溝道) )VGG電場耗盡層耗盡層電場N型導(dǎo)電型導(dǎo)電溝道溝道(感生感生) 源區(qū)、襯底和漏區(qū)形成源區(qū)、襯底和漏區(qū)形成2個背靠背的個背靠背的PN結(jié)，無論結(jié)，無論vDS極性如何總有一個極性如何總有一個PN結(jié)結(jié)反偏，電阻大，無導(dǎo)電溝道，反偏，電阻大，無導(dǎo)電溝道，iD=0； 4.3.2 N 溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型 MOS管的工作原理管的工作原理增強(qiáng)型增強(qiáng)型FET vGS=0時沒有導(dǎo)電溝道，時沒有導(dǎo)電溝道，iD=0;vGS0形成感生溝道形成感生溝道 的的FET。上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子

10、技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)v源極源極S與襯底相連與襯底相連工作原理工作原理 此時，若加入此時，若加入 vDS 則有漏極電流則有漏極電流iD 產(chǎn)生。產(chǎn)生。反型層反型層( (溝道溝道) )VGG電場耗盡層耗盡層電場N型導(dǎo)電型導(dǎo)電溝道溝道(感生感生)開啟電壓開啟電壓VT 在在vDS作用下開始導(dǎo)電時的作用下開始導(dǎo)電時的vGS。(1) (1) 當(dāng)當(dāng)v vGS GS =0=0 ，D D、S S間沒有導(dǎo)電溝道間沒有導(dǎo)電溝道(2) (2) 當(dāng)當(dāng)v vGS GS v vT T( (開啟電壓開啟電壓) )時，出現(xiàn)時，出現(xiàn)N N型導(dǎo)型導(dǎo)電溝道電溝道 vGS 越大，越大，溝道越厚，溝道電阻越小。溝道越厚，溝道電阻越小。

11、 加入加入vDS后，溝道兩端因電位不同，靠近后，溝道兩端因電位不同，靠近S端厚，端厚，D端薄，端薄，溝道呈楔形。溝道呈楔形。VGG 4.3.2 N 溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型 MOS管的工作原理管的工作原理上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)vVGGVGG工作原理工作原理(3) (3) 可變電阻區(qū)和飽和區(qū)的形成機(jī)制可變電阻區(qū)和飽和區(qū)的形成機(jī)制 在在vGS VT時，若外加時，若外加vDS較小較小(vDS vGS-VT)，iD將隨將隨vDS上升迅速增大。上升迅速增大。iD /mAuDS /VuGS = 2 V4 V6 V8 V 當(dāng)當(dāng)vDS增大到一定值，

12、使增大到一定值，使vGS-vDS = vGD=VT (vDSvGS-VT) 時，靠近時，靠近D端反型層端反型層消失，產(chǎn)生夾斷。消失，產(chǎn)生夾斷。 vDS繼續(xù)增大，夾斷點左移。繼續(xù)增大，夾斷點左移。夾斷區(qū)夾斷區(qū)-反型層消反型層消失后的耗失后的耗盡區(qū)盡區(qū)注意：注意：溝道夾斷時，耗盡區(qū)中仍溝道夾斷時，耗盡區(qū)中仍有電流流過。有電流流過。 vDS繼續(xù)增加時，增加的部分主要降繼續(xù)增加時，增加的部分主要降落在夾斷區(qū)，而降落在導(dǎo)電溝道上的電壓落在夾斷區(qū)，而降落在導(dǎo)電溝道上的電壓基本不變，因此基本不變，因此vDS增加，增加，iD趨于飽和。趨于飽和。 當(dāng)當(dāng)vDS=vGS-VT時，稱為預(yù)夾斷時，稱為預(yù)夾斷(預(yù)夾斷臨界

13、條件預(yù)夾斷臨界條件) ?？勺冸娍勺冸娮鑵^(qū)阻區(qū)飽和飽和區(qū)區(qū)預(yù)夾預(yù)夾斷點斷點歸納：利用柵源電壓的大小改變半導(dǎo)體表面感生電荷的多少，歸納：利用柵源電壓的大小改變半導(dǎo)體表面感生電荷的多少，以改變溝道電阻的大小，進(jìn)而可以控制漏極電流的大小。以改變溝道電阻的大小，進(jìn)而可以控制漏極電流的大小。 4.3.2 N 溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型 MOS管的工作原理管的工作原理上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(1) (1) 輸出特性及輸出特性及電流電流方程方程a、截止區(qū)、截止區(qū)(vGS0 時時，感應(yīng)更多電子，溝道變寬，在，感應(yīng)更多電子，溝道變寬，在vDS作用下作用下i

14、D更大；更大； vGS0,使溝道中的感應(yīng)電子減少，溝道變窄，在使溝道中的感應(yīng)電子減少，溝道變窄，在vDS作用下，作用下， iD 減小。減小。4.44.4 N N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSMOS管管上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)輸出特性輸出特性vGS /ViD /mAIDSSVP夾斷夾斷電壓電壓飽和漏飽和漏極電流極電流當(dāng)當(dāng) vGS VP 時，時，2P)1(GSDSSDVvIi vDS /ViD /mAvGS = 4 V 2 V0 V2 VOO轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性vGS 可正可負(fù)，可正可負(fù)，iG 04.4.2 工作特性工作特性4.44.4 N

