2018年重慶產(chǎn)業(yè)類(lèi)重大主題專(zhuān)項(xiàng)申報(bào)

1、附件 12018 年重慶市集成電路產(chǎn)業(yè)重大主題專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目申報(bào)指南1、智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)芯片研發(fā)及應(yīng)用研究?jī)?nèi)容：面向智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)電子控制器系統(tǒng)應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵芯片本地配套，開(kāi)展汽車(chē)用導(dǎo)航芯片和濾波器芯片設(shè)計(jì)技術(shù)研究， 突破低功耗可重構(gòu)射頻前端設(shè)計(jì)、高帶外抑制濾波設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)， 形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的導(dǎo)航芯片和濾波器芯片， 基于自主芯片開(kāi)發(fā)導(dǎo)航 和控制模塊，并優(yōu)先通過(guò)本地整車(chē)廠裝車(chē)應(yīng)用驗(yàn)證?？己酥笜?biāo)：整體技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，具體指標(biāo)為：導(dǎo)航芯片：首次定位時(shí)間：冷啟動(dòng)：29s溫啟動(dòng)：28s熱 啟動(dòng)：1s;重捕獲：1s多系統(tǒng)聯(lián)合定位模式靈敏度：冷啟動(dòng)： 石48dBm;熱啟動(dòng)：156dBm;跟蹤：160d

2、Bm;濾波器芯片：中心頻率：433.92MHz;3dB帶寬：1MHz帶外 抑制：為5dB;在整車(chē)廠通過(guò)20輛裝車(chē)應(yīng)用驗(yàn)證，進(jìn)入整車(chē)供應(yīng)體系。完成時(shí)限：3年建議經(jīng)費(fèi)：財(cái)政資金資助經(jīng)費(fèi)不超過(guò)1000萬(wàn)元。2、智能電控汽車(chē)芯片研發(fā)及應(yīng)用研究?jī)?nèi)容：面向智能電控汽車(chē)電子控制器系統(tǒng)應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵芯片本地配套，開(kāi)展汽車(chē)用高精度運(yùn)算放大器和二極管芯片設(shè)計(jì)技 術(shù)研究，突破高精度運(yùn)算放大設(shè)計(jì)、反向低漏電設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)，形 成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的運(yùn)算放大器和肖特基二極管， 基于自主芯片開(kāi)發(fā)電 子控制器模塊，并優(yōu)先通過(guò)本地整車(chē)廠裝車(chē)驗(yàn)證試驗(yàn)?？己酥笜?biāo)：整體技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，具體指標(biāo)為：運(yùn)算放大器芯片：精度-2m

3、V;工作電壓范圍5s30V;電流1.2mA二極管：最大正向工作電流 瑩A;最大反向工作電壓 羽00V;最 大反向漏電流70dB通道增益 85dB噪聲系數(shù)（常溫）w6dB接收帶寬60MHz北斗三號(hào)全球短報(bào)文射頻芯片：支持北斗三號(hào)全球短報(bào)文信號(hào)；接收功耗w150V；接收噪聲系數(shù)（常溫）6dB發(fā)射輸出功率OdBm發(fā)射BPSK調(diào)制誤差2超低功耗低噪聲放大器系列芯片：功耗 3mV；增益15dB噪 聲系數(shù)（常溫）w1dB以上芯片項(xiàng)目執(zhí)行期實(shí)現(xiàn)累計(jì)銷(xiāo)售收入不少于3000萬(wàn)元 研發(fā)周期：3年建議經(jīng)費(fèi)： 財(cái)政資金資助經(jīng)費(fèi)不超過(guò)800萬(wàn)元5、 5G 通信射頻前端及轉(zhuǎn)換器核心芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化研究?jī)?nèi)容： 針對(duì)5G通信

4、終端和基站的應(yīng)用需求，開(kāi)展射頻薄膜 腔聲諧振濾波器、低噪聲放大器等射頻前端芯片以及高速DAC轉(zhuǎn)換 器設(shè)計(jì)技術(shù)研究，突破高Q值低雜波薄膜腔聲諧振諧振器、寬帶低 噪聲、高速時(shí)序控制等關(guān)鍵技術(shù)，形成5G通信射頻前端及轉(zhuǎn)換器核 心芯片并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化考核指標(biāo)：整體技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，具體指標(biāo)為：5G通信移動(dòng)終端 薄膜腔聲諧振 射頻濾波器芯片：基于6英寸薄 膜腔聲諧振 工藝平臺(tái)，形成4款以上薄膜腔聲諧振 產(chǎn)品，工作頻率覆 蓋16GHz,包括2.55-2.65GHZ、333.4GHz、3.4-3.6GHz、4.8-5.0GHz;5G通信基站用4通道16位3GSPS D/A轉(zhuǎn)換器芯片：分辨率：16位；采樣

