廣東工業(yè)大學(xué)電磁場(chǎng)與電磁波48學(xué)時(shí)總復(fù)習(xí)2014

1、第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波1第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波2 第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波3要求： 1、掌握三種坐標(biāo)的建立 2、能寫(xiě)出三種坐標(biāo)的梯度、散度和旋度，以及三度的性質(zhì)。 3、掌握散度定理和斯托克斯定理。第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波41 三種常用的正交曲線(xiàn)坐標(biāo)系三種常用的正交曲線(xiàn)坐標(biāo)系 在電磁場(chǎng)與波理論中，在電磁場(chǎng)與波理論中，三種常用的正交曲線(xiàn)坐標(biāo)系為：三種常用的正交曲線(xiàn)坐標(biāo)系為：直角直角坐坐標(biāo)系、圓柱坐標(biāo)系和球坐標(biāo)系標(biāo)系、圓柱坐標(biāo)系和球坐標(biāo)系。1. 直角坐標(biāo)系直角坐標(biāo)系 zeyexerzyx位置矢量位置矢量線(xiàn)元矢量線(xiàn)元矢量zeyexelzyxdddd體

2、積元體積元zyxVdddd坐標(biāo)變量坐標(biāo)變量zyx,坐標(biāo)單位矢量坐標(biāo)單位矢量zyxeee,點(diǎn)點(diǎn)P(x0,y0,z0)0yy（平面）（平面） o x y z0 xx（平面）（平面）0zz（平面（平面）P 直角坐標(biāo)系直角坐標(biāo)系 xezeye 1 1 1321hhh，拉梅系數(shù)：第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波52. 圓柱坐標(biāo)系圓柱坐標(biāo)系z(mì),坐標(biāo)變量坐標(biāo)變量zeee,坐標(biāo)單位矢量坐標(biāo)單位矢量zeeelzdddd線(xiàn)元矢量線(xiàn)元矢量zVdddd體積元體積元圓柱坐標(biāo)系中的線(xiàn)元、面元和體積元圓柱坐標(biāo)系中的線(xiàn)元、面元和體積元圓柱坐標(biāo)系圓柱坐標(biāo)系0（半平面半平面）0（圓柱面圓柱面）0zz （平面平面）),(000

3、zP 1 1321hhh，拉梅系數(shù)：第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波63. 球坐標(biāo)系球坐標(biāo)系, r坐標(biāo)變量坐標(biāo)變量eeer,坐標(biāo)單位矢量坐標(biāo)單位矢量dsindddrererelr線(xiàn)元矢量線(xiàn)元矢量dddsind2rrV 體積元體積元球坐標(biāo)系中的線(xiàn)元、面元和體積元球坐標(biāo)系中的線(xiàn)元、面元和體積元球坐標(biāo)系球坐標(biāo)系0（半平面半平面）0（圓錐面圓錐面）0rr （球面球面）),(000rP sin 1321 rhrhh，拉梅系數(shù)：第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波7梯度的表達(dá)式梯度的表達(dá)式：zueueueuz1圓柱坐標(biāo)系圓柱坐標(biāo)系 ureurerueursin11球坐標(biāo)系球坐標(biāo)系z(mì)ueyuexueuz

4、yx直角坐標(biāo)系直角坐標(biāo)系 1. 標(biāo)量場(chǎng)的梯度標(biāo)量場(chǎng)的梯度（ 或或 ）graduu意義意義：描述標(biāo)量描述標(biāo)量場(chǎng)在某點(diǎn)的最大變化率及其變化最大的方向場(chǎng)在某點(diǎn)的最大變化率及其變化最大的方向概念概念： ，其中其中 取得最大值的方向取得最大值的方向max|luuel luel123123112233()uuueeeh uh uh u、 、2 三種坐標(biāo)系的三度三種坐標(biāo)系的三度第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波8圓柱坐標(biāo)系圓柱坐標(biāo)系)(sin1)(sinsin1)(122FrFrFrrrFrzFFFFz)(球坐標(biāo)系球坐標(biāo)系z(mì)FyFxFFzyx直角坐標(biāo)系直角坐標(biāo)系2 2、散度的表達(dá)式、散度的表達(dá)式：3213

5、231213213211FhhuFhhuFhhuhhhF第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波9yFxFexFzFezFyFeFxyzzxyyzx3 3、旋度的計(jì)算公式、旋度的計(jì)算公式: :zzFFFzeeeF1FrrFFrerererFrrsinsinsin12 直角坐標(biāo)系直角坐標(biāo)系 圓柱坐標(biāo)系圓柱坐標(biāo)系 球坐標(biāo)系球坐標(biāo)系z(mì)yxzyxFFFzyxeee第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波10332211321332211321 1FhFhFhuuuehehehhhhF旋度的通式：第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波111. 散度定理（高斯定理）散度定理（高斯定理）VSVFSFdd體積的剖分體積

6、的剖分VS1S2en2en1S 從散度的定義出發(fā)，可從散度的定義出發(fā)，可以得到矢量場(chǎng)在空間任意閉以得到矢量場(chǎng)在空間任意閉合曲面的通量等于該閉合曲合曲面的通量等于該閉合曲面所包含體積中矢量場(chǎng)的散面所包含體積中矢量場(chǎng)的散度的體積分，即度的體積分，即 散度定理是閉合曲面積分與體積分之間的一個(gè)變換關(guān)系，散度定理是閉合曲面積分與體積分之間的一個(gè)變換關(guān)系，在電磁理論中有著廣泛的應(yīng)用。在電磁理論中有著廣泛的應(yīng)用。3 兩定理兩定理第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波12SCSFlFdd2. 斯托克斯定理斯托克斯定理 斯托克斯斯托克斯定理是閉合曲線(xiàn)定理是閉合曲線(xiàn)積分與曲面積分之間的一個(gè)變積分與曲面積分之間的一個(gè)

7、變換關(guān)系式，也在電磁理論中有換關(guān)系式，也在電磁理論中有廣泛的應(yīng)用。廣泛的應(yīng)用。曲面的曲面的剖分剖分方向相反大小方向相反大小相等結(jié)果抵消相等結(jié)果抵消 從旋度的定義出發(fā)，可以得到矢量場(chǎng)沿任意閉合曲線(xiàn)的環(huán)從旋度的定義出發(fā)，可以得到矢量場(chǎng)沿任意閉合曲線(xiàn)的環(huán)流等于矢量場(chǎng)的旋度在該閉合曲線(xiàn)所圍的曲面的通量，即流等于矢量場(chǎng)的旋度在該閉合曲線(xiàn)所圍的曲面的通量，即第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波13 第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波14要求掌握：要求掌握： 1 1、電流密度矢量、電荷守恒定律（電流連續(xù)性方程）的積、電流密度矢量、電荷守恒定律（電流連續(xù)性方程）的積分和微分形式。分和微分形式。 2 2、靜電

8、場(chǎng)的高斯定理和環(huán)路定理的積分和微分形式（散度、靜電場(chǎng)的高斯定理和環(huán)路定理的積分和微分形式（散度和旋度）和旋度）. . 3 3、靜磁場(chǎng)的高斯定理和環(huán)路定理的積分和微分形式（散度、靜磁場(chǎng)的高斯定理和環(huán)路定理的積分和微分形式（散度和旋度）和旋度）. . 4 4、媒質(zhì)的電磁特性：極化、磁化和導(dǎo)電的物理量。、媒質(zhì)的電磁特性：極化、磁化和導(dǎo)電的物理量。 5 5、電磁感應(yīng)定律和位移電流。、電磁感應(yīng)定律和位移電流。 6 6、麥克斯韋方程組和本構(gòu)關(guān)系麥克斯韋方程組和本構(gòu)關(guān)系 7、電磁場(chǎng)的邊界條件、電磁場(chǎng)的邊界條件注：注： 例例2.4.1、例、例2.4.2、例、例2.4.3、例、例2.5.3 例例2.5.4 例例

