上傳人：伊***

認(rèn)證信息

認(rèn)證類型：個(gè)人認(rèn)證

認(rèn)證主體：曹**（實(shí)名認(rèn)證）

IP屬地：上海

IP屬地：上海 上傳時(shí)間：2022-03-11 格式：DOCX 頁(yè)數(shù)：6 大?。?4.46KB 積分：12 舉報(bào) 版權(quán)申訴

1、常規(guī)氣體系統(tǒng)管路測(cè)試流程及標(biāo)準(zhǔn)一、 保壓測(cè)試（Pressure Test）目的：保壓測(cè)試的目的除了在檢查管路的接頭是否有泄漏之情形外，另一目的則是在于利用高于工作壓力之氣體壓力保持在封閉管路內(nèi)，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后及可偵測(cè)出管路焊道上是否有沙孔（沙孔會(huì)因過(guò)高的壓力而造成泄漏）以及接點(diǎn)是否可承受如此高的壓力而導(dǎo)致泄漏，以確保管路保壓通過(guò)。原理：將待測(cè)管路通入PN2，使其壓力達(dá)到管路正常使用壓力的1.1倍或是7至9公斤之間，在一端接上記錄器，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后檢查是否有壓降現(xiàn)象，若無(wú)則表示該管路已通過(guò)保壓測(cè)試；反之，則檢查壓降之原因，并在原因排除后再做一次保壓測(cè)試，直到完全沒(méi)有泄漏為止。步驟：A. 取得氣體

2、管路施工圖，并核對(duì)是否有按圖施工？B. 將Panel入口端的接頭松開(kāi)，并利用管路本身的氣體預(yù)吹掃30秒，并檢查Takeoff Point及管路是否正確？C. 將Panel出入口兩端用新的Gasket銜接上，并將管路末端的接頭Cap起來(lái)。D. 將Panel上的Valve及regulator開(kāi)止Open位置。E. 將所有待測(cè)管路Takeoff端的接頭用測(cè)試管串聯(lián)起來(lái)，并于一端連接記錄器（Recorder）。F. 使用PN2將管路內(nèi)充滿壓力達(dá)79公斤，并檢查所有壓力表頭是否有壓力。G. 使用測(cè)漏液 snoop，（其漏率可達(dá)1.0*10-4）對(duì)所有的接頭作初步的測(cè)漏，尤其是swagelok接頭。H.

3、開(kāi)始測(cè)漏。Notice：1. 步驟b中因施工者施工不當(dāng)，常造成管內(nèi)有鐵屑存留，如未先purge管路而直接銜接上，鐵屑可能會(huì)被吹入Valve里，而造成Valve的內(nèi)漏損壞，另一個(gè)好處是可確認(rèn)管路是否正確，以免浪費(fèi)測(cè)試的時(shí)間。但是He及特殊氣體管路除外，必須另外找PN2管路來(lái)purge管路。2. Recorder一定要放在Takeoff Point，因?yàn)镻anel上的Regulator在OutletInlet時(shí)可能會(huì)有逆止情形發(fā)生而影響測(cè)漏的準(zhǔn)確度。3. 盡量避免使用Swagelok做轉(zhuǎn)接頭，以免因人為因素而影響測(cè)漏，造成測(cè)試時(shí)間的浪費(fèi)。4. 所有的管路盡可能不要銜接Source Point測(cè)試，

4、以免造成氣體倒灌而污染主管路。5. 保壓Purge用的氣體一定使用PN2。6. 不可使用氦氣Purge管路，否則會(huì)影響氦測(cè)漏。7. 本公司所使用之記錄器有傳統(tǒng)機(jī)械轉(zhuǎn)盤記錄器與電子記錄器。8. 若使用傳統(tǒng)機(jī)械記錄器，記錄器范圍應(yīng)與記錄紙之壓力范圍相符。（記錄范圍如010kg/cm2，或015kg/cm2）9. 當(dāng)所有步驟都已完成，要將待測(cè)管路充滿壓力時(shí)，開(kāi)氣源閥時(shí)應(yīng)放漫速度，以免瞬間壓力上升而損壞記錄器及壓力表。10. 管路系統(tǒng)中有check valve時(shí)，應(yīng)注意其流向，并將記錄器放置正確位置。二、氦測(cè)漏（He Leak Test）目的：因氦氣的分子非常小，可偵測(cè)出非常小之漏點(diǎn)，如果說(shuō)保壓測(cè)試是

