電力電子技術(shù)試題及答案1_第1頁(yè)
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1、德州科技職業(yè)學(xué)院機(jī)電系14級(jí)機(jī)電專業(yè)期末考試試題電力電子技術(shù)試卷題 號(hào)一 二 三 四合 計(jì)分 數(shù)閱卷人得分 一、選擇(每題1.5分,共60分)1、 晶閘管內(nèi)部有( )個(gè)PN結(jié)。A、1 B、2 C、3 D、42、晶閘管在電路中的門極正向偏壓( )越好。A、越大 B、越小 C、不變 D、越穩(wěn)定3、晶閘管的通態(tài)電流(額定電流)是用電流的( )來(lái)表示的。A、有效值 B、最大值 C、平均值 D、瞬時(shí)值4、雙向晶閘管是用于交流電路中的,其外部有( )個(gè)電極。A、一個(gè) B、兩個(gè) C、三個(gè) D、四個(gè)5、下列電力半導(dǎo)體器件電路符號(hào)中,表示IGBT器件電路符號(hào)的是( )6、比較而言,下列半導(dǎo)體器件中開(kāi)關(guān)速度最快的

2、是( )A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO7、比較而言,下列半導(dǎo)體器件中開(kāi)關(guān)速度最慢的是( )A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO8、比較而言,下列半導(dǎo)體器件中性能最好的是( )A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO9、比較而言,下列半導(dǎo)體器件中輸入阻抗最大的的是( )A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO10、下列半導(dǎo)體器件中屬于電流型控制器件的是( )A、IPM B、MOSFET C、IGBT D、GTO11、逆變電路輸出頻率較高時(shí),電路中的開(kāi)關(guān)元件應(yīng)采用( )A、晶閘管 B、單結(jié)晶體管 C、電力晶體管 D、絕緣柵雙極型

3、晶體管12、電力場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET適于在( )條件下工作A、直流 B、低頻 C、中頻 D、高頻13、要使絕緣柵雙極型晶體管導(dǎo)通,應(yīng)( )A、在柵極加正電壓 B、在集電極加正電壓 C、在柵極加負(fù)電壓 D、在集電極加負(fù)電壓14、電力晶體管的開(kāi)關(guān)頻率( )電力場(chǎng)效應(yīng)管A、稍高于 B、低于 C、遠(yuǎn)高于 D、等于15、如晶閘管的正向阻斷重復(fù)峰值電壓為745V,反向重復(fù)峰值電壓為825V,則該晶閘管的額定電壓為( )A、700V B、750V C、800V D、850V16、下列電力電子器件中,( )的驅(qū)動(dòng)功率小,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單A、普通晶閘管 B、可關(guān)斷晶閘管 C、電力晶體管 D、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管17、二

4、極管兩端加上正向電壓時(shí)( )A、一定導(dǎo)通 B、超過(guò)死區(qū)電壓才導(dǎo)通 C、超過(guò)0.3V才導(dǎo)通 D、超過(guò)0.7V才導(dǎo)通18、下列電力半導(dǎo)體器件電路符號(hào)中,表示GTO器件電路符號(hào)的是( )19、下列電力半導(dǎo)體器件電路符號(hào)中,表示GTR器件電路符號(hào)的是( )20、下列電力半導(dǎo)體器件電路符號(hào)中,表示MOSFET器件電路符號(hào)的是( )21、單結(jié)晶體管振蕩電路是利用單結(jié)晶體管的( )工作特性設(shè)計(jì)的A、截止區(qū) B、負(fù)阻區(qū) C、飽和區(qū) D、任意區(qū)域22、在晶閘管直流電動(dòng)機(jī)調(diào)速系統(tǒng)中,改變( )就能改變直流電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)速。A、整流方式 B、晶閘管導(dǎo)通角 C、電源電壓 D、電源頻率23、按逆變電路的( ),分為全控型逆

5、變電路和半控型逆變電路。A、器件 B、輸出電能 C、直流側(cè)電源性質(zhì) D、電流波形24、在一般可逆電路中,最小逆變角min選在下面哪一種范圍合理( )A、300-350 B、100-150 C、00-100 D、00 25、在有源逆變電路中,逆變角的移相范圍應(yīng)選( )為最好A、900-1800 B、350-900 C、00-900 26、不屬于換流方式的是( )A、器件換流 B、電網(wǎng)換流 C、單相換流 D、負(fù)載換流27、通過(guò)附加的換流裝置,給欲關(guān)斷的器件強(qiáng)迫施加反向電壓或反向電流的換流方式稱為( )A、器件換流 B、電網(wǎng)換流 C、單相換流 D、強(qiáng)迫換流28、串聯(lián)諧振式逆變器屬于( )A、電壓型

