南昌功率半導體項目招商引資方案【參考范文】

1、泓域咨詢/南昌功率半導體項目招商引資方案南昌功率半導體項目招商引資方案xx公司目錄第一章 行業(yè)、市場分析9一、 行業(yè)基本情況9二、 二極管、晶體管行業(yè)的基本情況10第二章 總論13一、 項目概述13二、 項目提出的理由15三、 項目總投資及資金構成15四、 資金籌措方案16五、 項目預期經濟效益規(guī)劃目標16六、 項目建設進度規(guī)劃17七、 環(huán)境影響17八、 報告編制依據和原則17九、 研究范圍18十、 研究結論19十一、 主要經濟指標一覽表19主要經濟指標一覽表19第三章 背景及必要性22一、 TVS產品的行業(yè)基本情況22二、 行業(yè)發(fā)展趨勢（機遇與挑戰(zhàn)）24三、 MOSFET產品的行業(yè)基本情況2

2、8四、 堅持人才優(yōu)先發(fā)展29五、 提高產業(yè)鏈供應鏈現代化水平30第四章 產品規(guī)劃與建設內容32一、 建設規(guī)模及主要建設內容32二、 產品規(guī)劃方案及生產綱領32產品規(guī)劃方案一覽表32第五章 選址方案34一、 項目選址原則34二、 建設區(qū)基本情況34三、 塑造南昌制造新優(yōu)勢36四、 項目選址綜合評價37第六章 建筑工程方案39一、 項目工程設計總體要求39二、 建設方案41三、 建筑工程建設指標42建筑工程投資一覽表43第七章 法人治理45一、 股東權利及義務45二、 董事47三、 高級管理人員52四、 監(jiān)事54第八章 運營模式56一、 公司經營宗旨56二、 公司的目標、主要職責56三、 各部門職

3、責及權限57四、 財務會計制度61第九章 發(fā)展規(guī)劃64一、 公司發(fā)展規(guī)劃64二、 保障措施68第十章 工藝技術分析71一、 企業(yè)技術研發(fā)分析71二、 項目技術工藝分析73三、 質量管理75四、 設備選型方案76主要設備購置一覽表76第十一章 進度實施計劃78一、 項目進度安排78項目實施進度計劃一覽表78二、 項目實施保障措施79第十二章 項目環(huán)保分析80一、 環(huán)境保護綜述80二、 建設期大氣環(huán)境影響分析81三、 建設期水環(huán)境影響分析85四、 建設期固體廢棄物環(huán)境影響分析85五、 建設期聲環(huán)境影響分析86六、 環(huán)境影響綜合評價87第十三章 投資方案分析88一、 編制說明88二、 建設投資88建

4、筑工程投資一覽表89主要設備購置一覽表90建設投資估算表91三、 建設期利息92建設期利息估算表92固定資產投資估算表93四、 流動資金94流動資金估算表95五、 項目總投資96總投資及構成一覽表96六、 資金籌措與投資計劃97項目投資計劃與資金籌措一覽表97第十四章 經濟效益及財務分析99一、 基本假設及基礎參數選取99二、 經濟評價財務測算99營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表99綜合總成本費用估算表101利潤及利潤分配表103三、 項目盈利能力分析104項目投資現金流量表105四、 財務生存能力分析107五、 償債能力分析107借款還本付息計劃表108六、 經濟評價結論109第十五章 風

5、險防范110一、 項目風險分析110二、 項目風險對策112第十六章 總結115第十七章 附表117建設投資估算表117建設期利息估算表117固定資產投資估算表118流動資金估算表119總投資及構成一覽表120項目投資計劃與資金籌措一覽表121營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表122綜合總成本費用估算表123固定資產折舊費估算表124無形資產和其他資產攤銷估算表125利潤及利潤分配表125項目投資現金流量表126報告說明國家的政策支持為行業(yè)創(chuàng)造了良好的政策環(huán)境和投融資環(huán)境，為功率半導體行業(yè)發(fā)展帶來了良好的發(fā)展機遇，促進行業(yè)發(fā)展的同時加速產業(yè)的轉移進程，國內功率半導體行業(yè)有望進入長期快速增長通道

6、。根據謹慎財務估算，項目總投資7509.82萬元，其中：建設投資6183.31萬元，占項目總投資的82.34%；建設期利息156.16萬元，占項目總投資的2.08%；流動資金1170.35萬元，占項目總投資的15.58%。項目正常運營每年營業(yè)收入13600.00萬元，綜合總成本費用10594.55萬元，凈利潤2198.92萬元，財務內部收益率22.21%，財務凈現值2379.77萬元，全部投資回收期5.76年。本期項目具有較強的財務盈利能力，其財務凈現值良好，投資回收期合理。通過分析，該項目經濟效益和社會效益良好。從發(fā)展來看公司將面向市場調整產品結構，改變工藝條件以高附加值的產品代替目前產品的

7、產業(yè)結構。本期項目是基于公開的產業(yè)信息、市場分析、技術方案等信息，并依托行業(yè)分析模型而進行的模板化設計，其數據參數符合行業(yè)基本情況。本報告僅作為投資參考或作為學習參考模板用途。第一章 行業(yè)、市場分析一、 行業(yè)基本情況半導體是指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體是整個信息產業(yè)的發(fā)展基石，是電子產品的核心組成部分。從應用領域看，半導體產品主要應用領域集中于PC、消費類電子、手機、汽車電子等領域。此外，隨著電子產品的升級，半導體在電子產品的含量將逐步提高，未來在下游電子產品市場需求增長的帶動下，半導體產業(yè)將保持較好的增長態(tài)勢。半導體器件是利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件

