實(shí)驗(yàn)四硅光電池特性測(cè)試和變換電路模板

1、3、負(fù)載模塊14、光通路組件5、硅光電池及封裝組件16、2#迭插頭對(duì)（紅色，50cm)7、2#迭插頭對(duì)（黑色，50cm)108、示波器11臺(tái)1個(gè)個(gè)1套套10根根臺(tái)實(shí)驗(yàn)原理/實(shí)驗(yàn)電路圖：光電三極管與光電二極管的工作原理基本相同, 電阻的差別僅在于光線照射在半導(dǎo)體PN結(jié)上，1、硅光電池的基本結(jié)構(gòu)工作原理都是基于內(nèi)光電效應(yīng)，和光敏PN結(jié)參與了光電轉(zhuǎn)換過(guò)程。西南交通大學(xué) 光電專業(yè)實(shí)驗(yàn)報(bào)告學(xué)號(hào)：2015114XXX姓名：XXX班級(jí)： 光電X班 組號(hào)： X 同組人（姓名/學(xué)號(hào)）：實(shí)驗(yàn)名稱：硅光電池特性測(cè)試及其變換電路本次實(shí)驗(yàn)是本學(xué)期你所做的第X個(gè)實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)日期：2018 年6_月 X_ 日 講 指導(dǎo)教師/報(bào)

2、告箱號(hào)： 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?、學(xué)習(xí)掌握硅光電池的工作原理2、學(xué)習(xí)掌握硅光電池的基本特性3、掌握硅光電池基本特性制試方法4、了解硅光電池的基本應(yīng)用實(shí)驗(yàn)儀器：1、光電器件和光電技術(shù)綜合設(shè)計(jì)平臺(tái)2、光源驅(qū)動(dòng)模塊目前半導(dǎo)體光電探測(cè)器在數(shù)碼攝像、光通信。太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，硅光電池是半導(dǎo)體光電探測(cè)器的一個(gè)基本單元，深刻理解硅光電池的工作原理和具體使用特性可以進(jìn)一步領(lǐng)會(huì)半導(dǎo)體 PN結(jié)原理、光電效應(yīng)和光伏電池產(chǎn)生機(jī)理。圖4-1是半導(dǎo)體PN結(jié)在零偏、反偏、正偏下的耗盡區(qū)，當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體材料結(jié)合時(shí)，由于P型材料空穴多電子少，而N型材料電子多空六少，結(jié)果P型材料中的空穴向 N型材料這邊擴(kuò)散，N型材料中的電

3、子向 P型材料這邊擴(kuò)散，擴(kuò)散的結(jié)果使得結(jié)合區(qū)兩側(cè)的P型區(qū)出現(xiàn)負(fù)電荷，N型區(qū)帶正電荷，形成一個(gè)勢(shì)壘，由此而產(chǎn)生的內(nèi)電場(chǎng)將阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的 繼續(xù)進(jìn)行，當(dāng)兩者達(dá)到平衡時(shí)，在PN結(jié)兩側(cè)形成一個(gè)耗盡區(qū)，耗盡區(qū)的特點(diǎn)是無(wú)自由載流子、呈現(xiàn)高阻抗。當(dāng) PN結(jié)反偏時(shí)，外加電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向一致，耗盡區(qū)在外電場(chǎng)作用下變 寬，使勢(shì)壘加強(qiáng)，當(dāng)界結(jié)正偏時(shí)，外加電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相反， 耗盡區(qū)在外電場(chǎng)作用下變窄， 勢(shì)壘削弱，使載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)繼續(xù)形成電流，此即為所結(jié)的單向?qū)щ娦?，電流方向是從P指向No2、硅光電池的工作原理，硅光電池是一個(gè)大面積的光電二極管，它被設(shè)計(jì)用于把入時(shí)到它表面的光能轉(zhuǎn)化為電 能，因此，可用作光電探測(cè)器和光

