半導(dǎo)體技術(shù)論文高分子材料論文半導(dǎo)體材料的發(fā)展現(xiàn)狀(精)

1、0中聘桂訓(xùn)Ifff.551fifi.NET職稱論文發(fā)表與寫作指卑中心:www5916S.net.QQ:10035?ieS-半導(dǎo)體技術(shù)論文高分子材料論文：半導(dǎo)體材料的發(fā)展現(xiàn)狀摘要在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，一般將硅、鍺稱為第一代半導(dǎo)體材料;將砷化鎵、磷化銦、磷化鎵等稱為第二代半導(dǎo)體材料;而將寬禁帶(Eg>2.3eV)的氮化鎵、碳化硅和金剛石等稱為第三代半導(dǎo)體材料。本文介紹了三代半導(dǎo)體的性質(zhì)比較、應(yīng)用領(lǐng)域、國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀和進(jìn)展情況等。關(guān)鍵詞半導(dǎo)體材料;多晶硅;單晶硅;砷化鎵;氮化鎵1前言半導(dǎo)體材料是指電阻率在107Qcm10-3Qcm,界于金屬和絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路

2、、電力電子器件、光電子器件的重要基礎(chǔ)材料1,支撐著通信、計(jì)算機(jī)、信息家電與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)等電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的是美國(guó)和日本，其2002年的銷售收入分別為3189億美元和2320億美元。近幾年來(lái)，我國(guó)電子信息產(chǎn)品以舉世矚目的速度發(fā)展，2002年銷售收入以1.4億人民幣居全球第3位，比上年增長(zhǎng)20%,產(chǎn)業(yè)規(guī)模是1997年的2.5倍，居國(guó)內(nèi)各工業(yè)部門首位。半導(dǎo)體材料及應(yīng)用已成為衡量一個(gè)國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展、科技進(jìn)步和國(guó)防實(shí)力的重要標(biāo)志。半導(dǎo)體材料的種類繁多，按化學(xué)組成分為元素半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體和固溶體半導(dǎo)體按組成元素分為一元、二元、三元、多元等;按晶態(tài)可分為多晶、單晶和非晶;按應(yīng)用方式可分

3、為體材料和薄膜材料。大部分半導(dǎo)體材料單晶制片后直接用于制造半導(dǎo)體材料，這些稱為“體材料”相對(duì)應(yīng)的“薄膜材料”是在半導(dǎo)體材料或其它材料的襯底上生長(zhǎng)的，具有顯著減少“體材料”難以解決的固熔體偏析問(wèn)題、提高純度和晶體完整性、生長(zhǎng)異質(zhì)結(jié)，能用于制造三維電路等優(yōu)點(diǎn)。許多新型半導(dǎo)體器件是在薄膜上制成的，制備薄膜的技術(shù)也在不斷發(fā)展。薄膜材料有同質(zhì)外延薄膜、異質(zhì)外延薄膜、超晶格薄膜、非晶薄膜等。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，一般將硅、鍺稱為第一代半導(dǎo)體材料;將砷化鎵、磷化銦、磷化鎵、砷化銦、砷化鋁及其合金等稱為第二代半導(dǎo)體材料;而將寬禁帶(Eg>2.3eV)的氮化鎵、碳化硅、硒化鋅和金剛石等稱為第三代半導(dǎo)體材料

4、4。上述材料是目前主要應(yīng)用的半導(dǎo)體材料，三代半導(dǎo)體材料代表品種分別為硅、砷化鎵和氮化鎵。本文沿用此分類進(jìn)行介紹。2主要半導(dǎo)體材料性質(zhì)及應(yīng)用材料的物理性質(zhì)是產(chǎn)品應(yīng)用的基礎(chǔ)，表1列出了主要半導(dǎo)體材料的物理性質(zhì)及應(yīng)用情況5。表中禁帶寬度決定發(fā)射光的波長(zhǎng)，禁帶寬度越大發(fā)射光波長(zhǎng)越短(藍(lán)光發(fā)射);禁帶寬度越小發(fā)射光波長(zhǎng)越長(zhǎng)。其它參數(shù)數(shù)值越高，半導(dǎo)體性能越好。電子遷移速率決定半導(dǎo)體低壓條件下的高頻工作性能，飽和速率決定半導(dǎo)體高壓條件下的高頻工作性能。中國(guó)學(xué)術(shù)論文網(wǎng)（www.5gi6S.net）是國(guó)內(nèi)專業(yè)的職稱論文發(fā)表與寫作服務(wù)平臺(tái).擁有合作期刊三百余家，寫作指導(dǎo)老師高端高議-亠職稱論文發(fā)表與寫作指卑中心:

