計算機(jī)組裝與維護(hù)第5章教案

1、第5章 存儲器教學(xué)目標(biāo)： (1) 存儲器的類型和作用。 (2) 內(nèi)存、硬盤、光驅(qū)、優(yōu)盤及移動硬盤的選購方法。 (3) 內(nèi)存的識別方法。 (4) 內(nèi)存、硬盤、光驅(qū)的常見故障及其處理方法。 (5) 硬盤的結(jié)構(gòu)及常用技術(shù)。計算機(jī)的存儲器由兩大部份組成內(nèi)存和外存 ，外存主要有硬盤、光盤等。計算機(jī)硬盤(或者是軟盤和CDROM)就像是個文件柜，桌面就相當(dāng)于電腦的內(nèi)存，桌面越大，可以擺放的文件數(shù)量就越多，使用者就不必經(jīng)常打開文件柜抽取或存放文件，這樣它的工作效率也就會提高。同理內(nèi)存越大，計算機(jī)的速度也越快。51 內(nèi)存內(nèi)存的主要作用是用來臨時存放數(shù)據(jù)，再與CPU協(xié)調(diào)工作，從而提高整機(jī)性能。內(nèi)存作為個人計算機(jī)硬

2、件的必要組成部分之一，其地位越來越重要，內(nèi)存的容量與性能已成為衡量計算機(jī)整體性能的一個決定性因素。在內(nèi)存中最小的物理單元是位，從本質(zhì)上來講，位是一個位于某種二值狀態(tài)（通常是0和1）下的電氣單元。八位組成一個字節(jié)，這樣組合的可能有256種（2的8次方）。字節(jié)是內(nèi)存可訪問的最基本單元，每個這樣的組合可代表單獨(dú)的一個數(shù)據(jù)字符或指令。一、內(nèi)存的分類內(nèi)存（Memory）也稱內(nèi)部存儲器或主存，按照內(nèi)存的工作原理主要分為兩類。一、RAM（Random Access Memory）隨機(jī)存取存儲器，用來暫時存放程序和數(shù)據(jù)，其特點是存儲的數(shù)據(jù)在掉電后會丟失。系統(tǒng)運(yùn)行時，首先將指令和數(shù)據(jù)從外部存儲器（外存）中調(diào)入內(nèi)

3、存，CPU再從內(nèi)存中讀取指令和數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算，并將運(yùn)算結(jié)果存入內(nèi)存中。它又分為兩種。1、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM，Dynamic RAM）DRAM主要應(yīng)用在計算機(jī)中的主存儲器中，如內(nèi)存條由此構(gòu)成特點：集成度高，結(jié)構(gòu)簡單，功耗低，生產(chǎn)成本低。2、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM，Static RAM）SRAM主要應(yīng)用在計算機(jī)中的高速小容量存儲器，如CACHE則是由此構(gòu)成特點：結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜，造價高，速度快。二、ROM（Read Only Memory） 只讀存儲器，特點：只能從中讀取信息而不能任意寫入信息。一般用于保存不可更改的數(shù)據(jù)，如BIOS?？煞譃橐韵氯N：.EPROM ：可擦可編程只讀存儲器，

4、芯片上有一個透明窗口。.EEPROM：電可擦可編程只讀存儲器。.閃速存儲器Flash Memory：可以將BIOS存儲在其中，當(dāng)需要時可以利用軟件來自動升級和修改BIOS，較為方便。二、內(nèi)存的物理結(jié)構(gòu)內(nèi)存經(jīng)過了EDO、SDRAM的發(fā)展，現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入DDR的時代。下面就以主流的DDR內(nèi)存來介紹內(nèi)存的物理結(jié)構(gòu)。1、PCB板內(nèi)存條的PCB板多數(shù)都是綠色的。如今的電路板設(shè)計都很精密，所以都采用了多層設(shè)計，例如4層或6層等，所以PCB板實際上是分層的，其內(nèi)部也有金屬的布線。理論上6層PCB板比4層PCB板的電氣性能要好，性能也較穩(wěn)定，所以名牌內(nèi)存多采用6層PCB板制造。因為PCB板制造嚴(yán)密，所以從肉眼上

