IGBT工作原理及應(yīng)用

1、IGBT工作原理及應(yīng)用絕緣柵雙極型晶體管IGBT的保護引言 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融和了這兩種器件的優(yōu)點,既具有MOSFET器件驅(qū)動簡單和快速的優(yōu)點,又具有雙極型器件容量大的優(yōu)點,因而,在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用。在中大功率的開關(guān)電源裝置中,IGBT由于其控制驅(qū)動電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點,已逐步取代晶閘管或GTO。但是在開關(guān)電源裝置中,由于它工作在高頻與高電壓、大電流的條件下,使得它容易損壞,另外,電源作為系統(tǒng)的前級,由于

2、受電網(wǎng)波動、雷擊等原因的影響使得它所承受的應(yīng)力更大,故IGBT的可靠性直接關(guān)系到電源的可靠性。因而,在選擇IGBT時除了要作降額考慮外,對IGBT的保護設(shè)計也是電源設(shè)計時需要重點考慮的一個環(huán)節(jié)。1 IGBT的工作原理IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,假設(shè)在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,那么MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;假設(shè)IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,那么MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供應(yīng),使得晶體管截止由此可知,IGBT的平安可靠與否主要由以下因素決定：IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓;IGBT集電極與

3、發(fā)射極之間的電壓;流過IGBT集電極發(fā)射極的電流;IGBT的結(jié)溫。如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動電壓過低,那么IGBT不能穩(wěn)定正常地工作,如果過高超過柵極發(fā)射極之間的耐壓那么IGBT可能永久性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極發(fā)射極之間的耐壓,流過IGBT集電極發(fā)射極的電流超過集電極發(fā)射極允許的最大電流,IGBT的結(jié)溫超過其結(jié)溫的允許值,IGBT都可能會永久性損壞。2 保護措施在進行電路設(shè)計時,應(yīng)針對影響IGBT可靠性的因素,有的放矢地采取相應(yīng)的保護措施。21 IGBT柵極的保護IGBT的柵極發(fā)射極驅(qū)動電壓VGE的保證值為±20V,如果在它的柵

4、極與發(fā)射極之間加上超出保證值的電壓,那么可能會損壞IGBT,因此,在IGBT的驅(qū)動電路中應(yīng)當(dāng)設(shè)置柵壓限幅電路。另外,假設(shè)IGBT的柵極與發(fā)射極間開路,而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓,那么隨著集電極電位的變化,由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在,使得柵極電位升高,集電極發(fā)射極有電流流過。這時假設(shè)集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時,可能會使IGBT發(fā)熱甚至損壞。如果設(shè)備在運輸或振動過程中使得柵極回路斷開,在不被發(fā)覺的情況下給主電路加上電壓,那么IGBT就可能會損壞。為防止此類情況發(fā)生,應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十k的電阻,此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。如圖2所示。由于IGBT是功

5、率MOSFET和PNP雙極晶體管的復(fù)合體,特別是其柵極為MOS結(jié)構(gòu),因此除了上述應(yīng)有的保護之外,就像其他MOS結(jié)構(gòu)器件一樣,IGBT對于靜電壓也是十分敏感的,故而對IGBT進行裝配焊接作業(yè)時也必須注意以下事項：在需要用手接觸IGBT前,應(yīng)先將人體上的靜電放電后再進行操作,并盡量不要接觸模塊的驅(qū)動端子局部,必須接觸時要保證此時人體上所帶的靜電已全部放掉;在焊接作業(yè)時,為了防止靜電可能損壞IGBT,焊機一定要可靠地接地。IGBT在不間斷電源的應(yīng)用.22 集電極與發(fā)射極間的過壓保護過電壓的產(chǎn)生主要有兩種情況,一種是施加到IGBT集電極發(fā)射極間的直流電壓過高,另一種為集電極發(fā)射極上的浪涌電壓過高。2.

6、2.1 直流過電壓直流過壓產(chǎn)生的原因是由于輸入交流電源或IGBT的前一級輸入發(fā)生異常所致。解決的方法是在選取IGBT時,進行降額設(shè)計;另外,可在檢測出這一過壓時分斷IGBT的輸入,保證IGBT的平安。2.2.2 浪涌電壓的保護因為電路中分布電感的存在,加之IGBT的開關(guān)速度較高,當(dāng)IGBT關(guān)斷時及與之并接的反向恢復(fù)二極管逆向恢復(fù)時,就會產(chǎn)生很大的浪涌電壓Ldi/dt,威脅IGBT的平安。通常IGBT的浪涌電壓波形如圖3所示。圖中：vCE為IGBT?電極發(fā)射極間的電壓波形;ic為IGBT的集電極電流;Ud為輸入IGBT的直流電壓;VCESP=UdLdic/dt,為浪涌電壓峰值。如果VCESP超出

7、IGBT的集電極發(fā)射極間耐壓值VCES,就可能損壞IGBT。解決的方法主要有：在選取IGBT時考慮設(shè)計裕量;在電路設(shè)計時調(diào)整IGBT驅(qū)動電路的Rg,使di/dt盡可能小;盡量將電解電容靠近IGBT安裝,以減小分布電感;根據(jù)情況加裝緩沖保護電路,旁路高頻浪涌電壓。由于緩沖保護電路對IGBT的平安工作起著很重要的作用,在此將緩沖保護電路的類型和特點作一介紹。C緩沖電路如圖4(a)所示,采用薄膜電容,靠近IGBT安裝,其特點是電路簡單,其缺點是由分布電感及緩沖電容構(gòu)成LC諧振電路,易產(chǎn)生電壓振蕩,而且IGBT開通時集電極電流較大。RC緩沖電路如圖4(b)所示,其特點是適合于斬波電路,但在使用大容量IGBT時,必須使緩沖電阻值增大,否那么,開通時集電極電流過大,使IGBT功能受到一定限制。RCD緩沖電路如圖4(c)所示,與RC緩沖電路相比其特點是,增加了緩沖二極管從而使緩沖電阻增大,避開了開通時IGBT功能受阻的問題。該緩沖電路中緩沖電阻產(chǎn)生的損耗為P=LI2fCUd2f式中：L為主電路中的分布電感;I為IGBT關(guān)斷時的集電極電流;f為IGBT的開關(guān)頻率;C為緩沖電容;Ud為直流電壓值。放電阻止型緩沖電路如圖4(d)所示,與RCD