晶體管(三極管)識(shí)別與檢測(cè)

1、認(rèn)識(shí)晶體管認(rèn)識(shí)晶體管 晶體管（晶體管（transistor）是最常用的固體半導(dǎo)）是最常用的固體半導(dǎo)體器件之一。具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、體器件之一。具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，通常在開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，通常在開(kāi)關(guān)、放大、混頻電路中被使用。放大、混頻電路中被使用。 晶體管有三個(gè)極：雙極性晶體管的三個(gè)晶體管有三個(gè)極：雙極性晶體管的三個(gè) 極，分別由極，分別由N型跟型跟P型組成發(fā)射極型組成發(fā)射極（Emitter）、基極）、基極(Base) 和集電極和集電極（Collector）三極管結(jié)構(gòu)三極管結(jié)構(gòu)三極管主要參數(shù)三極管主要參數(shù) 三極管直流參數(shù)三極管直流參數(shù) 三極管

2、交流參數(shù)三極管交流參數(shù) 三極管極限參數(shù)三極管極限參數(shù) 三極管輸入特性曲線三極管輸入特性曲線 三極管輸出特性曲線三極管輸出特性曲線三極管直流參數(shù)三極管直流參數(shù) （1）集電極一基極反向飽和電流集電極一基極反向飽和電流Icbo，發(fā)射極開(kāi)路（Ie=0)時(shí)，基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓Vcb時(shí)的集電極反向電流，它只與溫度有關(guān)，在一定溫度下是個(gè)常數(shù)，所以稱為集電極一基極的反向飽和電流。良好的三極管，Icbo很小，小功率鍺管的Icbo約為110微安，大功率鍺管的Icbo可達(dá)數(shù)毫安，而硅管的Icbo則非常小，是毫微安級(jí)。 （2）集電極一發(fā)射極反向電流集電極一發(fā)射極反向電流Iceo(穿透電流）穿透電流）基

3、極開(kāi)路（Ib=0）時(shí)，集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定反向電壓Vce時(shí)的集電極電流。Iceo大約是Icbo的倍即Iceo=(1+)IcbooIcbo和Iceo受溫度影響極大，它們是衡量管子熱穩(wěn)定性的重要參數(shù)，其值越小，性能越穩(wěn)定，小功率鍺管的Iceo比硅管大。 （3）發(fā)射極發(fā)射極-基極反向電流基極反向電流Iebo集電極開(kāi)路時(shí)，在發(fā)射極與基極之間加上規(guī)定的反向電壓時(shí)發(fā)射極的電流，它實(shí)際上是發(fā)射結(jié)的反向飽和電流。 （4）直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)1（或（或hEF）這是指共發(fā)射接法，沒(méi)有交流信號(hào)輸入時(shí)，集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流電流的比值，即：1=Ic/Ib三極管交流參數(shù)三極管交流參數(shù) （

4、1）交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)（或（或hfe）這是指共發(fā)射極接法，集電極輸出電流的變化量Ic與基極輸入電流的變化量Ib之比，即：=Ic/Ib一般晶體管的大約在10-200之間，如果太小，電流放大作用差，如果太大，電流放大作用雖然大，但性能往往不穩(wěn)定。 （2）共基極交流放大系數(shù)共基極交流放大系數(shù)（或（或hfb）這是指共基接法時(shí)，集電極輸出電流的變化是Ic與發(fā)射極電流的變化量Ie之比，即：=Ic/Ie因?yàn)镮cIe，故1。高頻三極管的0.90就可以使用與之間的關(guān)系：=/（1+）=/（1-）1/（1-） （3）截止頻率截止頻率f、f當(dāng)下降到低頻時(shí)0.707倍的頻率，就是共發(fā)射極的截止頻率f；當(dāng)下