5、較難分辯PCB板是4層或6層，只能借助一些印在PCB板上的符號或標(biāo)識來斷定。另外和PCB聯(lián)系緊密的名詞就是封裝了。2、金手指這一根根黃色的接觸點是內(nèi)存與主板內(nèi)存槽接觸的部分，數(shù)據(jù)就是靠它們來傳輸?shù)?，通常稱為金手指。金手指是銅質(zhì)導(dǎo)線，使用時間長就可能有氧化的現(xiàn)象，會影響內(nèi)存的正常工作，易發(fā)生無法開機(jī)的故障，所以可以隔一年左右時間用橡皮擦清理一下金手指上的氧化物。 3、內(nèi)存芯片內(nèi)存的芯片就是內(nèi)存的靈魂所在，內(nèi)存的性能、速度、容量都是由內(nèi)存芯片組成的。如今我們市場上有許多種類的內(nèi)存，但內(nèi)存顆粒的型號并不多，常見的有HY、KINGMAX、WINBOND、TOSHIBA、SEC、MT、Apacer等等。

6、不同廠商的內(nèi)存顆粒在速度、性能上也有很多不同。4、內(nèi)存顆?？瘴辉趦?nèi)存條上你可能常看到這樣的空位，這是因為采用的封裝模式預(yù)留了一片內(nèi)存芯片為其它采用這種封裝模式的內(nèi)存條使用。這塊內(nèi)存條就是使用9片裝PCB，預(yù)留ECC校驗?zāi)K位置。5、電容PCB板上必不可少的電子元件就是電容和電阻了，這是為了提高電氣性能的需要。電容采用貼片式電容，因為內(nèi)存條的體積較小，不可能使用直立式電容，但這種貼片式電容性能一點不差，它為提高內(nèi)存條的穩(wěn)定性起了很大作用。6、電阻電阻也是采用貼片式設(shè)計，一般好的內(nèi)存條電阻的分布規(guī)劃也很整齊合理。7、內(nèi)存固定卡缺口內(nèi)存插到主板上后，主板上的內(nèi)存插槽會有兩個夾子牢固的扣住內(nèi)存，這個缺

7、口便是用于固定內(nèi)存用的。8、內(nèi)存腳缺口內(nèi)存的腳上的缺口一是用來防止內(nèi)存插反的（只有一側(cè)有），二是用來區(qū)分不同的內(nèi)存，以前的SDRAM內(nèi)存條是有兩個缺口的，而DDR則只有一個缺口，不能混插。9、SPDSPD是一個八腳的小芯片，它實際上是一個EEPROM可擦寫存貯器，這的容量有256字節(jié)，可以寫入一點信息，這信息中就可以包括內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作狀態(tài)、速度、響應(yīng)時間等，以協(xié)調(diào)計算機(jī)系統(tǒng)更好的工作。從PC100時代開始，PC100規(guī)模中就規(guī)定符合PC100標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存條必須安裝SPD，而且主板也可以從SPD中讀取到內(nèi)存的信息，并按SPD的規(guī)定來使內(nèi)存獲得最佳的工作環(huán)境。另外內(nèi)存條上一般還有芯片標(biāo)志，通常包括廠

8、商名稱、單片容量、芯片類型、工作速度、生產(chǎn)日期等內(nèi)容，其中還可能有電壓、容量系數(shù)和一些廠商的特殊標(biāo)識在里面。芯片標(biāo)志是觀察內(nèi)存條性能參數(shù)的重要依據(jù)。三、常見內(nèi)存條類型 1、EDO內(nèi)存EDO（Extended Data Out RAM,，擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存），可分為30pin和72pin（pin為線），如圖4-7所示，用5V電壓，數(shù)據(jù)寬度為32Bit，奔騰以上數(shù)據(jù)寬度都是64Bit甚至更高，所以EDO RAM在586主板上必須成對使用。2、SDRAM內(nèi)存SDRAM（Synchronous Dynamic RAM，同步動態(tài)內(nèi)存），168pin和144pin（其中144pin用于筆記本），如圖4-8所

