[計(jì)算機(jī)硬件及網(wǎng)絡(luò)]內(nèi)存ppt課件

1、 主要知識(shí)點(diǎn)主要知識(shí)點(diǎn) 內(nèi)存的內(nèi)存的分類分類 內(nèi)存的內(nèi)存的外部構(gòu)造外部構(gòu)造 內(nèi)存的主要內(nèi)存的主要技術(shù)參數(shù)技術(shù)參數(shù) 內(nèi)存的選購(gòu)技巧內(nèi)存的選購(gòu)技巧 內(nèi)存常見的故障進(jìn)展分析和處理內(nèi)存常見的故障進(jìn)展分析和處理4.1 內(nèi)存簡(jiǎn)介內(nèi)存簡(jiǎn)介4.2 內(nèi)存的分類內(nèi)存的分類4.3 內(nèi)存的構(gòu)造和主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存的構(gòu)造和主要技術(shù)參數(shù)4.3.1 內(nèi)存的構(gòu)造內(nèi)存的構(gòu)造4.3.2內(nèi)存的主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存的主要技術(shù)參數(shù)4.4 內(nèi)存的選購(gòu)內(nèi)存的選購(gòu)4.5 內(nèi)存新技術(shù)介紹內(nèi)存新技術(shù)介紹4.6 內(nèi)存常見故障分析與處理內(nèi)存常見故障分析與處理4.7 實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)4.7.1 實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)1-內(nèi)存的安裝和拆卸內(nèi)存的安裝和拆卸4

2、.7.2 實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)2-用軟件用軟件CPU-Z測(cè)試內(nèi)存測(cè)試內(nèi)存4.7.3 實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)3-網(wǎng)上查詢和下載網(wǎng)上查詢和下載4.8 本章小結(jié)本章小結(jié)4.9 習(xí)題習(xí)題4.10 習(xí)題參考答案習(xí)題參考答案4.1 內(nèi)存簡(jiǎn)介內(nèi)存簡(jiǎn)介內(nèi)存，即內(nèi)存，即內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫，也叫主存主存。泛指計(jì)。泛指計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)部存放數(shù)據(jù)與指令的存儲(chǔ)單元。是算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)部存放數(shù)據(jù)與指令的存儲(chǔ)單元。是為理解決為理解決CPU和外存速度不匹配而產(chǎn)生的一和外存速度不匹配而產(chǎn)生的一個(gè)個(gè)“ 包括包括ROMRead Only Memory，只讀存儲(chǔ)器，只讀存儲(chǔ)器 RAMRandom Access Memory，隨機(jī)存儲(chǔ)器，

3、隨機(jī)存儲(chǔ)器 因?yàn)橐驗(yàn)镽AM是其中最主要的存儲(chǔ)器，整個(gè)是其中最主要的存儲(chǔ)器，整個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存容量主要由它來決定，也就計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存容量主要由它來決定，也就是我們常說的是我們常說的內(nèi)存條內(nèi)存條，所以人們習(xí)慣將，所以人們習(xí)慣將RAM直接稱為內(nèi)存。直接稱為內(nèi)存。 4.2 內(nèi)存的分類內(nèi)存的分類內(nèi)存儲(chǔ)器ROMRAM掩模式ROMPROM（一次編程只讀存儲(chǔ)器）多次改寫可編程ROMEPROM（可擦編程存儲(chǔ)器）EEPROM（電擦除可編程存儲(chǔ)器）FlashMemory（閃速存儲(chǔ)器）SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）圖4-1內(nèi)存的分類層次結(jié)構(gòu)圖1按內(nèi)存的按內(nèi)存的工作原理工作原理分類：分類： 只

4、讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器ROM：Read Only Memory 隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器RAM：Random Access Memory1ROM ROM所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不受電壓的影響所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不受電壓的影響不不管存儲(chǔ)器上有無(wú)電壓，所存數(shù)據(jù)均保持不變管存儲(chǔ)器上有無(wú)電壓，所存數(shù)據(jù)均保持不變，而且而且只能讀只能讀，不能隨意改變其中的內(nèi)容，主要，不能隨意改變其中的內(nèi)容，主要用于存放用于存放不需要經(jīng)常更新的主要信息不需要經(jīng)常更新的主要信息，例如主，例如主板板BIOS信息等。根據(jù)把數(shù)據(jù)存入信息等。根據(jù)把數(shù)據(jù)存入ROM的方式的方式不同，不同，ROM又可分為以下三類：又可分為以下三類： 1掩形式掩形式ROM：這

