最新史上最全的半導(dǎo)體材料工藝設(shè)備匯總名師資料合集

1、小編為您解讀半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中的主要設(shè)備概況。1、單晶爐Seed crystalSinds crystal siliconInsulation cylinder-HesterCrucible supportSpill trayH ElectrodeQuartz crucibleWater-cacled chamberGraphite crucible設(shè)備名稱(chēng)：?jiǎn)尉t。設(shè)備功能：熔融半導(dǎo)體材料，拉單晶，為后續(xù)半導(dǎo)體器件制造，提供單晶體的半導(dǎo)體晶坯。主要企業(yè)（品牌）：國(guó)際：德國(guó)PVA TePla AG公司、日本 Ferrotec 公司、美國(guó) QUANTUM DESIGN司、德國(guó) Gero公司、美國(guó)K

2、AYE延司。國(guó)內(nèi)：北京京運(yùn)通、七星華創(chuàng)、北京京儀世紀(jì)、河北晶龍陽(yáng)光、西安理工晶科、常州華盛天龍、上海漢虹、 西安華德、中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八所、上海申和熱磁、上虞晶盛、晉江耐特克、寧夏晶陽(yáng)、常州江南、 合肥科晶材料技術(shù)有限公司、沈陽(yáng)科儀公司。2、氣相外延爐設(shè)備名稱(chēng)：氣相外延爐。設(shè)備功能：為氣相外延生長(zhǎng)提供特定的工藝環(huán)境，實(shí)現(xiàn)在單晶上，生長(zhǎng)與單晶晶相具有對(duì)應(yīng)關(guān)系的薄層晶體，為單晶沉底實(shí)現(xiàn)功能化做基礎(chǔ)準(zhǔn)備。氣相外延即化學(xué)氣相沉積的一種特殊工藝，其生長(zhǎng)薄層的晶體結(jié)構(gòu)是單晶襯底的延續(xù)，而且與襯底的晶向保持對(duì)應(yīng)的關(guān)系。主要企業(yè)(品牌)：國(guó)際：美國(guó)CVD Equipment公司、美國(guó) GT公司、法國(guó) S

3、oitec公司、法國(guó) AS公司、美國(guó) ProtoFlex 公司、 美國(guó)科特萊思科(Kurt J.Lesker )公司、美國(guó) Applied Materials 公司。國(guó)內(nèi)：中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八所、青島賽瑞達(dá)、合肥科晶材料技術(shù)有限公司、北京金盛微納、濟(jì)南力冠電子科技有限公司。3、分子束外延系統(tǒng)( MBE Molecular Beam Epitaxy System )設(shè)備名稱(chēng)：分子束外延系統(tǒng)。設(shè)備功能：分子束外延系統(tǒng)，提供在沉底表面按特定生長(zhǎng)薄膜的工藝設(shè)備；分子束外延工藝，是一種制備單晶薄膜的技術(shù)，它是在適當(dāng)?shù)囊r底與合適的條件下，沿襯底材料晶軸方向逐層生長(zhǎng)薄膜。主要企業(yè)（品牌）：國(guó)際：法國(guó)Ri

4、ber公司、美國(guó) Veeco公司、芬蘭 DCA Instruments 公司、美國(guó)SVAssociates 公司、美國(guó) NB必司、德國(guó) Omicron 公司、德國(guó) MBE-Komponenten公司、英國(guó) Oxford Applied Research （OAR 公司, 國(guó)內(nèi)：沈陽(yáng)中科儀器、北京匯德信科技有限公司、紹興匡泰儀器設(shè)備有限公司、沈陽(yáng)科友真空技術(shù)有限公 司。4、氧化爐（VDE設(shè)備名稱(chēng)：氧化爐。設(shè)備功能：為半導(dǎo)體材料進(jìn)行氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體預(yù)期設(shè)計(jì)的氧化處理過(guò)程，是 半導(dǎo)體加工過(guò)程的不可缺少的一個(gè)環(huán)節(jié)。主要企業(yè)（品牌）：國(guó)際：英國(guó) Thermco公司、德國(guó) Cent