9、示，用3.3V電壓，其數(shù)據(jù)寬度為64Bit。其工作原理是將RAM與CPU以相同的頻率進(jìn)行控制，取消了CPU的等待時間提高存取速度。可分為3個階段：.PC-66規(guī)范：主板設(shè)計為4個72pin+2個168pin.PC-100規(guī)范：主板設(shè)計為2-4個168pin.PC-133規(guī)范：主板設(shè)計為2-4個168pin3、DDR RAM內(nèi)存DDR RAM（Double Data Rage RAM，雙倍速率SDRAM），如圖4-9所示，比SDRAM的速度高一倍，工作電壓在2.5V，特點是在時鐘周期內(nèi)的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，為184pin?，F(xiàn)在市場上出現(xiàn)了DDRII內(nèi)存，DDRII的工作電壓由DDR的2

10、.5V下降到了1.8V , 184Pin升級為232Pin ,內(nèi)存總線為64位，現(xiàn)在的初期產(chǎn)品運(yùn)行頻率在DDR400DDR533之間，能達(dá)到秒的帶寬 .4、RDRAMRDRAM（Rambus DRAM,存儲器總線式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器），如圖4-10所示，由Rambus公司和Intel公司推出的一種內(nèi)存規(guī)格，184pin，使用2.5V電壓，根據(jù)速度分600MHz、700MHZ和800MHZ三種，可在單個時鐘內(nèi)的上升沿和下降沿各傳輸數(shù)據(jù)。四、 內(nèi)存的技術(shù)指標(biāo)與Cache一、內(nèi)存的技術(shù)指標(biāo)1、ECC校驗：在奇偶校驗基礎(chǔ)上開發(fā)的校驗，奇偶校驗指為了防止內(nèi)存中的數(shù)據(jù)傳輸中發(fā)生錯誤需要對字節(jié)中的數(shù)據(jù)位進(jìn)行

11、的校驗，可找出一位二進(jìn)制錯誤但不能更正。ECC可糾正一位二進(jìn)制錯誤。SDRAM 內(nèi)存有雙面和單面設(shè)計每一面有8顆或9顆內(nèi)存顆粒。2、內(nèi)存容量：內(nèi)存所存儲數(shù)據(jù)的最大容量。 3、存取時間TAC：存取數(shù)據(jù)時的時間，即存儲器進(jìn)行一次完整的存取操作所需要的時間，單位為納秒。時間越小，速度越快。相應(yīng)在內(nèi)存條上標(biāo)有 -6、-7、-8、-10等字樣。10NS -100MHZ、7NS-142MZH、8NS-133MHZ。（LGS-7 只有10 NS，市面上只有三星的是7NS）4、數(shù)據(jù)寬度內(nèi)存的數(shù)據(jù)寬度是指內(nèi)存同時傳輸數(shù)據(jù)的位數(shù)，以位（bit）為單位。內(nèi)存的帶寬指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率。5存取周期TMC：內(nèi)存的速度用

12、存取周期來表示。讀入和寫出是存儲器的兩個基本操作，它指的是將信息在存儲器和寄存器之間進(jìn)行讀寫。兩次獨(dú)立的存儲操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC，單位為ns(納秒)，這個時間越短，存取速度就越快，也就標(biāo)志著內(nèi)存的性能越好。目前存儲器的存取周期一般為60 ns100 ns6內(nèi)存的電壓早期的FPM內(nèi)存和EDO內(nèi)存均使用5V電壓，SDRAM內(nèi)存一般使用3.3V電壓，現(xiàn)在使用的DDR和Rambus內(nèi)存都是2.5 V電壓。而DDR II內(nèi)存所使用的電壓為1.8V電壓。二、CacheCache（高速緩沖存儲器），Cache速度與CPU相當(dāng)，CPU直接訪問Cache可從計算機(jī)整體提高速度，并具有預(yù)測功能