9、2.7.1及補(bǔ)充作業(yè)要求掌握及補(bǔ)充作業(yè)要求掌握.第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波152.1 電荷守恒定律（電流連續(xù)性方程）電荷守恒定律（電流連續(xù)性方程）電荷守恒定律電荷守恒定律:電荷既不能被創(chuàng)造，也不能被消滅，只能從物體電荷既不能被創(chuàng)造，也不能被消滅，只能從物體 的一部分轉(zhuǎn)移到另一部分，或者從一個(gè)物體轉(zhuǎn)移的一部分轉(zhuǎn)移到另一部分，或者從一個(gè)物體轉(zhuǎn)移 到另一個(gè)物體。到另一個(gè)物體。電流連續(xù)性方程電流連續(xù)性方程積分形式積分形式微分形式微分形式流出閉曲面流出閉曲面S 的電流的電流等于體積等于體積V 內(nèi)單位時(shí)內(nèi)單位時(shí)間所減少的電荷量間所減少的電荷量恒定電流的連續(xù)性方程恒定電流的連續(xù)性方程0t恒定電流是

10、無(wú)源場(chǎng)，電恒定電流是無(wú)源場(chǎng)，電流線(xiàn)是連續(xù)的閉合曲線(xiàn)，流線(xiàn)是連續(xù)的閉合曲線(xiàn)，既無(wú)起點(diǎn)也無(wú)終點(diǎn)既無(wú)起點(diǎn)也無(wú)終點(diǎn)電荷守恒定律是電磁現(xiàn)象中的基本定律之一。電荷守恒定律是電磁現(xiàn)象中的基本定律之一。VSVttqSJddddddtJ0dSSJ、0 J第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波162.2 靜電場(chǎng)的散度與旋度靜電場(chǎng)的散度與旋度 VSVrSrE)d(1d)(0高斯定理表明高斯定理表明：靜電場(chǎng)是有源場(chǎng)，電力線(xiàn)起始于正電荷，終止靜電場(chǎng)是有源場(chǎng)，電力線(xiàn)起始于正電荷，終止 于負(fù)電荷。于負(fù)電荷。靜電場(chǎng)的散度靜電場(chǎng)的散度（微分形式）（微分形式）1. 靜電場(chǎng)散度與高斯定理靜電場(chǎng)散度與高斯定理靜電場(chǎng)的高斯定理靜電場(chǎng)的高

11、斯定理（積分形式）（積分形式）( )0E r 環(huán)路定理表明環(huán)路定理表明：靜電場(chǎng)是無(wú)旋場(chǎng)，是保守場(chǎng)，電場(chǎng)力做功與路徑靜電場(chǎng)是無(wú)旋場(chǎng)，是保守場(chǎng)，電場(chǎng)力做功與路徑 無(wú)關(guān)。無(wú)關(guān)。靜電場(chǎng)的旋度靜電場(chǎng)的旋度（微分形式）（微分形式）2. 靜電場(chǎng)旋度與環(huán)路定理靜電場(chǎng)旋度與環(huán)路定理靜電場(chǎng)的環(huán)路定理靜電場(chǎng)的環(huán)路定理（積分形式）（積分形式）0d)(ClrE0)()(rrE 不要求推導(dǎo)過(guò)程，不要求推導(dǎo)過(guò)程，要求掌握性質(zhì)和應(yīng)用要求掌握性質(zhì)和應(yīng)用第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波17 例例2.2.2 求真空中均勻帶電球體的場(chǎng)強(qiáng)分布。已知球體半徑求真空中均勻帶電球體的場(chǎng)強(qiáng)分布。已知球體半徑為為a ，電，電 荷密度為荷密度

12、為 0 。 解解：（1）電荷分布具有球?qū)Γ╇姾煞植季哂星驅(qū)ΨQ(chēng)性，其場(chǎng)也有球?qū)ΨQ(chēng)性，建立稱(chēng)性，其場(chǎng)也有球?qū)ΨQ(chēng)性，建立球坐標(biāo)系。如圖取同心球面為高球坐標(biāo)系。如圖取同心球面為高斯面，根據(jù)高斯定理得：斯面，根據(jù)高斯定理得：球外某球外某點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)0300341daqSESar0rrEa20303raE第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波18（2）求球體內(nèi)一點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)）求球體內(nèi)一點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)VSEVSd1d0023001443r Er003rE （r a）由由ar0rrEa30203raEer003rrEe（r a）故：第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波192.3 恒定磁場(chǎng)的散度和旋度恒定磁場(chǎng)的散度和旋

13、度 )()(0rJrBISrJlrBSC00d)(d)(1.1. 恒定磁場(chǎng)的散度與磁通連續(xù)性原理恒定磁場(chǎng)的散度與磁通連續(xù)性原理磁通連續(xù)性原理磁通連續(xù)性原理表明表明：恒定磁場(chǎng)是無(wú)源場(chǎng)，磁感應(yīng)線(xiàn)是無(wú)起點(diǎn)和恒定磁場(chǎng)是無(wú)源場(chǎng)，磁感應(yīng)線(xiàn)是無(wú)起點(diǎn)和 終點(diǎn)的閉合曲線(xiàn)。終點(diǎn)的閉合曲線(xiàn)。恒定場(chǎng)的散度恒定場(chǎng)的散度（微分形式）（微分形式）磁通連續(xù)性原理磁通連續(xù)性原理（積分形式）（積分形式）安培環(huán)路定理表明安培環(huán)路定理表明：恒定磁場(chǎng)是有旋場(chǎng)，是非保守場(chǎng)、電流是磁恒定磁場(chǎng)是有旋場(chǎng)，是非保守場(chǎng)、電流是磁 場(chǎng)的旋渦源。場(chǎng)的旋渦源。恒定磁場(chǎng)的旋度恒定磁場(chǎng)的旋度（微分形式）（微分形式）2. 恒定磁場(chǎng)的旋度與安培環(huán)路定理恒定磁場(chǎng)

14、的旋度與安培環(huán)路定理安培環(huán)路定理安培環(huán)路定理（積分形式）（積分形式）0d)(SSrB0)(rB 不要求推導(dǎo)過(guò)程，不要求推導(dǎo)過(guò)程，性質(zhì)和應(yīng)用要掌握性質(zhì)和應(yīng)用要掌握第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波20 在磁場(chǎng)分布具有一定對(duì)稱(chēng)性的情況下，可以利用安培環(huán)路在磁場(chǎng)分布具有一定對(duì)稱(chēng)性的情況下，可以利用安培環(huán)路定理計(jì)算磁感應(yīng)強(qiáng)度。定理計(jì)算磁感應(yīng)強(qiáng)度。 3. 利用安培環(huán)路定理計(jì)算磁感應(yīng)強(qiáng)度利用安培環(huán)路定理計(jì)算磁感應(yīng)強(qiáng)度第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波21 解解 分析知場(chǎng)分布具有軸對(duì)稱(chēng)性，選用圓柱坐標(biāo)系，則分析知場(chǎng)分布具有軸對(duì)稱(chēng)性，選用圓柱坐標(biāo)系，則()Be B應(yīng)用安培環(huán)路定理，得應(yīng)用安培環(huán)路定理，得2

15、1022IBa例例2.3.3 求載流無(wú)限長(zhǎng)同軸電纜產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度。求載流無(wú)限長(zhǎng)同軸電纜產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度。(1) 0a22122IIIaa取安培環(huán)路取安培環(huán)路 ，交鏈的電流為，交鏈的電流為()a0122IBea abcII第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波22(3) bc應(yīng)用安培環(huán)路定理，得應(yīng)用安培環(huán)路定理，得220322()2I cBcb(4) c(2) ab202 BI222232222bcIIIIcbcb40I 2203222I cBecb022IBe40B acb02Ib02IaO第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波232.4 媒質(zhì)的電磁特性媒質(zhì)的電磁特性 媒質(zhì)對(duì)電磁場(chǎng)的響應(yīng)可分為三