5、種存儲(chǔ)器中所存放的數(shù)據(jù)，是在芯片制造：這種存儲(chǔ)器中所存放的數(shù)據(jù)，是在芯片制造過程中寫入的，使用時(shí)只能讀出但不能改變。過程中寫入的，使用時(shí)只能讀出但不能改變。 2PROM一次編程只讀存儲(chǔ)器：此產(chǎn)品在出廠時(shí)沒有任一次編程只讀存儲(chǔ)器：此產(chǎn)品在出廠時(shí)沒有任何內(nèi)容，用戶可以根據(jù)自己的需要自行寫入需要的程序，一旦信何內(nèi)容，用戶可以根據(jù)自己的需要自行寫入需要的程序，一旦信息被寫入便與息被寫入便與ROM沒什么區(qū)別。沒什么區(qū)別。 3屢次改變可編程的只讀存儲(chǔ)器，這類屢次改變可編程的只讀存儲(chǔ)器，這類ROM又可分三種。又可分三種。 EPROM可檫編程只讀存儲(chǔ)器：假如要擦除此存儲(chǔ)器可檫編程只讀存儲(chǔ)器：假如要擦除此存儲(chǔ)器

6、芯片上的內(nèi)容，可以通過紫外線照射該芯片上的透明窗口，其中芯片上的內(nèi)容，可以通過紫外線照射該芯片上的透明窗口，其中的內(nèi)容就會(huì)消失。然后通過特殊裝置向芯片寫入數(shù)據(jù)，最后用不的內(nèi)容就會(huì)消失。然后通過特殊裝置向芯片寫入數(shù)據(jù)，最后用不透明的標(biāo)簽貼住窗口，防止紫外線照射以致數(shù)據(jù)喪失。透明的標(biāo)簽貼住窗口，防止紫外線照射以致數(shù)據(jù)喪失。 EEPROM電可檫除可編程只讀存儲(chǔ)器：該類只讀存電可檫除可編程只讀存儲(chǔ)器：該類只讀存儲(chǔ)器用高出主板正常電壓的方法進(jìn)展擦寫操作。儲(chǔ)器用高出主板正常電壓的方法進(jìn)展擦寫操作。 Flash Memory閃存存儲(chǔ)器：它既有閃存存儲(chǔ)器：它既有ROM的特點(diǎn)，的特點(diǎn)，不加電就可以保存信息，又有

7、不加電就可以保存信息，又有EEPROM的特點(diǎn)，存取速度快和的特點(diǎn)，存取速度快和易擦易寫。由于它的這些特點(diǎn)，易擦易寫。由于它的這些特點(diǎn)，Pentium 以上微機(jī)的主板以上微機(jī)的主板BIOS多采用它，使得多采用它，使得BIOS晉級(jí)非常方便。晉級(jí)非常方便。2RAM隨機(jī)存儲(chǔ)器隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)受電壓的影響所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)受電壓的影響只有當(dāng)存儲(chǔ)器上有電壓時(shí)，才可以保證所存數(shù)據(jù)不只有當(dāng)存儲(chǔ)器上有電壓時(shí)，才可以保證所存數(shù)據(jù)不喪失，一旦存儲(chǔ)器上無(wú)電壓，所存數(shù)據(jù)將全部喪失喪失，一旦存儲(chǔ)器上無(wú)電壓，所存數(shù)據(jù)將全部喪失，既能讀，又能寫。既能讀，又能寫。根據(jù)根據(jù)RAM的制造原理不同，的制造原理不同，RAM又可分

