SPICE的器件模型..

1、SPICE的器件模型在介紹SPICE基礎(chǔ)知識時介紹了最復雜和重要的電路描述語句，其中就包括元器件描述語句。許多元器件（如二極管、晶體管等）的描述語句中都有模型關(guān)鍵字，而電阻、電容、電源等的描述語句中也有模型名可選項，這些都要求后面配以.MODEL起始的模型描述語句，對這些特殊器件的參數(shù)做詳細描述。電阻、電容、電源等的模型描述語句語句比較簡單，也比較容易理解，在SPICE基礎(chǔ)中已介紹，就不再重復了；二極管、雙極型晶體管的模型雖也做了些介紹，但不夠詳細，是本文介紹的重點，以便可以自己制作器件模型；場效應管、數(shù)字器件的模型過于復雜，太專業(yè)，一般用戶自己難以制作模型，只做簡單介紹。元器件的模型非常重要

2、，是影響分析精度的重要因素之一。但模型中涉及太多圖表，特別是很多數(shù)學公式，都是在WORD下編輯后再轉(zhuǎn)為JEPG圖像文件的，很繁瑣和耗時，所以只能介紹重點。一、二極管模型：1.1理想二極管的I-V特性：十VdqVdid=is（er反向飽和電疣：is=嗚為本征我疣子濃度f為空賓擴憩系數(shù)為空穴平均擴議岳度加為自曲電子擴散長度苴中；.珀為二極管的截面積D加為電子擴散系數(shù)%=”骯為巨由電子濃度N區(qū)的熱平衡值Na=戸刊為空次濃度P區(qū)的熱平衡值1.2 實際硅二極管的I-V特性曲線：折線A輸新H愛舒刪電JU嘔擴験電翹U龜融駆蝕斂、變軌棘妙等骸辦）fgiqd宣流電流加=1.3DC大信號模型：Id=f(Vd)=q

3、kT-1)Vd厶跖-1)+耳騙-厶+gnm-砂EVWd-5Vd-5k.T/q比&-5k.7/qri)14-PrJginin1(血研-11+他J咲PfJPr-5kTjq7C=厶厶=血惹止區(qū)：-5kTiqVc-:5kTLqhi八Mmin/-：Rgrnin金+魚I；-;FPr丿占niiii2.1.4Early效應：基區(qū)寬度調(diào)制效應眄疔為正向Early電壓匕U為反向Early電壓二考反映了F隨的増加而増大2.1.5帶Rc、Re、Rb的傳輸靜態(tài)模型：leg；RedEz帶RfRbR巳的傳輸靜態(tài)嘆型正向參數(shù)和反向參數(shù)是相對的，基極接法不變，而發(fā)射極和集電極互換所對應的兩種狀態(tài)，分別稱為正向狀態(tài)和反向狀態(tài)，與

4、此對應的參數(shù)就分別定義為正向參數(shù)和反向參數(shù)。2.2Ebers-Moll大信號模型：氏涉艮的滯：CJEUj感匚用張如1%mEmcGGFc)2.3Gummel-Pool靜態(tài)模型：B1低電疣Q值下降：通過參數(shù):鬆:C4g%*F_lLC斗厶(geaiT_ll丿+(L1、lPk_禺4PrgtmnF,e伽FgWas一丄eT-l+弘嚴站1Pf)PrLJ(0)(1-)1-理抜杲丈渡越時冋=y茗2在Ic低電疣或Vce高電丿玉時1）右卩.疋-jiTF1苴中.；/”亠Jyy1+疔丫-zliiiiT-iijijnjr+?3口lcc+1q丄1.44空%Ic為大電疣時TFF=lF1+疋疔1.44畑2.5BJT晶體管模型總

5、參數(shù)表:符號代呂響執(zhí)值殛值單隹1$:ISWi電疣10-6A爲B(tài)F運想最丈正向電疣放犬系數(shù)100-1.00ABR:反向攝大電疣放大系數(shù)i旳fNF正向電流發(fā)射系數(shù)11VNR反向電疣發(fā)射系數(shù)1C2ISE(C2):基極-發(fā)射極漏詫和電疣0iooo|AC4ISQ4)基極一集電極漏詫和電疣01AIKF(IK)正向膝點電疣co0.01.AIKR:反向膝點電疣cop.lA:%NE基極-發(fā)射極漏發(fā)射系數(shù)1.52HC基極一集電極漏發(fā)射系數(shù)2.2VAF(VA)正向EARL/電壓DO1兩VVAR(VB)反向ER直L專電壓CO.100V眈集電極電阻：0：；10Q更發(fā)射極電阻01Cl%RB零偏基極電阻o100QRBM犬電

