太陽(yáng)電池硅單晶

1、中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) 發(fā)布××××-××-××實(shí)施××××-××-××發(fā)布太陽(yáng)電池用硅單晶Monoccrystalline silicon for PV （討論稿）GB/T ××××-××××中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)ICS 29.045H 80前 言本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技

2、術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：有研半導(dǎo)體材料股份有限公司，萬(wàn)向硅峰電子材料股份有限公司，洛陽(yáng)鴻泰電子材料有限公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：孫燕 盧立延、翟富義。太陽(yáng)電池用硅單晶1 范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)電池用硅單晶的產(chǎn)品分類、必要的相關(guān)性術(shù)語(yǔ)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法，檢測(cè)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存。本標(biāo)準(zhǔn)適用于直拉摻雜制備的太陽(yáng)電池用硅單晶。2 規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注明年代的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文

3、件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T 1550 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法GB/T 1552 硅鍺單晶電阻率測(cè)定 直排四探針?lè)℅B/T 1554 硅晶體完整性 化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法GB/T 1555 半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法GB/T 1557 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法GB/T 1558 測(cè)定硅晶體中代位碳含量的紅外吸收方法GB/T 2828逐批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表（適用于連續(xù)批的檢查）GB/T 6616半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定 非接觸渦流法GB/T 14143 300-900m間隙氧含量紅外吸收測(cè)量方法GB/T 14264 半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)GB/T 14844 半

4、導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法SEMI M6 太陽(yáng)能光電池用硅片規(guī)范SEMI MF1535 用微波反射光電導(dǎo)衰減法非接觸測(cè)量硅片載流子復(fù)合壽命的測(cè)試方法3 術(shù)語(yǔ)GB/T 14264規(guī)定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。4 產(chǎn)品分類4.1 分類:硅單晶按導(dǎo)電類型分為N型，P型兩種類型。4.2 牌號(hào)硅單晶的牌號(hào)表示：按GB/T14844規(guī)定。4.3 規(guī)格硅單晶按直徑分為F100mm、F125mm、F150mm、和F200mm 或由供需雙方商定規(guī)格。5 技術(shù)要求5.1 直徑及其允許誤差5.1.1 硅單晶的直徑及其允許偏差應(yīng)符合表1的規(guī)定。在表1中未列出的直徑及偏差由供需雙方商定。5.1.2 未滾圓硅單晶的直徑和允許偏

5、差由供需雙方商定。表1 硅單晶的直徑及其允許偏差 單位為毫米直拉硅單晶直徑a 100 125 150 200允許偏差b±0.1±0.1±0.1±0.15.2 電阻率5.2.1 直拉硅單晶的電阻率范圍和徑向電阻率變化應(yīng)符合表2的規(guī)定。5.2.2 徑向電阻率變化如要求按照其它方案進(jìn)行，由供需雙方商定。表2 直拉硅單晶的性能參數(shù)導(dǎo)電類型晶向摻雜元素電阻率范圍.cm少數(shù)載流子壽命sP<100>或<111>硼0.5-6>100N<100>或<111>磷>20 5.2.3 直拉硅單晶晶向偏離度不大于2

6、76;。5.3 參考面位置硅單晶的參考面位置及其技術(shù)要求應(yīng)符合GB/T 12964的規(guī)定。5.4 氧含量5.4.1 直拉硅單晶的間隙氧含量應(yīng)小于1.5×1017atoms/cm3。具體指標(biāo)按需方要求提供。5.5 碳含量5.5.1 直拉硅單晶的碳含量應(yīng)不大于5×1016atoms/cm3。5.6 晶體完整性5.6.1 硅單晶的位錯(cuò)密度應(yīng)不大于100個(gè)/cm3，即無(wú)位錯(cuò)。5.6.2 硅單晶應(yīng)無(wú)星形結(jié)構(gòu)、六角網(wǎng)絡(luò)、孔洞和裂紋。5.7 金屬含量5.7.1 硅單晶的體金屬含量（Fe）由供需雙方商定提供。5.7.2 重?fù)诫s直拉硅單晶的基硼、基磷含量由供需雙方商定提供。 6 試驗(yàn)方法6.

7、1 硅單晶導(dǎo)電類型測(cè)量按GB/T 1550進(jìn)行6.2 硅單晶的電阻率四探針?lè)y(cè)量按GB/T 1552進(jìn)行。6.3 硅單晶的晶向及晶向偏離度測(cè)量按GB 1555 進(jìn)行。6.4 硅單晶的少數(shù)載流子壽命按SEMI MF 1535 進(jìn)行。6.5 硅單晶的晶體完整性檢驗(yàn)按GB/T 1554進(jìn)行。6.6 硅單晶的直徑測(cè)量按GB/T 14140 進(jìn)行。6.7 硅單晶的氧含量按GB/T 14143及GB/T1557進(jìn)行。6.8 硅單晶的碳含量按GB/T 1558進(jìn)行。7 檢驗(yàn)規(guī)則7.1 檢查和驗(yàn)收7.1.1 產(chǎn)品應(yīng)由供方技術(shù)（質(zhì)量）監(jiān)督部門進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，并填寫產(chǎn)品質(zhì)量保證書。7.1.

8、2 需方可對(duì)收到的產(chǎn)品按本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定進(jìn)行檢驗(yàn)，若檢驗(yàn)結(jié)果與本標(biāo)準(zhǔn)（或訂貨合同）的規(guī)定不符時(shí)，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起三個(gè)月內(nèi)向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。7.2 組批硅單晶以批的形式提交驗(yàn)收，每批應(yīng)由同一牌號(hào)，相同規(guī)格的硅單晶錠組成。7.3 檢驗(yàn)項(xiàng)目7.3.1 每根單晶錠抽檢的項(xiàng)目有：導(dǎo)電類型，晶向及晶向偏離，電阻率范圍，晶體完整性，少數(shù)載流子壽命、氧碳含量。7.4 抽樣7.4.1 按照GB/T 2828進(jìn)行，或由供需雙方協(xié)商解決。7.4.2 取樣位置規(guī)定：7.4.2.1 檢驗(yàn)單晶的氧含量，應(yīng)在晶錠的頭部切取試樣，當(dāng)不能區(qū)分頭尾時(shí)，可在頭尾任意一端切取試樣。7.4.2.2 檢驗(yàn)單晶的碳含量，應(yīng)在晶錠的尾部切取試樣，當(dāng)不能區(qū)分頭尾時(shí)，可在頭尾任意一端切取試樣。7.4.2.3 檢驗(yàn)單晶的其他參數(shù)，可在晶錠的任意一端切取試樣。對(duì)整根單晶錠的檢驗(yàn)項(xiàng)目，不切取試樣。8 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存8.1 包裝、標(biāo)志8.1.1 硅單晶用聚苯烯（泡沫）逐錠包裝，然后將經(jīng)過(guò)包裝的晶錠裝入包裝箱內(nèi)，并裝滿填充物，防止晶錠松動(dòng)。8.1.2 包裝箱外側(cè)應(yīng)有“小心輕放”、“防潮”、“易碎”、“防腐”等標(biāo)識(shí)，并標(biāo)明：A 需方名稱，地點(diǎn)；B 產(chǎn)品名稱，牌號(hào)；C 產(chǎn)品件數(shù)及重量（毛重/凈重）；D 供方名稱。8.2 運(yùn)輸、貯存8.2.1 產(chǎn)品在運(yùn)輸過(guò)程中應(yīng)輕裝輕