8、為靜態(tài)隨又可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器機(jī)存儲(chǔ)器SRAM：Static RAM和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM：Dynamic RAM兩類。兩類。 1SRAM：它的運(yùn)行速度快、集成度低、本錢高，：它的運(yùn)行速度快、集成度低、本錢高，因此多用于因此多用于CPU的一級(jí)緩存和二級(jí)緩存。的一級(jí)緩存和二級(jí)緩存。2DRAM：儲(chǔ)存在：儲(chǔ)存在DRAM中的數(shù)據(jù)必須不斷的刷中的數(shù)據(jù)必須不斷的刷新，以保持?jǐn)?shù)據(jù)的完好性。因此新，以保持?jǐn)?shù)據(jù)的完好性。因此DRAM的速度比的速度比SROM的速度慢，又因?yàn)樗募啥雀?、本錢低，合的速度慢，又因?yàn)樗募啥雀摺⒈惧X低，合適于做大容量?jī)?chǔ)存器。內(nèi)存條通常就是采用適于做大容量?jī)?chǔ)存器。內(nèi)

9、存條通常就是采用DRAM。2按按內(nèi)存模塊的不同標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存模塊的不同標(biāo)準(zhǔn)分類分類把把DRAM組織成內(nèi)存模塊內(nèi)存條時(shí)，組織成內(nèi)存模塊內(nèi)存條時(shí)，在詳細(xì)運(yùn)行操作上出現(xiàn)了多種不同的方法和特在詳細(xì)運(yùn)行操作上出現(xiàn)了多種不同的方法和特性，這也就產(chǎn)生了不同的內(nèi)存模塊標(biāo)準(zhǔn)，主要性，這也就產(chǎn)生了不同的內(nèi)存模塊標(biāo)準(zhǔn)，主要有：有： SDRAM DDR SDRAM DDR SDRAM DDR SDRAM1SDRAMSynchronous DRAM，同步動(dòng)，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器它的速度與系統(tǒng)總線速度是同步的。態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器它的速度與系統(tǒng)總線速度是同步的。在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，它能傳輸一次數(shù)據(jù)，主要用于在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，它能傳輸一次數(shù)

10、據(jù)，主要用于Pentium/微處理器。微處理器。 2DDR SDRAMDouble Date Rate SDRAM，雙數(shù)據(jù)率雙數(shù)據(jù)率SDRAM具有雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率的具有雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率的SDRAM，它的工作原理就是利用時(shí)鐘的上升沿和下降沿各傳輸它的工作原理就是利用時(shí)鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)。一次數(shù)據(jù)。 3DDR SDRAM簡(jiǎn)稱簡(jiǎn)稱DDR采用采用4-bit Prefetch4位預(yù)取位預(yù)取技術(shù)解決存儲(chǔ)單技術(shù)解決存儲(chǔ)單元內(nèi)部數(shù)據(jù)總線頻率元內(nèi)部數(shù)據(jù)總線頻率核心頻率核心頻率較低的瓶頸。每個(gè)較低的瓶頸。每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)通過總線傳輸時(shí)鐘周期內(nèi)通過總線傳輸4次數(shù)據(jù)，使用多路技術(shù)使次數(shù)據(jù)，使用多路技術(shù)使得

11、帶寬加倍。得帶寬加倍。圖4-2內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸原理圖圖4-4DDR內(nèi)存條4DDR SDRAM簡(jiǎn)稱簡(jiǎn)稱DDRDDR是新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，比是新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，比DDR擁有更多擁有更多的優(yōu)勢(shì)：的優(yōu)勢(shì)： 8bit預(yù)取設(shè)計(jì)；預(yù)取設(shè)計(jì)； 采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓?fù)浼軜?gòu)；采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓?fù)浼軜?gòu)； 采用采用100nm以下的消費(fèi)工藝，將工作電壓以下的消費(fèi)工藝，將工作電壓從從1.8V降至降至1.5V，增加異步重置與，增加異步重置與ZQ校準(zhǔn)功校準(zhǔn)功能；能； 采用了的根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新、部分自刷采用了的根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新、部分自刷新等功能；新等功能； 在功耗方面更小。在功耗方面更小。4.3 內(nèi)存的構(gòu)造和主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存的構(gòu)造和主要技術(shù)參數(shù)4.3