8、。功率半導體是對功率進行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導體器件，不但實施電能的存儲、傳輸、處理和控制，保障電能安全、可靠、高效和經濟的運行，而且將能源與信息高度地集成在一起。雖然功率半導體器件在電力電子裝置中的成本占比通常僅20%-30%，但是對設備的使用性能、過載能力、響應速度、安全性和可靠性影響極為重大，是決定其性價比的核心器件。在日常生活中，凡涉及發(fā)電、輸電、變電、配電、用電、儲電等環(huán)節(jié)的，均離不開功率半導體。功率半導體器件作為不可替代的基礎性產品，廣泛應用于國民經濟建設的各個領域。從產品類型來看，功率半導體可以分為功率器件和功率IC。功率器件屬于分立器件，可進一步分為二極管、晶體

9、管、晶閘管等，其中二極管主要包括TVS二極管、肖特基二極管、整流二極管等，晶體管主要包括MOSFET、IGBT、雙極性晶體管等；功率IC屬于集成電路中的模擬IC，可進一步分為AC/DC、DC/DC、電源管理IC、驅動IC等。二、 二極管、晶體管行業(yè)的基本情況1、二極管、晶體管簡介半導體二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向導電性二端器件，其產品結構比較簡單，一般為單個PN節(jié)結構，只允許電流從單一方向流過。自20世紀50年代面世至今，陸續(xù)發(fā)展出整流二極管、開關二極管、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、TVS二極管等系列的二極管，廣泛應用于整流、穩(wěn)壓、檢波、保護等電路中。二極管的應用領域涵蓋了消費類電子

10、、網絡通訊、安防、工業(yè)等，是電子工程上用途最廣的電子元器件之一。晶體管是一種使用半導體材料制作而成的三端器件，具有放大、開關、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓或輸入電流控制輸出電流。晶體管根據結構特點和功能主要分為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)和雙極性結型晶體管（Bipolarjunctiontransistor,BJT，俗稱三極管）。 2、二極管、晶體管行業(yè)的

11、市場規(guī)模及競爭格局2018年全球二極管市場規(guī)模達63.93億美元，市場空間廣闊。根據中國電子信息產業(yè)統(tǒng)計年鑒數據，中國二極管銷量從2014年的2,856億只增長到了2018年的16,950億只。根據芯謀研究的有關數據，2020年全球二極管營收前十大廠商中以歐、美、日廠商為主。晶體管主要分為雙極性結型晶體管（三極管）、MOSFET和IGBT。根據三種晶體管的市場規(guī)模估算，2019年，晶體管總的市場規(guī)模約為138.27億美元；2020年，晶體管總市場規(guī)模約為147.88億美元。由于雙極性結型晶體管存在功耗偏大等問題，隨著全球節(jié)能減排的推行，其市場規(guī)?？傮w趨于衰退，正在被MOSFET所取代；IGBT

12、市場規(guī)模則以較高速度增長。市場競爭格局方面，三極管、MOSFET和IGBT三類產品的市場競爭格局有所不同。其中，全球三極管市場比較分散，MOSFET和IGBT市場集中度較高。3、二極管、晶體管行業(yè)的未來發(fā)展趨勢二極管的應用領域涵蓋了消費類電子、網絡通訊、安防、工業(yè)等，隨著市場的擴展而成長。二極管在部分細分領域的中高端產品，對技術創(chuàng)新要求較高，會隨著應用領域的技術要求不斷提升，推動產品的技術升級，尤其是在消費類電子領域。晶體管中，雙極性結型晶體管（三極管）是電流型功率開關器件，價格低、功耗大，在少數價格敏感、感性負載驅動等應用中還有一定需求，但其正在被功率MOSFET替代。近二十年來，消費類電子

13、、網絡通訊、工業(yè)、安防等領域對功率器件的電壓和頻率要求越來越嚴格，MOSFET和IGBT逐漸成為主流。中國MOSFET、IGBT市場規(guī)模增長迅速。第二章 總論一、 項目概述（一）項目基本情況1、項目名稱：南昌功率半導體項目2、承辦單位名稱：xx公司3、項目性質：擴建4、項目建設地點：xx（待定）5、項目聯系人：段xx（二）主辦單位基本情況公司依據公司法等法律法規(guī)、規(guī)范性文件及公司章程的有關規(guī)定，制定并由股東大會審議通過了董事會議事規(guī)則，董事會議事規(guī)則對董事會的職權、召集、提案、出席、議事、表決、決議及會議記錄等進行了規(guī)范。 企業(yè)履行社會責任，既是實現經濟、環(huán)境、社會可持續(xù)發(fā)展的必由之路，也是實

14、現企業(yè)自身可持續(xù)發(fā)展的必然選擇；既是順應經濟社會發(fā)展趨勢的外在要求，也是提升企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力的內在需求；既是企業(yè)轉變發(fā)展方式、實現科學發(fā)展的重要途徑，也是企業(yè)國際化發(fā)展的戰(zhàn)略需要。遵循“奉獻能源、創(chuàng)造和諧”的企業(yè)宗旨，公司積極履行社會責任，依法經營、誠實守信，節(jié)約資源、保護環(huán)境，以人為本、構建和諧企業(yè)，回饋社會、實現價值共享，致力于實現經濟、環(huán)境和社會三大責任的有機統(tǒng)一。公司把建立健全社會責任管理機制作為社會責任管理推進工作的基礎，從制度建設、組織架構和能力建設等方面著手，建立了一套較為完善的社會責任管理機制。公司滿懷信心，發(fā)揚“正直、誠信、務實、創(chuàng)新”的企業(yè)精神和“追求卓越，回報社會” 的

15、企業(yè)宗旨，以優(yōu)良的產品服務、可靠的質量、一流的服務為客戶提供更多更好的優(yōu)質產品及服務。公司在發(fā)展中始終堅持以創(chuàng)新為源動力，不斷投入巨資引入先進研發(fā)設備，更新思想觀念，依托優(yōu)秀的人才、完善的信息、現代科技技術等優(yōu)勢，不斷加大新產品的研發(fā)力度，以實現公司的永續(xù)經營和品牌發(fā)展。（三）項目建設選址及用地規(guī)模本期項目選址位于xx（待定），占地面積約23.00畝。項目擬定建設區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。（四）產品規(guī)劃方案根據項目建設規(guī)劃，達產年產品規(guī)劃設計方案為：xx件功率半導體/年。二、 項目提出的理由半導體二極管是一種使用半導體材料制作而

