3.2半導(dǎo)體二極管ppt課件

1、重慶工學(xué)院電子學(xué)院重慶工學(xué)院電子學(xué)院3 . 3 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 3.3.1 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu) 3.3.2 二極管的伏安特性 3.3.3 二極管的主要參數(shù)重慶工學(xué)院電子學(xué)院重慶工學(xué)院電子學(xué)院3.3.1 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu) 在在PNPN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸型、面接觸型兩大類。二極管按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸型、面接觸型兩大類。(1) (1) 點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管結(jié)構(gòu)示意圖點(diǎn)接觸型二極管結(jié)構(gòu)示意圖 PN PN結(jié)面積結(jié)面積小，結(jié)電容小，小，結(jié)電容小，用于檢波和變用于檢波和變頻等高頻電

2、路。頻等高頻電路。重慶工學(xué)院電子學(xué)院重慶工學(xué)院電子學(xué)院（a面接觸型面接觸型 （b集成電路中的平面型集成電路中的平面型 （c代表符號(hào)代表符號(hào) (2) (2) 面接觸型二極管面接觸型二極管 PN PN結(jié)面積大，結(jié)面積大，用于工頻大電流用于工頻大電流整流電路。整流電路。(b)(b)面接觸型面接觸型重慶工學(xué)院電子學(xué)院重慶工學(xué)院電子學(xué)院 3.3.2 二極管的伏安特性二極管的伏安特性二極管的伏安特性曲線可用下式表示二極管的伏安特性曲線可用下式表示)1e (/SDD TVIiv鍺二極管鍺二極管2AP152AP15的的V-I V-I 特性特性硅二極管硅二極管2CP102CP10的的V-I V-I 特性特性重慶

3、工學(xué)院電子學(xué)院重慶工學(xué)院電子學(xué)院 3.3.3 二極管的主要參數(shù)二極管的主要參數(shù)(1) (1) 最大整流電流最大整流電流IFIF(2) (2) 反向擊穿電壓反向擊穿電壓VBRVBR和最大反向工作電壓和最大反向工作電壓VRMVRM(3) (3) 反向電流反向電流IRIR(4) (4) 正向壓降正向壓降VFVF(5) (5) 極間電容極間電容CdCdCBCB、 CD CD ） 二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)，允許通過二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)，允許通過的最大正向整流電流的平均值。的最大正向整流電流的平均值。 二極管二極管反向電流急劇增加時(shí)對(duì)應(yīng)的反向電壓值稱為反向擊穿電壓反向電流急劇增加時(shí)對(duì)應(yīng)的反向電壓值稱為反向擊穿

4、電壓VBRVBR。為。為安全計(jì)，在實(shí)際工作時(shí)，最大反向工作電壓安全計(jì)，在實(shí)際工作時(shí)，最大反向工作電壓VRMVRM一般只按反向擊穿一般只按反向擊穿電壓電壓VBRVBR的一半計(jì)算。的一半計(jì)算。 在室溫下，在規(guī)定的反向電壓下，一般是最大反向工作電壓下的反向電流值。硅二極管的反向電流一般在納安(nA)級(jí)；鍺二極管在微安(A)級(jí)。 在規(guī)定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降在中等電流水平下，約0.60.8V；鍺二極管約0.20.3V。 是反映二極管中是反映二極管中PNPN結(jié)電結(jié)電容效應(yīng)的參數(shù)，容效應(yīng)的參數(shù)，Cd=CB+CDCd=CB+CD。在高頻或開關(guān)狀態(tài)應(yīng)用時(shí)，。在高頻或開關(guān)狀態(tài)

5、應(yīng)用時(shí)，必須考慮級(jí)間電容的影響。必須考慮級(jí)間電容的影響。(6) (6) 反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間TRRTRR 由于由于PNPN結(jié)電容的存在，當(dāng)二結(jié)電容的存在，當(dāng)二極管外加電壓極性翻轉(zhuǎn)時(shí)，其原工作狀態(tài)不能在瞬間完極管外加電壓極性翻轉(zhuǎn)時(shí)，其原工作狀態(tài)不能在瞬間完全隨之變化。全隨之變化。重慶工學(xué)院電子學(xué)院重慶工學(xué)院電子學(xué)院3.3.4 半導(dǎo)體二極管的溫度特性半導(dǎo)體二極管的溫度特性 溫度對(duì)二極管的性能有較大的影響，溫度升高時(shí)，反向電流將呈指數(shù)規(guī)律增加，如硅二極管溫度每增加8，反向電流將約增加一倍；鍺二極管溫度每增加12，反向電流大約增加一倍。 另外，溫度升高時(shí)，二極管的正向壓降將減小，每增加1，正向壓降VF(VD)大約減小2mV，即具有負(fù)的溫度系數(shù)。這些可以從圖01.13所示二極管的伏安特性曲線上看出。重慶工學(xué)院電子學(xué)院重慶工學(xué)院電子學(xué)院 圖2.13 溫度對(duì)二極管伏安特性曲線的影響圖示重慶工學(xué)院電子學(xué)院重慶工學(xué)院電子學(xué)院3.3.5 半導(dǎo)體二極管的型號(hào)半導(dǎo)體二極管的型號(hào)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名舉例如下：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名舉例如下：重慶工學(xué)院電子學(xué)院重慶工學(xué)院