16、種情況：媒質(zhì)對(duì)電磁場(chǎng)的響應(yīng)可分為三種情況：極化極化、磁化磁化和和傳導(dǎo)傳導(dǎo)。 描述媒質(zhì)電磁特性的參數(shù)為：描述媒質(zhì)電磁特性的參數(shù)為：電容率（介電常數(shù)）電容率（介電常數(shù)）、磁導(dǎo)率磁導(dǎo)率 和和電導(dǎo)率電導(dǎo)率。一、一、 電介質(zhì)的極化及其極化的物理量電介質(zhì)的極化及其極化的物理量1、極化強(qiáng)度矢量極化強(qiáng)度矢量)mC(2P2. 極化電荷體密度極化電荷體密度3. 電位移矢量電位移矢量 介質(zhì)中的高斯定理介質(zhì)中的高斯定理4. 電介質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系電介質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系PP 第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波24PED0任意閉合曲面電位移矢任意閉合曲面電位移矢量量 D 的通量等于該曲面的通量等于該曲面包含自由電荷的代數(shù)和包含自由

17、電荷的代數(shù)和 小結(jié)小結(jié)：靜電場(chǎng)是有源無(wú)旋場(chǎng)，電介質(zhì)中的基本方程為：靜電場(chǎng)是有源無(wú)旋場(chǎng)，電介質(zhì)中的基本方程為 0EP引入電位移矢量（單位：引入電位移矢量（單位：C/m2 ) )pP 將極化電荷體密度表達(dá)式將極化電荷體密度表達(dá)式 代入代入 ，有，有0PED則有則有 VSVSDdd其積分形式為其積分形式為 0DE （微分形式），（微分形式）， （積分形式）（積分形式） 0dddCVSlEVSD第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波25二、二、 磁介質(zhì)的磁化及其磁化的物理量磁介質(zhì)的磁化及其磁化的物理量1、磁化強(qiáng)度矢量、磁化強(qiáng)度矢量2. 磁化電流密度矢量磁化電流密度矢量3. 磁場(chǎng)強(qiáng)度矢量磁場(chǎng)強(qiáng)度矢量 介質(zhì)

18、中的安培環(huán)路定理介質(zhì)中的安培環(huán)路定理4. 磁介質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系磁介質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系HMmmm0limVpMnpVMJMMBH0定義磁場(chǎng)強(qiáng)度定義磁場(chǎng)強(qiáng)度 為：為：H（積分形式）（積分形式） （微分形式）（微分形式）0)()()(rBrJrH0d)(d)(d)(SSCSrBSrJlrH第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波26無(wú)極分子無(wú)極分子有極分子有極分子有外加電場(chǎng)有外加電場(chǎng)EPP 外加磁場(chǎng)外加磁場(chǎng)BMJMmm0limVpMnpV0limiVpPnpV第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波27三、媒質(zhì)的傳導(dǎo)特性三、媒質(zhì)的傳導(dǎo)特性 對(duì)于線(xiàn)性和各向同性導(dǎo)電媒質(zhì)，媒質(zhì)內(nèi)任一點(diǎn)的電流密度矢對(duì)于線(xiàn)性和各向同性導(dǎo)電媒質(zhì)

19、，媒質(zhì)內(nèi)任一點(diǎn)的電流密度矢量量 J 和電場(chǎng)強(qiáng)度和電場(chǎng)強(qiáng)度 E 成正比，表示為成正比，表示為EJ這就是歐姆定律的微分形式。式中的比例系數(shù)這就是歐姆定律的微分形式。式中的比例系數(shù) 稱(chēng)為媒質(zhì)的電稱(chēng)為媒質(zhì)的電導(dǎo)率，單位是導(dǎo)率，單位是S/m（西門(mén)子（西門(mén)子/米米=1/歐姆歐姆米）。米）。晶格晶格帶電粒子帶電粒子 存在可以自由移動(dòng)帶電粒子的介質(zhì)稱(chēng)為存在可以自由移動(dòng)帶電粒子的介質(zhì)稱(chēng)為導(dǎo)電媒質(zhì)導(dǎo)電媒質(zhì)。在外場(chǎng)作。在外場(chǎng)作用下，導(dǎo)電媒質(zhì)中將形成定向移動(dòng)電流。用下，導(dǎo)電媒質(zhì)中將形成定向移動(dòng)電流。 第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波282.5 麥克斯韋方程組的積分形式和微分形式麥克斯韋方程組的積分形式和微分形式V

20、SVSJddSVSCSCSdVSDSBStBlEStDJlHd0dddd)(dDBtBEtDJH0tJ第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波29 例例 2.5.3 海水的電導(dǎo)率為海水的電導(dǎo)率為4 S/m ，相對(duì)電容率為，相對(duì)電容率為 81 ，求頻率，求頻率為為1 MHz 時(shí)，位移電流密度振幅與傳導(dǎo)電流密度振幅的比值。時(shí)，位移電流密度振幅與傳導(dǎo)電流密度振幅的比值。 解解：設(shè)電場(chǎng)隨時(shí)間作正弦變化，表示為設(shè)電場(chǎng)隨時(shí)間作正弦變化，表示為則位移電流密度為則位移電流密度為其振幅值為其振幅值為傳導(dǎo)電流的振幅值為傳導(dǎo)電流的振幅值為故故mcosxEe Etd0rmsin()xDJeEtt 3dm0rmm4.5 1

21、0JEE cmmm4JEE3dmcm1.125 10JJ第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波30mcos()(A/m)xHe Htkzdm2m()cos()sin()(A/m )xyzxxxyyyDJHeeee HtxyzHeeHtkzzze kHtkz m000m011dsin()dcos()(V/m)yyDDEte kHtkzttkeHtkz 式中的式中的 k 為常數(shù)。試求：位移電流密度和電場(chǎng)強(qiáng)度。為常數(shù)。試求：位移電流密度和電場(chǎng)強(qiáng)度。 例例 2.5.4 自由空間的磁場(chǎng)強(qiáng)度為自由空間的磁場(chǎng)強(qiáng)度為 解解 自由空間的傳導(dǎo)電流密度為自由空間的傳導(dǎo)電流密度為0，故由式，故由式 , 得得DHt第3章

22、 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波31n12n12n12n12()()0()0()SSeHHJeEEeBBeDD2.7 邊界條件一般表達(dá)式邊界條件一般表達(dá)式 在兩種理想介質(zhì)在兩種理想介質(zhì)分界面上，通常沒(méi)有分界面上，通常沒(méi)有電荷和電流分布，即電荷和電流分布，即JS0、S0，故，故n12n12n12n12()0()0()0()0eeeeDDBBEEHH 的法向分量連續(xù)的法向分量連續(xù)D 的法向分量連續(xù)的法向分量連續(xù)B 的切向分量連續(xù)的切向分量連續(xù)E 的切向分量連續(xù)的切向分量連續(xù)H1n2n1n2n1t2t1t2tDDBBSSEEHHJ第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波32nnnn00SSeDeBeEeH

23、J理想導(dǎo)體表面上的電荷密度等于理想導(dǎo)體表面上的電荷密度等于 的法向分量的法向分量D理想導(dǎo)體表面上理想導(dǎo)體表面上 的法向分量為的法向分量為0 0B理想導(dǎo)體表面上理想導(dǎo)體表面上 的切向分量為的切向分量為0 0E理想導(dǎo)體表面的面電流密度等于理想導(dǎo)體表面的面電流密度等于 的切向分量的切向分量H 理想導(dǎo)體表面上的邊界條件理想導(dǎo)體表面上的邊界條件 設(shè)媒質(zhì)設(shè)媒質(zhì)2為理想導(dǎo)體，則為理想導(dǎo)體，則E2、D2、H2、B2均為零，故均為零，故第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波33 例例2.7.1 z 0 區(qū)域的媒質(zhì)參數(shù)為區(qū)域的媒質(zhì)參數(shù)為 。若媒質(zhì)。若媒質(zhì)1中的電場(chǎng)中的電場(chǎng)強(qiáng)度為強(qiáng)度為101010、202025200

