圓封裝測試工序和半導體制造工藝流程

1、A.xx圓封裝測試工序一、IC檢測1. 缺陷檢查DefectInspection2. DR-SEM(DefectReviewScanningElectronMicroscopy)用來檢測出xx圓上是否有瑕疵，主要是微塵粒子、刮痕、殘留物等問題。此外，對已印有電路圖案的圖案xx圓成品而言，則需要進行深次微米范圍之瑕疵檢測。一般來說，圖案xx圓檢測系統(tǒng)系以xx或xx光來照射xx圓表面。再由一或多組偵測器接收自xx圓表面繞射出來的光線，并將該影像交由高功能軟件進行底層圖案消除，以辨識并發(fā)現瑕疵。3. CD-SEM(CriticalDimensioinMeasurement)對蝕刻后的圖案作精確的尺寸

2、檢測。二、IC封裝1 .構裝(Packaging)IC構裝依使用材料可分為陶瓷(ceramic)及塑膠(plastic)兩種，而目前商業(yè)應用上則以塑膠構裝為主。以塑膠構裝中打線接合為例，其步驟依序為晶片切害1(diesaw)、黍占晶(diemount/diebond)、焊線(wirebond)、封膠(mold)、剪切/成形(trim/form)、印字(mark)、電鍍(plating)及檢驗(inspection)等。(1)晶片切割(diesaw)晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒(die)切割分離,舉例來說：以0.2微米制程技術生產，每片八寸晶圓上可制作近六百顆以上的64M

3、微量。欲進行xx片切割，首先必須進行xx圓黏片，而后再送至xx片切割機上進行切割。切割完后之xx粒井然有序排列于膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺褶與xx粒之相互碰撞。(2)黍占晶(diemount/diebond)黏晶之目的乃將一顆顆之晶粒置于導線架上并以銀膠(epoxy)粘著固定。黏晶完成后之導線架則經由傳輸設備送至彈匣(magazine)內，以送至下一制程進行焊線。(3)焊線(wirebond)IC構裝制程(Packaging)則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路(IntegratedCircuit;簡稱IC),此制程的目的是為了制造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷

4、或是高溫破壞。最后整個集成電路的周圍會向外拉出腳架(Pin),稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。(4)封膠(mold)封膠之主要目的為防止?jié)駳庥赏獠壳秩?、以機械方式支持導線、內部產生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過程為將導線架置于框架上并預熱，再將框架置于壓模機上的構裝模上，再以樹脂充填并待硬化。(5)剪切/成形(trim/form)剪切之目的為將導線架上構裝完成之晶粒獨立分開，并把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除(dejunk)。成形之目的則是將外引腳壓成各種預先設計好之形狀，以便于裝置于電路板上使用。剪切與成形主要由一部沖壓機配上多套不同制程之模具，加上進料及出料機構所成。(

5、6)印字(mark)及電鍍(plating)印字乃將字體印于構裝完的膠體之上，其目的在于注明商品之規(guī)格及制造者等資訊。(7)檢驗(inspection)晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之檢驗之目的為確定構裝完成之產品是否合與使用。其中項目包括xx:外引腳之平整性、共面度、腳距、印字是否清晰及膠體是否有損傷等的外觀檢驗。(8)封裝制程處理的最后一道手續(xù)，通常還包含了打線的過程。以金線連接芯片與導線架的線路，再封裝絕緣的塑料或陶瓷外殼，并測試集成電路功能是否正常。2 .測試制程(InitialTestandFinalTest(1)芯片測試(wafersort)(2)芯片目檢(diev

6、isual)(3)芯片粘貼測試(dieattach)(4)壓焊強度測試(leadbondstrength)(5)穩(wěn)定性烘焙(stabilizationbake)(6)溫度循環(huán)測試(temperaturecycle)(7)離心測試(constantacceleration)(8)滲漏測試(leaktest)(9)高低溫電測試(10)高溫老化(burn-in)(11)老化后測試(post-burn-inelectricaltestB.半導體制造工藝流程NPN高頻小功率晶體管制造的工藝流程為：外延片編批一一清洗一一水汽氧化一一一次光刻一一檢查一一清洗一一干氧氧化一一硼注入一一清洗一一UDO淀積一一清

7、洗一一硼再擴散一一二次光刻一一檢查一一單結測試一一清洗一一干氧氧化一一磷注入一一清洗一一鋁下CVD一一清洗一一發(fā)射區(qū)再擴散一一三次光刻一一檢查一一雙結測試一一清洗一一鋁蒸發(fā)一一四次光刻一一檢查一一氫氣合金一一正向測試一一清洗一一鋁上CVD檢查五次光刻檢查氮氣烘焙檢查中測中測檢查粘片減薄減薄后處理一一檢查一一清洗一一背面蒸發(fā)一一貼膜一一劃片一一檢查一一裂片一一外觀檢查一一綜合檢查一一入中間庫。PNP小功率晶體管制造的工藝流程為:外延片一一編批一一擦片一一前處理一一一次氧化一一QC檢查（tox）一一次光刻一一QC檢查一一前處理一一基區(qū)CSDxxCS而淀積一一后處理一一QC檢查（RO一前處理一一基區(qū)