13、。計算機(jī)中運(yùn)行速度由快到慢為：CPUCPU內(nèi)部L1 CacheCPU內(nèi)部L2 Cache主板上的Cache內(nèi)存硬盤中的Cache（光盤中的Cache）硬盤中的數(shù)據(jù)（光盤中的數(shù)據(jù)）。其存儲量分別為：L1 Cache：16KB-64KB，甚至達(dá)到128KB；L2 Cache：128KB-512KB，甚至達(dá)到8M；主板上Cache：512KB-1MB；硬盤上：128KB-4MB；CDROM：64KB-256KB，甚至達(dá)到512KB。五、內(nèi)存的選購1、看品牌2、看類型3、注意PCB板的質(zhì)量六、內(nèi)存故障及維修1. 內(nèi)存故障分析如果在開機(jī)加電自檢時出現(xiàn)關(guān)于內(nèi)存錯誤的聲音和文字提示信息，或者在系統(tǒng)正常運(yùn)行時

14、隨機(jī)地死機(jī)或無故重啟，都有可能是內(nèi)存故障。就內(nèi)存的硬件故障而言，原因多是內(nèi)存條的印刷電路或存儲芯片損壞，或者主板上的內(nèi)存插槽觸點損壞。2. 內(nèi)存常見故障及維修（1）開機(jī)無顯示（2）WINDOWS經(jīng)常自動進(jìn)入安全模式（3）隨機(jī)性死機(jī)（4）運(yùn)行某引些軟件時出現(xiàn)內(nèi)存不足的提示（5）每次開機(jī)都執(zhí)行3遍內(nèi)存檢測52 硬盤硬盤存儲器簡稱硬盤，是微機(jī)中廣泛使用的外部存儲設(shè)備。它具有比軟盤大得多的存儲容量和快得多的存取速度。硬盤的生產(chǎn)過程是在無塵工廠中進(jìn)行的，磁盤和磁頭全部密封在鐵皮盒子中，因此它在出廠之前其容量就已經(jīng)固定了。由于硬盤密封在金屬盒中，防潮、防霉、防灰塵性能好，如果使用得當(dāng)，硬盤上的數(shù)據(jù)可保存數(shù)

15、年之久?，F(xiàn)在幾乎所有軟件都需要安裝到硬盤上后才能運(yùn)行，如Windows 98/2000、Office 97/2000，這些軟件都很大，沒有硬盤或硬盤容量不夠?qū)o法運(yùn)行。一、硬盤的工作原理和使用的技術(shù)1956 年，美國IBM 公司制造出世界上第一塊容量為5MB 的硬盤（IBM 350 RAMAC），它由50個直徑為24英寸的磁盤所組成。 1968年由IBM 公司提出“溫徹斯特”技術(shù)，1973年IBM公司制造出第一臺采用“溫徹斯特”技術(shù)的硬盤，容量為640MB。現(xiàn)在的硬盤一直在延續(xù)此項技術(shù)?！皽貜厮固亍奔夹g(shù)是指硬盤內(nèi)部是真空的、磁頭懸浮、密封高速旋轉(zhuǎn)、磁頭沿盤片徑向移動。二、硬盤的結(jié)構(gòu)硬盤作為計算

16、機(jī)主要的外部存儲設(shè)備，隨著設(shè)計技術(shù)的不斷更新和廣泛應(yīng)用，不斷朝著容量更大、體積更小、速度更快、性能更可靠、價格更便宜的方向發(fā)展。1、硬盤的外部結(jié)構(gòu)目前,硬盤產(chǎn)品的內(nèi)部盤片直徑有5.25英寸、3.5英寸、2.5英寸和1.8英寸（后兩種常用于筆記本及部分袖珍精密儀器中，現(xiàn)代臺式機(jī)常用3.5英寸）常用的3.5英寸硬盤的整體大小與軟驅(qū)相近，但因厚度不同，其處觀又有所不同。在其外殼上一般會貼上標(biāo)簽，標(biāo)簽上是一些有關(guān)硬盤的信息，如品牌、容量、轉(zhuǎn)速、工作電壓等信息。主要由以下幾部分組成。如圖5-2所示。 電源接口：電源接口與主機(jī)電源相連，作用是為硬盤正常工作提供電力保證。 數(shù)據(jù)接口：數(shù)據(jù)接口是硬盤數(shù)據(jù)和主板