4、電池，被廣泛用于太空和野外便攜式儀器等的能源。光電池的基本結(jié)構(gòu)如圖 4-2，當(dāng)半導(dǎo)體PN結(jié)處于零偏或反偏時(shí)，在它們的結(jié)合面耗盡 區(qū)存在一內(nèi)電場(chǎng)，當(dāng)有光照時(shí)，入射光子將把處于介帶中的束縛電子激發(fā)到導(dǎo)帶，激發(fā)出的電子空穴對(duì)在內(nèi)電場(chǎng)作用下分別漂移到N型區(qū)和P型區(qū)，當(dāng)在PN結(jié)兩端加負(fù)載時(shí)就有一光生電流流過(guò)負(fù)載。流過(guò)所結(jié)兩端的電流可由式1確定：?()I = I?( ?- 1) + ?式 中IS為飽和電流。V為PN結(jié)兩端電壓，T為絕對(duì)溫度，IP為產(chǎn)生的光電流。從 式中可以看到，當(dāng)光電池處于零偏時(shí)，V=0,流過(guò)PN結(jié)的電流I=IP ;當(dāng)光電池處于反偏時(shí)(在 本實(shí)驗(yàn)中取V=-5V)，流過(guò)PN結(jié)的電流上I=IP

5、-IS，因此，當(dāng)光電池用作光電轉(zhuǎn)換器時(shí)，光 電池必須處于零偏或反偏狀態(tài)。光電池處于零偏或反偏狀態(tài)時(shí)，產(chǎn)生的光電流IP與輸入光功率Pi有以下關(guān)系：? = ?(2)式 中R為響應(yīng)率，R值隨入射光波長(zhǎng)的不同而變化，對(duì)不同材料制作的光電池R值分別在短波長(zhǎng)和長(zhǎng)波長(zhǎng)處存在一截止波長(zhǎng)，在長(zhǎng)波長(zhǎng)處要求入射光子的能量大于材料的能級(jí)間隙Eg,以保證處于介帶中的束縛電子得到足夠的能量被激發(fā)到導(dǎo)帶，對(duì)于硅光電池其長(zhǎng) 波截止波長(zhǎng)為入？?=1.1um，在短波長(zhǎng)處也由于材料有較大吸收系數(shù)使R值很小。3、硅光電池的基本特性(1) 短路電流4團(tuán)卜J電他如昭電Ji題訕如圖4-3所示，不同的光照作用下，毫安表若顯示不同的電流值，那

6、硅光電池短路時(shí)的電流值也不同，此即為硅光電池的短路電流特性。(2) 開(kāi)路電壓如圖4-4所示，不同的光照的作用下，電壓表若顯示不同的電壓值。那硅光電池開(kāi)路時(shí)的電壓也不同，此即為硅光電池的開(kāi)路電壓特性。(3) 光照特性光電池在不同光照度下， 其光電流和光生電動(dòng)勢(shì)是不同的， 它們之間的關(guān)系就是光照特性，如圖4-5所示即為硅光電池光生電流和光生電壓與光照度的特性曲線。在不同的偏壓的作用下，硅光電池的光照特性也有所不同。(4) 伏安特性如圖4-6，硅光電池輸入光強(qiáng)度不變，負(fù)載在一定的范圍內(nèi)變化時(shí)，光電池的輸出電壓及電流隨負(fù)載電阻變化關(guān)系曲線稱為硅光電池的伏安特性。其特性曲線如下圖4-6所示:* F1 川

7、 KL.1 /RL2廠？聲 Rl,3捋W*-光生電壓(IBV) s璉光電世試圭轉(zhuǎn)性檢測(cè)電路圖如下圖4-7 所示:(5) 負(fù)載特性(輸出特性)圖4-7硅光電池的伏安特性測(cè)試光電池作為電池使用， 如圖4-8所示。在內(nèi)電場(chǎng)作用下，入射光于由于光電效應(yīng)把處于 介帶中的束縛電子激發(fā)到導(dǎo)帶，而產(chǎn)生光伏電壓，在光電池兩端加一個(gè)負(fù)載就會(huì)有電流流過(guò)，當(dāng)負(fù)載很大時(shí)，電流較小而電壓較大；當(dāng)負(fù)載很小時(shí)，電流較大而電壓較小。實(shí)驗(yàn)時(shí)可改變 負(fù)載電阻R的值來(lái)確定硅光電池的負(fù)載特性。珥冋枝光電池負(fù)載附L的劃覽在線性測(cè)量中，光電池通常以電流形式使用， 故短路電流與光照度(光能量)呈線性關(guān)系， 是光電池的重要光照特性。實(shí)際使用時(shí)

