減薄、劃片工藝介紹優(yōu)秀課件

1、減薄與劃片工藝介紹 減薄與劃片流程圖 減薄工藝簡(jiǎn)介 劃片工藝簡(jiǎn)介芯片生產(chǎn)工藝流程圖芯片生產(chǎn)工藝流程圖外延片下料清洗蒸鍍黃光作業(yè)刻蝕合金減薄劃片測(cè)試分選減薄、劃片位于芯片生產(chǎn)工藝的中游。減薄、劃片COW（chip on wafer）COT (chip on wafer)減薄、劃片減薄、劃片工藝中主要使用的機(jī)臺(tái)減薄、劃片工藝中主要使用的機(jī)臺(tái)研磨機(jī)研磨機(jī)拋光機(jī)拋光機(jī)減薄、劃片工藝中主要使用的機(jī)臺(tái)減薄、劃片工藝中主要使用的機(jī)臺(tái)激光劃片機(jī)激光劃片機(jī)裂片機(jī)裂片機(jī)減薄、劃片工藝流程圖減薄、劃片工藝流程圖減薄定義減薄定義 減薄:顧名思義是通過(guò)特定的工藝手法將物體由厚變薄的過(guò)程。430m80m我司減薄的過(guò)程是要

2、將厚度約為430m的COW片（chip on wafer）減薄至80m5m左右上蠟上蠟 定義： 將芯片固定在陶瓷盤上便于減薄的過(guò)程。上蠟上蠟 步驟： 清潔陶瓷盤 上蠟貼片前，首先需要保證陶瓷盤的潔凈程度，LED芯片減薄是屬于微米量級(jí)的操作，任何細(xì)微的雜質(zhì)都可能導(dǎo)致意想不到的異常狀況。上蠟上蠟 步驟： 涂蠟 將陶瓷盤加熱至140，保證蠟條能迅速融化，涂蠟過(guò)程中需注意要使蠟均勻分布在陶瓷盤表面。上蠟上蠟 步驟： 貼片 將需要減薄的芯片小心放置于陶瓷盤上，注意需要趕走芯片與蠟層之間的氣泡。上蠟上蠟 步驟： 加壓冷卻 通過(guò)加壓的方式使，陶盤與芯片之間的蠟均勻分布，并凝固將芯片固定。研磨研磨 定義： 使

3、用鉆石砂輪將芯片快速減薄到一定厚度，研磨后芯片厚度值為1205m，此步驟大約耗時(shí)15min。430m15min120m研磨研磨 步驟： 修盤 每次研磨前需使用油石將鉆石砂輪修整一遍。此動(dòng)作意義類似于切菜的前磨刀。研磨研磨 步驟： 歸零 歸零實(shí)際是設(shè)置研磨起始點(diǎn)，歸零又分為手動(dòng)歸零和自動(dòng)歸零。研磨研磨 步驟： 研磨 砂輪高速自轉(zhuǎn)（1050rpm）并以一定的規(guī)律進(jìn)給將芯片減薄到指定厚度。拋光拋光 定義： 如果說(shuō)研磨是快速減薄的過(guò)程，拋光則是一個(gè)緩慢減薄的過(guò)程，同時(shí)使芯片表面粗糙度降低，以獲得光亮、平整表面。研磨研磨 步驟： 鑲盤 將錫盤上均勻布滿鉆石液的過(guò)程。拋光拋光 步驟： 拋光 通過(guò)拋光液中的

4、鉆石顆粒，緩慢減薄芯片。卸片卸片 定義： 將減薄后的芯片從陶瓷盤上卸下來(lái)的過(guò)程。卸片卸片 步驟： 浸泡 將拋光后的陶瓷盤放入去蠟鍋中，加熱浸泡5min左右，使芯片從陶瓷上剝離。卸片卸片 步驟： 夾取 用平口鑷小心將減薄后的芯片夾只提籃中以便于清洗。由于芯片很薄夾取過(guò)程中需非常小心。清洗清洗 定義： 使用一定的化學(xué)試劑通過(guò)水浴浸泡，QDR沖洗的方式將芯片上蘸有的殘蠟清洗干凈。清洗清洗 步驟： 去蠟液ACEIPAQDRIPA烘干劃片定義劃片定義 劃片:是采用激光切割與劈刀裂片配合的方式，將連在一起的管芯分割開(kāi)來(lái)劃片貼片貼片 定義： 使用藍(lán)膜或白膜將減薄后芯片固定的過(guò)程。 貼片貼片 步驟： 準(zhǔn)備工作

