第9章 邏輯門電路

1、第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路1第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路2概述概述第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路3第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路4和和是兩種狀態(tài)，是兩種狀態(tài)，是兩個(gè)不同的可以截然區(qū)別開(kāi)來(lái)的電壓范圍。是兩個(gè)不同的可以截然區(qū)別開(kāi)來(lái)的電壓范圍。 在電子電路中用在電子電路中用高、低電平高、低電平，分別表示二值邏，分別表示二值邏輯的輯的 1 和和 0 兩種邏輯狀態(tài)。兩種邏輯狀態(tài)。輸輸入入信信號(hào)號(hào)獲得高、低電平的基本原理獲得高、低電平的基本原理輸輸出出信信號(hào)號(hào)R vOSvIVcc第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路54. 正邏輯和負(fù)邏輯正邏輯和負(fù)邏輯10正邏輯正邏輯01負(fù)邏輯負(fù)邏輯今后除非特別說(shuō)明，本書中一律采用今后除非特別

2、說(shuō)明，本書中一律采用正邏輯正邏輯。第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路65. 門電路的發(fā)展門電路的發(fā)展 在最初的數(shù)字邏輯電路中，每個(gè)門電路都是用若在最初的數(shù)字邏輯電路中，每個(gè)門電路都是用若干個(gè)分立的半導(dǎo)體器件和電阻、電容連接而成的。干個(gè)分立的半導(dǎo)體器件和電阻、電容連接而成的。 用這種單元電路組成大規(guī)模的數(shù)字電路是非常困用這種單元電路組成大規(guī)模的數(shù)字電路是非常困難的，這就嚴(yán)重地制約了數(shù)字電路的普遍應(yīng)用。難的，這就嚴(yán)重地制約了數(shù)字電路的普遍應(yīng)用。 隨著數(shù)字集成電路的問(wèn)世和大規(guī)模集成電路工藝隨著數(shù)字集成電路的問(wèn)世和大規(guī)模集成電路工藝水平的不斷提高，今天已經(jīng)能把大量的門電路集成水平的不斷提高，今天已經(jīng)能把大量的

3、門電路集成在一塊很小的半導(dǎo)體芯片上，構(gòu)成功能復(fù)雜的在一塊很小的半導(dǎo)體芯片上，構(gòu)成功能復(fù)雜的“片片上系統(tǒng)上系統(tǒng)”。 從制造工藝上可以將目前使用的數(shù)字集成電路從制造工藝上可以將目前使用的數(shù)字集成電路分為分為雙極型雙極型、單極型單極型和和混合型混合型三種。三種。第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路71961年美國(guó)得克薩斯儀器公司（年美國(guó)得克薩斯儀器公司（TI）率先將數(shù)字）率先將數(shù)字電路的元、器件制作在同一硅片上，制成了數(shù)字集成電路的元、器件制作在同一硅片上，制成了數(shù)字集成電路（電路（Integrated Circuits，簡(jiǎn)稱，簡(jiǎn)稱 IC）。）。由于集成電路由于集成電路體積小體積小、重量輕重量輕、可靠性好可靠

4、性好，因而，因而在大多數(shù)領(lǐng)域里迅速取代了分立器件組成的數(shù)字電路。在大多數(shù)領(lǐng)域里迅速取代了分立器件組成的數(shù)字電路。直到直到20世紀(jì)世紀(jì)80年代初，采用雙極型三極管組成的年代初，采用雙極型三極管組成的TTL型集成電路一直是數(shù)字集成電路的主流產(chǎn)品。型集成電路一直是數(shù)字集成電路的主流產(chǎn)品。TTL電路存在著一個(gè)嚴(yán)重的缺點(diǎn)，這就是它的功電路存在著一個(gè)嚴(yán)重的缺點(diǎn)，這就是它的功耗比較大。因此，用耗比較大。因此，用TTL電路只能作成小規(guī)模集成電電路只能作成小規(guī)模集成電路路(簡(jiǎn)稱簡(jiǎn)稱SSI，其中僅包含，其中僅包含10個(gè)以內(nèi)的門電路）和中規(guī)個(gè)以內(nèi)的門電路）和中規(guī)模集成電路模集成電路(簡(jiǎn)稱簡(jiǎn)稱MSI，其中包含，其中包