8、都接有負(fù)載電阻RL,輸出電流IL隨照度(光通量)的增加而非線性緩慢地增加，并且隨負(fù)載RL的增大線性范圍也越來(lái)越小。因此，在要求輸出的電流與光照度呈線性關(guān)系時(shí)，負(fù)載電阻在條件許可的情況下越小越好，并限制在光照范圍內(nèi)使用。光電池光照與負(fù)載特性曲線如圖4-9所示。(6) 光譜特性一般在光電池的光譜響應(yīng)特性表示在入射光能量保持一定的條件下，硅光電池所產(chǎn)生光電流/電壓與入射光波長(zhǎng)之間的關(guān)系。(7) 時(shí)間響應(yīng)特性表示時(shí)間應(yīng)特性的方法主要有兩種，一種是脈沖特性法，另一種是幅頻特性法。脈沖響應(yīng)光敏晶體管受調(diào)制光照射時(shí)，相對(duì)靈敏度與調(diào)制頻率的關(guān)系稱為頻率特性。減少負(fù)載電阻能提高響應(yīng)頻率， 但輸出降低。一般來(lái)說(shuō)，

9、 光敏三極管的頻響比光敏二極管差得多， 鍺光 敏三極管的頻響比硅管小一個(gè)數(shù)量級(jí)。實(shí)驗(yàn)步驟：1硅光電池短路電流特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)裝置原理框圖如圖 4-10所示。(1) 組裝好光通路組件，將照度計(jì)與照度計(jì)探頭輸出正負(fù)極對(duì)應(yīng)相連(紅為正極，黑為負(fù)極)，將光源驅(qū)動(dòng)及信號(hào)處理模塊上J2與光通路組件光源接口使用彩排數(shù)據(jù)線相連。(2) 將開(kāi)關(guān)S2撥到“靜態(tài)”。(3) 按圖4-10所示的電路連接電路圖。 打開(kāi)電源，順時(shí)針調(diào)節(jié)光照度調(diào)節(jié)旋鈕，使照度依次為表1所列值，分別讀出電流表讀數(shù)，填入表1,關(guān)閉電源。(5) 將“光照度調(diào)節(jié)”旋鈕逆時(shí)針調(diào)節(jié)到最小值位置后關(guān)閉電源。(6) 表1中所測(cè)得的電壓值即為硅光電池在相應(yīng)光照度

10、下的短路電流。(7) 實(shí)驗(yàn)完畢，關(guān)閉電源，拆除所有連線。2、硅光電池開(kāi)路電壓特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)裝置原理框圖如圖 4-11所示。(1) 組裝好光通路組件，將照度計(jì)與照度計(jì)探頭輸出正負(fù)極對(duì)應(yīng)相連(紅為正極，黑為負(fù)極)，將光源驅(qū)動(dòng)及信號(hào)處理模塊上J2與光通路組件光源接口使用彩排數(shù)據(jù)線相連。(2) 將開(kāi)關(guān)S2撥到“靜態(tài)”。 打開(kāi)電源，順時(shí)針調(diào)節(jié)光照度調(diào)節(jié)旋鈕，使照度依次為表2所列值，分別讀出電流表讀數(shù)，填入表2，關(guān)閉電源。(5) 將“光照度調(diào)節(jié)”旋鈕逆時(shí)針調(diào)節(jié)到最小值位置后關(guān)閉電源。(6) 表2中所測(cè)得的電壓值即為硅光電池在相應(yīng)光照度下的開(kāi)路電壓。(7) 實(shí)驗(yàn)完畢，關(guān)閉電源，拆除所有連線。3、硅光電池光照特

