MOS分析V3分析

1、9 9月月ATUATU數(shù)據(jù)分析數(shù)據(jù)分析2整體MOS分析n整體分布較正常！ 從MOS分布來看集中在4附近，隨著MOS值增加丟包率呈上升趨勢，RSRP和SINR分布也相對合理；3MOS與RSRP關(guān)聯(lián)分析n主要發(fā)現(xiàn)：MOS和RSRP下降趨勢相同，但是較理論差距大；丟包和SINR的變化趨勢相反；從RSRP角度來看，隨著RSRP下降，MOS下降不明顯！4MOS與SINR關(guān)聯(lián)分析n主要發(fā)現(xiàn)：MOS和SINR下降趨勢相同，但是較理論差距大；丟包和SINR的變化趨勢相反；從SINR角度來看，隨著SINR增加，MOS增加不明顯！5MOS思考！n疑問：MOS打分四要素：編碼、丟包、時延、抖動！這幾項和RSRP和S

2、INR應(yīng)該是強相關(guān)的，但是從9月測試結(jié)果來看和RSRP和SINR關(guān)聯(lián)性不大，只有一種可能，就是有相對較大量的無線環(huán)境好但是MOS分低的現(xiàn)象！n2G因素：上述分析的采樣點都是4G上，2G占比因素統(tǒng)計如下,2G下小于3.0占整體3.0以下比例為17.92%。目錄中興五環(huán)內(nèi)華為五環(huán)內(nèi)中興去除異常網(wǎng)格2G4G總計2G4G總計2G4G總計大于3.0404512745167155511455129283960039628小于3.0600274833483491786213534416782022總計640478754851536456900572643724127841650MOS小于3.0分布17.92

3、%82.08%16.35%83.65%17.01%82.99%6MOS TOP網(wǎng)格分析n結(jié)論：除比較明顯設(shè)備問題外，選擇了三個TOP網(wǎng)格進行分析結(jié)論如下：剔除2G采樣點，疑似設(shè)備問題和其他問題類占比最多！MOS采樣點 mos3采樣點 2G弱覆蓋質(zhì)差 無丟包無線環(huán)境正常其他問題 975863882413MOS小于3原因分布18%53%29%MOS采樣點 mos3采樣點 2G弱覆蓋質(zhì)差 無丟包無線環(huán)境正常其他問題 768592316119MOS小于3原因分布44%31%25%MOS采樣點 mos3采樣點 2G弱覆蓋質(zhì)差 無丟包無線環(huán)境正常其他問題 76856293204MOS小于3原因分布11%7

4、4%15%n網(wǎng)格19：弱覆蓋占比18%！n網(wǎng)格46：弱覆蓋占比44%！n網(wǎng)格19 ：弱覆蓋占比11%！7MOS典型問題1：n無丟包高SINR：無丟包、無明顯無線問題的點，需要路網(wǎng)通軟件能夠提供其他指標協(xié)助分析，如RTP端到端時延等。如下圖從16:20:4516:20:53沒有看到丟包，且無線環(huán)境良好，但是MOS采樣點打分2.729.8MOS典型問題2：n剛接通MOS異常：剛接通時打出的MOS分值比較奇怪。如下圖，16:37:4516:37:53打出MOS分值1.216，且跟上次打出的分值一樣，懷疑MOS設(shè)備問題或者路網(wǎng)通軟件采樣點統(tǒng)計問題。9MOS典型問題3：n連續(xù)相同低MOS值：10MOS總

5、結(jié)及建議：n提供更多排查手段： （1）在顯示界面提供RTP端到端時延、抖動等MOS值影響指標；（2）在顯示界面提供MOS值顯示，如下事件中顯示有連續(xù)MOS差，但是并沒有顯示MOS分值，可以按照采樣周期將MOS顯示出來，方便分析。n網(wǎng)絡(luò)部測試規(guī)范統(tǒng)一： 可以看出九月測試數(shù)據(jù)中某些網(wǎng)格指標很異常，建議所有網(wǎng)格測試時終端擺放位置統(tǒng)一，初始測試前5分鐘看MOS值等是否正常！n探索未知原因：使用ATU測試終端反復(fù)多次自己拉網(wǎng)測試，端到端跟蹤，定位MOS異常問題。neSRVCC需進一步處理！n MOS分析總結(jié)：2G因素占比20%左右，無線環(huán)境占比約35%，其他原因占比45%！自測數(shù)據(jù)分析自測數(shù)據(jù)分析12自