5、含10100個(gè)門電路）。個(gè)門電路）。第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路8CMOS集成電路集成電路出現(xiàn)于出現(xiàn)于20世紀(jì)世紀(jì)60年代后期，它年代后期，它最突出的優(yōu)點(diǎn)在于最突出的優(yōu)點(diǎn)在于功耗極低功耗極低，所以非常適合制作大，所以非常適合制作大規(guī)模集成電路。規(guī)模集成電路。隨著隨著CMOS制作工藝的不斷進(jìn)步，無(wú)論是在工制作工藝的不斷進(jìn)步，無(wú)論是在工作速度還是在驅(qū)動(dòng)能力上，作速度還是在驅(qū)動(dòng)能力上， CMOS電路都已經(jīng)不比電路都已經(jīng)不比TTL電路遜色。電路遜色。因此，因此， CMOS電路便逐漸取代電路便逐漸取代TTL電路而成為電路而成為當(dāng)前數(shù)字集成電路的主流產(chǎn)品。當(dāng)前數(shù)字集成電路的主流產(chǎn)品。但在現(xiàn)有的一些設(shè)備中仍舊

6、在使用但在現(xiàn)有的一些設(shè)備中仍舊在使用TTL電路。電路。第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路99.1.1 半導(dǎo)體二極管的開(kāi)關(guān)特性半導(dǎo)體二極管的開(kāi)關(guān)特性R vOSvIVcc第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路10IIL0vV時(shí)，二極管時(shí)，二極管導(dǎo)通導(dǎo)通OOL0vVIIHCCvVV時(shí)，二極管時(shí)，二極管截止截止OOHCCvVV二極管開(kāi)關(guān)電路二極管開(kāi)關(guān)電路VCCRD+-+vOvI第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路11輸輸入入信信號(hào)號(hào)獲得高，低電平的基本原理獲得高，低電平的基本原理輸輸出出信信號(hào)號(hào)R vOSvIVcc第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路12ebc截止?fàn)顟B(tài)截止?fàn)顟B(tài)CE0VC0I 相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉。相當(dāng)

7、于開(kāi)關(guān)閉。開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓飽和導(dǎo)通飽和導(dǎo)通壓降壓降飽和狀態(tài)飽和狀態(tài)ebcvONVce(sat)0.3 V ( (硅管硅管) )0.1 V ( (鍺管鍺管) )第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路13當(dāng)當(dāng) = 并繼續(xù)升高，并繼續(xù)升高，D-S間相當(dāng)于一個(gè)閉合的開(kāi)關(guān)，間相當(dāng)于一個(gè)閉合的開(kāi)關(guān)， 。第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路14CIGDSCIGDSRON第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路15第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路169.2.1 二極管與門二極管與門二極管與門的邏輯電平二極管與門的邏輯電平A/V0033B/V0303Y/V0.70.70.73.7D1、D2導(dǎo)通導(dǎo)通D1導(dǎo)通導(dǎo)通 D2截止截止D1截止截止 D2導(dǎo)通導(dǎo)通D1

8、、 D2導(dǎo)通導(dǎo)通最簡(jiǎn)單的最簡(jiǎn)單的與門與門可以由二極管和電阻組成。可以由二極管和電阻組成。圖中圖中A、B為兩個(gè)輸入變量，為兩個(gè)輸入變量，Y為輸出變量。為輸出變量。設(shè)輸入的設(shè)輸入的高高、低低電平分別為電平分別為3V、0V，二極管的正向?qū)▔航禐槎O管的正向?qū)▔航禐?.7V 。Y二極管與門二極管與門VCC（5V）RD1D2AB第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路17A0011B0101Y0001二極管與門的真值表二極管與門的真值表ABY 這種這種與門與門電路雖然簡(jiǎn)單，但電路雖然簡(jiǎn)單，但輸出輸出的的高、高、低電平低電平數(shù)值和數(shù)值和輸入輸入的的高、低電平高、低電平數(shù)值不相等數(shù)值不相等;負(fù)載電阻的改變有時(shí)會(huì)影響輸