6、疣時最小基極皚阻gB；100Cl爲IRB基極電阻下降肯1呈時的電疣ooATF.：理想正向鍍越時間o-O.lns%TR.理想反向渡越時閭0lDnsTFXTFTF隨偏置變化系數(shù)0-VTF:TF腿偏置Vbc：吏化的電壓參數(shù)cov/TFITF影響TF的丈電疣參數(shù)0AfFPTF在1/(2P1TF)Hz吋的超前相移0-.n/s.Rad亡JECJE:零偏B-E結(jié)耗盡電容0F，?s.VJEE-E結(jié)內(nèi)連電勢0.75.0.7-V.叫MJE(ME)B-E結(jié)梯疫因子0.330.33CJC零偏集毘極PN結(jié)耗盡電容0lpF:VJ.GPC)結(jié)內(nèi)建電勢0.750.5V.MJC(M(g氏巴結(jié)棉度因子0.330.33筋：零偏集電

7、極一襯底PN結(jié)電客0F，h襯底結(jié)內(nèi)逹電勢0.75V.叫襯底結(jié)梯度因子0XCJQXCJC結(jié)耗盡電容連到基極內(nèi)節(jié)點的百分數(shù)i:FcFC正詬耗匡電容系數(shù)0：5XyaXTBBR.EF的爲度系數(shù)0島XTl(PT).IS的泯度憩應指數(shù)3EgEG築帶寬度1.11.1.11eV-KFHf閃爍噪聲丟數(shù)：0：AFHf閃爍噪聲指數(shù)1ITT工作溫度27t；三、金屬氧化物半導體晶體管MOSFET模型:3.1 一級靜態(tài)模型：Shichman-Hodges模型（涉M細E：LW帶&yANb5IsX訂Kp2fpptozNss氏JsJQG3.2二級靜態(tài)模型（大信號模型）：Meyer模型3.2.1電荷存儲效應：3.2.2PN結(jié)電容

8、：軸丿3.3 三級靜態(tài)模型：線性區(qū)逼疣I雖&兀s比ffT比s2.式中理=yFsH-陽22$-/s更中：EP=略短溝道效應的影響込富=卩曲+文松一刃as+s#2%_在+朋0一卩跖）.窄溝道效應影響麗=溝道檜度飽和區(qū)變化一丄3.2 MOSFET模型參數(shù)表：一級模型理論上復雜，有效參數(shù)少，用于精度不高場合，迅速粗略估計電路二級模型可使用復雜程度不同的模型，計算較多，常常不能收斂三級模型精度與二級模型相同，計算時間和重復次數(shù)少，某些參數(shù)計算比較復雜四級模型BSIM，適用于短溝道（3um）的分析，Berkley在1987年提出代號級名稱執(zhí)值殛值單位LL溝道長度DEFLmWW溝道寬度DEFWm竊VTO1-

9、3零偏閩值電壓11VKpKP1-3跨導系數(shù)20u30uAIV2YGAMMA1-3體效應系數(shù)00.35嚴2伽PHI1-3表面電勢0.60.65VALAMBDA12溝道長度調(diào)制系數(shù)00.02廠itoxTOX1-3甄化層厚度0.1U0.1Um.NbNSUB1-3襯底摻雜濃度01x10+2cmNssNSS23表面態(tài)密度0lxl0+1cm2碣NFS23快表面態(tài)密度0lxl0+1cm2NeffNEFF2總溝道電荷系數(shù)15XjXJ23（金屬的）結(jié)深0lumXjlLD1-3描向擴散長度（源和漏）00.8umTpGTPG23冊材科類型+1011坯UO1-3我流子表面遷移率600700cm2IVsAcUCRIT2