24、、881( , )60cos(15 105 )20cos(15 105 )V/mxE z tetztz82( , )cos(15 1050 )V/mxEz te Atz媒質(zhì)媒質(zhì)2 2中的電場(chǎng)強(qiáng)度為中的電場(chǎng)強(qiáng)度為（1）試確定常數(shù)）試確定常數(shù)A的值的值;（2）求磁場(chǎng)強(qiáng)度）求磁場(chǎng)強(qiáng)度 和和 ； （3 3）驗(yàn)證）驗(yàn)證 和和 滿(mǎn)足邊界條件。滿(mǎn)足邊界條件。1(, )z tH),(2tzH),(1tzH),(2tzH 解解: :（1）這是兩種電介質(zhì)的分界面，在分界面這是兩種電介質(zhì)的分界面，在分界面z = 0處，有處，有881(0, )60cos(15 10 )20cos(15 10 )xEtett880co

25、s(15 10 )V/mxet82(0, )cos(15 10 )V/mxEte At第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波34利用兩種電介質(zhì)分界面上電場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量連續(xù)的邊界條件利用兩種電介質(zhì)分界面上電場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量連續(xù)的邊界條件1111111xyEHEetz 8801300sin(15 105 ) 100sin(15 105 )yetztz 78781012( , )2 10 cos(15 105 )10 cos(15 105 ) A/m3yH z tetztz 80V/mA 得到得到將上式對(duì)時(shí)間將上式對(duì)時(shí)間 t 積分，得積分，得 （2）由）由 ，有，有111HEt ), 0(), 0(

26、21tEtE第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波3578204( , )10cos(15 105 )A/m3yHz tetz78781078012(0, )2 10cos(15 10 )10cos(15 10 )3410cos(15 10 )A/m3yyHtettet78204(0, )10cos(15 10 )A/m3yHtet可見(jiàn)，在可見(jiàn)，在 z = 0 處，磁場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量是連續(xù)的，因?yàn)樵诜纸缣?，磁?chǎng)強(qiáng)度的切向分量是連續(xù)的，因?yàn)樵诜纸缑嫔希嫔希▃ = 0）不存在面電流。）不存在面電流。 （3）z = 0 時(shí)時(shí)222HEt 同樣，由同樣，由 ，得，得第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波

27、36第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波37要求掌握：要求掌握： 1 1、靜電場(chǎng)分析靜電場(chǎng)分析:電位及其微分方程、邊界條件；靜電電位及其微分方程、邊界條件；靜電 場(chǎng)的能量。場(chǎng)的能量。 2 2、掌握、掌握恒定磁場(chǎng)的矢量磁位和標(biāo)量磁位，恒定磁場(chǎng)的恒定磁場(chǎng)的矢量磁位和標(biāo)量磁位，恒定磁場(chǎng)的 能量。能量。 3 3、鏡像法的基本原理及掌握幾種類(lèi)型求解。、鏡像法的基本原理及掌握幾種類(lèi)型求解。 注：鏡像法的三種題型及注：鏡像法的三種題型及22、24（1）、）、26的作業(yè)要掌握的作業(yè)要掌握第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波382. 邊界條件邊界條件0ED微分形式：微分形式：ED本構(gòu)關(guān)系：本構(gòu)關(guān)系：1. 基本方

28、程基本方程0ddlESDCSq積分形式：積分形式：02t1tn2n1EEDDS2t1tn2n1EEDD3.1.1 靜電場(chǎng)的基本方程和邊界條件靜電場(chǎng)的基本方程和邊界條件若分界面上不存在面電荷，即若分界面上不存在面電荷，即 ，則，則0S第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波39介質(zhì)介質(zhì)2 2介質(zhì)介質(zhì)1 121212E1Ene212n21n12n2t1n1t21/tantanDDEEEE 在靜電平衡的情況下，導(dǎo)體內(nèi)部的電場(chǎng)為在靜電平衡的情況下，導(dǎo)體內(nèi)部的電場(chǎng)為0，則導(dǎo)體表面的，則導(dǎo)體表面的邊界條件為邊界條件為 0tnEDS 場(chǎng)矢量的折射關(guān)系場(chǎng)矢量的折射關(guān)系 導(dǎo)體表面的邊界條件導(dǎo)體表面的邊界條件第3章

29、電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波400E由由即即靜電場(chǎng)可以用一個(gè)標(biāo)量函數(shù)的梯度來(lái)表示，靜電場(chǎng)可以用一個(gè)標(biāo)量函數(shù)的梯度來(lái)表示，標(biāo)量函數(shù)標(biāo)量函數(shù) 稱(chēng)為靜稱(chēng)為靜電場(chǎng)的標(biāo)量電位或簡(jiǎn)稱(chēng)電位。電場(chǎng)的標(biāo)量電位或簡(jiǎn)稱(chēng)電位。1. 電位函數(shù)的定義電位函數(shù)的定義E3.1.2 電位函數(shù)電位函數(shù)2. 電位差電位差兩端點(diǎn)乘兩端點(diǎn)乘 ，則有，則有l(wèi)dE將將dddddzd()Ellxyxyz 上式兩邊從點(diǎn)上式兩邊從點(diǎn)P到點(diǎn)到點(diǎn)Q沿任意路徑進(jìn)行積分，得沿任意路徑進(jìn)行積分，得關(guān)于電位差的說(shuō)明關(guān)于電位差的說(shuō)明dd()()QQPPElPQ P、Q 兩點(diǎn)間的電位差兩點(diǎn)間的電位差電場(chǎng)力做電場(chǎng)力做的功的功第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波4

30、1在均勻介質(zhì)中，有在均勻介質(zhì)中，有3. 電位的微分方程電位的微分方程在無(wú)源區(qū)域，在無(wú)源區(qū)域，0EED202標(biāo)量泊松方程標(biāo)量泊松方程拉普拉斯方程拉普拉斯方程第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波424. 靜電位的邊界條件靜電位的邊界條件 設(shè)設(shè)P1和和P2是介質(zhì)分界面兩側(cè)緊貼界面的相鄰兩點(diǎn)，其電位分是介質(zhì)分界面兩側(cè)緊貼界面的相鄰兩點(diǎn)，其電位分別為別為1和和2。當(dāng)兩點(diǎn)間距離當(dāng)兩點(diǎn)間距離l0時(shí)時(shí) 導(dǎo)體表面上電位的邊界條件：導(dǎo)體表面上電位的邊界條件：0dlim21021PPlElSe)(21nDDD由由 和和12媒質(zhì)媒質(zhì)2媒質(zhì)媒質(zhì)121l2P1P 若介質(zhì)分界面上無(wú)自由電荷，即若介質(zhì)分界面上無(wú)自由電荷，即0

31、Snn1122常數(shù)，常數(shù)，SnSnn112221第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波433.1.4 靜電場(chǎng)的能量靜電場(chǎng)的能量 從場(chǎng)的觀點(diǎn)來(lái)看，靜電場(chǎng)的能量分布于電場(chǎng)所在的整個(gè)空間。從場(chǎng)的觀點(diǎn)來(lái)看，靜電場(chǎng)的能量分布于電場(chǎng)所在的整個(gè)空間。EDw21e電場(chǎng)能量密度：電場(chǎng)能量密度：e1d2VWD E V電場(chǎng)的總能量：電場(chǎng)的總能量：積分區(qū)域?yàn)殡妶?chǎng)積分區(qū)域?yàn)殡妶?chǎng)所在的整個(gè)空間所在的整個(gè)空間2e111ddd222VVVWD E VE E VEV 對(duì)于線(xiàn)性、各向同性介質(zhì)，則有對(duì)于線(xiàn)性、各向同性介質(zhì)，則有2e111222wD EE EE 第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波44 例例3.1.6 半徑為半徑為a