5、WWW5916S.net.QQ:10035?ieS-0擁學(xué)梆汕麗1主靈羋導(dǎo)體材料的比載啊擁謹(jǐn)率(劉0陀鈕時(shí)32J熱導(dǎo)(W/cni-K)】0.6擊穿電壓(MV/cm)町O43.42,72,05.0電子遷移速率5阿呵1頂甌0900光學(xué)應(yīng)用髙頻性能髙溫性能發(fā)展階啓相對(duì)制卷成本無(wú)紅押藍(lán)光/紫外差好好中差好發(fā)罐中初期低高中國(guó)學(xué)術(shù)論文網(wǎng)()是國(guó)內(nèi)專業(yè)的職稱論文發(fā)表與寫作服務(wù)平臺(tái)-擁有合作期刊三百余家，寫作指導(dǎo)老師高端高議-亠硅材料具有儲(chǔ)量豐富、價(jià)格低廉、熱性能與機(jī)械性能優(yōu)良、易于生長(zhǎng)大尺寸高純度晶體等優(yōu)點(diǎn)，處在成熟的發(fā)展階段。目前，硅材料仍是電子信息產(chǎn)業(yè)最主要的基礎(chǔ)材料，95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上

6、的集成電路(IC)是用硅材料制作的。在21世紀(jì)，可以預(yù)見(jiàn)它的主導(dǎo)和核心地位仍不會(huì)動(dòng)搖。但是硅材料的物理性質(zhì)限制了其在光電子和高頻高功率器件上的應(yīng)用。砷化鎵材料的電子遷移率是硅的6倍多，其器件具有硅器件所不具有的高頻、高速和光電性能，并可在同一芯片同時(shí)處理光電信號(hào)，被公認(rèn)是新一代的通信用材料。隨著高速信息產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，砷化鎵成為繼硅之后發(fā)展最快、應(yīng)用最廣、產(chǎn)量最大的半導(dǎo)體材料。同時(shí)，其在軍事電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日益廣泛，并占據(jù)不可取代的重要地位。GaN材料的禁帶寬度為硅材料的3倍多，其器件在大功率、高溫、高頻、高速和光電子應(yīng)用方面具有遠(yuǎn)比硅器件和砷化鎵器件更為優(yōu)良的特性，可制成藍(lán)綠光、紫外光的發(fā)光

7、器件和探測(cè)器件。近年來(lái)取得了很大進(jìn)展，并開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。與制造技術(shù)非常成熟和制造成本相對(duì)較低的硅半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料目前面臨的最主要挑戰(zhàn)是發(fā)展適合GaN薄膜生長(zhǎng)的低成本襯底材料和大尺寸的GaN體單晶生長(zhǎng)工藝。主要半導(dǎo)體材料的用途如表2所示?？梢灶A(yù)見(jiàn):以硅材料為主體、GaAs半導(dǎo)體材料及新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料共同發(fā)展將成為集成電路及半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主流。3半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀3.1半導(dǎo)體硅材料0中聘樑訓(xùn)Ifrff,59Hfi.NlT職稱論文發(fā)表與寫作指卑中心:www5916S.net.QQ:10035?ieS-*2半導(dǎo)津柚料的主要周建制柞曙杵主腿用淮二極骨，甜休骨適雷達(dá)1廣攝、電視

8、啟動(dòng)控制#種計(jì)tt機(jī)越恥代自動(dòng)控制.電了鐘凰、儀靈整法劉流衛(wèi)流輸配電、電代機(jī)車改甜肖攪、髙頻落絳.超世澹播需器射統(tǒng)揮測(cè)器瑕子能俞析、光負(fù)子盤測(cè)太啦牠電池孟陽(yáng)儲(chǔ)槪電他達(dá)、權(quán)液軸ill、電視、驛勁通退緞光管虹外發(fā)光管小功斛虹蚪光湖報(bào)東冗杵蟻場(chǎng)控制鍛光調(diào)制豔澈光適訊陸速計(jì)範(fàn)扒胸朋通iN盍陽(yáng)瞳按電光舉療關(guān)、激光打印楓醫(yī)療、耳事應(yīng)用發(fā)光二樓骨缶號(hào)燈.憂鎖城刁“卅崖忙泡、惑砂吐話普通煦明篥外探測(cè)離分析儀器火韜檢測(cè)、臭璽槪測(cè)集成電略誼訊基功放辭件八祇遠(yuǎn)性內(nèi)frJU片黃.鍛股電蹄*辱鴉、衛(wèi)星3.1.1多晶硅多晶硅是制備單晶硅和太陽(yáng)能電池的原料，主要生產(chǎn)方法為改良西門子法。目前全世界每年消耗約18000t25O