16、成的單向導電性二端器件，其產品結構比較簡單，一般為單個PN節(jié)結構，只允許電流從單一方向流過。自20世紀50年代面世至今，陸續(xù)發(fā)展出整流二極管、開關二極管、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、TVS二極管等系列的二極管，廣泛應用于整流、穩(wěn)壓、檢波、保護等電路中。二極管的應用領域涵蓋了消費類電子、網絡通訊、安防、工業(yè)等，是電子工程上用途最廣的電子元器件之一。發(fā)展環(huán)境面臨復雜深刻變化。當今世界正經歷百年未有之大變局，國際格局深刻調整，和平與發(fā)展仍然是時代主題，人類命運共同體理念深入人心，我國制度優(yōu)勢顯著，治理效能提升，發(fā)展長期向好的基本面不會改變，為我市保持經濟社會平穩(wěn)健康發(fā)展提供了總體有利環(huán)境。以國內大循環(huán)

17、為主體、國內國際雙循環(huán)相互促進的新發(fā)展格局正在形成，我市區(qū)位優(yōu)勢、產業(yè)優(yōu)勢、生態(tài)優(yōu)勢、創(chuàng)新優(yōu)勢將更加凸顯，為推進高質量跨越式發(fā)展提供了新機遇。新一輪科技革命和產業(yè)變革深入發(fā)展，我市在電子信息、航空、虛擬現實、硅襯底半導體照明等領域已取得先發(fā)優(yōu)勢，為實現“變道超車”“換車超車”增添了新動能。三、 項目總投資及資金構成本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據謹慎財務估算，項目總投資7509.82萬元，其中：建設投資6183.31萬元，占項目總投資的82.34%；建設期利息156.16萬元，占項目總投資的2.08%；流動資金1170.35萬元，占項目總投資的15.58%。四、 資金籌措

18、方案（一）項目資本金籌措方案項目總投資7509.82萬元，根據資金籌措方案，xx公司計劃自籌資金（資本金）4322.97萬元。（二）申請銀行借款方案根據謹慎財務測算，本期工程項目申請銀行借款總額3186.85萬元。五、 項目預期經濟效益規(guī)劃目標1、項目達產年預期營業(yè)收入（SP）：13600.00萬元。2、年綜合總成本費用（TC）：10594.55萬元。3、項目達產年凈利潤（NP）：2198.92萬元。4、財務內部收益率（FIRR）：22.21%。5、全部投資回收期（Pt）：5.76年（含建設期24個月）。6、達產年盈虧平衡點（BEP）：4661.12萬元（產值）。六、 項目建設進度規(guī)劃項目計劃

19、從可行性研究報告的編制到工程竣工驗收、投產運營共需24個月的時間。七、 環(huán)境影響本項目將嚴格按照“三同時”即三廢治理與生產裝置同時設計、同時施工、同時建成使用的原則，貫徹執(zhí)行國家和地方有關環(huán)境保護的法規(guī)和標準。積極采用先進而成熟的工藝設備，最大限度利用資源，盡可能將三廢消除在工藝內部，項目單位及時對生產過程中的噪音、廢水、固體廢棄物等都要經過處理，避免造成環(huán)境污染，確保該項目的建設與實施過程完全符合國家環(huán)境保護規(guī)范標準。八、 報告編制依據和原則（一）編制依據1、國家經濟和社會發(fā)展的長期規(guī)劃，部門與地區(qū)規(guī)劃，經濟建設的指導方針、任務、產業(yè)政策、投資政策和技術經濟政策以及國家和地方法規(guī)等；2、經過

20、批準的項目建議書和在項目建議書批準后簽訂的意向性協議等；3、當地的擬建廠址的自然、經濟、社會等基礎資料；4、有關國家、地區(qū)和行業(yè)的工程技術、經濟方面的法令、法規(guī)、標準定額資料等；5、由國家頒布的建設項目可行性研究及經濟評價的有關規(guī)定；6、相關市場調研報告等。（二）編制原則1、所選擇的工藝技術應先進、適用、可靠，保證項目投產后，能安全、穩(wěn)定、長周期、連續(xù)運行。2、所選擇的設備和材料必須可靠，并注意解決好超限設備的制造和運輸問題。3、充分依托現有社會公共設施，以降低投資，加快項目建設進度。4、貫徹主體工程與環(huán)境保護、勞動安全和工業(yè)衛(wèi)生、消防同時設計、同時建設、同時投產。5、消防、衛(wèi)生及安全設施的設

21、置必須貫徹國家關于環(huán)境保護、勞動安全的法規(guī)和要求，符合行業(yè)相關標準。6、所選擇的產品方案和技術方案應是優(yōu)化的方案，以最大程度減少投資，提高項目經濟效益和抗風險能力?？茖W論證項目的技術可靠性、項目的經濟性，實事求是地作出研究結論。九、 研究范圍1、對項目提出的背景、建設必要性、市場前景分析；2、對產品方案、工藝流程、技術水平進行論述，確定建設規(guī)模；3、對項目建設條件、場地、原料供應及交通運輸條件的評價；4、對項目的總圖運輸、公用工程等技術方案進行研究；5、對項目消防、環(huán)境保護、勞動安全衛(wèi)生和節(jié)能措施的評價；6、對項目實施進度和勞動定員的確定；7、投資估算和資金籌措和經濟效益評價；8、提出本項目的

22、研究工作結論。十、 研究結論該項目的建設符合國家產業(yè)政策；同時項目的技術含量較高，其建設是必要的；該項目市場前景較好；該項目外部配套條件齊備，可以滿足生產要求；財務分析表明，該項目具有一定盈利能力。綜上，該項目建設條件具備，經濟效益較好，其建設是可行的。十一、 主要經濟指標一覽表主要經濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積15333.00約23.00畝1.1總建筑面積21045.611.2基底面積8586.481.3投資強度萬元/畝257.252總投資萬元7509.822.1建設投資萬元6183.312.1.1工程費用萬元5354.082.1.2其他費用萬元701.122.1.3預備費萬元