12、.1 內(nèi)存的構(gòu)造內(nèi)存的構(gòu)造以以PC3200 DDR內(nèi)存為例，介紹它的主要構(gòu)造，如圖內(nèi)存為例，介紹它的主要構(gòu)造，如圖4-3所示。所示。圖4-3DDR內(nèi)存條的結(jié)構(gòu)PCB板SPD標(biāo)簽金手指金手指缺口內(nèi)存固定卡缺口4.3.2 內(nèi)存的主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存的主要技術(shù)參數(shù)1內(nèi)存帶寬內(nèi)存帶寬 指內(nèi)存指內(nèi)存，是衡量，是衡量?jī)?nèi)存性能的重要指標(biāo)。內(nèi)存性能的重要指標(biāo)。 設(shè)內(nèi)存工作時(shí)的最大工作頻率為設(shè)內(nèi)存工作時(shí)的最大工作頻率為H，內(nèi)存，內(nèi)存總線的寬度為總線的寬度為M，內(nèi)存每時(shí)鐘頻率傳輸數(shù)據(jù)的，內(nèi)存每時(shí)鐘頻率傳輸數(shù)據(jù)的次數(shù)為次數(shù)為N，那么內(nèi)存的帶寬總量，那么內(nèi)存的帶寬總量G為：為： G=HMN8例如例如DDR 133的帶寬為

13、：的帶寬為：166MHz642/8=2656MB/s=2.656GB/s2內(nèi)存頻率內(nèi)存頻率也叫也叫內(nèi)存主頻內(nèi)存主頻，代表該內(nèi)存所能到達(dá)的最，代表該內(nèi)存所能到達(dá)的最高工作頻率高工作頻率 ，單位為，單位為MHz 。 內(nèi)存條內(nèi)存條“Kingston 1GB DDR2 800 “Kingston表示其品牌名為表示其品牌名為“金士頓金士頓 “1GB表示其容量大小為表示其容量大小為1GB “DDR2表示其類型為表示其類型為DDR2 “800表示其主頻為表示其主頻為800MHz。4.4 內(nèi)存的選購(gòu)內(nèi)存的選購(gòu)內(nèi)存影響計(jì)算機(jī)性能以及穩(wěn)定性，需要考慮：內(nèi)存影響計(jì)算機(jī)性能以及穩(wěn)定性，需要考慮： 1應(yīng)用應(yīng)用用處不同，

14、對(duì)內(nèi)存容量及性能的要求也不同。用處不同，對(duì)內(nèi)存容量及性能的要求也不同。 2主板主板選購(gòu)內(nèi)存時(shí)必須考慮主板芯片組所能支持內(nèi)存選購(gòu)內(nèi)存時(shí)必須考慮主板芯片組所能支持內(nèi)存的類型、最高工作頻率及最大容量，須匹配。的類型、最高工作頻率及最大容量，須匹配。 3品牌品牌品牌價(jià)格雖然貴，但性能好，穩(wěn)定性可靠。品牌價(jià)格雖然貴，但性能好，穩(wěn)定性可靠。內(nèi)存芯片廠商內(nèi)存芯片廠商芯片代號(hào)芯片代號(hào)內(nèi)存芯片廠商內(nèi)存芯片廠商芯片代號(hào)芯片代號(hào)現(xiàn)代電子現(xiàn)代電子HYUNDAIHY日立日立HITACHIHM三星三星SAMSUNGKM或或M美凱龍美凱龍MICRONMTNBMAAA德州儀器德州儀器TMSTI西門子西門子SIEMENSHYB

15、東芝東芝TOSHIBATD或或TC高士達(dá)高士達(dá)LG-SEMICONGM摩托羅拉摩托羅拉MOTOROLAMCMHITSUBISHIM5MSTITM富士通富士通FUJITSUMB日電日電NECuPDMATSUSHITAMNIBMBMOKIMSMNPNXNN金士頓KINGSTON現(xiàn)代HY/HYUNDAIKINGMAX三星SAMSUNG創(chuàng)見JETRAM金邦WINBOND美凱龍/美光MICRON4.5 內(nèi)存新技術(shù)介紹內(nèi)存新技術(shù)介紹Intel和和AMD將目光投向了將目光投向了DDR內(nèi)存。內(nèi)存。 DDR內(nèi)存相對(duì)于內(nèi)存相對(duì)于DDR 內(nèi)存有著很多內(nèi)存有著很多不同之處，最主要的區(qū)別在于預(yù)取位數(shù)上，不同之處，最主要

