值的優(yōu)化思路

1、一、VoLTE語(yǔ)音MOS采樣點(diǎn)機(jī)制 VoLTE語(yǔ)音MOS采樣機(jī)制如下： （1）主叫起呼，進(jìn)行錄音（8s左右）； （2）被叫放音，主叫收音，被叫記錄第1個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s）； （3）主叫放音，被叫收音，主叫記錄第1個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s）； （4）被叫放音，主叫收音，被叫記錄第2個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s，與第1個(gè)采樣點(diǎn)間隔16s）； （5）主叫放音，被叫收音，主叫記錄第2個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s，與第1個(gè)采樣點(diǎn)間隔16s）； （6）被叫放音，主叫收音，被叫記錄第3個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s），如此類(lèi)推 二、VoLTE語(yǔ)音MOS優(yōu)化

2、分析方法 1、MOS差的問(wèn)題點(diǎn)定位 測(cè)試log單次通話連續(xù)兩個(gè)采樣點(diǎn)MOS值小于3的問(wèn)題點(diǎn)定義為MOS差的問(wèn)題點(diǎn)。 注意事項(xiàng)：需剔除通話結(jié)束的最后一個(gè)采樣點(diǎn)與下次通話第一個(gè)采樣點(diǎn)的MOS值都小于3的問(wèn)題點(diǎn)。 2、MOS優(yōu)化分析方法     由MOS采樣點(diǎn)機(jī)制可以看出，MOS采樣點(diǎn)收集的是采樣時(shí)間點(diǎn)前8秒的語(yǔ)音質(zhì)量，所以在分析的時(shí)候，需著重分析MOS采樣時(shí)間前8秒U(xiǎn)E本端的下行（包括：無(wú)線環(huán)境、語(yǔ)音編碼、抖動(dòng)、丟包、頻繁切換、RRC重建、異頻測(cè)量頻次等），以及對(duì)端的上行（包括：頻繁切換、RRC重建、異頻測(cè)量

3、頻次等）。 三、VoLTE語(yǔ)音MOS值的影響因素及優(yōu)化思路 1、MOS值的影響因素 MOS值的直接影響因素為：端到端時(shí)延、抖動(dòng)、丟包； VoLTE端到端時(shí)延可以分解為：UE語(yǔ)音編/解碼時(shí)延、空口傳輸時(shí)延、核心網(wǎng)的處理時(shí)延、傳輸網(wǎng)的傳輸時(shí)延。丟包和抖動(dòng)的影響因素包括：空口信號(hào)質(zhì)量、eNB負(fù)載、傳輸網(wǎng)的丟包和抖動(dòng)。 故將以上因素分解后，MOS的影響因素包括：語(yǔ)音編碼、覆蓋、干擾、切換、鄰區(qū)、基站負(fù)荷、基站故障、傳輸、核心網(wǎng)、測(cè)試終端、人為操作失誤等。 2、MOS值的優(yōu)化思路 結(jié)合以上影響因素和前期VoLTE拉網(wǎng)測(cè)試時(shí)遇到的MOS

4、問(wèn)題，共總結(jié)出四類(lèi)問(wèn)題點(diǎn)類(lèi)型：無(wú)線問(wèn)題、基站異常、測(cè)試規(guī)范和設(shè)備、核心網(wǎng)/傳輸。 在分析MOS問(wèn)題時(shí)，我們首先要考慮基站是否正常工作，其次考慮測(cè)試是否規(guī)范、測(cè)試設(shè)備是否正常，再次判斷是否為無(wú)線問(wèn)題造成的，最后才考慮是否核心網(wǎng)及傳輸網(wǎng)引起的。 因此我們?cè)诜治鯩OS問(wèn)題時(shí)，應(yīng)該按以下步驟進(jìn)行MOS優(yōu)化： （1）基站問(wèn)題：   是指問(wèn)題路段中心經(jīng)緯度150米以內(nèi)的基站及主瓣65度范圍的小區(qū)，若存在基站負(fù)荷過(guò)大、影響業(yè)務(wù)的告警、斷站等問(wèn)題，必將影響MOS值。處理方法：在測(cè)試前確?；菊９ぷ?。 案例1：基站故障導(dǎo)致MOS值低

5、0;問(wèn)題描述：車(chē)輛由南向北行駛至清風(fēng)路與兩河大道交叉路口，UE占用金牛清淳一街-SCDHLS3HM3JN-D2的信號(hào)，無(wú)線環(huán)境RSRP為-116.81dbm,SINR為-2.5，MOS值1.14，經(jīng)測(cè)試數(shù)據(jù)分析，發(fā)現(xiàn)UE未能收到距離清風(fēng)路與兩河大道交叉路口50米的華力汽車(chē)公司車(chē)隊(duì)-SCDHLD3HM2GX站點(diǎn)信號(hào)，經(jīng)查詢告警得知，發(fā)現(xiàn)該站點(diǎn)網(wǎng)元斷鏈，因而導(dǎo)致該路段出現(xiàn)弱覆蓋現(xiàn)象，最終導(dǎo)致MOS值差。 處理建議：建議處理華力汽車(chē)公司車(chē)隊(duì)-SCDHLD3HM2GX站點(diǎn)故障。 案例2：基站負(fù)荷過(guò)大，導(dǎo)致MOS值低 問(wèn)題描述：無(wú)線環(huán)境較好（RSRP為-95dBm左右，SI