23、128.112.2建設期利息萬元156.162.3流動資金萬元1170.353資金籌措萬元7509.823.1自籌資金萬元4322.973.2銀行貸款萬元3186.854營業(yè)收入萬元13600.00正常運營年份5總成本費用萬元10594.55""6利潤總額萬元2931.89""7凈利潤萬元2198.92""8所得稅萬元732.97""9增值稅萬元612.97""10稅金及附加萬元73.56""11納稅總額萬元1419.50""12工業(yè)增加值萬元4872.7

24、2""13盈虧平衡點萬元4661.12產值14回收期年5.7615內部收益率22.21%所得稅后16財務凈現值萬元2379.77所得稅后第三章 背景及必要性一、 TVS產品的行業(yè)基本情況1、TVS/ESD保護器件簡介普通的TVS二極管在20世紀80年代開始出現，與大多數二極管正向導通的特性不同，其基于反向擊穿特性，通過對浪涌的快速泄放，可以起到對電子產品的保護作用，對初級浪涌防護效果較好。普通TVS二極管也是采用單個PN節(jié)結構，主要采用臺面結構技術。21世紀初期以來，隨著半導體芯片制程的發(fā)展，集成電路芯片呈現出小型化趨勢，線寬變窄，同時追求更高的集成度和更低的工作電壓，致使

25、集成電路芯片變得更加敏感，極易受到靜電和浪涌沖擊，造成損壞。普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發(fā)展中新提出的防靜電和浪涌沖擊的保護要求，于是新型的具備漏電小、鉗位電壓低、響應時間快、抗靜電能力強且兼具防浪涌能力等特點的用于ESD（Electro-Staticdischarge，靜電放電）保護的TVS（以下簡稱為“ESD保護器件”）在近十幾年被開發(fā)出來并不斷創(chuàng)新、升級。普通的TVS二極管由單個PN節(jié)結構形成，結構單一，工藝簡單。ESD保護器件對結構設計和工藝要求更高，結構更加復雜，一般設計成多路PN結集成結構，采用多次外延、雙面擴結或溝槽設計。ESD保護器件能夠確

26、保小型化的集成電路芯片得到有效保護，代表著當前TVS的技術水平和發(fā)展方向。目前，功率半導體行業(yè)內部分國際企業(yè)已將ESD保護器件在內的TVS單獨分類。比如，安世半導體已將ESD保護、TVS單獨分類，將其與二極管、MOSFET、邏輯和模擬IC等產品類別共同列為主要產品類別；安森美將ESD保護單獨分類，與二極管、MOSFET、晶體管等產品類別并列為安森美的主要產品類別；英飛凌、意法半導體、商升特等亦將ESD保護等單獨分類。2、TVS/ESD保護器件的市場規(guī)模及競爭格局根據OMDIA發(fā)布的研究報告TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021，2020年全球TVS市場規(guī)模約為1

27、6.21億美元，預計2021年全球TVS市場規(guī)模約為18.19億美元。2020年全球ESD保護器件市場規(guī)模約為10.55億美元，預計2023年全球ESD保護器件市場規(guī)模約為13.20億美元。根據韋爾股份2019年年度報告，在TVS領域，韋爾股份在消費類市場中的出貨量穩(wěn)居國內第一，其主要競爭對手是外資器件廠家，包括英飛凌（Infineon），安森美（ONSemiconductor），恩智浦半導體（NXP），商升特半導體（Semtech）等。根據韋爾股份2020年年度報告，其2020年TVS銷售額為5.03億元。ESD保護器件的市場目前主要由歐美廠商主導，根據OMDIA發(fā)布的研究報告，全球前五大廠

28、商分別為安世半導體（Nexperia）、意法半導體（STMicroelectronics）、商升特（Semtech）、安森美（ONSemiconductor）、晶焱（Amazing）。上述前五大廠商2020年銷售額為7.08億美元，占全球市場份額約為67.12%。3、TVS/ESD保護器件的未來發(fā)展趨勢TVS/ESD保護器件的應用領域廣泛，隨著在5G基礎設施和5G手機、電動汽車充電樁、個人電腦、工業(yè)電子等市場的推動下，預計TVS/ESD保護器件將以較大幅度增長。在消費類電子領域，由于產品集成度高，技術要求不斷提升，產品更新換代較快，相應地對ESD保護器件的技術創(chuàng)新要求也較高，未來的發(fā)展趨勢為小

29、型化、集成化。ESD保護器件通常具有響應時間短、具備靜電防護和浪涌吸收能力強等優(yōu)點，可用于保護設備電路免受各類靜電及浪涌的損傷，順應了集成電路芯片發(fā)展的趨勢和需要，市場前景廣闊。二、 行業(yè)發(fā)展趨勢（機遇與挑戰(zhàn)）1、全球經濟發(fā)展態(tài)勢和電子系統(tǒng)產品市場將是帶動全球半導體市場發(fā)展的主要因素ICInsights發(fā)布的麥克林報告（McCleanReport2019）公布了最新的全球半導體市場與全球GDP總量增長的關系圖，指出全球經濟增長狀況是影響全球半導體市場起伏的最主要因素，特別是2010年以后，全球半導體市場增長與全球GDP總量增長呈現高度相關性，2010-2018年的相關系數高達0.86。2016

30、年、2017年、2018年全球GDP總量增速分別為2.4%、3.1%、3.0%左右，而推動全球半導體市場增速分別達3.0%、25%、16%左右。ICInsights預測2019-2023年全球半導體市場增長與全球GDP總量增長的相關系數為0.93。ICInsights認為原因來自兩個，一是越來越多的兼并和收購事件導致主要半導體制造商和供應商數量減少，這是供應基礎的一個重大變化，也說明了該行業(yè)愈發(fā)成熟，這有助于促進全球GDP成長與半導體市場之間更密切的關聯性。二是消費者驅動的IC市場持續(xù)轉型。20年前大約60%的半導體市場是由商務應用程序推動、40%是由消費者應用程序驅動的，如今這兩者所占百分比

