MC過程對帶冕薄盤輻射譜的影響

1、MC過程對帶冕薄盤輻射譜的影響馬任意 汪定雄 模型介紹 計算過程及結(jié)果 進(jìn)一步的工作一、模型介紹2、冕的加熱與輻射過程1、BZMC共存模型簡介3、引入冕帶來的問題與假設(shè), ( /)HDmsBconstBr rn高發(fā)射率指數(shù)( )F rr4.352SrDMCDMCrDrFELrHdrr EL04IDDAMFfrTotalIMCDAMCFFF我們的解釋擬合結(jié)果一、模型介紹2、冕的加熱與輻射過程1、BZMC共存模型簡介3、引入冕帶來的問題與假設(shè), ( /)HDmsBconstBr rn1）盤冕模型的提出3）冕中的輻射過程高能輻射：軟光子的逆康普頓散射軟光子來源：熱輻射、同步輻射、 軔致輻射盤的反射：

2、1100keV內(nèi)的康普頓散射和Fe K_alfa線2、冕的加熱與輻射過程2）冕中的加熱過程一、模型介紹2、冕的加熱與輻射過程1、BZMC共存模型簡介3、引入冕帶來的問題與假設(shè), ( /)HDmsBconstBr rn3、引入冕帶來的問題與假設(shè)C、盤物質(zhì)的電離狀態(tài)A、有序大尺度磁場與紊亂的小尺度磁場共存B、Poynting能流的耗散二、計算過程及結(jié)果（i）抽取種子光子； （ii）抽取其自由程并判斷是否會逃離系統(tǒng)； （iii）根據(jù)微分散射截面抽取散射光子的方向，并計算散射光子的能量； （iv）重復(fù)（ii）、（iii）直至光子逃逸盤冕系統(tǒng)或被吸收。若逃逸則記錄光子能量; （v）重復(fù)（i）-（iv）直

3、至統(tǒng)計足夠的光子數(shù)。 1、Monte Carlo模擬過程2、模擬結(jié)果6*0.998, 3, 10anBGauss1, 60keVccTMC過程存在與不存在情況下盤冕系統(tǒng)的出射譜 3、模型的優(yōu)點A、可產(chǎn)生從射電到硬X射線的多波段輻射譜 射電輻射或噴流 BZ過程 可見光 盤輻射 X射線輻射 冕3C273的觀測結(jié)果：96.59 10, 0.8MMmin45-146147-13 106.61 10 erg s , 0.81 10 erg s , 10 erg sjetPLL檢驗：*0.76, 6.13, /0.09XanLL 41/2910, 1pHBMG如果則B、解釋了以往模型中X射線源的問題 6*0.998, 3, 10anBGausscos0.95, 0.75, 0.35i 進(jìn)一步的工作 建立更自洽的冕模型。BZ、MC過程的大尺度磁場應(yīng)當(dāng)對盤冕性質(zhì)產(chǎn)生影響，例如凍結(jié)效應(yīng)可能會使得冕的位形與閉合磁場的位形一致。如果這樣，由于磁耦合區(qū)緊鄰黑洞，廣義相對論效應(yīng)對冕中的康普頓化過程也產(chǎn)生影響。 在超大質(zhì)量黑洞MCG6-30-15的“Deep Minimum”態(tài)， Garofalo & Reynolds（2005, ApJ, 624, 94）初步解釋了DM態(tài)的兩個特征