5、rothermthermal solutions GmbH Co.KG 公司。國(guó)內(nèi)：北京七星華創(chuàng)、青島福潤(rùn)德、中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八所、青島旭光儀表設(shè)備有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十五所。5、低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)( LPCVD Low Pressure Chemical Vapor Deposition System設(shè)備名稱(chēng)：低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)設(shè)備功能：把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入LPCV/備的反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。主要企業(yè)（品牌）：國(guó)際：日本日立國(guó)際電氣公司、國(guó)內(nèi)：上海馳艦半導(dǎo)體科技有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八所、中國(guó)電

6、子科技集團(tuán)第四十五所、北京儀器廠(chǎng)、上海機(jī)械廠(chǎng)。6、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)( PECVD Plasma Enhanced CVD)設(shè)備名稱(chēng)：等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)設(shè)備功能：在沉積室利用輝光放電，使其電離后在襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，沉積半導(dǎo)體薄膜材料。主要企業(yè)(品牌)：國(guó)際：美國(guó)Proto Flex 公司、日本Tokki公司、日本島津公司、美國(guó)泛林半導(dǎo)體( Lam Research)公司、 荷蘭ASM®際公司。國(guó)內(nèi)：中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十五所、北京儀器廠(chǎng)、上海機(jī)械廠(chǎng)。7、磁控濺射臺(tái)(MagnetronSputter Apparatus )設(shè)備名稱(chēng)：磁控濺射臺(tái)。設(shè)備功能：通過(guò)二極濺

7、射中一個(gè)平行于靶表面的封閉磁場(chǎng)，和靶表面上形成的正交電磁場(chǎng)，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域，實(shí)現(xiàn)高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。主要企業(yè)（品牌）：國(guó)際：美國(guó)PVD公司、美國(guó) Vaportech公司、美國(guó) AMA隹司、荷蘭 Hauzer公司、英國(guó)Teer公司、瑞士 Platit 公司、瑞士 Balzers 公司、德國(guó) Cemecon公司。國(guó)內(nèi)：北京儀器廠(chǎng)、沈陽(yáng)中科儀器、成都南光實(shí)業(yè)股份有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八所、科睿設(shè)備有限公司、上海機(jī)械廠(chǎng)。8、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)(CMP Chemical Mechanical Planarization )設(shè)備名稱(chēng)

8、：化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)設(shè)備功能：通過(guò)機(jī)械研磨和化學(xué)液體溶解“腐蝕”的綜合作用，對(duì)被研磨體（半導(dǎo)體）進(jìn)行研磨拋光 主要企業(yè)（品牌）：國(guó)際：美國(guó)Applied Materials 公司、美國(guó)諾發(fā)系統(tǒng)公司、美國(guó) Rtec公司、。國(guó)內(nèi)：蘭州蘭新高科技產(chǎn)業(yè)股份有限公司、愛(ài)立特微電子。9、光刻機(jī)(Stepper , Scanner)設(shè)備名稱(chēng)：光刻機(jī)。設(shè)備功能：在半導(dǎo)體基材上（硅片）表面勻膠，將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上，把器件或電路結(jié)構(gòu)臨時(shí)“復(fù)制”到硅片上。主要企業(yè)（品牌）：國(guó)際：荷蘭阿斯麥（ASML公司、美國(guó)泛林半導(dǎo)體公司、日本尼康公司、日本Canon公司、美國(guó)ABM司、德國(guó)德國(guó)SUS券司、美國(guó)MYCR公司。