17、控制器之間進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸交換的紐帶，根據(jù)連接方式的差異，分為IDE接口、SCSI接口和SATA接口。 跳線插針：在硬盤電源接口旁有一個8針或9針的跳線，是用來設(shè)置硬盤的主從。 密封式金屬外殼：主要是為了防止灰塵進(jìn)入硬盤內(nèi)，因硬盤屬高精密的設(shè)備，一旦灰塵進(jìn)入硬盤，會將盤片劃傷，破壞磁道，重則磁頭損壞使硬盤報廢。 邏輯電路板：安裝在盤體的下方，上面裸露著控制芯片、電阻等電子元件，有利于散熱。散熱對硬盤的穩(wěn)定運(yùn)行非常重要。2、硬盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 硬盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu)由磁頭組件、磁頭驅(qū)動機(jī)構(gòu)、盤片及主軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)、前置讀寫控制電路等幾大部分組成，而磁頭組件（Hard Disk Assembly，HAD）是構(gòu)成硬盤的

18、核心，封裝在硬盤的凈化腔體內(nèi)。 磁頭組件：浮動磁頭組件由讀寫磁頭、傳動手臂、傳動軸三部分組成。磁頭是硬盤技術(shù)中最重要和關(guān)鍵的一環(huán)，一塊硬盤數(shù)據(jù)的讀取和保存均依靠磁頭來完成，保存數(shù)據(jù)時相當(dāng)于“筆尖”，而讀取數(shù)據(jù)時又相當(dāng)于“吸塵器”，加電后磁頭在磁盤表面高速旋轉(zhuǎn)，與盤片之間的間隙只有0.10.3um，這樣可以獲得很好的數(shù)據(jù)傳輸率?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)速為7200RPM的硬盤飛起的高度一般都低于0.3um，以利于讀取較大的高信噪比信號，提供數(shù)據(jù)傳輸率的可靠性。 磁頭驅(qū)動機(jī)構(gòu)：磁頭驅(qū)動機(jī)構(gòu)由音圈電機(jī)和磁頭驅(qū)動小車組成，新型大容量硬盤還具有高效的防震動機(jī)構(gòu)。高精度的輕型磁頭驅(qū)動機(jī)構(gòu)能夠?qū)Υ蓬^進(jìn)行正確的驅(qū)動和定位，并在

19、很短的時間內(nèi)精確定位到指令指定的磁道，保證數(shù)據(jù)讀寫的可靠性。磁頭機(jī)構(gòu)的電機(jī)有步進(jìn)電機(jī)、力矩電機(jī)和音圈電機(jī)三種，前兩種應(yīng)用在低容量硬盤中，現(xiàn)已被淘汰，大容量硬盤多采用音圈電機(jī)驅(qū)動。音圈是中間插有與磁頭相連的磁棒的線圈，當(dāng)電流通過線圈時，磁棒就會發(fā)生位移，進(jìn)而驅(qū)動裝載磁頭的小車，并根據(jù)控制器在盤面上磁頭位置的信息編碼來得到磁頭移動的距離，達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的。音圈電機(jī)是密封型的控制系統(tǒng)，能夠自動調(diào)整，其速度比早期的驅(qū)動電機(jī)的速度要快且安全系數(shù)高。 盤片和主軸組件：盤片是硬盤存儲數(shù)據(jù)的載體，現(xiàn)在的盤片大都采用多屬薄膜磁盤，這種金屬薄膜磁盤與軟磁盤的不連續(xù)料載體相比，具有更高的記錄密度。主軸組件包括軸瓦

20、和驅(qū)動電機(jī)等。隨著硬盤容量的擴(kuò)大，主軸電機(jī)的速度也在不斷提升，導(dǎo)致了傳統(tǒng)滾珠軸承電機(jī)磨損加劇、溫度升高、噪聲增大的弊病，對速度的提高帶來了負(fù)面影響。因而生產(chǎn)廠商開始采用精密機(jī)械工業(yè)的液態(tài)軸承電機(jī)（Fluid dynamic bearing motor）技術(shù)，液態(tài)軸承電機(jī)使用黏膜液油軸承，以油膜代替滾珠可以避免金屬面的直接磨擦，噪聲和溫度減小到最低。而油膜具有有效吸收震動的能力，可以提高主軸部件的抗震能力。從理論上講，液態(tài)軸承電機(jī)無磨損，壽命無限長，是目前超高速硬盤的發(fā)展趨勢。 前置控制電路：前置控制電路控制磁頭感應(yīng)的信號、主軸電機(jī)調(diào)速、磁頭驅(qū)動和伺服定位等。由于磁頭讀取的信號微弱，所以，將放大