8、氧化擴散QC檢查（tox、RD一二次光刻一一QC檢查一一單結測試一一前處理一一POC13預淀積一一后處理（P液）一一QC檢查一一前處理一一發(fā)射區(qū)氧化一一QC檢查（tox）一前處理一一發(fā)射區(qū)再擴散（RQ前處理鋁下CVD-QC檢查（tox、RO）前處理HCl氧化一一前處理一一氫氣處理一一三次光刻一一QC檢查一一追擴散一一雙結測試一一前處理一一鋁蒸發(fā)一一QC檢查（tAl）一四次光刻一一QC檢查一一前處理一一氮氣合金一一氮氣烘焙一一QC檢查（ts）一五次光刻一一QC檢查一一大片測試一一中測一一中測檢查（一一粘片一一減薄一一減薄后處理一一檢查一一清洗一一背面蒸發(fā)一一貼膜一一劃片一一檢查一一裂片一一外觀檢

9、查）一一綜合檢查一一入中間庫。GR平面品種（小功率三極管）工藝流程為:編批一一擦片一一前處理一一一次氧化一一QC檢查（tox）一一次光刻一一QC檢查一一前處理一一基區(qū)干氧氧化QC檢查（tox）一一一GR光刻（不腐蝕）一一GR硼注入一一濕法去膠一一前處理一一GR基區(qū)擴散一一QC檢查（Xj、RO一一硼注入一一前處理一一基區(qū)擴散與氧化一一QC檢查（Xj、tox、RO一二次光刻一一QC檢查一一單結測試一一前處理一一發(fā)射區(qū)干氧氧化一一QC檢查（tox）一一磷注入一一前處理一一發(fā)射區(qū)氧化和再擴散一一前處理一一POC13預淀積（RD一后處理一一前處理一一鋁下CVD一一QC檢查（tox）一前處理一氮氣退火一一

10、三次光刻一一QC檢查一一雙結測試一一前處理一一鋁蒸發(fā)一一QC檢查（tAl）一四次光刻一一QC檢查一一前處理一一氮氣合金一一氮氣烘焙一一正向測試一一五次光刻一一QC檢查一一大片測試一一中測編批一一中測一一中測檢查一一入中間庫。雙基區(qū)節(jié)能燈品種工藝流程為:編批一一擦片一一前處理一一一次氧化一一QC檢查（tox）次光刻QC檢查一一前處理一一基區(qū)干氧氧化一一QC檢查（tox）一一硼注入一一前處理一一基區(qū)擴散一一后處理一一QC檢查（Xj、RQ前處理一一基區(qū)CSDxx-CS而淀積一一后處理一一QC檢查（RQ一前處理一一基區(qū)氧化與擴散一一QC檢查（Xj、tox、RQ一一二次光刻一一QC檢查一一單結測試一一磷

11、注入一一前處理一一發(fā)射區(qū)氧化一一前處理一一發(fā)射區(qū)再擴散一一前處理一一POC13預淀積（RQ一后處理一一前處理一一HCl退火、N2退火一一三次光刻一一QC檢查一一雙結測試一一前處理一一鋁蒸發(fā)一一QC檢查（tAl）一四次光刻一一QC檢查一一前處理一一氮氫合金一一氮氣烘焙一一正向測試（ts）一外協作（ts）一一前處理一一五次光刻一一QC檢查一一大片測試一一測tts一一中測編批一一中測一一中測檢查一一入中間庫。變容管制造的工藝流程為:外延片一一編批一一擦片一一前處理一一一次氧化一一QC檢查一一N+光刻一一QC檢查一一前處理一一干氧氧化一一QC檢查一一P+注入一一前處理一一N+擴散P+t刻QC檢查硼注入

12、1前處理CVDLTQQC檢查硼注入2一前處理一一LPCVD-QC檢查一一前處理一一P+T散一一特性光刻一一電容測試一一是否再加擴一一電容測試一一（直到達到電容測試要求）一一三次光刻一一QC檢查一一前處理一一鋁蒸發(fā)一一QC檢查（tAl）一一鋁反亥ij一一QC檢查一一前處理一一氫氣合金一一氮氣烘焙一一大片測試一一中測一一電容測試一一粘片一一減薄一一QC檢查一一前處理一一背面蒸發(fā)一一綜合檢查一一入中間庫。P+擴散時間越長，相同條件下電容越小穩(wěn)壓管（N襯底）制造的工藝流程為：外延片一一編批一一擦片一一前處理一一一次氧化一一QC檢查一一P優(yōu)刻一一QC檢查一一前處理一一干氧氧化一一QC檢查一一硼注入一一前處理一一鋁下UDOQC檢查一一前處理一一P+T散一一特性光刻一一擴散測試（反向測試）一一前處理一一是否要P+追擴一一三次光刻一一QC檢查一一前處理一一鋁蒸發(fā)一一QC檢查（tAl）一四次光刻一一QC檢查一一前處理一一氮氣合金一一氮氣烘焙一一大片測試一一中測。P+擴散時間越長，相同條件下反向擊穿電壓越高xx二極管基本的制造工藝流程為：編批一一擦片一一前處理一一一次氧化一一QC檢查（tox）P+光刻一一QC檢查一一硼注入一一前處理一一P+T散與氧化一一QC檢查（Xj,RD,tox）一三次