16、的區(qū)別在于預(yù)取位數(shù)上，DDR內(nèi)存采用了內(nèi)存采用了4bit預(yù)取的架構(gòu)，而預(yù)取的架構(gòu)，而DDR內(nèi)存采用了內(nèi)存采用了8bit預(yù)取的架構(gòu)，因此在一樣內(nèi)部預(yù)取的架構(gòu)，因此在一樣內(nèi)部工作頻率下工作頻率下DDR內(nèi)存的帶寬是內(nèi)存的帶寬是DDR內(nèi)存內(nèi)存的的2倍。倍。4.6 內(nèi)存常見故障分析與處理內(nèi)存常見故障分析與處理1計(jì)算機(jī)無(wú)法正常啟動(dòng)計(jì)算機(jī)無(wú)法正常啟動(dòng) 故障現(xiàn)象：翻開電腦主機(jī)電源后機(jī)箱報(bào)警故障現(xiàn)象：翻開電腦主機(jī)電源后機(jī)箱報(bào)警喇叭出現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間的短聲鳴叫，或是翻開主機(jī)電喇叭出現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間的短聲鳴叫，或是翻開主機(jī)電源后電腦可以啟動(dòng)但無(wú)法正常進(jìn)入操作系統(tǒng)，源后電腦可以啟動(dòng)但無(wú)法正常進(jìn)入操作系統(tǒng)，屏幕出現(xiàn)屏幕出現(xiàn)“Error

17、:Unable to Control A20 Line的錯(cuò)誤信息后死機(jī)。的錯(cuò)誤信息后死機(jī)。分析處理：以上故障多數(shù)是由于內(nèi)存與主分析處理：以上故障多數(shù)是由于內(nèi)存與主板的插槽接觸不良所引起的，處理方法是拔出板的插槽接觸不良所引起的，處理方法是拔出內(nèi)存，用酒精或干凈的紙巾擦拭內(nèi)存的金手指內(nèi)存，用酒精或干凈的紙巾擦拭內(nèi)存的金手指和內(nèi)存插槽，并檢查內(nèi)存插槽是否有損壞的跡和內(nèi)存插槽，并檢查內(nèi)存插槽是否有損壞的跡象。擦拭檢查完畢后將內(nèi)存重新插入，一般情象。擦拭檢查完畢后將內(nèi)存重新插入，一般情況下問題都可以解決，假如還是無(wú)法開機(jī)那么況下問題都可以解決，假如還是無(wú)法開機(jī)那么將內(nèi)存拔出插入另外一個(gè)內(nèi)存插槽中測(cè)試，

18、假將內(nèi)存拔出插入另外一個(gè)內(nèi)存插槽中測(cè)試，假如此時(shí)問題仍存在，那么說明內(nèi)存已經(jīng)損壞，如此時(shí)問題仍存在，那么說明內(nèi)存已經(jīng)損壞，此時(shí)只能更換新的內(nèi)存。此時(shí)只能更換新的內(nèi)存。2Windows運(yùn)行速度變慢運(yùn)行速度變慢故障現(xiàn)象：故障現(xiàn)象：Windows運(yùn)行速度明顯變慢，系統(tǒng)出運(yùn)行速度明顯變慢，系統(tǒng)出現(xiàn)許多有關(guān)內(nèi)存出錯(cuò)的提示?，F(xiàn)許多有關(guān)內(nèi)存出錯(cuò)的提示。分析處理：這類故障一般是由于在分析處理：這類故障一般是由于在windows下運(yùn)行的應(yīng)下運(yùn)行的應(yīng)用程序非法訪問內(nèi)存、內(nèi)存中駐留了太多應(yīng)用程序、用程序非法訪問內(nèi)存、內(nèi)存中駐留了太多應(yīng)用程序、活動(dòng)窗口翻開太多和應(yīng)用程序相關(guān)配置文件不合理等活動(dòng)窗口翻開太多和應(yīng)用程序相

19、關(guān)配置文件不合理等原因所造成的，更為嚴(yán)重時(shí)甚至出現(xiàn)死機(jī)。這種故障原因所造成的，更為嚴(yán)重時(shí)甚至出現(xiàn)死機(jī)。這種故障的解決必須去除內(nèi)存駐留程序、減少活動(dòng)窗口和調(diào)整的解決必須去除內(nèi)存駐留程序、減少活動(dòng)窗口和調(diào)整配置文件，假如在運(yùn)行某一程序時(shí)出現(xiàn)速度明顯變慢，配置文件，假如在運(yùn)行某一程序時(shí)出現(xiàn)速度明顯變慢，那么可以通過重裝應(yīng)用程序的方法來解決，假如在運(yùn)那么可以通過重裝應(yīng)用程序的方法來解決，假如在運(yùn)行任何應(yīng)用軟件或程序時(shí)都出現(xiàn)系統(tǒng)變慢的情況，那行任何應(yīng)用軟件或程序時(shí)都出現(xiàn)系統(tǒng)變慢的情況，那么最好的方法便是重新安裝操作系統(tǒng)。么最好的方法便是重新安裝操作系統(tǒng)。3Windows系統(tǒng)中運(yùn)行系統(tǒng)中運(yùn)行DOS下的應(yīng)用