5、測(cè)大漏，氦測(cè)漏則是測(cè)小漏，在莊達(dá)人所著的VLSI制造技術(shù)一書(shū)中提到（氣體管路的漏率在每秒10E-9CC才可以送氣）如此才不會(huì)造成危險(xiǎn)。原理：將待測(cè)管路用氦測(cè)漏機(jī)將管路內(nèi)抽至超近真空狀態(tài)，當(dāng)達(dá)到客戶要求之漏率時(shí)，用氦氣噴在焊道及接頭上。若氦測(cè)漏機(jī)無(wú)反應(yīng)，表示測(cè)漏完成；若有反應(yīng)，則表示有漏。針對(duì)漏點(diǎn)問(wèn)題排除。步驟：A 確認(rèn)使用插座之電源與氦側(cè)漏機(jī)電源是否吻合。B 暖機(jī)510分鐘，完成后做測(cè)漏本身試抽。C 銜接上待測(cè)管路，并開(kāi)始測(cè)漏。D 當(dāng)待測(cè)管路的漏率達(dá)到客戶要求的范圍時(shí)，在所有的焊道及接頭上噴氦氣，并觀察測(cè)漏機(jī)是否有反應(yīng)，若無(wú)，表測(cè)漏完成，若有，則針對(duì)漏點(diǎn)作處理，直到氦測(cè)漏機(jī)沒(méi)反應(yīng)為止。Noti

6、ce：1. 待測(cè)管路串的過(guò)多會(huì)增加測(cè)漏的時(shí)間，故盡量將各管路分開(kāi)來(lái)測(cè)試。2. PHE的管路如已經(jīng)銜接會(huì)造成氦測(cè)漏機(jī)吸到，故PHE的管路不可以銜接做氦測(cè)漏。3. 待測(cè)點(diǎn)噴氦氣的原則是由近而遠(yuǎn)，由上而下。4. 噴完氦氣后必須經(jīng)過(guò)一段氦測(cè)漏機(jī)的反應(yīng)時(shí)間。待沒(méi)問(wèn)題后，開(kāi)始可繼續(xù)下一個(gè)測(cè)試點(diǎn)。5. 測(cè)試點(diǎn)最好用無(wú)塵手套包覆在外，以免氦氣揮散或被其他的測(cè)試點(diǎn)吸入，而造成誤判。6. LR=LeakRate 單位是mbar*l/s，m=10-3，bar=1kg，1升=1 kg；例如；LR=1.5E-9表示漏率為每秒1.5*10-9mbar，解釋為：每秒的漏率為1.5*10-9cc=0.0000000015cc

7、。7. PE=Pressure Entrance（入口端的壓力）單位是mbar，m=10-3，1bar約等于1kg。例如；PE=3.4*10-3，表示入口端的壓力為3.4*10-3mbar，就是說(shuō)入口端的壓力為0.0034mbar真空狀態(tài)的壓力為0，入口端的壓力沒(méi)特別的規(guī)定，但是入口端的壓力越超近于0越準(zhǔn)確，故PE通常都抽到-3。8. 在半導(dǎo)體廠中的機(jī)臺(tái)通常都pump down的功能，所以我們的銜接點(diǎn)都由作pump down來(lái)測(cè)試我們的銜接點(diǎn)是否有確實(shí)，而機(jī)臺(tái)的測(cè)漏方式是將chamber先抽至真空狀態(tài)，待達(dá)到指定的真空度時(shí)，打開(kāi)manual valve，此時(shí)chamber加我們管路的真空度不可

8、高出0.5Torr。通常pump down需要一天一夜的時(shí)間，有時(shí)可能會(huì)因pump down的時(shí)間不夠長(zhǎng)，而誤判管路有漏，如有碰到這種情形時(shí)，故再pump down久一點(diǎn)既可解決此問(wèn)題。1mbar=0.75Torr。9. 測(cè)試完畢后，無(wú)須將氦測(cè)漏機(jī)vent，讓氦測(cè)漏 機(jī)內(nèi)部保持負(fù)壓，下次使用可縮短自抽的時(shí)間。10. 氦測(cè)漏機(jī)在每次測(cè)試前可以做一次校正，如此可防止測(cè)漏機(jī)測(cè)漏產(chǎn)生誤差。（三）ParticleAnalyzer（灰塵含量分析）目的：particle在半導(dǎo)體廠中是不良率禍?zhǔn)字?，尤其在現(xiàn)在的制程越來(lái)越小的情況下，如管路中含有過(guò)多的particle，對(duì)生產(chǎn)加工的良率影響很大原理：利用sam

9、ple gas流經(jīng)雷射頭，若particle則會(huì)造成crystal的震蕩而測(cè)的出particle的大小及數(shù)量。步驟：A. 先將待測(cè)管路預(yù)吹4小時(shí)以上，找一待測(cè)管路銜接至particle count的inlet端。B. 在未開(kāi)始測(cè)試前，先打開(kāi)bypass valve，以cycle purge的方式將待測(cè)管路再預(yù)吹數(shù)分鐘。C. 打開(kāi)電源，并確認(rèn)outlet是否有氣流出來(lái)。D. 開(kāi)始測(cè)試。Notice：1. 測(cè)試的壓力不可小于40psig，大于150psig。2. 通常我們測(cè)試的時(shí)間為分鐘，而10分鐘流過(guò)雷射頭的氣體為1立方英尺，而測(cè)試的單位是微米。例如；在記錄紙上的0.1的出現(xiàn)2；則表示在10分鐘