5、降到低頻時(shí)的0.707倍的頻率，就是共基極的截止頻率fof、f是表明管子頻率特性的重要參數(shù)，它們之間的關(guān)系為：f（1-）f （4）特征頻率特征頻率fT因?yàn)轭l率f上升時(shí)，就下降，當(dāng)下降到1時(shí)，對(duì)應(yīng)的fT是全面地反映晶體管的高頻放大性能的重要參數(shù)。三極管極限參數(shù)三極管極限參數(shù) （1）集電極最大允許電流ICM當(dāng)集電極電流Ic增加到某一數(shù)值，引起值下降到額定值的2/3或1/2，這時(shí)的Ic值稱為ICM。所以當(dāng)Ic超過(guò)ICM時(shí)，雖然不致使管子損壞，但值顯著下降，影響放大質(zhì)量。 （2）集電極-基極擊穿電壓。當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)的反向擊穿電壓稱為基極擊穿電壓。 （3）發(fā)射極-基極反向擊穿電壓。當(dāng)集電極開(kāi)路時(shí)

6、，發(fā)射結(jié)的反向擊穿電壓稱為基極反向擊穿電壓。 （4）集電極-發(fā)射極擊穿電壓BVCEO。當(dāng)基極開(kāi)路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓，使用時(shí)如果VceBVceo，管子就會(huì)被擊穿。 （5）集電極最大允許耗散功率PCM集電流過(guò)Ic，溫度要升高，管子因受熱而引起參數(shù)的變化不超過(guò)允許值時(shí)的最大集電極耗散功率稱為PCM。管子實(shí)際的耗散功率于集電極直流電壓和電流的乘積，即Pc=UceIc.使用時(shí)慶使PcPCM。PCM與散熱條件有關(guān)，增加散熱片可提高PCM。三極管輸入特性曲線三極管輸入特性曲線 三極管輸出特性曲線三極管輸出特性曲線 晶體管分類晶體管分類 晶體管可以按照其材料、工藝、電流容量、工作頻率、封

7、裝結(jié)構(gòu)、功能和用途進(jìn)行分類。 常見(jiàn)的晶體管種類有：半導(dǎo)體晶體管、電力晶體管、光晶體管、雙極晶體管、雙極結(jié)型晶體管 、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、靜電感應(yīng)晶體管、單電子晶體管、絕緣柵雙極晶體管等。晶體管主要參數(shù)（同三極管幾乎一晶體管主要參數(shù)（同三極管幾乎一樣）樣）晶體管的主要參數(shù)有： 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) 耗散功率耗散功率 頻率特性頻率特性 集電極最大電流集電極最大電流 最大反向電壓最大反向電壓 反向電流等反向電流等 用萬(wàn)用表測(cè)晶體管的基極和型號(hào)用萬(wàn)用表測(cè)晶體管的基極和型號(hào) 選用歐姆檔的R*100（或R*1K）檔，先用紅表筆接一個(gè)管腳，黑表筆接另一個(gè)管腳，可測(cè)出兩個(gè)電阻值，然后再用紅表筆接另一個(gè)管腳，重復(fù)上述步驟，又測(cè)得一組電阻值，這樣測(cè)3次，其中有一組兩個(gè)阻值都很小的，對(duì)應(yīng)測(cè)得這組值的紅表筆接的為基極，且管子是PNP型的； 反之，若用黑表筆接一個(gè)管腳，重復(fù)上述做法，若測(cè)得兩個(gè)阻值都小，對(duì)應(yīng)黑表筆為基極，且管子是NPN型的。晶體管優(yōu)越性晶體管優(yōu)越性 同電子管相比，晶體管具有諸多優(yōu)越性：同電子管相比，晶體管具有諸多優(yōu)越性： 構(gòu)件沒(méi)有消耗構(gòu)件沒(méi)有消耗 消耗電能極少消耗電能極少 不需預(yù)熱不需預(yù)熱 結(jié)實(shí)可靠結(jié)實(shí)可靠用萬(wàn)用表測(cè)集電極和發(fā)射極用萬(wàn)用表測(cè)集電極和發(fā)射極 因?yàn)槿龢O管發(fā)射極和集電極正確連接時(shí)大（表針擺動(dòng)幅度大），反接時(shí)就小得