21、電路密封在腔體內(nèi)可減少外來信號的干擾和提高操作指令的準(zhǔn)確性。三、硬盤的性能指標(biāo)1、硬盤的轉(zhuǎn)速硬盤的馬達(dá)直接快定了硬盤的轉(zhuǎn)速。理論上講，硬盤的轉(zhuǎn)速越快越好，因為較高的硬盤轉(zhuǎn)速可以極大地縮短硬盤的平均尋道時間和實際讀寫時間。但是，硬盤的高轉(zhuǎn)速給硬盤的負(fù)面影響就是轉(zhuǎn)速越快，硬盤表面的發(fā)熱量越大，如果再加上機(jī)箱散熱不佳和其它周邊散熱過多的原因，很可能造成機(jī)器運(yùn)行不穩(wěn)定。也正是這個原因，目前市場上絕大多數(shù)筆記本電腦中的專用硬盤，其轉(zhuǎn)速一般都不會超過4500RPM（r/min）。2、平均尋道時間(Average Seek Time)磁頭首先要找到數(shù)據(jù)所在的磁道，這一定位時間的平均值叫平均尋道時間。單位為m

22、s(毫秒)。這一指標(biāo)的含義是指硬盤接到讀/寫指令后到磁頭移到指定的磁道(應(yīng)該是柱面，但對于具體磁頭來說就是磁道)上方所需要的平均時間。除了平均尋道時間外，還有道間尋道時間(Track to Track或Cylinder Switch Time)與全程尋道時間(Full Track或Full Stroke)，前者是指磁頭從當(dāng)前磁道上方移至相鄰磁道上方所需的時間，后者是指磁頭從最外(或最內(nèi))圈磁道上方移至最內(nèi)(或最外)圈磁道上方所需的時間，基本上比平均尋道時間多一倍。出于實際的工作情況，我們一般只關(guān)心平均尋道時間。 3、平均潛伏期（Average Latency）這一指標(biāo)是指當(dāng)磁頭移動到指定磁道后

23、，要等多長時間指定的讀/寫扇區(qū)會移動到磁頭下方（盤片是旋轉(zhuǎn)的），盤片轉(zhuǎn)得越快，潛伏期越短。平均潛伏期是指磁盤轉(zhuǎn)動半圈所用的時間。顯然，同一轉(zhuǎn)速的硬盤的平均潛伏期是固定的。7200RPM時約為4.167ms，5400RPM時約為5.556ms。4、 平均訪問時間（Average Access Time）：又稱平均存取時間，一般在廠商公布的規(guī)格中不會提供，這一般是測試成績中的一項，其含義是指從讀/寫指令發(fā)出到第一筆數(shù)據(jù)讀/寫時所用的平均時間，包括了平均尋道時間、平均潛伏期與相關(guān)的內(nèi)務(wù)操作時間（如指令處理），由于內(nèi)務(wù)操作時間一般很短（一般在0.2ms左右），可忽略不計，所以平均訪問時間可近似等于平均

24、尋道時間+平均潛伏期，因而又稱平均尋址時間。如果一個5400RPM硬盤的平均尋道時間是9ms，那么理論上它的平均訪問時間就是14.556ms。5、數(shù)據(jù)傳輸率(DTR，Data Transfer Rate)單位為MB/s(兆字節(jié)每秒，又稱MBPS)或Mbits/s(兆位每秒，又稱Mbps)。DTR分為最大(Maximum)與持續(xù)(Sustained)兩個指標(biāo)，根據(jù)數(shù)據(jù)交接方的不同又分外部與內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率。內(nèi)部DTR是指磁頭與緩沖區(qū)之間的數(shù)據(jù)傳輸率，外部DTR是指緩沖區(qū)與主機(jī)(即內(nèi)存)之間的數(shù)據(jù)傳輸率。外部DTR上限取決于硬盤的接口，目前流行的Ultra ATA-100接口即代表外部DTR最高理論