6、測數(shù)據(jù)分析：CDS vs SEQn 自測數(shù)據(jù)分析對比：09月27日在前臺豐臺萬芳橋東南ZLG，選擇中差點（RSRP：-110-115dbm，SINR：510db），使用HTC M8進行VoLTE呼叫測試，每次通話13分鐘，共進行10次呼叫，10次通話的KPI統(tǒng)計如下。13高通QDJ UnderFlow丟包分析通過對比兩者的趨勢，發(fā)現(xiàn)當QDJ打印占比比較高的時候，MOS分較低，兩者呈現(xiàn)負相關(guān)的關(guān)系。將測試LOG中語音包收端收到的RTP包間隔、抖動和QDJ underflow進行統(tǒng)計分析，可以看到，RTP包間隔連續(xù)大于60ms時，QDJ underflow出現(xiàn)的次數(shù)比較多，如下圖。（不考慮靜默包，

7、靜默包間隔160ms）14QDJ underflow原因解析從無線環(huán)境指標看，語音包發(fā)端此時無線環(huán)境差，RSRP在-110以下，上行出現(xiàn)語音包累積，如下圖。導(dǎo)致語音包到收端的時延增大，從而出現(xiàn)QDJ underflow。綜上，QDJ underflow跟時延關(guān)系比較大，影響語音感知。但是從RTP包和PDCP包看，QDJ underflow的包終端側(cè)還是收到了，因此應(yīng)該不算是丟包，只是由于延遲，影響語音質(zhì)量15UE發(fā)射功率影響n 主要發(fā)現(xiàn)：UE發(fā)射功率到23時，平均RSRP為-105dBm；隨著發(fā)射功率上升，MCS逐步下降，下行MCS下降明顯；同時RB逐步抬升，下行RB增加明顯；經(jīng)過和研發(fā)溝通，

8、上行受限時首先抬升功率，然后逐步降低MCS增加RBs；而下行是下降MCS和增加RBs；通過MCS和RB變化程度來看，下行惡化快一些，但是下行MCS降階較快，而上行功率有限且MCS降階較慢，所以先受限16下行時延分析QCI1的下行平均時延C373364100/C373353947C373364100小區(qū)下行QCI1 PDCP SDU時延(毫秒)C373353947小區(qū)下行QCI1 PDCP HARQ成功響應(yīng)的SDU個數(shù)小區(qū)下行QCI1 PDCP SDU時延：本時延是指從eNodeB接收到QCI1 PDCP SDU開始到本SDU的所有分片都得到MAC層HARQ成功反饋時的時間間隔。本計數(shù)器是所有Q

9、CI1 PDCP SDU時延的累計值。小區(qū)下行QCI1 PDCP HARQ成功響應(yīng)的SDU個數(shù)：eNodeB的PDCP SDU被經(jīng)過分片或者串接處理，復(fù)用到TB塊中，通過空口發(fā)送給UE。UE接收到TB塊后，給出一個成功的HARQ反饋。當eNodeB的一個QCI1 PDCP SDU的全部分片復(fù)用的TB塊都得到了HARQ的成功反饋時，本計數(shù)器采樣統(tǒng)計。17后臺指標分析n 主要發(fā)現(xiàn)：宏站時延大于室分下行重傳比例、噪聲、下行丟包率、ta大于9比例、功率余量小于0比例關(guān)聯(lián)度較高。站點類型QCI1的下行平均時延宏站9.06室分7.9318n室外八通道上行MCS遠好于室內(nèi)兩通道：一般場景和高負荷場景為室分兩

10、通道站點，典型熱點場景為宏站；n現(xiàn)網(wǎng)統(tǒng)計：可以看出兩通道天線的上行功率余量、PUSCH SINR以及上行MCS均比8通道天線差，高鐵場景上行功率受限嚴重n廣州測試：可以看出8通道天線的上行速率較2通道提升明顯；場景接通率掉線率底噪UEUE上行功率上行功率余量余量小于小于0 0比例比例PUSCH SINR小于-2占比上行上行MCSMCS下行下行MCSMCS高鐵4通道99.16%0.44%-118.196.89%0.71%6.12 8.82 室外8通道99.75%0.07%-117.96.42%3.99%12.89 8.13 室外2通道99.80%0.08%-117.815.83%7.93%10.

11、82 8.48 室分2通道99.81%0.07%-118.69.70%9.77%10.31 9.12 n后續(xù)擴展研究：進一步分析室內(nèi)、室外兩天線、室外八天線質(zhì)量對比，對于室分站點、室外兩天線、地鐵/高鐵、小站等兩天線場景后續(xù)演進優(yōu)化策略進行研究。二八通道二八通道通道數(shù) (2:2)上行平均吞量 增益 29.8Mbps 65%816.2Mbps UE編號 空擾下行吞吐量(Mbps) 加擾下行吞吐量(Mbps) 2通道 8通道 增益 2通道 8通道 增益 好點 43.7449.7713.79%34.141.9322.96%中點 23.9529.924.84%22.2529.8133.98%差點 8.4811.333.25%4.818.0366.94%19幾個關(guān)鍵因素和丟包有較強關(guān)聯(lián)20MOS分析體系借助于 前臺QXDM+后臺ENB抓包+EMI話單級數(shù)據(jù)精準定位MOS問題;前臺分析來看，MOS差最直接現(xiàn)象