5、 用IPA加至無(wú)塵布上擦拭chuck表面和滾輪。把vacuum開(kāi)至off。減薄后80m芯片很脆弱，需要注重每一個(gè)細(xì)節(jié)。貼片貼片 步驟： 取片 把貼片機(jī)vacuum開(kāi)至off處。小心將貼好的芯片取下。貼片貼片 步驟： 貼片 放鐵環(huán)，需注意對(duì)準(zhǔn)卡栓，用平口鑷子夾取芯片，放片時(shí)芯片正面朝上，使用白膜粘住芯片。切割切割 使用激光在芯片背面，沿切割道劃片。不同尺寸芯片，劃片深度不一，深度區(qū)間為25至40m之間。注意：并未將芯片劃穿。裂片裂片 在芯片正面（激光劃芯片背面），沿著激光劃片的痕跡使用裂片機(jī)將管芯完全分離開(kāi)。倒膜倒膜 定義： 將完全分離的管芯由正面貼膜翻轉(zhuǎn)成背面貼膜。 倒膜倒膜 步驟： 去雜質(zhì)

6、將切割與劈裂過(guò)程中產(chǎn)生的一些碎屑雜質(zhì)粘掉。倒膜倒膜 步驟： 貼膜 剪一方形藍(lán)膜(大小為 20cm*20cm，長(zhǎng)寬誤差不大于2cm)，將Wafer背面貼于藍(lán)膜中間位置倒膜倒膜 步驟： 加壓 藍(lán)膜在下，白膜在上放于倒膜機(jī)加熱平臺(tái)上，蓋上硅膠片，硅膠片需覆蓋整個(gè)片子區(qū)域，按下下降按鈕，加壓盤下降，等待4秒后加壓盤自動(dòng)上升，即加壓一次完成。倒膜倒膜 步驟： 撕膜 從加熱平臺(tái)上取下，左手按住貼有Wafer的藍(lán)膜，右手貼著膜平撕下表面的白膜，倒膜完成，管芯由正面貼膜變成了背面貼膜擴(kuò)張擴(kuò)張 定義： 通過(guò)擴(kuò)張藍(lán)膜的方式，增大管芯之間距離，以便于目檢作業(yè) 擴(kuò)張擴(kuò)張 步驟： 擴(kuò)張前準(zhǔn)備 開(kāi)機(jī)，打開(kāi)電源，查看引伸盤

7、控溫器上的溫度顯示值是否為40 5,異常紅燈會(huì)亮。 擴(kuò)張擴(kuò)張 步驟： 擴(kuò)張前準(zhǔn)備 放擴(kuò)張環(huán) ，打開(kāi)壓蓋，將擴(kuò)張環(huán)的內(nèi)環(huán)放入底盤中，注意光滑面朝上，將擴(kuò)張環(huán)的外環(huán)放入壓環(huán)盤中，注意光滑面朝下。 擴(kuò)張擴(kuò)張 步驟： 放藍(lán)膜 將貼有芯片的藍(lán)膜平鋪于底盤上，貼有芯片的一面朝上。 擴(kuò)張擴(kuò)張 步驟： 扣緊壓蓋 放下壓盤，將“鎖緊放松”按鈕置于鎖緊端，使得壓盤和底盤鎖緊；此機(jī)臺(tái)具有延時(shí)機(jī)制，壓盤和底盤鎖緊之后的5秒之內(nèi)引伸盤上升按鈕將會(huì)失效，5秒之后恢復(fù)正常,“電源指示燈”自動(dòng)亮起。 擴(kuò)張擴(kuò)張 步驟： 擴(kuò)張 按下引伸盤上升鈕，這時(shí)貼有芯片的藍(lán)膜會(huì)被擴(kuò)張 擴(kuò)張擴(kuò)張 步驟： 壓環(huán) 引伸盤伸到頂后，將環(huán)外套下壓裝置輕輕推到引伸盤