20、軟件時(shí)下的應(yīng)用軟件時(shí)出現(xiàn)花屏或死機(jī)出現(xiàn)花屏或死機(jī)故障現(xiàn)象：故障現(xiàn)象：Windows系統(tǒng)中運(yùn)行系統(tǒng)中運(yùn)行DOS下下的應(yīng)用軟件的應(yīng)用軟件如如DOS下運(yùn)行的游戲軟件等下運(yùn)行的游戲軟件等時(shí)出現(xiàn)死機(jī)花屏的現(xiàn)象。時(shí)出現(xiàn)死機(jī)花屏的現(xiàn)象。分析處理：這種故障一般情況下是由于軟分析處理：這種故障一般情況下是由于軟件之間分配、占用內(nèi)存沖突所造成的，一般表件之間分配、占用內(nèi)存沖突所造成的，一般表現(xiàn)為黑屏、花屏或死機(jī)，解決的最好方法是退現(xiàn)為黑屏、花屏或死機(jī)，解決的最好方法是退出出windows操作系統(tǒng)，在純操作系統(tǒng)，在純DOS狀態(tài)下運(yùn)行狀態(tài)下運(yùn)行這些程序。這些程序。4.7 實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)4.7.1 實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn)

21、及實(shí)訓(xùn)1-內(nèi)存的安裝和拆卸內(nèi)存的安裝和拆卸安裝內(nèi)存的過程詳見本書第十四章安裝內(nèi)存的過程詳見本書第十四章“整機(jī)整機(jī)組裝中的組裝中的14.3.4節(jié)。節(jié)。4.7.2 實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)2-用軟件用軟件CPU-Z測(cè)試內(nèi)存測(cè)試內(nèi)存在第二章中，已經(jīng)介在第二章中，已經(jīng)介紹過紹過CPU-Z軟件，它不僅軟件，它不僅可以檢測(cè)可以檢測(cè)CPU的相關(guān)信息，的相關(guān)信息，還能檢測(cè)主板和內(nèi)存的相還能檢測(cè)主板和內(nèi)存的相關(guān)信息。關(guān)信息。首先，運(yùn)行首先，運(yùn)行CPU-Z，彈出主界面。在主界面上彈出主界面。在主界面上選擇選擇“內(nèi)存選項(xiàng)卡，即內(nèi)存選項(xiàng)卡，即可檢測(cè)出有關(guān)內(nèi)存的相關(guān)可檢測(cè)出有關(guān)內(nèi)存的相關(guān)信息，如圖信息，如圖4-5所示。所示

22、。圖4-5用CPU-Z檢測(cè)內(nèi)存4.7.3 實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn)及實(shí)訓(xùn)3-網(wǎng)上查詢和下載網(wǎng)上查詢和下載1網(wǎng)上查詢網(wǎng)上查詢上網(wǎng)查詢主流內(nèi)存的型號(hào)和價(jià)格等商情信上網(wǎng)查詢主流內(nèi)存的型號(hào)和價(jià)格等商情信息。息。2網(wǎng)上下載網(wǎng)上下載上網(wǎng)下載測(cè)試軟件如上網(wǎng)下載測(cè)試軟件如CPU-Z、WCPUID、EVEREST等測(cè)試所用微機(jī)內(nèi)存的相關(guān)參數(shù)等測(cè)試所用微機(jī)內(nèi)存的相關(guān)參數(shù)信息信息4.8 本章小結(jié)本章小結(jié)內(nèi)存的分類、主要性能指標(biāo)以及內(nèi)存的選內(nèi)存的分類、主要性能指標(biāo)以及內(nèi)存的選購(gòu)。內(nèi)存分為購(gòu)。內(nèi)存分為RAM和和ROM兩種類型，其中兩種類型，其中RAM是最主要的存儲(chǔ)器，整個(gè)系統(tǒng)的內(nèi)存容是最主要的存儲(chǔ)器，整個(gè)系統(tǒng)的內(nèi)存容量由它的容量