9、出高電平。負(fù)載電阻的改變有時(shí)會(huì)影響輸出高電平。僅用作僅用作集成電路內(nèi)部集成電路內(nèi)部的邏輯單元。的邏輯單元。ABY二極管與門的邏輯電平二極管與門的邏輯電平A/V0033B/V0303Y/V0.70.70.73.7第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路189.2.2 9.2.2 二極管或門二極管或門 A/V0033B/V0303Y/V02.32.32.3二極管或門的邏輯電平二極管或門的邏輯電平D1、D2截止截止D1截止截止D2導(dǎo)通導(dǎo)通 D1導(dǎo)通導(dǎo)通D2截止截止D1、 D2導(dǎo)通導(dǎo)通圖中圖中A、B為兩個(gè)輸入變量，為兩個(gè)輸入變量，Y為輸出變量。為輸出變量。設(shè)輸入的高、低電平分別為設(shè)輸入的高、低電平分別為3V、0V，

10、二極管的正向?qū)▔航禐槎O管的正向?qū)▔航禐?.7V 。D1 RD2ABY二極管或門二極管或門第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路19A0011B0101Y0111二極管或門的真值表二極管或門的真值表BAYABY第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路20第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路219.3.1 CMOSCMOS反相器DDV1T2TIvOvSSVDiCMOS反相器的電路圖反相器的電路圖當(dāng)當(dāng)vI = VIL= 0時(shí)，時(shí)，輸出為輸出為高高電平電平VOH VDD 。當(dāng)當(dāng)vI = VIH= VDD 時(shí)，時(shí)，輸出為輸出為低低電平電平VOL 0。 輸入與輸出之間為邏輯非的關(guān)系。輸入與輸出之間為邏輯非的關(guān)系。CMOS反相器的靜態(tài)功

11、耗極小反相器的靜態(tài)功耗極小CMOSCMOS反相器的-Complement Metal Oxide SemiconductorPMOS管管NMOS管管柵極相連柵極相連做輸入端做輸入端漏極相連漏極相連做輸出端做輸出端T T2 2截止截止T T1 1導(dǎo)通導(dǎo)通T T1 1截止截止T T2 2導(dǎo)通導(dǎo)通第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路22三、輸入噪聲容限三、輸入噪聲容限(max)(max)(min)(min)OLILNLIHOHNHVVVVVV在保證輸出高低電平基本不變（或者變化大小不在保證輸出高低電平基本不變（或者變化大小不超過(guò)允許的限度）的條件下，輸入電平的允許波超過(guò)允許的限度）的條件下，輸入電平的允許波動(dòng)

12、范圍稱為輸入動(dòng)范圍稱為輸入噪聲容限噪聲容限。第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路23CMOSCMOS反相器的動(dòng)態(tài)特性tPHLtPLHOtOtvovIDDV1T2TIvOvLC一般情況下，一般情況下，tPHL、 tPLH主要是由于負(fù)載電容的充放主要是由于負(fù)載電容的充放電所產(chǎn)生的，所以為了縮短傳輸延遲時(shí)間，必須減電所產(chǎn)生的，所以為了縮短傳輸延遲時(shí)間，必須減小負(fù)載電容和小負(fù)載電容和MOS管的導(dǎo)通電阻。管的導(dǎo)通電阻。第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路24第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路253.3.5 其他類型的門電路在在門電路的系列產(chǎn)品中，門電路的系列產(chǎn)品中，除反相器外常用的還有：除反相器外常用的還有： 與非門、或非門、傳輸

13、門幾種。與非門、或非門、傳輸門幾種。第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路26第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路27用途：用途：輸出輸出電平電平的的變換變換； 滿足滿足大功率負(fù)載電流大功率負(fù)載電流的需要；的需要； 實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)線與線與邏輯。邏輯。()YAB RLVDD2CC40107VDD1ABVSSABY第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路28線與連接方法線與連接方法RLVDDG1ABY2G2CDY1YABYABRLVDDY2Y1G1G2線與邏輯符號(hào)線與邏輯符號(hào)12YYY() ()()ABCDABCD線與現(xiàn)可將輸出并聯(lián)使用，實(shí)Y=Y1Y2第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路29（TG）CCDDV1T2T/IOvv/OIvvCC/IOv