6、NR為10左右），無(wú)頻繁切換；但MOS打點(diǎn)前8s主被叫占用電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5，抖動(dòng)和丟包均比較異常（RTP Jitter為992ms，RTP Loss Rate為3.99%），后臺(tái)查詢電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5問(wèn)題發(fā)生時(shí)間點(diǎn)15分鐘粒度的上行PRB峰值利用率為65.145%，上行PRB平均利用率為45.949%，初步判斷為基站負(fù)荷過(guò)大導(dǎo)致調(diào)度不及時(shí)，從而影響了MOS值。 處理建議：解決電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5負(fù)荷過(guò)大的問(wèn)題。 （2）測(cè)試規(guī)范/測(cè)試設(shè)備：   包括M

7、OS設(shè)備調(diào)試造成的MOS設(shè)備性能低、MOS差、音頻線松動(dòng)、終端異常等。 處理方法：在測(cè)試前確保MOS設(shè)備正常工作、事先調(diào)試好MOS值、音頻線插緊、檢查終端等。 案例1：調(diào)試MOS導(dǎo)致MOS值低 問(wèn)題描述：周?chē)军c(diǎn)狀態(tài)正常，無(wú)線環(huán)境良好；本次問(wèn)題發(fā)生在1月25日下午第一個(gè)正式log的第1次至第3次呼叫，連續(xù)21個(gè)MOS值均低于1.5（覆蓋較好，無(wú)干擾和故障），車(chē)輛一直停留在北京華聯(lián)雙橋店門(mén)口，第4次起呼MOS值恢復(fù)正常，初步判斷為當(dāng)天下午剛開(kāi)始測(cè)試時(shí)MOS設(shè)備有問(wèn)題導(dǎo)致。 處理建議：建議按測(cè)試規(guī)范進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試前確保MOS設(shè)備正常工作。 

8、0;案例2： 無(wú)線環(huán)境良好，MOS采樣點(diǎn)前8s信令丟失 問(wèn)題描述：周?chē)军c(diǎn)狀態(tài)正常，無(wú)線環(huán)境良好；主叫9:29：35發(fā)起INVITE請(qǐng)求，9:32:28出現(xiàn)低MOS，分析主叫前8s測(cè)試數(shù)據(jù)，此時(shí)占用春良賓館-SCDHLD3HM3JJ-F3，此時(shí)RSRP=-87.25dbm，SINR=17，9:32:20至9:32:28主叫無(wú)信令交換，查看9:32:20無(wú)RTP丟包異常，RTP抖動(dòng)正常，分析被叫LOG，無(wú)信令。初步判斷為終端問(wèn)題導(dǎo)致MOS差。 處理建議：建議按測(cè)試規(guī)范進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試前確保UE終端正常工作。  （3）無(wú)線問(wèn)題： 主要包括弱

9、覆蓋（RSRP<-100dBm，SINR<0）、質(zhì)差（RSRP>-100dBm，SINR<0）、頻繁切換等。 引起弱覆蓋的原因包括：周邊缺站（需新規(guī)劃）、已規(guī)劃站點(diǎn)但未建設(shè)、周邊基站故障、室分泄露、鄰區(qū)漏配、切換參數(shù)不當(dāng)。 質(zhì)差包括弱覆蓋質(zhì)差和強(qiáng)覆蓋質(zhì)差，前者優(yōu)先處理弱覆蓋，后者通常是由MOD3干擾、GPS失步引起的干擾、外部干擾等干擾引起的。 頻繁切換通常是由于網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)不合理、天饋接反、切換參數(shù)設(shè)置不當(dāng)造成的。 案例1：周邊缺站（需新規(guī)劃），弱覆蓋導(dǎo)致MOS值低 問(wèn)題描述：測(cè)試車(chē)輛在川建路由西向東行駛，主被叫占用靈潤(rùn)路

10、8號(hào)-SCDHLD3HM3JN-F1、鳳凰石油加油站-SCDHLS2HM1JN-D3通話（RSRP-94-115、SINR-915）鄰區(qū)無(wú)更好接續(xù)小區(qū)，該路段為弱覆蓋（連續(xù)覆蓋路段約180米R(shí)SRP-105），無(wú)線環(huán)境差導(dǎo)致低MOS（時(shí)間為14:58:30至14:58:41、14:59:11至14:59:45）。該路段鳳凰石油加油站-SCDHLS2HM1JN與匯澤路-SCDHLS3HM3JN站間距為600米左右，站間距過(guò)大不能夠保證有效覆蓋；周邊無(wú)規(guī)劃站點(diǎn)。 處理建議：建議在川建路新建站點(diǎn)（經(jīng)度104.06242，緯度30.73527）  案例2：已規(guī)劃站點(diǎn)未建設(shè)，弱覆蓋導(dǎo)致MOS值低 問(wèn)題描述：主叫UE在成雙大道占用桐希亨-SCDHLS1HM1WH-D3時(shí)MOS低，在