10、遷移率下降時臨界電場1000010000V/cmUEXP2遷移率下降時臨界電場指數(shù)00.1UTRA2遷移率下降時臨界電場系數(shù)00.5VmaxVMAX23載流子最大漂移速度050000mXqcXQC23溝道電荷對漏極的分配系數(shù)00.48DELTA3閩值電壓的溝道寬度效應系數(shù)01VETA3靜態(tài)反饋系數(shù)（閩值電壓）01eTHETA1-3遷移率調(diào)制系數(shù)00.05廠】AF1-3爍噪聲指數(shù)11.2心KF1-3i/f閃爍噪再系數(shù)01x026IsIS1-3襯底PN結(jié)論和電流10fIfAJsJS1-3襯底PN結(jié)詫和電疣密度0lOnA対PB1-3襯底PN結(jié)內(nèi)連電勢0.80.75VCjCJ1-3襯底PN結(jié)零偏置單位

11、面積電容020mFlm2MjMJ1-3襯底PN結(jié)電容梯度因子0.50.5CjswCJSW1-3零偏襯底電容/單位周邊長度0InF/mMjswMJSW1-3襯底周邊電容梯度因子0.330.33FcFC1-3正偏耗盡電容系數(shù)0.50.5CgboCGBO1-3G-B間覆蓋電容/單位溝道寬度0200pF/mCGDO1-3G-D間覆蓋電容/單位溝道寬度040pF/mI寸哥輕spo干ueullp-!-Iqs4“礎(chǔ)鰹囹巴*柱閏様W剎坡PN結(jié)幗和電疣l(xiāng)Of.10fAm糊PN結(jié)梯.度因子Of.5nN:柵PN結(jié)發(fā)射丟數(shù)i:G.GD零偏G-D間PN結(jié)電容0.FCGS：零偏GS間PN結(jié)電容O:廂：F.FcFC正偏雜盡

12、層電容系數(shù)Of.5TQTCVTOTC：VTO、溫度系數(shù)O:：VZ1CABETATCEBETA溫度丟數(shù)0.l/lOOTCKfKFNf閃爍噪聲系數(shù)0：氐FAFHf閃爍噪聲指數(shù)0.五、GaAsMESFET模型：分兩級模型（肖特基結(jié)作柵極）GaAsMESFET模型參數(shù)表：代號卻值%。VTO國值電壓(夾斷電壓)-Z5-2.0VaALPHA飽和電壓參數(shù)2.0L5V-1BETA瞻導系數(shù)0.110u.A/y2.iLAMBDA溝道長度調(diào)制系數(shù)0ltJOp戸KgKG柵極串聯(lián)電陰DhCRdRD.漏極串聯(lián)電陰01.GRsgs源極串聯(lián)電陰：01.QIs:IS冊FN結(jié)飽和電疣l(xiāng).OfAmM刪PN結(jié)棉度因子0.5nN艸PN

13、結(jié)發(fā)射系數(shù)1GDCGD零偏G-D間PN結(jié)電容D1PFCGS零詬G-S間PN結(jié)電容.0師FVBI刪PN結(jié)內(nèi)建電勢1.005v-CDSD-S間電容.00.3pFTTAU導電電疣延遲時間0lap：sFcFC正偏耗盡電容系數(shù).0.5.；JoTCVtotcVTO溫度系數(shù)0v/*cBETATCEBETA.?度系數(shù).0l/lOOX?KfKFHf閃爍噪聲系數(shù)0AFHf閃爍噪聲指數(shù)i、六、數(shù)字器件模型：6.1標準門的模型語句：.MODELUGATE模型參數(shù)標準門的延遲參數(shù)：遜單也TPLHMN低電平上升高電平，攝小時間延遲0STPLHTY低電平上升高電平，標準時間延遲.0STPLHMX低電平上升高電平，最大時間延

14、遲0.STPHLMN高電平下陣低電平，攝小時間延遲0STPHITY高電平下降低電平，標準時間延遲.0STFHLMX高電平下降低電平，最大時間延遲0SMNTYMXDLY延遲類型：0戦認值1攝小值典型值3攝大值06.2 三態(tài)門的模型語句：.MODELUTGATE模型參數(shù)三態(tài)門的延遲參數(shù)：翅名SiKU值單位TPLHMN低電平上升高電平，最小時間延遲QsTPLHTY低電平上升高電平，標淮時間延遲osTPLHMX低電平上升高電平，最大時間延遲0sTPHLMN高電平下降低電平，最小時間延遲QsTPKETY高電平下降低電平，標淮時間延遲osTPHLMK高電平下降低電平，最大時間延遲sTPLZMN低電平上升到