23、來決定。通過本章的學(xué)習(xí)，使讀量由它的容量來決定。通過本章的學(xué)習(xí)，使讀者可以正確地安裝內(nèi)存，學(xué)會(huì)用測(cè)試軟件測(cè)試者可以正確地安裝內(nèi)存，學(xué)會(huì)用測(cè)試軟件測(cè)試內(nèi)存的技術(shù)參數(shù)，并且能對(duì)內(nèi)存的故障進(jìn)展分內(nèi)存的技術(shù)參數(shù)，并且能對(duì)內(nèi)存的故障進(jìn)展分析與處理。析與處理。4.9 習(xí)題習(xí)題一一.選擇題選擇題1SDRAM內(nèi)存條上有多少個(gè)缺口，內(nèi)存條上有多少個(gè)缺口，DDR內(nèi)存條上有多少個(gè)缺口內(nèi)存條上有多少個(gè)缺口 。A. 1 1 B. 1 2 C. 2 2 D.2 12內(nèi)存屬于以下存儲(chǔ)器中的那種類型內(nèi)存屬于以下存儲(chǔ)器中的那種類型 。A. EPROMB. SRAMC. DRAMD. PROM3SPDSerial Presenc

24、e Detect是一塊是一塊8針的，容量為針的，容量為256B的的 。AEEPROMBEPROM CFlash MemoryDPROM4DDR每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)通過總線傳輸多少次數(shù)據(jù)，使用多路技每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)通過總線傳輸多少次數(shù)據(jù)，使用多路技術(shù)使得帶寬術(shù)使得帶寬加倍。加倍。 A1B2C3D4二二.判斷題判斷題1ROM是一種隨機(jī)存儲(chǔ)器，它可以分為靜態(tài)存是一種隨機(jī)存儲(chǔ)器，它可以分為靜態(tài)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器兩種。儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器兩種。 2DRAM，即動(dòng)態(tài)，即動(dòng)態(tài)RAM，集成度高，價(jià)格低，集成度高，價(jià)格低，只可讀不可寫。只可讀不可寫。 3選購(gòu)內(nèi)存時(shí)，內(nèi)存的容量、速度、插槽等都選購(gòu)內(nèi)存時(shí)，內(nèi)存的容量、速度、插

25、槽等都是要考慮的因素。是要考慮的因素。 4SRAM的讀取速度快、造價(jià)昂貴，用作計(jì)算的讀取速度快、造價(jià)昂貴，用作計(jì)算機(jī)中的高速緩存。機(jī)中的高速緩存。DRAM讀寫速度較慢，價(jià)格讀寫速度較慢，價(jià)格低廉、集成度高，故適宜做大容量低廉、集成度高，故適宜做大容量“主存。主存。 三三.填空題填空題1RAM一般又可分為兩大類型：一般又可分為兩大類型：_和和_。2內(nèi)存的數(shù)據(jù)帶寬有個(gè)確定公式：數(shù)據(jù)帶寬內(nèi)存的數(shù)據(jù)帶寬有個(gè)確定公式：數(shù)據(jù)帶寬=_3目前目前PC中所用的內(nèi)存主要有中所用的內(nèi)存主要有-_和和_兩種類型。兩種類型。4采用了采用了DDR技術(shù)的技術(shù)的SDRAM，與普通，與普通SDRAM相比，在同一時(shí)鐘周期內(nèi)，相比，在同一時(shí)鐘周期內(nèi)，DDR SDRAM能傳輸能傳輸_次數(shù)據(jù)。次數(shù)據(jù)。四四.分析題分析題1分析現(xiàn)象：自檢通過。在分析現(xiàn)象：自檢通過。在DOS下運(yùn)行應(yīng)用程下運(yùn)行應(yīng)用程序因占用的內(nèi)存地址沖突，而導(dǎo)致內(nèi)存分配錯(cuò)序因占用的內(nèi)存地址沖突，而導(dǎo)致內(nèi)存分配錯(cuò)誤，屏