5、率：3GSPS;通道數(shù)：4;DNL:LSB;INL:LSB;SFDR:55 dBFS;數(shù)據(jù)Lane rate：10 Gbps;5G基站用高性能低噪放芯片：工作頻段：0.6GHz4.2GHz;噪聲系數(shù)：w0.7dB增益：20dB 0P1dB: 19dBm輸出三階交調(diào)：32dBm以上芯片項(xiàng)目執(zhí)行期實(shí)現(xiàn)累計(jì)銷(xiāo)售收入不少于4000萬(wàn)元。 研發(fā)周期：3年建議經(jīng)費(fèi)： 財(cái)政資金資助經(jīng)費(fèi)不超過(guò)800萬(wàn)元。6、安全物聯(lián)網(wǎng)芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化研究?jī)?nèi)容： 面向智慧城市及物聯(lián)網(wǎng)的安全應(yīng)用， 提高智慧城市及 物聯(lián)網(wǎng)傳輸中的安全性，基于NB-IoT芯片開(kāi)展國(guó)密算法硬件嵌入技 術(shù)研究。突破對(duì)稱(chēng)、非對(duì)稱(chēng)等算法在物聯(lián)網(wǎng)傳輸中的關(guān)鍵

6、技術(shù)，開(kāi)發(fā) 支持國(guó)密SM1-SM4算法身份認(rèn)證、數(shù)據(jù)加解密等功能的國(guó)密安全級(jí)NB-IoT芯片并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。考核指標(biāo)： 整體技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，具體指標(biāo)為：支持R14以上版本，數(shù)據(jù)最大上行速率150kbps,最大下行數(shù)據(jù)速率100bps支持國(guó)密SM1/SM2/SM3/SM4算法；內(nèi)置獨(dú)立32位MCU；支持OpenCPU方案；PSM平均電流W2 uA(NB-loT);MCU模式平均電 流WuA(NB-IoT);支持TEE安全執(zhí)行環(huán)節(jié)；支持TEE eSIM;支持l2C/l2S/UART/SPl/ADC/DAC/ TlMER/ Comparator等豐富的接口；項(xiàng) 目執(zhí)行期實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入不少于30

7、00萬(wàn)元。研發(fā)周期：3年建議經(jīng)費(fèi)： 財(cái)政資金資助經(jīng)費(fèi)不超過(guò)800萬(wàn)元。7、物聯(lián)網(wǎng)智能終端核心芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化研究?jī)?nèi)容： 面向新一代物聯(lián)網(wǎng)eMTC通信需求, 開(kāi)展高性能物聯(lián) 網(wǎng)基帶和射頻集成技術(shù)研究, 突破高性能基帶處理技術(shù)和終端低功耗 控制技術(shù),形成物聯(lián)網(wǎng)智能終端核心芯片并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化?？己酥笜?biāo)： 綜合技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，具體指標(biāo)為：支持eMTC、NB-IOT,支持3GPP R13或更高版本； 支持TD-LTE Band39/41,LTE-FDDBand3/5/8;支持PSM和eDRX節(jié)電模式；支持IPv6;采 用基帶和射頻一體化設(shè)計(jì)；項(xiàng)目執(zhí)行期實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入不少于1000萬(wàn) 元。研發(fā)周期：

8、3年建議經(jīng)費(fèi)：財(cái)政資金資助經(jīng)費(fèi)不超過(guò)400萬(wàn)元。8、 高性能數(shù)字伺服控制專(zhuān)用芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目?jī)?nèi)容： 面向服務(wù)機(jī)器人、玩具機(jī)器人等領(lǐng)域?qū)π⌒突?、高?度、高可靠的伺服控制需求，開(kāi)展伺服控制系統(tǒng)構(gòu)架與建模、可配置 伺服控制電路設(shè)計(jì)技術(shù)研究， 突破伺服控制算法設(shè)計(jì)、 抗干擾設(shè)計(jì)等 關(guān)鍵技術(shù)，形成高性能數(shù)字伺服控制專(zhuān)用芯片并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化?？己酥笜?biāo)： 綜合技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，具體指標(biāo)為：A/D轉(zhuǎn)換器精度：14位；A/D轉(zhuǎn)換器速度：1M；PWM和SPWM驅(qū)動(dòng) 頻率：25KHZ到100KHZ可調(diào)；串行通信總線速度：20MHz;位置環(huán) 控制周期：0.2ms;速度環(huán)控制周期：0.1ms;力矩環(huán)控制周期：

9、0.1ms; 項(xiàng)目執(zhí)行期實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入不少于1000萬(wàn)元。完成時(shí)限：3年建議經(jīng)費(fèi)： 財(cái)政資金資助經(jīng)費(fèi)不超過(guò)400萬(wàn)元。9、 工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)無(wú)線專(zhuān)用 SoC 研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化研究?jī)?nèi)容： 面向工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)對(duì)資產(chǎn)跟蹤、人員管理、生產(chǎn)制造大 數(shù)據(jù)采集、監(jiān)控和智能分析的需求，開(kāi)展sub-1G的低功耗寬帶工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)無(wú)線專(zhuān)網(wǎng)芯片解決方案研究，突破可靠覆蓋、安全、低時(shí)延、 低功耗、高密度覆蓋以及室內(nèi)定位等關(guān)鍵技術(shù)， 形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的 工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)無(wú)線專(zhuān)用SoC芯片并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。考核指標(biāo)： 綜合技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，具體指標(biāo)為：支持無(wú)線頻率300-900MHZ;支持國(guó)際AES/ECC加密以及國(guó)密加密安全 算法SM2/S