15、E（高阻），最水時間延遲0sTPLTTY低電平上升到Z（高阻），新準時間延遲osTPLZMX低電平上升到E（高陥），爰丈肘間延遲Q-sTPHZMN高電平下降到Z（高陰），盤貳時間延遲0sTPtSTY高電平下降到忑（高阻h標準時間延遲0.0TPHZMX直電平下降到忑（高陪），雖丈時間延遲Q-sTPZLMN忑（高阻）下降到低電平盤乎時間延遲OsTPZLTY忑（高阻）下降到低電平標準時間延遲00:TPZLM嫁忑（高阻）下降到低電平攝尢時間延遲0.sTPZHMNZCS阻）上升到高電平杲小時間延遲OsTPZHTYZ（高陰）上升到高電平標準時間延遲QsTPZHMXZC阻）上升到高電平攝大時間延遲0.sMN

16、TYMXDLY延遲類型：0默秋值1最小值典型值3杲丈值O6.3 邊沿觸發(fā)器的模型語句：.MODELUEFF模型參數(shù)邊沿觸發(fā)器參數(shù)：JKFFnffpreb,clrb,clkb,j*,k*,g*,gb*JK觸發(fā)器，后沿觸發(fā)D觸發(fā)器，前DFFnffpreb,clrb,clk,d*,g*,gb*沿觸發(fā)邊沿觸發(fā)器時間參數(shù)：TPPOQLHMN瑕歩延遲preb/chb融發(fā)q/qb低變高0.sTPPCQLHTY典型延遲preb/chb融發(fā)q/qb低變高QsTPPCQLHMX攝犬延遲preb/chb觸發(fā)q/qb低孌高0.sTPPOQHLMN瑕歩延遲preb/chb融發(fā)q/qb高變低0；sTPPCQHLTY典型延

17、遲preb/chb融發(fā)q/qb高變低QsTPFCQHLMX彊大延遲preb/chb觸發(fā)q/qb高變f氐osTWPCN瑕歩延遲最巒preb/chb低電平脈沖寬度0；sTWPCLTY典型延遲B-fbpreb/chb低電平屎沖寬度0.sTWFCLIvIX彊大延遲M/NcltJckb髙電平脈沖寬度0stsud(Slkmn建立；：j/kMtoc血cllsb邊沿，攝小值0-sTSUD(PLKTY建立：j/k/dtoclk/cllsb邊沿，典型值.0；sTSUDCLKT-4X-逹立：卿tocUs/clldo邊沿，最大值QsTSUPCCLKHMN逹立：preb/chbhitodk/cDsb邊沿j靈爪值osTS

18、UPCCLKHTY建立：preb/chbhitoclk/clkh邊沿j典型值.0；sTSUPCCLKHMX連立：preb/clibhitoclk/cUsb邊沿j攝大值0.sTHDCLKMN保持：j.GJdaRerclk/clJkb邊沿.謖小值osTHDGLKTY保持.vj/Udiifterclk/clEb邊沿j典型值osTHDCLKMX保持：i/k/dafterclUcUsb邊沿j攝大值0.sMNTYMXDLY延遲類型：0默鈦值1疑小值2典型值M攝犬值06.4 鐘控觸發(fā)器的模型語句：.MODELUGFF模型參數(shù)鐘控觸發(fā)器參數(shù)：SRFFnffpreb,clrb,gate,s*,r*,q*,qb*

19、SR觸發(fā)器，時鐘高電平觸發(fā)D觸發(fā)器，時鐘DLTCHnffpreb,clrb,gate,d*,g*,gb*高電平觸發(fā)鐘控觸發(fā)器時間參數(shù)：TPPCQLHIvIN最書延遲preb/chb觸發(fā)q/qb低變高0sTPPCQLHTY典型延遲preb/chb觸發(fā)q/qb低變高0sTPPCQLHMX最大延遲preb/chb觸發(fā)q/qb低變高J0sTPPCQHLIvIN最書延遲preb/chb觸發(fā)q/qb高變低0工TPPOQHLTY典型延遲preb/chb觸發(fā)q/qb高變低.05：TPPCQHLMX最大延遲preb/chb蝕發(fā)q/qb高變低J0sTWPCLMN最延遲棗小preb/chb低電平脈中寬度0s.TWP