9、OOt半導(dǎo)體級(jí)多晶硅。2001年全球多晶硅產(chǎn)能為23900t,生產(chǎn)高度集中于美、日、德3國(guó)。美國(guó)先進(jìn)硅公司和哈姆洛克公司產(chǎn)能均達(dá)6000t/a，德國(guó)瓦克化學(xué)公司和日本德山曹達(dá)公司產(chǎn)能超過(guò)3000t/a,日本三菱高純硅公司、美國(guó)MEMC公司和三菱多晶硅公司產(chǎn)能超過(guò)1OOOt/a，絕大多數(shù)世界市場(chǎng)由上述7家公司占有。2000年全球多晶硅需求為22OOOt,達(dá)到峰值，隨后全球半導(dǎo)體市場(chǎng)滑坡；2001年多晶硅實(shí)際產(chǎn)量為17900t，為產(chǎn)能的75%左右。全球多晶硅市場(chǎng)供大于求，隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)的恢復(fù)和太陽(yáng)能用多晶硅的增長(zhǎng)，多晶硅供需將逐步平衡。我國(guó)多晶硅嚴(yán)重短缺。我國(guó)多晶硅工業(yè)起步于50年代，60年代實(shí)現(xiàn)

10、工業(yè)化生產(chǎn)。由于技術(shù)水平低、生產(chǎn)規(guī)模太小、環(huán)境污染嚴(yán)重、生產(chǎn)成本高，目前只剩下峨嵋半導(dǎo)體材料廠和洛陽(yáng)單晶硅廠2個(gè)廠家生產(chǎn)多晶硅。2001年生產(chǎn)量為80t7，僅占世界產(chǎn)量的0.4%，與當(dāng)今信息產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展和多晶硅的市場(chǎng)需求急劇增加極不協(xié)調(diào)。我國(guó)這種多晶硅供不應(yīng)求的局面還將持續(xù)下去。據(jù)專家預(yù)測(cè)，2005年國(guó)內(nèi)多晶硅年需求量約為756t，2010年為1302t。峨嵋半導(dǎo)體材料廠和洛陽(yáng)單晶硅廠1999年多晶硅生產(chǎn)能力分別為60t/a和20t/a。峨嵋半導(dǎo)體材料廠1998年建成的100t/a規(guī)模的多晶硅工業(yè)性生產(chǎn)示范線,提高了各項(xiàng)經(jīng)濟(jì)技術(shù)指標(biāo)，使我國(guó)擁有了多晶硅生產(chǎn)的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。該廠正在積極進(jìn)行10

11、00t/a多晶硅項(xiàng)目建設(shè)的前期工作。洛陽(yáng)單晶硅廠擬將多晶硅產(chǎn)量擴(kuò)建至300t/a，目前處在可行性研究階段。3.1.2單晶硅生產(chǎn)單晶硅的工藝主要采用直拉法(CZ)、磁場(chǎng)直拉法(MCZ)、區(qū)熔法(FZ)以及雙坩鍋拉晶法。硅晶片屬于資金密集型和技術(shù)密集型行業(yè)，在國(guó)際市場(chǎng)上產(chǎn)業(yè)相對(duì)成熟，市場(chǎng)進(jìn)入平穩(wěn)發(fā)展期，生產(chǎn)集中在少數(shù)幾家大公司，小型公司已經(jīng)很難插手其中。中國(guó)學(xué)術(shù)論文網(wǎng)（www.5gi6S.net）是國(guó)內(nèi)專業(yè)的職稱論文發(fā)表與寫作服務(wù)平臺(tái).擁有合作期刊三百余家，寫作指導(dǎo)老師高端高議-亠HBLECVGF/VB住灰電工tE*D住找礦山QQD同和曠業(yè)g00日立電婢庫(kù)BoQ日撬輸（B1Q船和電工湖oO占制電廿