25、值可達(dá)100MB/s，持續(xù)DTR則要看內(nèi)部持續(xù)DTR的水平。內(nèi)部DTR則是硬盤的真正數(shù)據(jù)傳輸能力，為充分發(fā)揮內(nèi)部DTR，外部DTR理論值都會比內(nèi)部DTR高，但內(nèi)部DTR決定了外部DTR的實際表現(xiàn)。由于磁盤中最外圈的磁道最長，可以讓磁頭在單位時間內(nèi)比內(nèi)圈的磁道劃過更多的扇區(qū)，所以磁頭在最外圈時內(nèi)部DTR最大，在最內(nèi)圈時內(nèi)部DTR最小。 6、 緩沖區(qū)容量（Buffer Size）：很多人也稱之為緩存（Cache）容量，單位為MB。在一些廠商資料中還被寫作Cache Buffer。緩沖區(qū)的基本要作用是平衡內(nèi)部與外部的DTR。為了減少主機(jī)的等待時間，硬盤會將讀取的資料先存入緩沖區(qū)，等全部讀完或緩沖區(qū)填

26、滿后再以接口速率快速向主機(jī)發(fā)送。四、硬盤常見故障及維修1. 硬盤故障簡介 硬盤故障有物理故障(即硬件故障)和邏輯故障(即軟件故障)兩大類型。硬件故障最常見的是可以識別和驅(qū)動，但磁盤出現(xiàn)壞扇區(qū)甚至某個磁頭損壞，或者控制器的某個元件燒壞以至于系統(tǒng)無法識別和驅(qū)動硬盤等。隨著硬盤制造技術(shù)的提高，硬件故障越來越少，而隨著硬盤容量的增大，軟件系統(tǒng)的日趨復(fù)雜，軟件故障變得五花八門，常見的表現(xiàn)是不能引導(dǎo)系統(tǒng)或某個應(yīng)用程序不能正常運(yùn)行等。2. 硬盤常見故障及處理（1）在開機(jī)后發(fā)現(xiàn)物理硬盤丟失（2）系統(tǒng)自檢時提示硬盤硬件故障（3）不能正常引導(dǎo)操作系統(tǒng)（4）不能正常運(yùn)行某些應(yīng)用軟件（5）感染病毒（6）重做系統(tǒng)53

27、光盤和光驅(qū)根據(jù)光盤存儲技術(shù)的不同光盤驅(qū)動器可分為以下幾種：CD-ROM（只讀光盤驅(qū)動器）、CD-R（可寫光盤驅(qū)動器）、CD-R/W（可擦寫光盤驅(qū)動器）、DVD-ROM（DVD只讀光盤驅(qū)動器）和DVD-RAM（可反復(fù)擦寫DVD光盤存儲器）等其中的CD-ROM已經(jīng)成為電腦系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)配件。一、光盤驅(qū)動器工作原理工作原理是數(shù)據(jù)通過刻錄設(shè)備在盤面上刻出一個信號凹坑，再在光盤的另一面涂上反光材料，CD-ROM的激光頭發(fā)出光束照到平地方和凹地方所反射回的信號不同，CD-ROM上的光敏元件根據(jù)反射信號的有無或強(qiáng)弱來記錄0和1完成數(shù)據(jù)的輸入。二、光驅(qū)的控制面板1、光驅(qū)的前面板 耳機(jī)插孔可連接音箱或耳機(jī)，可輸出A

28、udio CD音樂。 音量旋鈕調(diào)音樂音量大小。 指示燈光驅(qū)的運(yùn)行狀態(tài)。 緊急出盒孔電或其它非正常狀態(tài)下打開光盤托架。 打開/關(guān)閉/停止鍵光盤進(jìn)出盒和停止Audio CD播放。 播放/跳道鍵面板上控制播放Audio CD。 光盤托架用于放置光盤。2、光驅(qū)的后面板 電源插座連接電源線，給光驅(qū)供電設(shè)。 數(shù)據(jù)線插座連接數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)可以由此傳輸給主板。 主從跳線用于區(qū)分光驅(qū)是主盤還是從盤的跳線。 數(shù)字音頻輸出連接口用于連接數(shù)據(jù)音頻線。 模擬音頻輸出連接口用于連接模擬音頻線。三、光驅(qū)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)1、底部結(jié)構(gòu)：光驅(qū)底部固定著機(jī)芯電路板，它包括了伺服系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等主要的電路組成部分。2、機(jī)芯結(jié)構(gòu)：（1）激光頭