14、v/OIvvTG時(shí)，傳輸門時(shí)，傳輸門導(dǎo)通導(dǎo)通。1,0CC0,1CC時(shí)，傳輸門時(shí)，傳輸門截止截止。柵極控制電壓為互補(bǔ)信號(hào)，柵極控制電壓為互補(bǔ)信號(hào)，如如C=0，C=VDD第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路30AYBTG1TG2AYBYABABTGY0001101101通、通、2止止01通、通、2止止11止、止、2通通011止、止、2通通第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路31LOILTGRvvRRC/IOvv/OIvvTGCSW/IOvv/OIvvCSWIvOvLRC=0時(shí)開(kāi)關(guān)截止。時(shí)開(kāi)關(guān)截止。C=1時(shí)開(kāi)關(guān)接通。時(shí)開(kāi)關(guān)接通。模擬開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通內(nèi)阻為模擬開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通內(nèi)阻為RTG。邏輯符號(hào)邏輯符號(hào)傳輸門傳輸門反相器的輸入和輸

15、出反相器的輸入和輸出提供傳輸門兩個(gè)反相提供傳輸門兩個(gè)反相控制信號(hào)控制信號(hào)RTG20第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路32為防止靜電電壓造成的損壞，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：為防止靜電電壓造成的損壞，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：1）在存儲(chǔ)和運(yùn)輸在存儲(chǔ)和運(yùn)輸CMOS器件時(shí)，器件時(shí)，不要使用易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料和化纖織物包裝，不要使用易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料和化纖織物包裝，最好采用金屬屏蔽層作包裝材料。最好采用金屬屏蔽層作包裝材料。2）組裝、調(diào)試時(shí)，應(yīng)使電烙鐵和其他工具、儀表、組裝、調(diào)試時(shí)，應(yīng)使電烙鐵和其他工具、儀表、工作臺(tái)臺(tái)面等良好接地。工作臺(tái)臺(tái)面等良好接地。操作人員的服裝和手套等應(yīng)選用無(wú)靜電的原料制作。操作人員的服裝和手

16、套等應(yīng)選用無(wú)靜電的原料制作。3 3）第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路33由于在由于在MOS管中存在著一些寄生電容，管中存在著一些寄生電容，因而降低了因而降低了MOS管的開(kāi)關(guān)速度。管的開(kāi)關(guān)速度。為了減小這些寄生電容，為了減小這些寄生電容，在高速在高速M(fèi)OS電路中從工藝上作了改進(jìn)。電路中從工藝上作了改進(jìn)。首先盡量減小溝道的長(zhǎng)度，縮小整個(gè)首先盡量減小溝道的長(zhǎng)度，縮小整個(gè)MOS管的尺寸。管的尺寸。其次采用了硅柵自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)減小了柵極和漏極、其次采用了硅柵自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)減小了柵極和漏極、柵極和源極的重疊區(qū)，使柵極和源極的重疊區(qū)，使CGD和和CGS的數(shù)值減小。的數(shù)值減小。第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路34用短溝道、硅柵自

17、對(duì)準(zhǔn)工藝生產(chǎn)的高速用短溝道、硅柵自對(duì)準(zhǔn)工藝生產(chǎn)的高速CMOS門電路，門電路，其平均傳輸延遲時(shí)間小于其平均傳輸延遲時(shí)間小于10ns，高速高速CMOS門電路的通用系列為門電路的通用系列為54HC/74HC系列。系列。該系列產(chǎn)品使用該系列產(chǎn)品使用+5V電源，電源，輸出的高、低電平與輸出的高、低電平與TTL電路兼容。電路兼容。54HC/74HC 與與54LS/74LS ，只要最后只要最后 表示的數(shù)字相同，表示的數(shù)字相同，則兩種器件的邏輯功能、外形尺寸、則兩種器件的邏輯功能、外形尺寸、引腳排列順序也完全相同。引腳排列順序也完全相同。但兩種器件不能簡(jiǎn)單地互換使用。第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路35第一節(jié) 半導(dǎo)