10、M3/SM4;頻道帶寬支持100K-2MHz,可擴(kuò)展到4,8,16 MHz;通訊速率：10Kbps -20 Mbps （可擴(kuò)展到200Mbps）;接收 靈敏度：-130 dBm;典型覆蓋距離：5公里；終端電池待機(jī)時(shí)間：10年（低頻使用，電池容量700毫安時(shí)/3.6V）;主動(dòng)接收電流：8毫 安;發(fā)射功率：15-20 dBm;支持接口：USB，SPI，I2C，UART，I2S，以太網(wǎng),CAN/LIN總線,GPIO,PWM,ADC模擬接口等。項(xiàng)目執(zhí) 行期實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入不少于2000萬(wàn)元。研發(fā)周期：3年建議經(jīng)費(fèi)： 財(cái)政資金資助經(jīng)費(fèi)不超過(guò)400萬(wàn)元。10、磁場(chǎng)控制 200mm 高阻值硅片開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化研究?jī)?nèi)

11、容：面向高頻射頻芯片、 多通道高電壓數(shù)字隔離芯片需求, 開(kāi)展高阻值集成電路單晶硅生長(zhǎng)等技術(shù)研究, 突破熔體磁場(chǎng)控制等關(guān) 鍵技術(shù),形成200mm高阻硅片并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化?？己酥笜?biāo)： 綜合技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平,具體指標(biāo)為：電阻鳥(niǎo)000Q;200mm徑向電阻率變化w10%;STIR30呵；表面金屬含量5X108 atom;項(xiàng)目執(zhí)行期實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入不少于2000萬(wàn)元。研發(fā)周期：3年建議經(jīng)費(fèi)： 財(cái)政資金資助經(jīng)費(fèi)不超過(guò)400萬(wàn)元。11、高性能 APD 光電探測(cè)器專(zhuān)用芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目?jī)?nèi)容： 面向激光半主動(dòng)導(dǎo)引頭遠(yuǎn)距離、 高精度精確制導(dǎo)探測(cè) 應(yīng)用領(lǐng)域， 以及空間激光自由度通訊、 動(dòng)態(tài)目標(biāo)和靜態(tài)目標(biāo)非接觸檢

12、測(cè)、精密測(cè)量、 生物醫(yī)學(xué)、 光鑷技術(shù)等民用領(lǐng)域市場(chǎng)需求， 開(kāi)展感知、 測(cè)量、識(shí)別應(yīng)用的4英寸高偏壓硅四象限APD陣列傳感器芯片研發(fā)， 達(dá)到穩(wěn)定、精確和可靠的探測(cè)、掃描成像等功能，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化?？己酥笜?biāo)： 綜合技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，具體指標(biāo)為：光敏 面4mm象限數(shù)4;暗電流典型值10nA;響應(yīng)度30A/W（入=1064nm以上，擊穿電壓300V-500V,光譜響應(yīng)范圍500nm-1100nm;結(jié)電容4pF,上升時(shí)間5nS；光電流非均勻性土5%, 溫系數(shù)3.3V/K;項(xiàng)目執(zhí)行期實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入不少于1000萬(wàn)元。研發(fā)周期：3年建議經(jīng)費(fèi)： 財(cái)政資金資助經(jīng)費(fèi)不超過(guò)400萬(wàn)元。12、基于功率研究?jī)?nèi)容：MO

13、SFET 的高性能全橋整流芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化面向在工業(yè)電子等應(yīng)用領(lǐng)域的需求, 開(kāi)展高性能功率半導(dǎo)體MOSFET芯片和全橋整流芯片設(shè)計(jì)及應(yīng)用技術(shù)研究,突破MOSFET多芯片設(shè)計(jì)和SiP封裝技術(shù),形成低損耗、抗老化干擾的小 型化全橋整流芯片產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。考核指標(biāo)：綜合技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平,具體指標(biāo)為：MOSFET IDW300A;VDSv200V;實(shí)現(xiàn)MOSFET模塊的產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化, 項(xiàng)目執(zhí)行期間實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入不少于1000萬(wàn)元。研發(fā)周期：3年建議經(jīng)費(fèi)： 財(cái)政資金資助經(jīng)費(fèi)不超過(guò)300萬(wàn)元。13、高精度低溫漂儀表放大器系列芯片研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目?jī)?nèi)容： 面向高端儀器儀表制造的應(yīng)用需求， 開(kāi)展儀表放大器 的設(shè)計(jì)、仿真、制造等技術(shù)研