29、組件：包括光電管、聚焦透鏡等組成部分，配合運(yùn)行齒輪機(jī)構(gòu)和導(dǎo)軌等機(jī)械組成部分，在通電狀態(tài)下根據(jù)系統(tǒng)信號確定、讀取光盤數(shù)據(jù)并通過數(shù)據(jù)帶將數(shù)據(jù)傳輸?shù)较到y(tǒng)。（2）主軸馬達(dá)：光盤運(yùn)行的驅(qū)動力，在光盤讀取過程的高速運(yùn)行中提供快速的數(shù)據(jù)定位功能。（3）光盤托架：在開啟和關(guān)閉狀態(tài)下的光盤承載體。（4）啟動機(jī)構(gòu)：控制光盤托架的進(jìn)出和主軸馬達(dá)的啟動，加電運(yùn)行時啟動機(jī)構(gòu)將使包括主軸馬達(dá)和激光頭組件的伺服機(jī)構(gòu)都處于半加載狀態(tài)中。四、光驅(qū)的性能指標(biāo)1、數(shù)據(jù)傳輸率表明光驅(qū)從光盤上讀取數(shù)據(jù)的快慢。單速是指最初的光驅(qū)讀取速率150KB/S倍速指是最初光驅(qū)讀取速率的多少倍的讀取速率的光驅(qū)。如4X其傳輸率為600KB/S2、平均

30、讀取時間（Average Seek Time) 是指CD-ROM從光頭定位到開始讀盤的時間，一般是越小越好。不易超過95ms。 3、緩存（CACHE或BUFFER MEMORY表示）作用是提供一個數(shù)據(jù)的緩沖區(qū)域，將讀取的數(shù)據(jù)暫時保存，然后一次性進(jìn)行傳輸和轉(zhuǎn)換。CACHE一般最少要有128K，現(xiàn)在的光驅(qū)一般是256K或者512K的。緩存是越大越好。4、光驅(qū)的容錯性能是指光驅(qū)讀取質(zhì)量不太好的光盤的能力，容錯性能越強(qiáng)，光驅(qū)能讀的“爛盤”越多。5、光驅(qū)的讀取方式 恒定線速度（CLV）CLV（Constant Linear Velocity,恒定線速度）,讀取光盤內(nèi)圈和外圈數(shù)據(jù)時，光驅(qū)馬達(dá)的轉(zhuǎn)速是不同，

31、讀出的數(shù)據(jù)傳輸率保持不變。是12X以下普遍采用的技術(shù)。優(yōu)點：光驅(qū)讀取性能穩(wěn)定、容錯性能比較高； 缺點：浪費(fèi)了主軸的工作效率（讀取外圈時降低馬達(dá)速轉(zhuǎn)） 恒定角速度（CAV）CAV（Constant Angular Velocity,恒定角速度）,保持光驅(qū)馬達(dá)轉(zhuǎn)速恒定，其數(shù)據(jù)傳輸率是可變的。是20X以上普遍采用的技術(shù)。優(yōu)點：讀盤速度不斷提高；避免太多加速或減速控制，可減少發(fā)熱量。缺點：容錯性能有所下降。 部分恒定角速度（PCAV）當(dāng)激光頭讀不出數(shù)據(jù)時，主軸速度降低一半，如果再讀不出來，再降低一半，如此反復(fù)，直到讀取數(shù)據(jù)為止。是現(xiàn)在普遍采用的技術(shù)。優(yōu)點：即提高了速度，又兼顧了容錯性能。6、接口類型兩種接口：IDE和SCSI。一般的用戶應(yīng)該都是IDE口的，SCSI接口的光驅(qū)必須配用SCSI接