9、國(guó)內(nèi)：中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八所、中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十五所、上海機(jī)械廠(chǎng)、成都南光實(shí)業(yè)股份有限公司。10、反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)( RIE, Reactive Ion Etch System )設(shè)備名稱(chēng)：反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)。設(shè)備功能：。平板電極間施加高頻電壓，產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層，放入式樣，離子高速撞擊式樣，實(shí)現(xiàn)JuSung公司TES公司。) riJ kftt主要企業(yè)（品牌）化學(xué)反應(yīng)刻蝕和物理撞擊，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的加工成型。北京儀器廠(chǎng)、北京七星華創(chuàng)電子有限公司、成都南光實(shí)業(yè)股份有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十Evatech公司、美國(guó)NANOMASTER司、新加坡 RES司11、ICP 等離子體刻蝕系統(tǒng)(

10、ICP, Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching System設(shè)備名稱(chēng)：ICP等離子體刻蝕系統(tǒng)。設(shè)備功能：一種或多種氣體原子或分子混合于反應(yīng)腔室中，在外部能量作用下（如射頻、微波等）形成等離子體，一方面等離子體中的活性基團(tuán)與待刻蝕表面材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成可揮發(fā)產(chǎn)物；另一方面等離子體中的離子在偏壓的作用下被引導(dǎo)和加速，實(shí)現(xiàn)對(duì)待刻蝕表面進(jìn)行定向的腐蝕和加速腐蝕。主要企業(yè)（品牌）：國(guó)際：英國(guó)牛津儀器公司、美國(guó) Torr公司、美國(guó)Gatan公司、英國(guó)Quorum公司、美國(guó)利曼公司、美國(guó) Pelco公司。國(guó)內(nèi)：北京儀器廠(chǎng)、北京七星華創(chuàng)電子有限公司

11、、中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八所、戈德?tīng)柕入x子科技（香港）控股有限公司、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、北方微電子、北京東方中科集成科技股份有限公司、北京創(chuàng)世威納科技。12、離子注入機(jī)(IBI , Ion Beam Implanting )設(shè)備名稱(chēng)：離子注入機(jī)。設(shè)備功能：對(duì)半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜。主要企業(yè)（品牌）：國(guó)際：美國(guó)維利安半導(dǎo)體設(shè)備公司、美國(guó)CHA公司、美國(guó)AMA必司、Varian半導(dǎo)體制造設(shè)備公司（被 AMAT收購(gòu)）。國(guó)內(nèi)：北京儀器廠(chǎng)、中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八所、成都南光實(shí)業(yè)股份有限公司、沈陽(yáng)方基輕工機(jī)械有限公司、上海硅拓微電子有限公司。13、探針測(cè)試臺(tái)(VPT, Wafer prober

12、Test )設(shè)備名稱(chēng)：探針測(cè)試臺(tái)。設(shè)備功能：通過(guò)探針與半導(dǎo)體器件的 pad接觸，進(jìn)行電學(xué)測(cè)試，檢測(cè)半導(dǎo)體的性能指標(biāo)是否符合設(shè)計(jì)性能要求。主要企業(yè)（品牌）：國(guó)際：德國(guó)Ingun公司、美國(guó) QA公司、美國(guó) MicroXact公司、韓國(guó) Ecopia公司、韓國(guó) Leeno公司。國(guó)內(nèi)：中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十五所、北京七星華創(chuàng)電子有限公司、瑞柯儀器、華榮集團(tuán)、深圳市森美協(xié)爾科技。14、晶片減薄機(jī)(Back-sideGrinding )»設(shè)備名稱(chēng)：晶片減薄機(jī)。設(shè)備功能：通過(guò)拋磨，把晶片厚度減薄。主要企業(yè)（品牌）：國(guó)際：日本DISCO公司、德國(guó) G&N司、日本 OKAMOTO司、以色列 Camtek公司。國(guó)內(nèi)：蘭州蘭新高科技產(chǎn)業(yè)股份有限公司、深圳方達(dá)研磨設(shè)備制造有限公司、深圳市金實(shí)力精密研磨機(jī)器 制造有限公司、煒安達(dá)研磨設(shè)備有限公司、深圳市華年風(fēng)科技有限公司。cS Die Saving)設(shè)備名稱(chēng)：晶圓劃片機(jī)。設(shè)備功能：把晶圓，切割成小片的