31、已經互換。因此，隨著消費者為導向的環(huán)境推動電子系統(tǒng)銷售和半導體市場的作用愈顯重要。2、國家出臺多項政策驅動產業(yè)繁榮發(fā)展國家高度重視半導體行業(yè)發(fā)展，近年來出臺了多項扶持產業(yè)發(fā)展政策，鼓勵技術進步。2014年6月，國務院發(fā)布國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要，以設計、制造、封裝測試以及裝備材料等環(huán)節(jié)作為集成電路行業(yè)發(fā)展重點，提出到2020年，集成電路產業(yè)與國際先進水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%；到2030年，集成電路產業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達到國際先進水平，一批企業(yè)進入國際第一梯隊，實現跨越發(fā)展。2014年9月24日，國家集成電路產業(yè)投資基金股份有限公司（簡稱“大基金一期”）正式設立；201

32、9年10月22日，國家集成電路產業(yè)投資基金二期股份有限公司（簡稱“大基金二期”）注冊成立。大基金一期和大基金二期重點投資集成電路芯片制造業(yè)，兼顧芯片設計、封裝測試、設備和材料等產業(yè)，實施市場化運作、專業(yè)化管理，充分展現了國家扶持半導體行業(yè)的信心，將大力促進行業(yè)增長。功率半導體作為半導體行業(yè)的重要組成部分，將大受裨益。國家的政策支持為行業(yè)創(chuàng)造了良好的政策環(huán)境和投融資環(huán)境，為功率半導體行業(yè)發(fā)展帶來了良好的發(fā)展機遇，促進行業(yè)發(fā)展的同時加速產業(yè)的轉移進程，國內功率半導體行業(yè)有望進入長期快速增長通道。3、下游終端產品的功能多樣化將增加功率器件的產品需求功率器件應用領域十分廣泛，下游終端產品類別繁多，隨著

33、社會發(fā)展和技術發(fā)展，下游終端產品對電能轉換效率、穩(wěn)定性、高壓大功率提出了更高的需求，產品設計將更加復雜化，產品功能將更加多樣化。下游終端產品的功能多樣化將增加功率器件的需求，促進功率器件的技術發(fā)展，促使功率器件朝著更高性能、更快速度、更小體積方向發(fā)展。4、新興產業(yè)需求和技術創(chuàng)新將引領半導體行業(yè)發(fā)展隨著汽車電子、智能制造、人工智能、5G、高端應用處理器、高性能計算、汽車駕駛輔助系統(tǒng)、虛擬貨幣等新興領域的快速發(fā)展，相關IC產品將被更為廣泛地應用在各類智能移動終端、工業(yè)機器人、新能源汽車、可穿戴設備等新興產品中。這些需求將刺激我國IC產品的技術創(chuàng)新和產業(yè)發(fā)展，對我國IC設計、制造企業(yè)帶來增長機遇。同

34、時，我國功率半導體企業(yè)一直緊跟國際先進技術發(fā)展，通過持續(xù)的技術創(chuàng)新不斷推動產品升級，并積極向中高端市場滲透，與國際廠商展開競爭。隨著計算機、網絡通信、智能家居、汽車電子等行業(yè)的技術發(fā)展和市場增長，我國功率半導體技術水平也將不斷提升，為國內功率半導體相關企業(yè)贏得更多的發(fā)展機遇。5、市場空間巨大半導體產業(yè)是全球性產業(yè)，全球產業(yè)景氣度是中國半導體產業(yè)發(fā)展的大前提，但中國半導體產業(yè)的內生力更值得關注。半導體行業(yè)發(fā)源于歐美，日韓及中國臺灣在產業(yè)轉移中亦建立了先進的半導體工業(yè)體系。中國半導體起步晚，但近年來，國家高度重視半導體行業(yè)的發(fā)展，不斷出臺多項鼓勵政策大力扶持包括功率半導體在內的半導體行業(yè)。隨著國內

35、大循環(huán)、國內國際雙循環(huán)格局發(fā)展，國內功率半導體產品需求繼續(xù)增加，國內功率半導體設計企業(yè)不斷成長，未來發(fā)展空間巨大。根據顧問機構InternationalBusinessStrategies（IBS）預測，到2030年中國的半導體市場供應將達到5,385億美元。2020-2030年中國市場的半導體供應量來自中國本土企業(yè)的比例將逐漸上升，到2030年將達到39.8%。預計到2030年，69%的消費量將來自中國本土公司，需求主要來自數據中心、消費電子、汽車、醫(yī)療等應用領域。三、 MOSFET產品的行業(yè)基本情況1、MOSFET簡介MOSFET問世于1980年左右，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路

36、的場效晶體管，用于將輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化，起到開關或放大等作用。隨著技術的發(fā)展，溝槽結構MOSFET于1990年左右逐步研發(fā)成功。2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET。對國內市場而言，MOSFET產品由于其技術及工藝的先進性，很大程度上仍依賴進口，國產化空間巨大。2、MOSFET的市場規(guī)模及競爭格局2019年全球MOSFET市場規(guī)模達76億美元，2016-2023年復合增速達5%；中國大陸MOSFET市場規(guī)模達36億美元，中國市場在全球占比約48%。2020年，全球MOSFET市場規(guī)模達80.67億美元，2021年在全球尤其是中國的5G基礎設施和5

37、G手機、PC及云服務器、電動汽車、新基建等市場推動下，全球MOSFET增速將以較高速度增長。預計2021年至2025年，MOSFET每年的增速將不低于6.7%，預計2025年將達到118.47億美元。根據有關數據，2020年，全球MOSFET營收前十的廠商仍然以歐、美、日廠商為主，其中英飛凌以29.7%的市場份額遙遙領先，位居全球功率MOSFET市場第一，前2大廠商英飛凌和安森美營收之和占比為40.9%，前10大公司營收之和占比高達80.4%。3、MOSFET的未來發(fā)展趨勢近二十年來，各個領域對功率器件的電壓和頻率要求越來越嚴格，MOSFET和IGBT逐漸成為主流，技術上MOSFET朝著低阻抗