11、性根據(jù)實(shí)驗(yàn)1和2所測(cè)試的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，作出如圖4-5所示的硅光電池的光照電流電壓特性 曲線。4、硅光電池伏安特性實(shí)驗(yàn)裝置原理框圖如圖 4-12所示。(1) 組裝好光通路組件，將照度計(jì)與照度計(jì)探頭輸出正負(fù)極對(duì)應(yīng)相連(紅為正極，黑為負(fù)極)，將光源驅(qū)動(dòng)及信號(hào)模塊上J2與光通路組件光源接口使用彩排數(shù)據(jù)線相連。(2) 將開(kāi)關(guān)S2撥到“靜態(tài)”。(3) 電壓表檔位調(diào)節(jié)至 2V檔，電流表檔位調(diào)至 200uA檔，將“光照度調(diào)節(jié)”旋鈕逆時(shí)針 調(diào)節(jié)至最小值位置。 按圖4-12所示的電路連接電路圖，R取值為200歐，打開(kāi)電源，順時(shí)針調(diào)節(jié)照度調(diào)節(jié)旋鈕，增大光照度值至5001x.記錄下此時(shí)的電壓表和電流表的讀數(shù)填入表3。(5

12、) 關(guān)閉電源，將 R分別換為510，750, 1K, 2K, 5.1K，7.5K，10K,20K重復(fù)上述步驟，并記錄電流表和電壓表的讀數(shù)，填入表3。(6) 改變光照度為300Lx、100LX重復(fù)上述步驟，將實(shí)驗(yàn)結(jié)果填入表4,5。(7) 根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，在同一坐標(biāo)軸中作出三種不同條件下的伏安特性曲線，并進(jìn)行 分析。(8) 實(shí)驗(yàn)完畢，關(guān)閉電源，拆除所有連線。5. 硅光電池負(fù)載特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)(1) 組裝好光通路組件，將照度計(jì)與照度計(jì)探頭輸出正負(fù)極對(duì)應(yīng)相連(紅為正極，黑為負(fù)極)，將光源驅(qū)動(dòng)及信號(hào)處理模塊上J2與光通路組件光源接口使用彩排數(shù)據(jù)線相連。(2) 將開(kāi)關(guān)S2撥到“靜態(tài)”。(3) 電壓表檔位調(diào)節(jié)

13、至 2V檔，電流表檔位調(diào)至 200uA檔，將“光照度調(diào)節(jié)”旋鈕逆時(shí)針 調(diào)節(jié)至最小值位置。 按圖4-13所示的電路連接電路圖，R取值為RL2=100歐。(5) 打開(kāi)電源，順時(shí)針調(diào)節(jié)“光照度調(diào)節(jié)”旋鈕，從OLx逐漸增大光照度至1OOLx, 200LX , 300Lx，400Lx，500Lx，600Lx分別記錄電流表和電壓表讀數(shù)，填入表 6。(6) 關(guān)閉電源，將 R分別換為510歐，1K, 5.1K，10K重復(fù)上述步驟，分別記錄電流表和電壓表的讀數(shù)，填入表7,8,9,10。(7) 根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)所測(cè)試的數(shù)據(jù)，在同一坐標(biāo)軸上描繪出硅光電池的負(fù)載特性曲線，并 進(jìn)行分析。6、硅光電池光譜特性測(cè)試當(dāng)不同波長(zhǎng)的

14、入射光照到硅光電池上，硅光電池就有不同的靈敏度。本實(shí)驗(yàn)儀采用高亮度LED(白、紅、橙、黃、綠、藍(lán)、紫)作為光源，產(chǎn)生 400630nm離散光譜。光譜響應(yīng)度是光電探測(cè)器對(duì)單色入射輻射的響應(yīng)能力。定義為在波長(zhǎng)為？?的單位入射功率的照射下，光電探測(cè)器輸出的信號(hào)電壓或電流信號(hào)。即為v(?)=?(?)聞或i(入)=?(?)?(?)式中，P(?)為波長(zhǎng)為？?時(shí)的入射光功率：P(?)為光電探測(cè)器在入射光功率P(?)作用下的輸出信號(hào)電壓：I( ?)則為輸出用電流表示的輸出信號(hào)電流。本實(shí)驗(yàn)所采用的方法是基準(zhǔn)探測(cè)器法，在相同光功率的輻射下，則有?(?)=冠？?(？?)式中，Uf為基準(zhǔn)探測(cè)器顯示的電壓值， K為基準(zhǔn)