15、N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSMOS管管上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)增強(qiáng)型增強(qiáng)型耗盡型耗盡型SGDBSGDB4.44.4 N N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSMOS管管上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)綜上分析可知綜上分析可知 感生溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電， 所以場效應(yīng)管也稱為單極型三極管。 MOSFET是電壓控制電流器件，iD受vGS控制 預(yù)夾斷前iD與vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后， iD趨于飽和。 MOSFET的柵極絕緣，iG=0，輸入電阻很高。 絕緣柵絕緣柵場效應(yīng)管

16、場效應(yīng)管上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)N 溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型SGDBiDP 溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型SGDBiD2 2 OvGS /ViD /mAVTSGDBiDN 溝道耗盡溝道耗盡型型iDSGDBP 溝道耗盡溝道耗盡型型VPIDSSvGS /ViD /mA 5 O54.5.1 各類各類 FET 符號、特性符號、特性4.5 4.5 各種場效應(yīng)管特性比較及注意事項各種場效應(yīng)管特性比較及注意事項上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)O uDS /ViD /mA5 V2 V0 V uGS = N

17、 溝道結(jié)溝道結(jié)型型SGDiDSGDiDP 溝道結(jié)溝道結(jié)型型UGS(off)O uDS /ViD /mAuGS = 0 V 2 V 5 VuGS /ViD /mA5 5 OIDSS4.5 4.5 各種場效應(yīng)管特性比較及注意事項各種場效應(yīng)管特性比較及注意事項上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) （1）JFET的的vGS不能接反，開路保存，不能接反，開路保存，d、s可以互換；可以互換； N溝道溝道MOS管，將襯底接到電位最低點；管，將襯底接到電位最低點； 4.5 4.5 各種場效應(yīng)管特性比較及注意事項各種場效應(yīng)管特性比較及注意事項4.5.2 4.5

18、.2 使用場效應(yīng)管的注意事項使用場效應(yīng)管的注意事項 （2）當(dāng)）當(dāng)MOSFET的襯底與源極已經(jīng)相連時，的襯底與源極已經(jīng)相連時，d、s不能互換不能互換的的vGS不能接反，開路保存，不能接反，開路保存，d、s可以互換；可以互換； （3）當(dāng)）當(dāng)MOSFET的襯底單獨引出時，應(yīng)正確連接襯底，以的襯底單獨引出時，應(yīng)正確連接襯底，以保證溝道與襯底間的保證溝道與襯底間的PN結(jié)反偏使襯底與溝道及各電極隔離。結(jié)反偏使襯底與溝道及各電極隔離。 P溝道溝道MOS管，將襯底接到電位最高點。管，將襯底接到電位最高點。 （4）MOS管的絕緣層很薄，及易擊穿，柵極不能開路，應(yīng)管的絕緣層很薄，及易擊穿，柵極不能開路，應(yīng)將各級短

19、路存放；焊接時，電烙鐵必須可靠接地，或者斷電將各級短路存放；焊接時，電烙鐵必須可靠接地，或者斷電利用烙鐵余熱焊接，并注意屏蔽交流電場。利用烙鐵余熱焊接，并注意屏蔽交流電場。上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1 1）各極和）各極和組態(tài)對應(yīng)關(guān)系組態(tài)對應(yīng)關(guān)系CEBJTFETCSCCCDCBCG4.5.3 4.5.3 場效應(yīng)管與三極管的性能比較場效應(yīng)管與三極管的性能比較2 2）場效應(yīng)管是電壓控制電流器件，三極管是電流控制電流器）場效應(yīng)管是電壓控制電流器件，三極管是電流控制電流器件件3 3）場效應(yīng)管輸入電阻高，柵極電流約為）場效應(yīng)管輸入電阻高，柵極電

20、流約為0 04 4）場效應(yīng)管是單極型器件，管噪小）場效應(yīng)管是單極型器件，管噪小5 5）場效應(yīng)管制造工藝簡單、功耗小、易于集成）場效應(yīng)管制造工藝簡單、功耗小、易于集成上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)4.6 場效應(yīng)管放大場效應(yīng)管放大器及其靜態(tài)分析器及其靜態(tài)分析共源、共漏、共柵共源、共漏、共柵 4.6.1 場效應(yīng)管放大電路的三種組態(tài)場效應(yīng)管放大電路的三種組態(tài) 4.6.2 場效應(yīng)管的直流通路及靜態(tài)估算場效應(yīng)管的直流通路及靜態(tài)估算分析分析 4.6.3 場效應(yīng)管的靜態(tài)圖解場效應(yīng)管的靜態(tài)圖解分析分析（自學(xué)）（自學(xué)） 求解求解QVDS QV VGSQGS

