雙束掃描電鏡HeliosNanolab600i使用手冊

1、雙束掃描電鏡（ HeliosNanolab 600i）使用手冊實(shí)驗(yàn)前，必須用超薄切片觀察樣品的質(zhì)量。1. 先觀察樣品并設(shè)計(jì)一下樣品切割拍照方案2. Link 樣品先用 SEM 低倍找到樣品再用高倍聚焦樣品再回到低倍點(diǎn)link 使工作距離變到大約4(此時(shí)可以 Pt 沉積顯示是綠色的)3. 調(diào)整樣品的位置在 FIB 窗口觀察：調(diào)整樣品R，傾斜樣品T，使樣品與FIB 垂直（看不到白色側(cè)面）4. Pt 沉積：先框選要切割的位置（ rectangle ），在 Pt heat cold 雙擊變 warm 后 再點(diǎn)成 ? 圖標(biāo) (同時(shí) Pt 沉積管進(jìn)入 )Application Value ： Pt dep

2、， Z： 1.5m， 30kV, 9.3 nA 或更小， Start 開始沉積沉積完成后， Pt 沉積去掉（沉積管出） warm cold沉積層完成后，先切掉樣品拍照面要觀察表面沉積的炭層和Pt 層），（ clean cress section ，application value: Si, Z=15 m， 30kV， 47nA）（粗切可用大電流）切好后用SEM 界面觀看是否是要觀察的區(qū)域再進(jìn)行下一步的操作5. 挖凹槽將要觀察的樣品兩側(cè)挖大約10 m 寬的 2 個(gè)凹槽（一定要 2 個(gè)分別挖槽）（ clean cress section，application value: Si, Z=15 m

3、， 30kV， 47nA）再切掉表面的一層（因?yàn)閮擅嫱诓蹠?huì)濺射到表面）1)30 kV 2)2.5 nA(小電流可以精細(xì)的切割) 3)Z=15 4)cleaning cross section6.做標(biāo)記將樣品旋轉(zhuǎn)R +180 度 , 使樣品要切的面對著離子束在兩個(gè)凹槽的右側(cè)的做上掃描電鏡拍照標(biāo)記( 先 Pt 沉積一個(gè)方塊, 再用離子束打一個(gè)環(huán)狀結(jié)構(gòu)或其他的圖形，可以兩個(gè)凹槽里都做不同的標(biāo)記)做好標(biāo)記后再轉(zhuǎn)回原來的 R，然后再調(diào)整 focus 使 SEM和 FIB 的界面都清晰并且在界面的同一高度7.打開自動(dòng)切割的的程序-Auto slice and viewG3（ 2）1）寫一下用戶名例如： L

4、iwen-20121015-normal2） next （ FIB 界面分辨率HFW 138m）3）軟件右側(cè)出現(xiàn)FIB 樣品的界面（小黃框是用來選擇要切割的位置的）High 10 mDepth 15mslicing current束流一般用2.5nAImage resolution 4 3要是設(shè)置 的標(biāo)記時(shí)候1 mcreat-一般不用調(diào)整參數(shù)* 不改變參數(shù)就不用刷新了（做成的盡量在一個(gè)不妨礙樣品切割的位置為好）4）next提示將樣品兩邊摳出凹槽和選擇切割位置這一步之前已經(jīng)做了就把所有的都去掉就行了此時(shí)樣品是與FIB垂直的，拍照時(shí)候應(yīng)該將樣品轉(zhuǎn)到與SEM垂直（ T+38度）5）next image parameter（圖片設(shè)置參數(shù)）刷新一下EB 4k4k, 3 s, 1 E.Aligment（刷新一下） autofocus Enable ACB只修改scan modereduced area切一下如果要找2 個(gè)位置的照片就