32、的球形空間內(nèi)均勻分布有電荷體密度為的球形空間內(nèi)均勻分布有電荷體密度為的電的電荷，試求靜電場(chǎng)能量。荷，試求靜電場(chǎng)能量。5202420622020220154)d49d49(21arrrarrraa10()3rrEera 解解： 方法一方法一，利用利用 計(jì)算計(jì)算 VVEDWd21e 根據(jù)高斯定理求得電場(chǎng)強(qiáng)度根據(jù)高斯定理求得電場(chǎng)強(qiáng)度 3220()3raEerar故故VEVEVEDWVVVd21d21d2121220210e第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波453.3 恒定磁場(chǎng)分析恒定磁場(chǎng)分析0HJB微分形式微分形式: :0dddSSCSBSJlH1. 基本方程基本方程BH2. 邊界條件邊界條件本構(gòu)

33、關(guān)系：本構(gòu)關(guān)系：SJHHBBt2t12n1n0若分界面上不存在面電流，即若分界面上不存在面電流，即JS0，則，則積分形式積分形式: :002tt1n2n1HHBB3.3.1 恒定磁場(chǎng)的基本方程和邊界條件恒定磁場(chǎng)的基本方程和邊界條件第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波46 矢量磁位的定義矢量磁位的定義 磁矢位的任意性磁矢位的任意性 與電位一樣，磁矢位也不是惟一確定的，它加上任意一個(gè)標(biāo)與電位一樣，磁矢位也不是惟一確定的，它加上任意一個(gè)標(biāo)量量 的梯度以后，仍然表示同一個(gè)磁場(chǎng)，即的梯度以后，仍然表示同一個(gè)磁場(chǎng)，即由由AA 0BBA 即恒定磁場(chǎng)可以用一個(gè)矢量函數(shù)的旋度來(lái)表示。即恒定磁場(chǎng)可以用一個(gè)矢量函數(shù)

34、的旋度來(lái)表示。 磁矢位的任意性是因?yàn)橹灰?guī)定了它的旋度，沒(méi)有規(guī)定其散度磁矢位的任意性是因?yàn)橹灰?guī)定了它的旋度，沒(méi)有規(guī)定其散度造成的。為了得到確定的造成的。為了得到確定的A，可以對(duì)，可以對(duì)A的散度加以限制，在恒定磁的散度加以限制，在恒定磁場(chǎng)中通常規(guī)定，并稱(chēng)為場(chǎng)中通常規(guī)定，并稱(chēng)為庫(kù)侖規(guī)范庫(kù)侖規(guī)范。0A()AAA 1. 恒定磁場(chǎng)的矢量磁位恒定磁場(chǎng)的矢量磁位矢量磁位或稱(chēng)磁矢位矢量磁位或稱(chēng)磁矢位 3.3.2 恒定磁場(chǎng)的矢量磁位和標(biāo)量磁位恒定磁場(chǎng)的矢量磁位和標(biāo)量磁位第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波472. 恒定磁場(chǎng)的標(biāo)量磁位恒定磁場(chǎng)的標(biāo)量磁位 一般情況下，恒定磁場(chǎng)只能引入磁矢位來(lái)描述，但一般情況下，恒定磁

35、場(chǎng)只能引入磁矢位來(lái)描述，但在無(wú)傳導(dǎo)在無(wú)傳導(dǎo)電流（電流（J0）的單連通空間）的單連通空間 中，則有中，則有即即在無(wú)傳導(dǎo)電流（在無(wú)傳導(dǎo)電流（J0）的單連通空間）的單連通空間中，可以引入一個(gè)中，可以引入一個(gè)標(biāo)量位標(biāo)量位函數(shù)來(lái)描述磁場(chǎng)。函數(shù)來(lái)描述磁場(chǎng)。 標(biāo)量磁位的引入標(biāo)量磁位的引入0HmH 標(biāo)量磁位或磁標(biāo)位標(biāo)量磁位或磁標(biāo)位 磁標(biāo)位的微分方程磁標(biāo)位的微分方程00,()BBHM將將 代入代入mH m0H2mm0 m0HM m0M 等效磁荷體密度等效磁荷體密度I磁殼磁殼通）除去磁殼的區(qū)域（單連 第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波483.3.4 恒定磁場(chǎng)的能量恒定磁場(chǎng)的能量 磁場(chǎng)能量密度磁場(chǎng)能量密度 從場(chǎng)的

36、觀點(diǎn)來(lái)看，磁場(chǎng)能量分布于磁場(chǎng)所在的整個(gè)空間。從場(chǎng)的觀點(diǎn)來(lái)看，磁場(chǎng)能量分布于磁場(chǎng)所在的整個(gè)空間。磁場(chǎng)能量密度：磁場(chǎng)能量密度：磁場(chǎng)的總能量：磁場(chǎng)的總能量：積分區(qū)域?yàn)殡妶?chǎng)積分區(qū)域?yàn)殡妶?chǎng)所在的整個(gè)空間所在的整個(gè)空間對(duì)于線(xiàn)性、各向同性介質(zhì)，則有對(duì)于線(xiàn)性、各向同性介質(zhì)，則有m12wB Hm1d2VWB H V2m111222wB HH HH2m111ddd222VVVWB H VH H VHV第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波49 例例3.3.8 同軸電纜的同軸電纜的內(nèi)導(dǎo)體半徑為內(nèi)導(dǎo)體半徑為a ，外導(dǎo)體的內(nèi)、外半徑外導(dǎo)體的內(nèi)、外半徑分別為分別為 b 和和 c ，如圖所示。導(dǎo)體中通有電流，如圖所示。導(dǎo)體中

37、通有電流 I ，試求同軸電纜，試求同軸電纜中單位長(zhǎng)度儲(chǔ)存的磁場(chǎng)能量。中單位長(zhǎng)度儲(chǔ)存的磁場(chǎng)能量。 解解：由安培環(huán)路定理，得：由安培環(huán)路定理，得2222202220IeaaIeabHIcebccbcabc第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波5022220m322() () 2 d22cbIcWcb 三個(gè)區(qū)域單位長(zhǎng)度內(nèi)的磁場(chǎng)能量分別為三個(gè)區(qū)域單位長(zhǎng)度內(nèi)的磁場(chǎng)能量分別為2200m120() 2 d2216aIIWa 2200m2() 2dln224baIIbWa 24220222223ln4()4()Icccbcbbcb第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波51單位長(zhǎng)度內(nèi)總的磁場(chǎng)能量為單位長(zhǎng)度內(nèi)總的磁場(chǎng)

38、能量為mm1m2m3222422000222223lnln1644()4()WWWWIIIbcccbacbbcb第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波523.4 靜態(tài)場(chǎng)的邊值問(wèn)題及解的惟一性定理靜態(tài)場(chǎng)的邊值問(wèn)題及解的惟一性定理 在場(chǎng)域在場(chǎng)域V 的邊界面的邊界面S上給定上給定 或或 的的值，則泊松方程或拉普拉斯方程在場(chǎng)域值，則泊松方程或拉普拉斯方程在場(chǎng)域V 具具有惟一值。有惟一值。 n惟一性定理的重要意義惟一性定理的重要意義給出了靜態(tài)場(chǎng)邊值問(wèn)題具有惟一解的條件給出了靜態(tài)場(chǎng)邊值問(wèn)題具有惟一解的條件為靜態(tài)場(chǎng)邊值問(wèn)題的各種求解方法提供了理論依據(jù)為靜態(tài)場(chǎng)邊值問(wèn)題的各種求解方法提供了理論依據(jù)為求解結(jié)果的正確

39、性提供了判據(jù)為求解結(jié)果的正確性提供了判據(jù)惟一性定理的表述惟一性定理的表述第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波53 當(dāng)有電荷存在于導(dǎo)體或介質(zhì)表面附近時(shí)，導(dǎo)體和介質(zhì)表面當(dāng)有電荷存在于導(dǎo)體或介質(zhì)表面附近時(shí)，導(dǎo)體和介質(zhì)表面會(huì)出現(xiàn)感應(yīng)電荷或極化電荷，而感應(yīng)電荷或極化電荷將影響場(chǎng)會(huì)出現(xiàn)感應(yīng)電荷或極化電荷，而感應(yīng)電荷或極化電荷將影響場(chǎng)的分布。的分布。非均勻感應(yīng)電荷產(chǎn)生的電位很難求非均勻感應(yīng)電荷產(chǎn)生的電位很難求解，可以用等效電荷的電位替代解，可以用等效電荷的電位替代1. 問(wèn)題的提出問(wèn)題的提出幾個(gè)實(shí)例幾個(gè)實(shí)例q q3.5.1 鏡像法的基本原理鏡像法的基本原理接地導(dǎo)體板附近有接地導(dǎo)體板附近有一個(gè)點(diǎn)電荷，如圖所一個(gè)