18、體二極管門電路36 反相器是反相器是TTL電路中電路結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單的一種。電路中電路結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單的一種。 因電路因電路輸入端輸入端和和輸出輸出端端均為三極管結(jié)構(gòu)均為三極管結(jié)構(gòu)，所以稱做，所以稱做三三極管極管-三極管邏輯電路三極管邏輯電路，簡(jiǎn)稱，簡(jiǎn)稱TTL電路。電路。TTLTTL反相器的典型電路反相器的典型電路CCV1R2RYA4T5T2T1T2D1D4R3RI()vO()v4k1.6k1k130B1v2Cv2Ev輸入級(jí)輸入級(jí)倒相級(jí)倒相級(jí)輸出級(jí)輸出級(jí)9.4.1 TTL反相器反相器第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路37T2T4T5D1DR14KR21.6KR31KR4130D4VCC(VO)A.T1Y(Vi)三

19、個(gè)三個(gè)PN結(jié)結(jié)導(dǎo)通需導(dǎo)通需2.1V 輸入為低電平（輸入為低電平（ ）0.9V不足以讓不足以讓T2、T5導(dǎo)通導(dǎo)通0.2Vvo高電平！高電平！T4、D2導(dǎo)通導(dǎo)通第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路38全導(dǎo)通全導(dǎo)通T2T4T5D1DR14KR2R31KR4130D4VCCA.T1Y(Vi)2. 輸入為高電平（輸入為高電平（3.4V）時(shí)）時(shí)電位被嵌電位被嵌在在2.1V3.4V反偏反偏飽和飽和uO=0.3V截止截止 1V1.6KAY 第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路392. 電壓傳輸特性電壓傳輸特性THVOABCDE3.02.01.00.5 1.0 1.5vOvIVIVO第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路40第一節(jié) 半導(dǎo)體二極

20、管門電路41OH(min)OL(max)2.4V,0.4VVVNHNL0.4V,0.4VVVIH(min)IL(max)2.0V,0.8VVV第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路42若若RP較小，相當(dāng)于輸入一個(gè)低電平信號(hào)。較小，相當(dāng)于輸入一個(gè)低電平信號(hào)。若若RP較大，相當(dāng)于輸入一個(gè)高電平信號(hào)。較大，相當(dāng)于輸入一個(gè)高電平信號(hào)。輸入端負(fù)載特性輸入端負(fù)載特性TTLTTL反相器輸入端負(fù)載特性反相器輸入端負(fù)載特性I/VvP/kR2.01.01.02.003.0VCCR1be2be5vIT14kRPTTLTTL反相器輸入端經(jīng)電反相器輸入端經(jīng)電阻接地時(shí)的等效電路阻接地時(shí)的等效電路第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路43反相器的

21、動(dòng)態(tài)特性反相器的動(dòng)態(tài)特性第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路44輸出由低電平突然轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖降倪^(guò)渡過(guò)程中，輸出由低電平突然轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖降倪^(guò)渡過(guò)程中，出現(xiàn)短時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)短時(shí)間內(nèi)T4和和T5同時(shí)導(dǎo)通的狀態(tài)，同時(shí)導(dǎo)通的狀態(tài)，有很大的瞬時(shí)電流流經(jīng)有很大的瞬時(shí)電流流經(jīng)T4和和T5 ，使電源電流出現(xiàn)使電源電流出現(xiàn)尖峰脈沖。尖峰脈沖。第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路45第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路46()YAB 多發(fā)射極三極管可看作兩個(gè)多發(fā)射極三極管可看作兩個(gè)發(fā)射極獨(dú)立而基極和集電極發(fā)射極獨(dú)立而基極和集電極分別并聯(lián)在一起的三極管。分別并聯(lián)在一起的三極管。YCCVAB1T2T4T5T1D2D3D1R2R3R4R4k1.6k130

