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文檔簡介

1、圖2 X射線管剖面表示圖 管電壓的添加而增大。Ka和Kb兩個(gè)特征射線有臨界電壓Moseley定律決議特征X射線的波長U=35U激發(fā)X射線非相關(guān)散射表示圖 102030405060Counts a.u.2 o Substrate of Al2O3/SiOriginal film of LaCoO3Poisoned at 500OC, 3hrsPoisoned at 700oC, 3hrs2030405060ABCDEF 2 。 Counts a.u.44.5433.1424.0625.3237.6047.9735.5249.4054.02G 對(duì)于TiO2納米粉體,其主要衍射峰2為21.5 ,可目

2、的化為101晶面。 當(dāng)采用CuK作為X射線源,波長為0.154nm,衍射角的2為25.30 ,丈量獲得的半高寬為0.375 ,普通Sherrer常數(shù)取0.89。 D101K/B1/2cos0.890.15457.3、0.3750.97621.5 nm。TiN/AlN納米多層膜的XRD小角度衍射譜 粘土的小角粘土的小角XRD衍射圖衍射圖 已二胺處置后粘土的小角已二胺處置后粘土的小角XRD衍射圖衍射圖 1.31nm1.4nm246810AB圖6-10 TiCl4-PEG法制備中孔粉體XRD結(jié)果A煅燒前 B400下煅燒1小時(shí)510AB鈦酸酯-十八胺法制備中孔粉體前驅(qū)體XRD結(jié)果A常溫常壓下沉化B加溫

3、加壓下沉化 203040506070500oC600oC700oC800oC900oCCounts / a.u.2/ o2030405060702 / oCounts / a.u.1h4h6h8h amorphous intermediate203040506070500oC600oC700oC800oC900oCCounts / a.u.2/ o2030405060702 / oCounts / a.u.1h4h6h8h amorphous intermediate2030405060ABEDC2/ degreeCounts / a.u.(a)85090095010000102030Temperature / oCCrystalline size / nm (b)102030405060702 / oCountsab2030405060TiO2 filmTiO2 filmdoped PdTiO2 filmdoped Pt25.328.5 Si substrate47.92Counts a.u.AnataseTiO22030405060TiO2 filmTiO2 filmdoped PdTiO2 fil

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