40、點(diǎn)電荷，如圖所示。示。qq非均勻感應(yīng)電荷非均勻感應(yīng)電荷等效電荷等效電荷3.5 鏡像法鏡像法第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波54 接地導(dǎo)體球附近有一個(gè)點(diǎn)電荷，如圖。接地導(dǎo)體球附近有一個(gè)點(diǎn)電荷，如圖。非均勻感應(yīng)電荷產(chǎn)生的非均勻感應(yīng)電荷產(chǎn)生的電位很難求解，可以用電位很難求解，可以用等效電荷的電位替代等效電荷的電位替代 接地導(dǎo)體柱附近有一個(gè)線(xiàn)電荷。情況與上例類(lèi)似，但等效電接地導(dǎo)體柱附近有一個(gè)線(xiàn)電荷。情況與上例類(lèi)似，但等效電 荷為線(xiàn)電荷。荷為線(xiàn)電荷。q q非均勻感應(yīng)電荷非均勻感應(yīng)電荷qq等效電荷等效電荷結(jié)論結(jié)論：所謂鏡像法是：所謂鏡像法是將不均勻電荷分布的作用等效為點(diǎn)電荷將不均勻電荷分布的作用等效為

41、點(diǎn)電荷 或線(xiàn)電荷的作用或線(xiàn)電荷的作用。問(wèn)題問(wèn)題：這種等效電荷是否存在？：這種等效電荷是否存在？ 這種等效是否合理？這種等效是否合理？第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波552. 鏡像法的原理鏡像法的原理 用位于用位于場(chǎng)域邊界外場(chǎng)域邊界外虛設(shè)的較簡(jiǎn)單的鏡像電荷分布來(lái)等效替代虛設(shè)的較簡(jiǎn)單的鏡像電荷分布來(lái)等效替代該邊界上未知的較為復(fù)雜的電荷分布，從而將原含該邊界的非均該邊界上未知的較為復(fù)雜的電荷分布，從而將原含該邊界的非均勻媒質(zhì)空間變換成無(wú)限大單一均勻媒質(zhì)的空間，使分析計(jì)算過(guò)程勻媒質(zhì)空間變換成無(wú)限大單一均勻媒質(zhì)的空間，使分析計(jì)算過(guò)程得以明顯簡(jiǎn)化的一種得以明顯簡(jiǎn)化的一種間接求解法間接求解法。 在導(dǎo)體形

42、狀、幾何尺寸、帶電狀況和媒質(zhì)幾何結(jié)構(gòu)、特性不在導(dǎo)體形狀、幾何尺寸、帶電狀況和媒質(zhì)幾何結(jié)構(gòu)、特性不變的前提條件下，變的前提條件下，根據(jù)惟一性定理，只要找出的解答滿(mǎn)足在同一根據(jù)惟一性定理，只要找出的解答滿(mǎn)足在同一泛定方程下問(wèn)題所給定的邊界條件，那就是該問(wèn)題的解答，并且泛定方程下問(wèn)題所給定的邊界條件，那就是該問(wèn)題的解答，并且是惟一的解答。是惟一的解答。鏡像法正是巧妙地應(yīng)用了這一基本原理、面向多鏡像法正是巧妙地應(yīng)用了這一基本原理、面向多種典型結(jié)構(gòu)的工程電磁場(chǎng)問(wèn)題所構(gòu)成的一種有效的解析求解法。種典型結(jié)構(gòu)的工程電磁場(chǎng)問(wèn)題所構(gòu)成的一種有效的解析求解法。3. 鏡像法的理論基礎(chǔ)鏡像法的理論基礎(chǔ) 解的解的惟一性定

43、理惟一性定理第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波56 像電荷的個(gè)數(shù)、位置及其電量大小像電荷的個(gè)數(shù)、位置及其電量大小“三要素三要素” ” 。4. 鏡像法應(yīng)用的關(guān)鍵點(diǎn)鏡像法應(yīng)用的關(guān)鍵點(diǎn)5. 確定鏡像電荷的兩條原則確定鏡像電荷的兩條原則等效求解的等效求解的“有效場(chǎng)域有效場(chǎng)域”。鏡像電荷的確定鏡像電荷的確定像電荷必須位于所求解的場(chǎng)區(qū)域以外的空間中。像電荷必須位于所求解的場(chǎng)區(qū)域以外的空間中。像電荷的個(gè)數(shù)、位置及電荷量的大小以滿(mǎn)足所求解的場(chǎng)像電荷的個(gè)數(shù)、位置及電荷量的大小以滿(mǎn)足所求解的場(chǎng) 區(qū)域區(qū)域 的邊界條件來(lái)確定。的邊界條件來(lái)確定。第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波571. 點(diǎn)電荷對(duì)無(wú)限大接地導(dǎo)體平面

44、的鏡像點(diǎn)電荷對(duì)無(wú)限大接地導(dǎo)體平面的鏡像,qq hh 11()04qzRR（）00zRR滿(mǎn)足原問(wèn)題的邊界條件，所得的結(jié)果是正確的。滿(mǎn)足原問(wèn)題的邊界條件，所得的結(jié)果是正確的。3.5.2 接地導(dǎo)體平面的鏡像接地導(dǎo)體平面的鏡像鏡像電荷鏡像電荷電位函數(shù)電位函數(shù)因因 z = 0 時(shí)，時(shí)，有效區(qū)域有效區(qū)域RR q qhhq q qh第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波58上半空間上半空間( ( z0 ）的電位函數(shù)）的電位函數(shù)q qh22222211( , , )4()()qx y zxyz hxyz h(0)z 2223 202()Szqhzxyh in2223 2d dd2()SSqhx yqSxyh 2

45、223 200d d2()qhqh 導(dǎo)體平面上的感應(yīng)電荷密度為導(dǎo)體平面上的感應(yīng)電荷密度為導(dǎo)體平面上的總感應(yīng)電荷為導(dǎo)體平面上的總感應(yīng)電荷為第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波593. 點(diǎn)電荷對(duì)相交半無(wú)限大接地導(dǎo)體平面的鏡像點(diǎn)電荷對(duì)相交半無(wú)限大接地導(dǎo)體平面的鏡像 如圖所示，兩個(gè)相互垂直相連的半無(wú)限大接地導(dǎo)體平板，點(diǎn)如圖所示，兩個(gè)相互垂直相連的半無(wú)限大接地導(dǎo)體平板，點(diǎn)電荷電荷q 位于位于(d1, d2 )處。處。 顯然，顯然，q1 對(duì)平面對(duì)平面 2 以及以及 q2 對(duì)平對(duì)平面面 1 均不能滿(mǎn)足邊界條件。均不能滿(mǎn)足邊界條件。1231111()4qRRRR對(duì)于平面對(duì)于平面1，有鏡像電荷，有鏡像電荷q1=

46、q，位于，位于(d1, d2 )對(duì)于平面對(duì)于平面2，有鏡像電荷，有鏡像電荷q2=q，位于，位于( d1, d2 ) 只有在只有在(d1, d2 )處處再設(shè)置一再設(shè)置一鏡像電荷鏡像電荷q3 = q，所有邊界條件才能，所有邊界條件才能得到滿(mǎn)足。得到滿(mǎn)足。電位函數(shù)電位函數(shù) d11qd22RR1R2R3q1d1d2d2q2d1q3d2d1第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波603.5.3 導(dǎo)體球面的鏡像導(dǎo)體球面的鏡像1. 點(diǎn)電荷對(duì)接地導(dǎo)體球面的鏡像點(diǎn)電荷對(duì)接地導(dǎo)體球面的鏡像 球面上的感應(yīng)電荷可用鏡像電荷球面上的感應(yīng)電荷可用鏡像電荷 q來(lái)等效。來(lái)等效。 q 應(yīng)位于導(dǎo)體球內(nèi)（應(yīng)位于導(dǎo)體球內(nèi)（因?yàn)橐驗(yàn)椴豢捎?/p>