22、1kTTLTTL與非門電路與非門電路第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路47()YAB YCCVAB1T2T4T5T1R3R4R2R1R1T2TTTLTTL或非門電路或非門電路第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路482. 集電極開(kāi)路的門電路（集電極開(kāi)路的門電路（OC門）門）第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路49CCVLR集電極開(kāi)路與非門集電極開(kāi)路與非門1R2T2R3RYBACCV5T1TYBA圖形符號(hào)圖形符號(hào)第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路5021YYY ()()ABCD()ABCD CCVLRY1R2T2R3R1YBACCV5T1T1R2T2R3R2YDCCCV5T1TDCBAY2G1GLRCCV第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路5

23、1()YAB CCV4TBAY1T2T5TDPENYABEN第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路52()YAB CCV4TBAY1T2T5TDP()EN YABEN第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路53時(shí)，輸出呈現(xiàn)高阻態(tài)。時(shí)，輸出呈現(xiàn)高阻態(tài)。1EN 0EN 時(shí)，反相器正常工作。時(shí)，反相器正常工作。ENAYEN1T2TADDVY三態(tài)控制端三態(tài)控制端低電平有效低電平有效邏輯符號(hào)邏輯符號(hào)10101010第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路541EN1A1G2EN2A2GnENnAnG總總線線ENIDOD/OIDD1G2G總總線線任何時(shí)任何時(shí)刻只能有刻只能有一個(gè)控制一個(gè)控制端有效，端有效，即只有一即只有一個(gè)門進(jìn)行個(gè)門進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸

24、，數(shù)據(jù)傳輸，其它門處其它門處于禁止?fàn)钣诮範(fàn)顟B(tài)。態(tài)。輪流輪流等于等于1雙向雙向傳輸傳輸?shù)谝还?jié) 半導(dǎo)體二極管門電路55六、TTL電路的改進(jìn)系列1. 74H系列系列74H系列又稱高速系列。系列又稱高速系列。為了提高電路的開(kāi)關(guān)速度，為了提高電路的開(kāi)關(guān)速度，減小傳輸延遲時(shí)間，減小傳輸延遲時(shí)間，電路采取了兩項(xiàng)改進(jìn)措施。電路采取了兩項(xiàng)改進(jìn)措施。一是在輸出級(jí)采用了達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，一是在輸出級(jí)采用了達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，二是將所有電阻的阻值普遍降低了一倍。二是將所有電阻的阻值普遍降低了一倍。減小電阻阻值帶來(lái)的不利影響是增加了電路的靜態(tài)功耗。減小電阻阻值帶來(lái)的不利影響是增加了電路的靜態(tài)功耗。CCVYAB1T2T4T5T1D2

25、D1R2R3R4RK8 . 27605847074H系列與非門(74H00)5R4k3T第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路562. 74S系列系列74S系列又稱肖特基系列。系列又稱肖特基系列。在在74S系列的門電路中，系列的門電路中，采用了抗飽和三極管（或稱為肖特基三極管）。采用了抗飽和三極管（或稱為肖特基三極管）?？癸柡腿龢O管是由普通的雙極型三極管和抗飽和三極管是由普通的雙極型三極管和肖特基勢(shì)壘二極管組合而成的。肖特基勢(shì)壘二極管組合而成的。肖特基二極管是由金屬和半導(dǎo)體接觸而形成的。肖特基二極管是由金屬和半導(dǎo)體接觸而形成的。bececb第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路57電路結(jié)構(gòu)的另一個(gè)特點(diǎn)是電路結(jié)構(gòu)的另一個(gè)特點(diǎn)是:為為T5管提供了一個(gè)有源泄放電路，管提供了一個(gè)有源泄放電路，減少了減少了T5的基極電流，也就減輕了的基極電流，也就減輕了T5的飽和程度，的飽和程度，有利于加快有利于加快T5從導(dǎo)通變?yōu)榻刂沟倪^(guò)程。從導(dǎo)通變?yōu)榻刂沟倪^(guò)程。有源泄放回路的存在縮短了門電路的傳輸延遲時(shí)間。有源泄放回路的存在縮短了門電路的傳輸延遲時(shí)間。還改善了門電路的電壓傳輸特性。還改善了門電路的電壓傳輸特性。電路的缺點(diǎn)：電路的缺點(diǎn)：電路的功耗加大了。電路的功耗加大了