6、B、電流型 C、電阻性29、并聯(lián)諧振式逆變器屬于( )A、電壓型 B、電流型 C、電阻性30、通過(guò)變流器把直流電能變成某一頻率或可調(diào)頻率的交流電能直接供給負(fù)載,稱為( )A、有源逆變 B、無(wú)源逆變 C、整流 D、反饋31、并聯(lián)諧振式逆變器的換流( )電流并聯(lián)A、電感與電阻 B、電感與負(fù)載 C、電容與電阻 D電容與負(fù)載32、( )是依靠專門的換流回路使晶閘管在需要的時(shí)刻關(guān)斷A、負(fù)載振蕩式換流 B、強(qiáng)迫換流 C、可關(guān)斷晶閘管換流 D、大功率晶體管換流33、雙向晶閘管內(nèi)部有( )個(gè)PN結(jié)A、3 B、4 C、5 D、634、交流調(diào)壓是把不變的交流電壓變換成( )可調(diào)的交流電壓A、最大值 B、有效值 C

7、、瞬時(shí)值 D、可調(diào)值35、單相交流調(diào)壓電路帶電阻性負(fù)載時(shí),控制角的移相范圍為( )A、00-600 B、00-900 C、00-1800 D、00-270036、雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式中( )觸發(fā)靈敏度最高。A、+ B、- C、 + D、 -37、晶閘管觸發(fā)電路中,若改變( )的大小,則輸出脈沖產(chǎn)生相位移動(dòng),達(dá)到移相控制的目的A、控制電壓 B、控制電流 C、同步電壓 D、脈沖變壓器變比38、晶閘管是一種既具有( ),又具有整流作用的大功率半導(dǎo)體器件A、穩(wěn)壓 B、濾波 C、開(kāi)關(guān)作用 D、變壓39、交流調(diào)壓電路是維持( )不變,只改變輸出電壓幅值的電路A、電流 B、功率 C、電壓 D、頻率40、

8、在室溫下門極斷開(kāi)時(shí),元件從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持導(dǎo)通的最小陽(yáng)極電流稱為( )A、擎住電流 B、維持電流 C、最小電流 D、最大電流閱卷人得分二、判斷題(每題1分,共20分)1、給晶閘管陽(yáng)極和陰極之間加正向電壓它就會(huì)導(dǎo)通。( )2、給晶閘管門極和陰極之間加正向電壓它就會(huì)導(dǎo)通。( )3、給晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間加反向電壓,已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管會(huì)截止。( )4、給晶閘管的門極和陰極之間加反向電壓,已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管會(huì)截止。( )5、雙向晶閘管的額定電流與普通晶閘管的額定電流相同。( )6、雙向晶閘管可用兩個(gè)反并聯(lián)的普通晶閘管代替。( )7、KP309表示該晶閘管的額定電壓是30V。( )8、KP30

9、9表示該晶閘管的額定電流是9A。( )9、KP309表示該晶閘管的額定電壓是9V。( )10、KP309表示該晶閘管的額定電流是30A。( )11、電力電子器件在使用中必須要加散熱器。( )12、電力電子器件通常工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。( )13、晶閘管有三個(gè)電極,分別稱為正極、負(fù)極和門極。( )14、晶閘管由截止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入到導(dǎo)通狀態(tài)必須同時(shí)具備兩個(gè)條件。( )15、普通晶閘管、功率晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣柵雙極型晶體管均屬于全控型器件。( )16、普通晶閘管為全控型器件,可關(guān)斷晶閘管為半控型器件。( )17、按逆變后能量饋送去向的不同來(lái)分類,電力電子元件構(gòu)成的逆變器可分為有源逆變器與無(wú)源逆變器兩大類。( )18、有源逆變指的是把直流電能轉(zhuǎn)變成交流電能送給負(fù)載。( )19、有源逆變裝置是把逆變后的交流能量送回電網(wǎng)。( )20、無(wú)源逆變指的是不需要逆變電源的逆變。( )閱卷人得分三、簡(jiǎn)述晶閘管的導(dǎo)通、關(guān)斷條件。(8分) 閱卷人得分四、雙向晶閘管有哪幾種觸發(fā)方式?最常用的是哪些?(12分)電力電子技術(shù)14級(jí)期末考試試題評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)一、 選擇題(每題2分,共80分)1-5 C A C C C 6-10 B D C B D 11-15 D D A B A 16-20 D B A D B 21-25 B B A A B 26-30 C D A B B 31-35 D B B B C 36-40 A

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