47、響原方程不可影響原方程），且在點(diǎn)電荷），且在點(diǎn)電荷q與球與球心的連線(xiàn)上，距球心為心的連線(xiàn)上，距球心為d。則有。則有 01()4qqRR 如圖所示，點(diǎn)電荷如圖所示，點(diǎn)電荷q 位于半徑位于半徑為為a 的接地導(dǎo)體球外，距球心為的接地導(dǎo)體球外，距球心為d 。方法方法：利用導(dǎo)體球面上電位為零確定：利用導(dǎo)體球面上電位為零確定 和和 q。d dq? 問(wèn)題問(wèn)題： PqarRdqPaqrRRdd第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波61 令令 ra，由球面上電位為零，由球面上電位為零，即即 0，得，得=0qqRRRqRq 常數(shù)此式應(yīng)在整個(gè)球面上都成立。此式應(yīng)在整個(gè)球面上都成立。OqPOq P 2add 0Raqq

48、qRdqqRR 條件條件：若：若像電荷的位置像電荷的位置像電荷的電量像電荷的電量1adqq RdaRad常數(shù)常數(shù)qPqaRRddO由于由于第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波622222221()42cos()2 ()cosqarardrddradr ad球外的電位函數(shù)為球外的電位函數(shù)為第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波63點(diǎn)電荷對(duì)接地空心導(dǎo)體球殼的鏡像點(diǎn)電荷對(duì)接地空心導(dǎo)體球殼的鏡像,aqqd 如圖所示接地空心導(dǎo)體球殼的內(nèi)半徑為如圖所示接地空心導(dǎo)體球殼的內(nèi)半徑為a 、外半徑為、外半徑為b，點(diǎn)電，點(diǎn)電荷荷q 位于球殼內(nèi)，與球心相距為位于球殼內(nèi)，與球心相距為d ( d |q|，可見(jiàn)鏡像電荷的電荷

49、量大于點(diǎn)電荷的電荷量，可見(jiàn)鏡像電荷的電荷量大于點(diǎn)電荷的電荷量像電荷的位置和電量與外半徑像電荷的位置和電量與外半徑 b 無(wú)關(guān)（無(wú)關(guān)（為什么為什么？）？）aqdobqrRRaqdOd 與點(diǎn)電荷位于接地導(dǎo)體球外與點(diǎn)電荷位于接地導(dǎo)體球外同樣的分析，可得到同樣的分析，可得到第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波64球殼內(nèi)的電位球殼內(nèi)的電位22222201()42cos()2 ()cosqarardrdd radr ad第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波652 . 點(diǎn)電荷對(duì)不接地導(dǎo)體球的鏡像點(diǎn)電荷對(duì)不接地導(dǎo)體球的鏡像 先設(shè)想導(dǎo)體球是接地的，則球面上只有總電荷量為先設(shè)想導(dǎo)體球是接地的，則球面上只有總電荷量為

50、q的感應(yīng)的感應(yīng)電荷分布，則電荷分布，則 2,aaqq ddd 導(dǎo)體球不接地時(shí)的特點(diǎn)導(dǎo)體球不接地時(shí)的特點(diǎn)： 導(dǎo)體球面是電位不為零的等位面；導(dǎo)體球面是電位不為零的等位面； 球面上既有感應(yīng)負(fù)電荷分布也有感應(yīng)正電荷分布，但總的感應(yīng)球面上既有感應(yīng)負(fù)電荷分布也有感應(yīng)正電荷分布，但總的感應(yīng) 電荷為零。電荷為零。采用疊加原理來(lái)確定鏡像電荷采用疊加原理來(lái)確定鏡像電荷 點(diǎn)電荷點(diǎn)電荷q 位于一個(gè)半徑為位于一個(gè)半徑為a 的不的不接地導(dǎo)體球外，距球心為接地導(dǎo)體球外，距球心為d 。PqarRdO第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波66 然后斷開(kāi)接地線(xiàn)，并將電荷然后斷開(kāi)接地線(xiàn)，并將電荷q加于導(dǎo)體球上，從而使總電加于導(dǎo)體球上

51、，從而使總電荷為零。為保持導(dǎo)體球面為等位面，所加的電荷荷為零。為保持導(dǎo)體球面為等位面，所加的電荷q 可用一個(gè)位可用一個(gè)位于球心的鏡像電荷于球心的鏡像電荷q來(lái)替代，即來(lái)替代，即01()4qqqRRr球外任意點(diǎn)的電位為球外任意點(diǎn)的電位為qPaqrRRddqO0d qdaqq第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波673.5.5 點(diǎn)電荷與無(wú)限大電介質(zhì)平面的鏡像點(diǎn)電荷與無(wú)限大電介質(zhì)平面的鏡像 圖圖1 1 點(diǎn)電荷與電介質(zhì)點(diǎn)電荷與電介質(zhì)分界平面分界平面zx12qh特點(diǎn)：特點(diǎn)：在點(diǎn)電荷的電場(chǎng)作用下，電介質(zhì)產(chǎn)在點(diǎn)電荷的電場(chǎng)作用下，電介質(zhì)產(chǎn)生極化，在介質(zhì)分界面上形成極化電荷分生極化，在介質(zhì)分界面上形成極化電荷分布。

52、此時(shí)，空間中任一點(diǎn)的電場(chǎng)由點(diǎn)電荷布。此時(shí)，空間中任一點(diǎn)的電場(chǎng)由點(diǎn)電荷與極化電荷共同產(chǎn)生。與極化電荷共同產(chǎn)生。圖圖2 2 介質(zhì)介質(zhì)1 1的鏡像電荷的鏡像電荷Pqhh11xzqRR問(wèn)題：?jiǎn)栴}：如圖如圖 1 所示，介電常數(shù)分別為所示，介電常數(shù)分別為 和和 的兩種不同電介質(zhì)的分界面是無(wú)限的兩種不同電介質(zhì)的分界面是無(wú)限大平面，在電介質(zhì)大平面，在電介質(zhì) 1 中有一個(gè)點(diǎn)電荷中有一個(gè)點(diǎn)電荷q ，距分界平面為距分界平面為h 。12分析方法：分析方法：計(jì)算電介質(zhì)計(jì)算電介質(zhì) 1 中的電位時(shí)，用中的電位時(shí)，用位于介質(zhì)位于介質(zhì) 2 中的鏡像電荷來(lái)代替分界面上中的鏡像電荷來(lái)代替分界面上的極化電荷，并把整個(gè)空間看作充滿(mǎn)介電

53、的極化電荷，并把整個(gè)空間看作充滿(mǎn)介電常數(shù)為常數(shù)為 的均勻介質(zhì)，如圖的均勻介質(zhì)，如圖2所示。所示。1第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波68介質(zhì)介質(zhì)1中的電位為中的電位為222221( , , )4()qqx y zxyzh(0)z 2 計(jì)算電介質(zhì)計(jì)算電介質(zhì) 2 中的電位時(shí)，用位中的電位時(shí)，用位于介質(zhì)于介質(zhì) 1 中的鏡像電荷來(lái)代替分界面中的鏡像電荷來(lái)代替分界面上的極化電荷，并把整個(gè)空間看作充上的極化電荷，并把整個(gè)空間看作充滿(mǎn)介電常數(shù)為滿(mǎn)介電常數(shù)為 的均勻介質(zhì)，如圖的均勻介質(zhì)，如圖 3 所示。介質(zhì)所示。介質(zhì)2中的電位為中的電位為圖圖3 3 介質(zhì)介質(zhì)2 2的鏡像電荷的鏡像電荷22qqPxzhR122