10、內(nèi)流經(jīng)雷射管的氣體為1立方英尺，而在1立方英尺的氣體中測(cè)得大小為0.1um的顆粒有2顆。3. particle counter inlet端所使用的Valve不可使用Ball Valve，因?yàn)锽all Valve會(huì)產(chǎn)生particle，最好使用Diaphragm Valve。4. 在開(kāi)始測(cè)試之前利用bypass valve做cycle purge，可以縮短測(cè)試時(shí)間。5. 測(cè)試一段時(shí)間后如particle的數(shù)量仍會(huì)有2、3顆的情形，可將測(cè)試管路敲一敲。6. 如雷射值低于4.5時(shí)，請(qǐng)通知專業(yè)人員做雷射頭清潔。（四）氧含量分析（Oxygen Analyzer）：目的：晶片在生產(chǎn)過(guò)程中，原本大氣中O2

11、會(huì)和Si產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)得O2+Si=SiO2（二氧化矽）為原始的氧化層，如果管路的氧含量過(guò)高，原始的氧化層會(huì)超出原本已計(jì)算好的厚度，如此會(huì)嚴(yán)重影響接下來(lái)各階段的制程。原理：我們利用純度較高的PN2對(duì)待測(cè)管路以長(zhǎng)時(shí)間purge的方式，將微氧帶離管路，并在一端接上分析儀器，直到儀器顯示的含氧量達(dá)到要求的標(biāo)準(zhǔn)為止。步驟：A. 將待測(cè)管路預(yù)吹至少4小時(shí)。B. 取一待測(cè)管路銜接至測(cè)試儀器的inlet端。C. 打開(kāi)電源，開(kāi)始測(cè)試。Notice：1. 選用來(lái)Purge的source盡量不使用主管路的最后一顆Valve可能會(huì)造成值會(huì)降不下來(lái)。2. 待測(cè)管路不宜串接太多，以免壓力不足，無(wú)法讓儀器正常運(yùn)作。3. 氧

12、分析用的儀器，應(yīng)隨時(shí)注意電解液是否已達(dá)到警戒線了。4. 如果在儀器的顯示屏幕上出現(xiàn)負(fù)值，表示目前管路的含氧量的濃度比儀器校正時(shí)用的標(biāo)準(zhǔn)氣體濃度還純，并非儀器損壞，欲作手動(dòng)歸零校正，請(qǐng)勿自行校正，通知專業(yè)人員。5. 如屏幕上顯示的值忽高忽低時(shí)，請(qǐng)檢查CAP的接頭是否都已松開(kāi)，讓氣體purge出來(lái)。6. 儀器不使用時(shí)，仍需利用PN2通入儀器內(nèi)，以防止電解液壞死。7. 如氧含量一直都降不下來(lái)，請(qǐng)確認(rèn)主管路氮?dú)獾暮趿繛楹?。（五）水含量分析（Moisture Analyzer）目的：晶片在生產(chǎn)過(guò)程中，原本大氣中H2O會(huì)和Si產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)得：2H2O+Si=SiO2+2H2，其中二氧化矽為原始的氧化層，

13、如果管路的含水量過(guò)高，原始的氧化層會(huì)超出原本已計(jì)算好的厚度，如此會(huì)影響接下來(lái)各階段的制程。原理：我們利用純度較高的PN2對(duì)待測(cè)管路以長(zhǎng)時(shí)間purge的方法，將水氣帶離管路，并在一端接上分析儀器，直到儀器顯示的含氧量濃度達(dá)到客戶要求的標(biāo)準(zhǔn)為止。步驟：A. 將待測(cè)管路預(yù)吹至少4小時(shí)。B. 取一待測(cè)管路銜接到測(cè)試儀器的inlet端。C. 打開(kāi)電源，開(kāi)始測(cè)試。Notice：1. 選用來(lái)purge的source盡量不是所有主管路的最后一顆valve，有可能會(huì)造成值降不下來(lái)。2. 待側(cè)管路不宜串接太多，以免壓力不足，無(wú)法讓儀器正常運(yùn)作。3. 在測(cè)試的模式中有Inert及Service，在測(cè)試時(shí)應(yīng)使用Ine

14、rt模式測(cè)試，Inert是真正管路內(nèi)的水氣含量值，Service則是含有儀器本身的水含量。4. 儀器在未使用時(shí)，也必須插上電源，以保持儀器內(nèi)部的cell正常運(yùn)作。5. 儀器內(nèi)部的設(shè)定值都已做好設(shè)定，如非必要，勿自行任意調(diào)整。6. 如含水分的值一直都降不下來(lái)，請(qǐng)確認(rèn)主管路氮?dú)獾乃繛楹?？附錄G：管道系統(tǒng)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)Appendix G: The Certification of Piping SystemPiping SystemPiping CertificationLeak Rate(sccs He)Oxgen(ppb)Moisture(ppb)Particle * 0.1 micron/scfabove background levelN21 x 10-6 = 50 = 50 = 30 H21 x 10-9 = 50 = 50 = 30 He1 x 10-9 = 50 = 50 = 30