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1、.化學(xué):關(guān)于晶體的學(xué)習(xí)一、關(guān)于晶體的一些根本情況介紹 l 含義:內(nèi)部微粒原子、離子或分子在幸間按照一定規(guī)律做周期性重復(fù)排列而構(gòu)成的固赫為晶體。 2 晶體的分類:根據(jù)內(nèi)部微粒的種類和微粒間互相作用的不同,可以將晶體分為離子晶體、金屬晶體、原子晶體和分子晶體。 3 晶體缺陷及其應(yīng)用所謂理想晶體是指晶體中的原子、分子完全按照嚴(yán)格的周期性重復(fù)排列所得到的晶體,晶體中所有的晶胞都是等同的。而在實(shí)際晶體中,或多或少總會(huì)存在空位、錯(cuò)位、含雜質(zhì)原子等缺陷,這些因素促使實(shí)際晶體偏離理想的周期性重復(fù)引咧,人們將其稱為晶體缺陷。晶體缺陷對(duì)于晶體的利用既有不利的一面,也存在有利的一面。有的晶體材料需要人們抑制晶體缺陷
2、,更多的晶體材料那么需要人們有方案、有目的地利用或制造缺陷,這是因?yàn)榫w缺陷能影響晶體的性質(zhì)。 4 晶體的特性:自范性、各向異性、對(duì)稱性二晶胞含義:晶體中最小的構(gòu)造重復(fù)根本單元叫做晶胞。整個(gè)晶體就是晶胞按其周期性在三維空間重復(fù)排列而成的。一般來說,晶胞都是平行六面體,其三條邊的長度不一定相等,也不一定互相垂直。晶胞的形狀和大小由詳細(xì)晶體的構(gòu)造所決定,晶胞不能卿又面體或六棱往體等其他形狀。三 晶體熔、沸點(diǎn)的比較 1 不同類型的晶體:一般來說,原子晶體離子晶體分子晶體。例如,SiO2 NaCl干冰。 2 同種類型的晶體:晶體內(nèi)粒子間的作用力越大,熔、沸點(diǎn)越高。 原子晶體:要比較共價(jià)鍵的強(qiáng)弱看鍵能和
3、鍵長,一般來說,原子半徑越小,鍵長越痘,鍵能越大,共價(jià)鍵越結(jié)實(shí),晶體的熔、沸點(diǎn)越高。如熔點(diǎn):金剛石C 水晶SiO2SiC 晶體硅Si 。 離子晶體:要比較離子鍵的強(qiáng)弱,一般來說,陰、陽離子電荷數(shù)越多,離子半徑越小,那么離子間作用力越大,離子鍵越強(qiáng),熔、沸點(diǎn)越高。如熔點(diǎn):MgO > MgCl2 > NaCl > CsCl 分子晶體:a .組成和構(gòu)造相似的物質(zhì),相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔、沸點(diǎn)越高有氫鍵的除外。b 組成和構(gòu)造不相似的物質(zhì),極性大,那么熔、沸點(diǎn)高如CON2。c 有些還與分子的形狀有關(guān)。如有機(jī)物同分異構(gòu)體中,一般線性分子的熔、沸點(diǎn)比帶支鏈的高,如正戊烷異戊烷新戊烷。d .有些與其分子中含有的碳碳雙鍵的多少有關(guān)。組成構(gòu)造相近
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