54、222211( , , )4()()qqx y zxyzhxyzh(0)z +第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波69可得到可得到1211()()qqqqqqqq12121212qqqq 1020zz211020zzzz利用電位滿(mǎn)足的邊界條件利用電位滿(mǎn)足的邊界條件第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波70注：要求掌握 例4.3.1 例4.5.1 練習(xí)4.15 4.16 第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波714.1 了解波動(dòng)方程了解波動(dòng)方程 在無(wú)源空間中，設(shè)媒質(zhì)是線(xiàn)性、各向同性且無(wú)損耗的均勻媒在無(wú)源空間中，設(shè)媒質(zhì)是線(xiàn)性、各向同性且無(wú)損耗的均勻媒質(zhì)，則有質(zhì)，則有 無(wú)源區(qū)的波動(dòng)方程無(wú)源區(qū)的波動(dòng)方程0

55、222tHH0222tEE22)(tHHH2)(tEH00HtHtH同理可得同理可得第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波724.2 了解電磁場(chǎng)的位函數(shù)了解電磁場(chǎng)的位函數(shù)引入位函數(shù)來(lái)描述時(shí)變電磁場(chǎng)，使一些問(wèn)題的分析得到簡(jiǎn)化。引入位函數(shù)來(lái)描述時(shí)變電磁場(chǎng)，使一些問(wèn)題的分析得到簡(jiǎn)化。 引入位函數(shù)的意義引入位函數(shù)的意義 位函數(shù)的定義位函數(shù)的定義0)(tA0 BABtBtAE0tA在電磁理論中，通常采用洛侖茲條件，即在電磁理論中，通常采用洛侖茲條件，即第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波73222t 說(shuō)明說(shuō)明JtAA222 問(wèn)題問(wèn)題 應(yīng)用洛侖茲條件的特點(diǎn)：應(yīng)用洛侖茲條件的特點(diǎn)： 位函數(shù)滿(mǎn)足的方程在形式上是

56、對(duì)稱(chēng)位函數(shù)滿(mǎn)足的方程在形式上是對(duì)稱(chēng) 的，且比較簡(jiǎn)單，易求解的，且比較簡(jiǎn)單，易求解； 解的物理意義非常清楚，明確解的物理意義非常清楚，明確地地 反映出電磁場(chǎng)具有有限的傳遞速度；反映出電磁場(chǎng)具有有限的傳遞速度； 矢量位只決定于矢量位只決定于J，標(biāo)，標(biāo) 量位只決定于量位只決定于，這對(duì)求解方程特別有利。只需解出這對(duì)求解方程特別有利。只需解出A，無(wú)需，無(wú)需 解出解出 就可得到待求的電場(chǎng)和磁場(chǎng)。就可得到待求的電場(chǎng)和磁場(chǎng)。 電磁位函數(shù)只是簡(jiǎn)化時(shí)變電磁場(chǎng)分析求解的一種輔助函數(shù)，應(yīng)電磁位函數(shù)只是簡(jiǎn)化時(shí)變電磁場(chǎng)分析求解的一種輔助函數(shù)，應(yīng) 用不同的規(guī)范條件，矢量位用不同的規(guī)范條件，矢量位A和標(biāo)量位和標(biāo)量位 的解也不

57、相同，但最的解也不相同，但最終終 得到的電磁場(chǎng)矢量是相同的。得到的電磁場(chǎng)矢量是相同的。 若應(yīng)用庫(kù)侖條件，位函數(shù)滿(mǎn)足什么樣的方程若應(yīng)用庫(kù)侖條件，位函數(shù)滿(mǎn)足什么樣的方程? 具有什么特點(diǎn)具有什么特點(diǎn)?第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波74其中其中： 單位時(shí)間內(nèi)體積單位時(shí)間內(nèi)體積V 中所增加中所增加 的電磁能量。的電磁能量。 單位時(shí)間內(nèi)電場(chǎng)對(duì)體積單位時(shí)間內(nèi)電場(chǎng)對(duì)體積V中的電流所做的功；中的電流所做的功； 在導(dǎo)電媒質(zhì)中，即為體積在導(dǎo)電媒質(zhì)中，即為體積V內(nèi)總的損耗功率。內(nèi)總的損耗功率。 通過(guò)曲面通過(guò)曲面S 進(jìn)入體積進(jìn)入體積V 的電磁功率。的電磁功率。積分形式積分形式：VVSVJEVBHDEtSHEdd)

58、2121(ddd)(VVJEdVVBHDEtd)2121(ddSSHEd)( 坡坡印廷定理印廷定理 物理意義：物理意義：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)，通過(guò)曲面單位時(shí)間內(nèi)，通過(guò)曲面S 進(jìn)入體積進(jìn)入體積V的電磁能量等于的電磁能量等于 體積體積V 中所增加的電磁場(chǎng)能量與損耗的能量之和。中所增加的電磁場(chǎng)能量與損耗的能量之和。4.3 掌握電磁能量守恒定律掌握電磁能量守恒定律 第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波75 定義：定義： ( W/m2 )HS 物理意義物理意義： 的方向的方向 電磁能量傳輸?shù)姆较螂姶拍芰總鬏數(shù)姆较騍 的大小的大小 通過(guò)垂直于能量傳輸方通過(guò)垂直于能量傳輸方 向的單位面積的電磁功率向的單位面積的電磁功

59、率S 坡印廷矢量（坡印廷矢量（電磁能流密度矢量電磁能流密度矢量） H S 能能流流密密度度矢矢量量 E O通過(guò)某面通過(guò)某面S的功率的功率：dSPSS通過(guò)某面通過(guò)某面S的平均功率的平均功率：davSPSS通過(guò)某面通過(guò)某面S平均功率密度平均功率密度：1davavSSSS第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波76 例例4.3.1 同軸線(xiàn)的內(nèi)導(dǎo)體半徑為同軸線(xiàn)的內(nèi)導(dǎo)體半徑為a 、外導(dǎo)體的內(nèi)半徑為、外導(dǎo)體的內(nèi)半徑為b，其間，其間填充均勻的理想介質(zhì)。設(shè)內(nèi)外導(dǎo)體間的電壓為填充均勻的理想介質(zhì)。設(shè)內(nèi)外導(dǎo)體間的電壓為U ，導(dǎo)體中流過(guò)的電，導(dǎo)體中流過(guò)的電流為流為I 。（。（1）在導(dǎo)體為理想導(dǎo)體的情況下，計(jì)算同軸線(xiàn)中傳輸

60、的）在導(dǎo)體為理想導(dǎo)體的情況下，計(jì)算同軸線(xiàn)中傳輸?shù)墓β?；（功率；?）當(dāng)導(dǎo)體的電導(dǎo)率）當(dāng)導(dǎo)體的電導(dǎo)率為有限值時(shí)，計(jì)算通過(guò)內(nèi)導(dǎo)體表面為有限值時(shí)，計(jì)算通過(guò)內(nèi)導(dǎo)體表面進(jìn)入每單位長(zhǎng)度內(nèi)導(dǎo)體的功率。進(jìn)入每單位長(zhǎng)度內(nèi)導(dǎo)體的功率。同軸線(xiàn)同軸線(xiàn)第3章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波77 解：解：（1）在內(nèi)外導(dǎo)體為理想導(dǎo)體的情況下，電場(chǎng)和磁場(chǎng)只存）在內(nèi)外導(dǎo)體為理想導(dǎo)體的情況下，電場(chǎng)和磁場(chǎng)只存在于內(nèi)外導(dǎo)體之間的理想介質(zhì)中，內(nèi)外導(dǎo)體表面的電場(chǎng)無(wú)切向分在于內(nèi)外導(dǎo)體之間的理想介質(zhì)中，內(nèi)外導(dǎo)體表面的電場(chǎng)無(wú)切向分量，只有電場(chǎng)的徑向分量。利用高斯定理和安培環(huán)路定理，容易量，只有電場(chǎng)的徑向分量。利用高斯定理和安培環(huán)路定理，容易求得