15、電壓的放大倍數(shù)，f(入)為基準(zhǔn)探測(cè)器 的響應(yīng)度。取在測(cè)試過(guò)程中， Uf取相同值，則實(shí)驗(yàn)所測(cè)試的響應(yīng)度大小由 (?)=U f(入)的大 小確定。下圖為基準(zhǔn)探測(cè)器的光譜響應(yīng)曲線。黑為負(fù)(1) 組裝好光通路組件，將照度計(jì)與照度計(jì)探頭輸出正負(fù)極對(duì)應(yīng)相連(紅為正極,極)，將光源驅(qū)動(dòng)及信號(hào)處理模塊上J2與光通路組件光源接口使用彩排數(shù)據(jù)線相連。 按如圖4-14連接電路圖。(3) 打開(kāi)電源，緩慢調(diào)節(jié)光照度調(diào)節(jié)電位器到最大，通過(guò)左切換和右切換開(kāi)關(guān)，將光源輸出切換成不同顏色，記錄照度計(jì)所測(cè)數(shù)據(jù)，并將最小值“E”為參考。(4) 分別測(cè)試出紅光、橙光，黃光，綠光，藍(lán)光，紫光在光照度E下時(shí)電壓表的讀數(shù)，填入表11。(5

16、) 根據(jù)所測(cè)試得到的數(shù)據(jù)，繪出硅光電池的光譜特性曲線。7、硅光電池時(shí)間響應(yīng)特性測(cè)試(1) 組裝好光通路組件，將照度計(jì)與照度計(jì)探頭輸出正負(fù)極對(duì)應(yīng)相連 (紅為正極，黑為負(fù)極)，將光源驅(qū)動(dòng)及信號(hào)處理模塊上 J2與光通路組件光源接口使用彩排數(shù)據(jù)線相連。信號(hào)源方波輸出接口通過(guò) BNC線接到方波輸入。正弦波輸入和方波輸入內(nèi)部是并聯(lián)的， 可以用示波 器通過(guò)正弦波輸入口測(cè)量方波信號(hào)。(2) 將開(kāi)關(guān)S2撥到“脈沖”。(3) 按圖4-15所示的電路連接電路圖，負(fù)載RL選擇RL=10K歐。示波器的測(cè)試點(diǎn)應(yīng)為硅光電池的輸出兩端；(5) 打開(kāi)電源，白光對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管亮，其余的發(fā)光二極管不亮。(6) 緩慢調(diào)節(jié)脈沖寬度調(diào)

17、節(jié)，增大輸入脈沖的脈沖信號(hào)的寬度，觀察示波器兩個(gè)通道信號(hào)的變化，并作出實(shí)驗(yàn)記錄(描繪出兩個(gè)通道的波形)并進(jìn)行分析。(7) 實(shí)驗(yàn)完畢，關(guān)閉電源，拆除導(dǎo)線。原始數(shù)據(jù)及數(shù)據(jù)處理:表1.硅光電池短路電流特性測(cè)試數(shù)據(jù)記錄表光照度(Lx)0100200300400500600光生電流(uA)表2.硅光電池開(kāi)路電壓特性測(cè)試數(shù)據(jù)記錄表光照度(Lx)0100200300400500600光生電壓(VV/壓電路開(kāi)3020505305205005335 2 5215 aOOOO6表3.硅光電池伏安特性數(shù)據(jù)記錄表500lx :電阻(Q )2005107501K2K5.1K7.5K10K20K電流(uA)電壓(mV)300lx :電阻(Q )2005107501K2K5.1K7.5K10K20K電流(uA)電壓(mV)100lx :電阻(Q )2005107501K2K5.1K7.5K10K20K電流(uA)電壓(mV)表4.硅光電池負(fù)載特性數(shù)據(jù)記錄表R=100歐光照度(Lx)0100200300400500600電流(uA)電壓（mV）R=510歐光照度（