20、0LTY典型延遲蠱小preb/chb低電平脈沖寬度.05：TWFdLMX最大延遲劉bpreb/clib低電平脈沖寬度J0sTPGQIHMN最延遲gte鈾發(fā)q/qb低變高0s.TPGQIHTY典型延遲gte帥發(fā)q/qb低變甕.0工TPGQLHL/IX：最大延遲gate融境q/qb低變高J0sTPGQHLMN懾攝小值ns.TSUPCGHTY逹立：preb/chbhitogate邊沿典型值0工TSUPCGHh-IX逹立：preb/chbhitogate邊沿攝犬佰.05：THDdLKMN保持：s/r/daflerclk/cUsb邊沿蜃小值JO.s.THDCLICTY保持知過血afiercDJcIkb邊

21、沿典型值.03THDCLKMX保持：s/r/dscftercDJcUsb邊沿委犬值.0s:MNTYMXDLY延遲類型：0默認值1攝小值勺典型值3杲犬值,06.5 可編程邏輯陣列器件的語句：U(,)*#+FILE=+IOLEVEL=其中：列表PLAND與陣列PLANDC.毎個軌入變量有同相端與反相端的與陣列PLORPLORC毎軍輸入變量有同相端與反栢端的或陣列PLXOR異或陣列PLXORCf：毎亍輸鞏變星有同相端與反相端的異或陣列PLNAND與非陣列PLNANDC毎個撤人變量有同相端與反相端的與非陳列PLNOR或非陣列PLNORC毎軍輸入變量有同相端與反相端的或非陣列PLNXOR同或陣列PLNX

22、ORC毎亍輸入變星有同相端與反相端的同或陣列JEDEC格式文件的名稱，含有陣列特定的編程數(shù)據(jù)JEDEC文件指定時，DATA語句數(shù)據(jù)可忽略是下列字母之一：B二進制O八進制X十六進制程序數(shù)據(jù)是一個數(shù)據(jù)序列，初始都為0PLD時間模型參數(shù)：TPLHMN低電平上升高電平，蜓小時間延遲U5TPLHTY低電平上升高電平標淮時間延遲0sTPLHMX低電平上升高電平攝犬時間延遲0：sTPHLIVIN高電平下降低電平，蜓小時間延遲D5TPHIJY高電平下降低電平標堆時間延遲0STPHLlvIX高電平下降低電平攝丈時間延遲J0SOFFSETJEDEC文件的第一輸頭端地址和第一門的程序nfeOMPOFFSETJEDE

23、C文件的第一輸入反詣端地址和第一門的程序、iINSCLEJEDEC文件對毎一誓新輸汽端地址變化的計數(shù).1/2勺d/同相返栢UTSCALEJEDEC文件對毎一皋新輸出端地址喪化的計數(shù)feLplltS.CSllLplis)3皿同相:凌相MNTYMXDU涎遲選揮:0默認值1蝗坐值3典型值：$棗丈值JO七、數(shù)字I/O接口子電路：數(shù)字電路與模擬電路連接的界面節(jié)點，SPICE自動插入此子電路子電路名(AtoDn和DtoAn)在I/O模型中定義，實現(xiàn)邏輯狀態(tài)與電壓、阻抗之間的轉(zhuǎn)換。7.1N模型：數(shù)字輸入N模型將邏輯狀態(tài)（10XZ）轉(zhuǎn)換成相對應的高電平節(jié)點低電平喀點電壓、阻抗。應出是隨時間變化的電阻，當數(shù)字涪

24、號的狀態(tài)變化時，電阻值是指數(shù)變化，電陰值的孌化是由新伏態(tài)的開關(guān)時間決定的.C站煜固定戲窮通第低電平節(jié)盍和高電平節(jié)盍連接相應的電壓源，電壓值與星高和最低邏輯電平值相關(guān)由隔應頊和連接的兩亍電壓源，可凰產(chǎn)生掾高和最低邏輯電平走間的任一電壓和任一阻抗的輸出匚數(shù)字模擬器的N模型語句：N+DGTLNET=IS=(initialstate)數(shù)字文件的N模型語句：N+SIGNAME=IS=(initialstate)模型語句：.MODELDINPUT(模型參數(shù))模型參數(shù)表：疑羊恆CLO電容連接到lowlevel節(jié)點0FCHI電容連接到highlevel節(jié)點QFSONAME狀龕0特性縮寫SOTSW狀龕0開關(guān)時間