21、Q2PGSDSSDQ)1(VvII 上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)TC1C2VGGRDRGVDD+ vi -+ vo -1）固定偏壓）固定偏壓電路電路電路特點：電路特點：VDS Q=VDD- IDQRDI IG G =0=0時，有時，有V VGSQGSQ=-V=-VGGGG解得解得: Q(IDQ , UGSQ , VDSQ) 4.6.2 場效應(yīng)管的直流通路及靜態(tài)估算場效應(yīng)管的直流通路及靜態(tài)估算分析分析 柵源電壓由柵源電壓由VGG提供，保證提供，保證VGS 0或或UGSQ = 0或或UGSQ 0 4.6.2 場效應(yīng)管的直流通路及靜態(tài)估算場

22、效應(yīng)管的直流通路及靜態(tài)估算分析分析 2PGSQDSSDQ)1(VvII VDS Q=VDD-IDQ(Rd+Rs)該電路適合于各種該電路適合于各種FET管，應(yīng)用較廣，類似于管，應(yīng)用較廣，類似于BJT管的射極偏管的射極偏置電路。場效應(yīng)管放大電路的輸入耦合電容可以較小。置電路。場效應(yīng)管放大電路的輸入耦合電容可以較小。上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)4.7 場效應(yīng)管的微變等效電路場效應(yīng)管的微變等效電路分析法分析法4.7.1 場效應(yīng)管的微變等效電路場效應(yīng)管的微變等效電路 （1）低）低、中、中頻模型頻模型通常通常rd、rgs很大可以忽略很大可以忽略

23、簡化模型簡化模型 上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（2）高頻模型）高頻模型4.7 場效應(yīng)管的微變等效電路場效應(yīng)管的微變等效電路分析法分析法上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1. 分壓式自偏壓分壓式自偏壓共源極共源極放大電路放大電路 （1 1）畫微變等效電路畫微變等效電路4.7.2 場效應(yīng)管放大電路微變等效電路場效應(yīng)管放大電路微變等效電路分析分析 如果，源極接如果，源極接有旁路電容有旁路電容CS？上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（2

24、）動態(tài)指標(biāo)分析動態(tài)指標(biāo)分析 1）中）中低低頻電壓增益頻電壓增益2）輸入電阻）輸入電阻3）輸出電阻）輸出電阻據(jù)簡化小信號模型電路據(jù)簡化小信號模型電路 iV gsVRVggsm)1(mgsRgV oVdgsmRVg mVARgRgmdm1 則則)/(g2g1g3iRRRR doRR 關(guān)鍵：關(guān)鍵：用用vgs表示表示vi，vo4.7.2 場效應(yīng)管放大電路微變等效電路場效應(yīng)管放大電路微變等效電路分析分析畫出求畫出求RO電路電路 如果，源極接如果，源極接有旁路電容有旁路電容CS？上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2. 共漏極共漏極放大電路放大電路 （1

25、 1）畫微變等效電路畫微變等效電路4.7.2 場效應(yīng)管放大電路微變等效電路場效應(yīng)管放大電路微變等效電路分析分析（2）動態(tài)指標(biāo)分析動態(tài)指標(biāo)分析 1）中）中低低頻電壓增益頻電壓增益 iV gsVLRRVg/gsm)1(mgsLRgV oVLgsmRVgLRgRg1mLm 則則 mVA1，1上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（2）動態(tài)指標(biāo)分析動態(tài)指標(biāo)分析 2）輸入電阻）輸入電阻3）輸出電阻）輸出電阻)/(g2g1g3iRRRR 4.7.2 場效應(yīng)管放大電路微變等效電路場效應(yīng)管放大電路微變等效電路分析分析畫出求畫出求RO電路電路TgsVV RgV)

26、VI (RIgsmTRT RgV)V-I (RITmTRT RIR)g(1TTm V/Rg1Rg1RIVRmmTTO 較小較小上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+_T+_+G1RG2R1Ciu2CSRLRouDDV 3C+DR3. 共柵極共柵極放大電路放大電路 （1 1）畫微變等效電路畫微變等效電路4.7.2 場效應(yīng)管放大電路微變等效電路場效應(yīng)管放大電路微變等效電路分析分析（2）動態(tài)指標(biāo)分析動態(tài)指標(biāo)分析 1）中）中低低頻電壓增益頻電壓增益gsLdgsmio)/(VRRVgVVAv LmLdm)/(RgRRg +_DRiuSRLRou+gsmuggsd_gsu+上頁上頁下頁下頁電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)精品課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（2）動態(tài)指標(biāo)分析動態(tài)指標(biāo)分析 2）輸入電阻）輸入電阻4.7.2 場效應(yīng)管放大電路微變等效電路場效應(yīng)管放大電路微變等效電路分析分析較小較小gsmSgsgsiiiVgRVVIVR mSmS1/11gRgR +_DRiuSRLRou+gsmuggsd_gsu+3）輸出電阻）輸出電阻畫出求畫出求