38、發(fā)展。中國MOSFET市場規(guī)模增長迅速，據統(tǒng)計，2016年-2019年MOSFET市場的復合增長率為12.0%。MOSFET增速與全球功率器件增速接近，占據功率器件22%的市場份額，長期來看仍將保持重要地位。全球功率器件市場規(guī)模穩(wěn)步增長，MOSFET需求長期穩(wěn)定。四、 堅持人才優(yōu)先發(fā)展打造高端人才集聚熱土。搶抓“雙循環(huán)”新發(fā)展格局下人才流動的戰(zhàn)略性機遇，深入推進“天下英雄城、聚天下英才”“雙百計劃”“百萬人才入昌”等行動，建設江西省高層次人才產業(yè)園，持續(xù)實施“洪城計劃”“頂尖領軍人才領航計劃”“洪企211”等人才工程，主動對接引進海外戰(zhàn)略型人才，加快引入一批國內產業(yè)鏈、創(chuàng)新鏈高層次人才。持續(xù)實

39、施“洪燕領航”工程，加快培育本土高層次科研人才、急需緊缺專項人才。實施“求學南昌、創(chuàng)業(yè)南昌”計劃、“贛籍英才返鄉(xiāng)”計劃，積極吸引各類高素質人才，特別是青年人才來昌就業(yè)創(chuàng)業(yè)，做大人才總量。推進新時代“洪城工匠”培育工程。實施知識更新工程、技能提升行動，構建產教訓融合、政企社協同、育選用貫通的高技能人才培養(yǎng)體系，打造數量充足、結構合理、技藝精湛的新型藍領隊伍。加強工程師隊伍建設。完善技術技能評價制度，推動技能人才與專業(yè)技術人才職業(yè)發(fā)展貫通，拓寬高技能人才發(fā)展空間。實施更加開放的人才政策。堅持黨管人才原則，深化人才發(fā)展體制改革與機制創(chuàng)新，建立健全市場化人才評價標準和機制，讓人才使用者評價人才、確定人

40、才。探索競爭性人才使用機制，優(yōu)化激勵措施，完善配套服務政策。推進人才、項目、資金、平臺一體化建設，營造人才安心舒心發(fā)展環(huán)境。建立健全更具包容性、靈活性、精準性的人才政策體系，實現高層次人才、中端人才、基礎性人才政策全覆蓋，打造英雄城人才“蓄水池”。實施人才政策動態(tài)評價，建立人才政策動態(tài)調整機制。五、 提高產業(yè)鏈供應鏈現代化水平堅持穩(wěn)定可控、安全高效，深入實施產業(yè)鏈鏈長制，推動產業(yè)鏈供應鏈鍛長板補短板。圍繞產業(yè)鏈集群化，積極發(fā)展電子信息、航空裝備、汽車和新能源汽車、生物醫(yī)藥等新興產業(yè)鏈和特色產業(yè)集群，深入實施優(yōu)質企業(yè)梯次培育行動，打造千億級、百億級頭部企業(yè)，培育“專精特新”中小企業(yè)，優(yōu)化產業(yè)鏈分

41、工協作體系。深入開展質量提升行動，加強標準、計量、專利等體系和能力建設。圍繞供應鏈系統(tǒng)化，大力實施工業(yè)強基工程，搭建產業(yè)共性技術平臺，著力補齊智能傳感器、工業(yè)軟件、集成電路硅片等關鍵領域基礎部件短板。完善核心零部件、關鍵原材料多元化可供體系，增強本土產業(yè)協同配套能力。圍繞價值鏈樞紐化，不斷優(yōu)化產業(yè)鏈供應鏈發(fā)展環(huán)境，強化要素支撐，健全跨地區(qū)轉移利益共享機制，加快承接國內產業(yè)轉移，深化區(qū)域產業(yè)合作。第四章 產品規(guī)劃與建設內容一、 建設規(guī)模及主要建設內容（一）項目場地規(guī)模該項目總占地面積15333.00（折合約23.00畝），預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積21045.61。（二）產能規(guī)模根據國內外市場需求和

42、xx公司建設能力分析，建設規(guī)模確定達產年產xx件功率半導體，預計年營業(yè)收入13600.00萬元。二、 產品規(guī)劃方案及生產綱領本期項目產品主要從國家及地方產業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源供應情況、企業(yè)資金籌措能力、生產工藝技術水平的先進程度、項目經濟效益及投資風險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據市場需求狀況進行必要的調整，各年生產綱領是根據人員及裝備生產能力水平，并參考市場需求預測情況確定，同時，把產量和銷量視為一致，本報告將按照初步產品方案進行測算。產品規(guī)劃方案一覽表序號產品（服務）名稱單位單價（元）年設計產量產值1功率半導體件xx2功率半導體件xx3功率半導體件xx4.件5.件6.件合計

43、xx13600.002018年全球二極管市場規(guī)模達63.93億美元，市場空間廣闊。根據中國電子信息產業(yè)統(tǒng)計年鑒數據，中國二極管銷量從2014年的2,856億只增長到了2018年的16,950億只。根據芯謀研究的有關數據，2020年全球二極管營收前十大廠商中以歐、美、日廠商為主。第五章 選址方案一、 項目選址原則1、符合城鄉(xiāng)規(guī)劃和相關標準規(guī)范的原則。2、符合產業(yè)政策、環(huán)境保護、耕地保護和可持續(xù)發(fā)展的原則。3、有利于產業(yè)發(fā)展、城鄉(xiāng)功能完善和城鄉(xiāng)空間資源合理配置與利用的原則。4、保障公共利益、改善人居環(huán)境的原則。5、保證城鄉(xiāng)公共安全和項目建設安全的原則。6、經濟效益、社會效益、環(huán)境效益相互協調的原則