25、SSORLO狀蠱0電阻連接到lowlevel節(jié)點QSORHI狀態(tài)0電阻連接到highlevel節(jié)點QS1NAME狀龕1特性縮寫S1TSW狀起1開關(guān)時間SS1RLO狀態(tài)1電阻連接到lowlevel節(jié)點QS1RHI狀盎1電陰連接到highleviel節(jié)點QS19NAME狀龕19特性縮寫S19TSW狀態(tài)19開關(guān)時間s-S19RLO狀態(tài)1?電阻連接到lowlevel節(jié)點QS19RHI狀龕19電阻連接到kghlevel節(jié)點QFILE.數(shù)字輸衣文件名FOPMAT教字輸入文件格式1-TIMESTEP數(shù)字輸羔文件步長lit.S：7.2 O模型：將模擬電壓轉(zhuǎn)換為邏輯狀態(tài)(10XZ),形成邏輯器件的輸入級。6辺址

26、応由模型養(yǎng)數(shù)決定毎當時間等于時間歩底TIMESTEP的整數(shù)倍時，器件節(jié)點的狀龕將被寫人:文件中-節(jié)點狀態(tài)由接口節(jié)點和參考節(jié)點之間的電壓值決定,將該電壓值與當前電壓序列進行比較,如果落在當前電壓序列中,則新狀態(tài)與原狀態(tài)相同；如果不在當前電壓序列中，則從SONAME開始檢查，第一個含有該電壓值的電壓序列可確定為新狀態(tài)。如果沒有電壓序列包含這個電壓值,則新狀態(tài)為？(狀態(tài)未知)。數(shù)字模擬器的O模型語句：O+DGTLNET=數(shù)字文件的O模型語句：O+SIGNAME=模型語句：.MODELDOUTPUT(模型參數(shù))模型參數(shù)表：翅名霸單位RLO理D電容連接到lowlevel節(jié)點0GCLOAD電容連接到hig

27、hlev節(jié)點0F.CHGQNLY。寫毎亍時間步長1寫新變化.0S0NAME狀態(tài)0特性縮寫SOVLO狀態(tài)0lowlevel電壓VS0VHI狀態(tài)0highlevel電壓VS1NAME狀態(tài)1特性縮寫lVLO狀盍1lowlevel電壓VS1VHI狀態(tài)1highlevel電壓V19NAME狀盍19特性縮寫S19VLO狀態(tài)19lowlevel電壓VS19VHI狀態(tài)19highlevel電壓VFILE數(shù)字輸龍文件名FORMAT數(shù)宇輸入文件格式.1TIMESTEP數(shù)字輸理文件步長.111STIMESCALE數(shù)字輸菽文件刻度1八、數(shù)學宏模型：作為電路功能塊或?qū)嶒瀮x器插入電路系統(tǒng)中，代替或模擬電路系統(tǒng)的部分功能，

28、有24種8.1電壓加法器：il*0+”基本運姦方程：%=即泅+&%+禺汨+%等效電路方程:：珥16)=俎蘆(10)+屁氏4禺叫14)+8.2 電壓乘法器：+爲1+、一%等效電路方程：7(14)：=(10)8珥基玄運算方程：%8.3 電壓除法器：基傘垣耳力枉：忙他f等效電路方程：f(G%y=UWW2)Z)(1142)8(13J譏1裁=盡(審(&$)二RO卩(10,12)刑+盡D礦(11,1當R1-普時，I(GdVl=I(GdV2(13)=：C叫10,12)“。卩(11,1勾8.4電壓平方：基本運算方程：8.5 理想變壓器：VCC.VCCO.F1F2VCCOVsence2等效電路E17CC方程；-.7(1)=.(N2VNXy1(F=(洌価2)護龍叱1)Vsencel-QVsence為零值電壓源亍用作電流表8.6 電壓求平方根：方程%=疋濟8.7 三角波/正弦波轉(zhuǎn)換器：三角波峰-峰值為2V,其中C=PI/2fG購(祖+BYEl=Vin叭0=“Ul)=6牛=購+0)=B=1(2馮辺=l/=T畑$Cl=l匹(14)二叫點頼購*Q九=心比+D時(14)苴中;辺=cos