44、。二、 建設區(qū)基本情況南昌，是江西省轄地級市、省會、環(huán)鄱陽湖城市群核心城市，批復確定的中國長江中游地區(qū)重要的中心城市。截至2019年，全市下轄6個區(qū)、3個縣，總面積7195平方千米。根據第七次人口普查數據，南昌市常住人口為625.5007萬人。南昌地處中國華東地區(qū)、江西省中部偏北，贛江、撫河下游，鄱陽湖西南岸，是江西省的政治、經濟、文化、科教和交通中心，有“粵戶閩庭，吳頭楚尾”、“襟三江而帶五湖”之稱，“控蠻荊而引甌越”之地，是中國唯一一個毗鄰長江三角洲、珠江三角洲和海峽西岸經濟區(qū)的省會中心城市，也是中國華東地區(qū)重要的中心城市之一、長江中游城市群中心城市之一。南昌是中國首批低碳試點城市，曾榮獲

45、國家創(chuàng)新型城市、國際花園城市、國家衛(wèi)生城市、全球十大動感都會等稱號。2019年6月，“未來網絡”試驗設施在南昌開通運行。2020年9月2日，被交通運輸部評為國家公交都市建設示范城市?！笆濉睍r期是全面建成小康社會決勝階段?！笆濉币?guī)劃目標任務將基本完成。經濟總量連跨兩個千億臺階，預計地區(qū)生產總值年均增長7.8%左右，人均地區(qū)生產總值有望突破1.5萬美元。產業(yè)結構發(fā)生轉折性變化，高新技術產業(yè)、戰(zhàn)略性新興產業(yè)、數字經濟占比大幅提升。國家創(chuàng)新型城市建設、贛江兩岸科創(chuàng)大走廊建設深入推進，中國（南昌）知識產權保護中心成功獲批?！拔逍驼苯ㄔO深入推進，“六多合一”集成審批改革成為全國示范，開放型經濟

46、新體制綜合試點試驗成果顯著。城市發(fā)展進入新階段，開創(chuàng)“跨江臨湖、攬山入城”的大南昌都市圈時代。生態(tài)環(huán)境質量顯著改善，生態(tài)文明制度體系基本形成，河湖長制走在全國前列。脫貧攻堅取得全面勝利，城鄉(xiāng)居民收入實現翻番，城鄉(xiāng)居民社會保障、醫(yī)療保障、公共就業(yè)服務等實現全覆蓋。海昏候國遺址公園驚艷亮相，成功保留全國文明城市榮譽稱號，實現全國雙擁模范城“九連冠”，世界VR產業(yè)大會永久落戶南昌，城市影響力顯著增強。黨的建設持續(xù)加強，平安南昌、法治南昌建設成就顯著，社會治理水平穩(wěn)步提升，全市社會治安大局持續(xù)平穩(wěn)，綜治中心、“雪亮工程”建設經驗在全國推廣。在全市人民的共同努力下，全面建成小康社會勝利在望，南昌發(fā)展站上

47、新的歷史起點，為開啟全面建設社會主義現代化新征程奠定了堅實基礎。在質量效益明顯提升的基礎上實現經濟持續(xù)健康發(fā)展，主要經濟指標增速保持全國省會城市“第一方陣”。經濟總量在全國省會城市的位次前移，人均地區(qū)生產總值達到高收入地區(qū)水平。產業(yè)結構進一步優(yōu)化，高端制造業(yè)、戰(zhàn)略性新興產業(yè)、現代服務業(yè)占比進一步提高。投資質量明顯改善，消費貢獻顯著增強，出口總量和結構實現量質雙升。三、 塑造南昌制造新優(yōu)勢大力發(fā)展戰(zhàn)略性新興產業(yè)。圍繞新基建、數字經濟、制造業(yè)轉型升級、智慧城市等電子信息產業(yè)上下游應用需求，加快電子信息產業(yè)“芯屏端網”融合發(fā)展，重點發(fā)展“機智靈光”四大細分領域，打造全球重要的移動智能終端制造基地。推

48、動汽車產業(yè)優(yōu)化升級，優(yōu)先發(fā)展新能源汽車，前瞻布局智能網聯汽車、氫能汽車，重點打造特色零部件產業(yè)，提升“南昌汽車”品牌影響力和市場競爭力。全面對接航空工業(yè)、中國商飛等戰(zhàn)略布局，建設國產大飛機重要總裝基地，健全航空全產業(yè)鏈，打造中國航空城。推進中西醫(yī)結合、“醫(yī)、藥、養(yǎng)”融合發(fā)展，加速打造中國醫(yī)藥名都。推動南昌醫(yī)療器械產業(yè)基地納入全國公共衛(wèi)生防疫物資生產儲備配送體系。推動傳統(tǒng)制造業(yè)優(yōu)化升級。加快推進傳統(tǒng)優(yōu)勢產業(yè)高端化、智能化、綠色化、服務化升級，提升傳統(tǒng)產業(yè)創(chuàng)新力和競爭力。推進食品產業(yè)提質增效，擴大規(guī)模，打響品牌。推動現代針紡產業(yè)強設計、育品牌，向高附加值、品牌化經營、內銷化轉變。不斷提高銅、鎢等精

49、深加工水平，建設具有國際影響力的新材料產業(yè)集群。加快機電裝備制造產業(yè)升級，重點實現智能傳感器、高檔數控機床、智能控制及系統(tǒng)集成等領域新突破。推動家電、鋁型材等產業(yè)躋身全國一流行列。促進制造業(yè)和服務業(yè)深度融合。深入推進“兩業(yè)”業(yè)務關聯、鏈條延伸、技術滲透，推動制造業(yè)向產業(yè)鏈兩端延伸，服務業(yè)沿產業(yè)鏈向制造業(yè)拓展，加速原材料制造業(yè)、裝備制造與服務業(yè)深度融合，推進現代物流、研發(fā)設計、金融服務與制造業(yè)有機銜接。以質量和標準為引領，推動研發(fā)外包、個性化定制、柔性化生產等行業(yè)專業(yè)化、社會化、高端化發(fā)展，加快培育全生命周期管理、供應鏈管理等融合發(fā)展新業(yè)態(tài)新模式，促進制造業(yè)由生產型制造向服務型制造轉變。四、 項

50、目選址綜合評價項目選址區(qū)域地勢平坦開闊，四周無污染源、自然景觀及保護文物。供電、供水可靠，給、排水方便，而且，交通便利、通訊便捷、遠離居民區(qū)，所以，從項目選址周圍環(huán)境概況、資源和能源的利用情況以及對周圍環(huán)境的影響分析，擬建工程的項目選址選擇是科學合理的。第六章 建筑工程方案一、 項目工程設計總體要求（一）建筑工程采用的設計標準1、建筑設計防火規(guī)范2、建筑抗震設計規(guī)范3、建筑抗震設防分類標準4、工業(yè)建筑防腐蝕設計規(guī)范5、工業(yè)企業(yè)噪聲控制設計規(guī)范6、建筑內部裝修設計防火規(guī)范7、建筑地面設計規(guī)范8、廠房建筑模數協調標準9、鋼結構設計規(guī)范（二）建筑防火防爆規(guī)范本項目在建筑防火設計中從防止火災發(fā)生和安全

51、疏散兩方面考慮。一是防火。所有建筑均采用一、二級耐火等級，室內裝修均采用不燃或難燃材料，使火災不易發(fā)生，即使發(fā)生也不易迅速蔓延，同時建筑內均設置了消火栓。防火分區(qū)面積滿足建筑設計防火規(guī)范要求。二是疏散。建筑的平面布局、建筑物間距、道路寬度等均應滿足防火疏散的要求，便于人員疏散。建筑物的平面布置、空間尺寸、結構選型及構造處理根據工藝生產特征、操作條件、設備安裝、維修、安全等要求，進行防火、防爆、抗震、防噪聲、防塵、保溫節(jié)能、隔熱等的設計。滿足當地規(guī)劃部門的要求，并執(zhí)行工程所在地區(qū)的建筑標準。（三）主要車間建筑設計在滿足生產使用要求的前提下，本著“實用、經濟”條件下注意美觀的原則，確定合理的建筑結

52、構方案，立面造型簡潔大方、統(tǒng)一協調。認真貫徹執(zhí)行“適用、安全、經濟”方針。因地制宜，精心設計，力求作到技術先進、經濟合理、節(jié)約建設資金和勞動力，同時，采用節(jié)能環(huán)保的新結構、新材料和新技術。（四）本項目采用的結構設計標準1、建筑抗震設計規(guī)范2、構筑物抗震設計規(guī)范3、建筑地基基礎設計規(guī)范4、混凝土結構設計規(guī)范5、鋼結構設計規(guī)范6、砌體結構設計規(guī)范7、建筑地基處理技術規(guī)范8、設置鋼筋混凝土構造柱多層磚房抗震技術規(guī)程9、鋼結構高強度螺栓連接的設計、施工及驗收規(guī)程（五）結構選型1、該項目擬選項目選址所在地區(qū)基本地震烈度為7度。根據現行建筑抗震設計規(guī)范的規(guī)定，本項目按當地基本地震烈度執(zhí)行9度抗震設防。2、

53、根據項目建設的自身特點及項目建設地規(guī)劃建設管理部門對該區(qū)域建筑結構的要求，確定本項目生產車間采用鋼結構，采用柱下獨立基礎。3、建筑結構的設計使用年限為50年，安全等級為二級。二、 建設方案1、本項目建構筑物完全按照現代化企業(yè)建設要求進行設計，采用輕鋼結構、框架結構建設，并按建筑抗震設計規(guī)范（GB500112010）的規(guī)定及當地有關文件采取必要的抗震措施。整個廠房設計充分利用自然環(huán)境，強調豐富的空間關系，力求設計新穎、優(yōu)美舒適。主要建筑物的圍護結構及屋面，符合建筑節(jié)能和防滲漏的要求；車間廠房設有天窗進行采光和自然通風，應選用氣密性和防水性良好的產品。.2、生產車間的建筑采用輕鋼框架結構。在符合國

54、家現行有關規(guī)范的前提下，做到結構整體性能好，有利于抗震防腐，并節(jié)省投資，施工方便。在設計上充分考慮了通風設計，避免火災、爆炸的危險性。.3、建筑內部裝修設計防火規(guī)范，耐火等級為二級；屋面防水等級為三級，按照屋面工程技術規(guī)范要求施工。.4、根據地質條件及生產要求，對本裝置土建結構設計初步定為：生產車間采用鋼筋混凝土獨立基礎。.5、根據項目的自身情況及當地規(guī)劃建設管理部門對該區(qū)域建筑結構的要求，確定本項目生產生間擬采用全鋼結構。.6、本項目的抗震設防烈度為6度，設計基本地震加速度值為 0.05g，建筑抗震設防類別為丙類，抗震等級為三級。.7、建筑結構的設計使用年限為50年，安全等級為二級。三、 建

55、筑工程建設指標本期項目建筑面積21045.61，其中：生產工程14327.40，倉儲工程2712.47，行政辦公及生活服務設施2867.18，公共工程1138.56。建筑工程投資一覽表單位：、萬元序號工程類別占地面積建筑面積投資金額備注1生產工程4636.7014327.401871.551.11#生產車間1391.014298.22561.461.22#生產車間1159.173581.85467.891.33#生產車間1112.813438.58449.171.44#生產車間973.713008.75393.032倉儲工程2318.352712.47228.082.11#倉庫695.50813.7468.422.22#倉庫579.59678.1257.022.33#倉庫556.40650.9954.742.44#倉庫486.85569.6247.903辦公生活配套485.142867.18429.903.1行政辦公樓315.341863.67279.443.2宿舍及食堂169.801003.51150.464公共工程1116.241138.5610