12、剛i電趴口aQaD日亞化軟日）Q>aAXT曲M/Acom囲Lhiflii飆9HF國(guó)6討CT（和oFuiburner(0it#)，-V<<JfD護(hù)嵐f目前國(guó)際市場(chǎng)單晶硅產(chǎn)量排名前5位的公司分別是日本信越化學(xué)公司、德瓦克化學(xué)公司、日本住友金屬公司、美國(guó)MEMC公司和日本三菱材料公司。這5家公司2000年硅晶片的銷售總額為51.47億元，占全球銷售額的70.9%，其中的3家日本公司占據(jù)了市場(chǎng)份額的46.1%，表明日本在全球硅晶片行業(yè)中占據(jù)了主導(dǎo)地位8。集成電路高集成度、微型化和低成本的要求對(duì)半導(dǎo)體單晶材料的電阻率均勻性、金屬雜質(zhì)含量、微缺陷、晶片平整度、表面潔凈度等提出了更加苛刻的

13、要求（詳見(jiàn)文獻(xiàn)8），晶片大尺寸和高質(zhì)量成為必然趨勢(shì)。目前全球主流硅晶片已由直徑8英寸逐漸過(guò)渡到12英寸晶片，研制水平達(dá)到16英寸。我國(guó)單晶硅技術(shù)及產(chǎn)業(yè)與國(guó)外差距很大，主要產(chǎn)品為6英寸以下，8英寸少量生產(chǎn)，12英寸開(kāi)始研制。隨著半導(dǎo)體分立元件和硅光電池用低檔和廉價(jià)硅材料需求的增加，我國(guó)單晶硅產(chǎn)量逐年增加。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2001年我國(guó)半導(dǎo)體硅材料的銷售額達(dá)9.06億元，年均增長(zhǎng)26.4%。單晶硅產(chǎn)量為584t，拋光片產(chǎn)量5183萬(wàn)平方英寸，主要規(guī)格為3英寸6英寸，6英寸正片已供應(yīng)集成電路企業(yè)，8英寸主要用作陪片。單晶硅出口比重大，出口額為4648萬(wàn)美元,占總銷售額的42.6%，較2000年增長(zhǎng)了5.3%

14、7。目前，國(guó)外8英寸IC生產(chǎn)線正向我國(guó)戰(zhàn)略性移動(dòng)，我國(guó)新建和在建的F8英寸IC生產(chǎn)線有近10條之多，對(duì)大直徑高質(zhì)量的硅晶片需求十分強(qiáng)勁，而國(guó)內(nèi)供給明顯不足，基本依賴進(jìn)口，我國(guó)硅晶片的技術(shù)差距和結(jié)構(gòu)不合理可見(jiàn)一斑。在現(xiàn)有形勢(shì)和優(yōu)勢(shì)面前發(fā)展我國(guó)的硅單晶和IC技術(shù)面臨著巨大的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。我國(guó)硅晶片生產(chǎn)企業(yè)主要有北京有研硅股、浙大海納公司、洛陽(yáng)單晶硅廠、上海晶華電子、浙江硅峰電子公司和河北寧晉單晶硅基地等。有研硅股在大直徑硅單晶的研制方面一直居國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，先后研制出我國(guó)第一根6英寸、8英寸和12英寸硅單晶，單晶硅在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率為40%。2000年建成國(guó)內(nèi)第一條可滿足0.25pm線寬集成電路要求的8

15、英寸硅單晶拋光片生產(chǎn)線;在北京市林河工業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)建設(shè)了區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)基地，一期工程計(jì)劃投資1.8億元，年產(chǎn)25t區(qū)熔硅和40t重?fù)缴楣鑶尉В?jì)劃2003年6月底完工;同時(shí)承擔(dān)了投資達(dá)1.25億元的863項(xiàng)目重中之重課題一“12英寸硅單晶拋光片的研制”。浙大海納主要從事單晶硅、半導(dǎo)體器件的開(kāi)發(fā)、制造及自動(dòng)化控制系統(tǒng)和儀器儀表開(kāi)發(fā)，近幾年實(shí)現(xiàn)了高成長(zhǎng)性的高速發(fā)展。3.2砷化鎵材料用于大量生產(chǎn)砷化鎵晶體的方法是傳統(tǒng)的LEC法（液封直拉法）和HB法（水平舟生產(chǎn)法）。國(guó)外開(kāi)發(fā)了兼具以上2種方法優(yōu)點(diǎn)的VGF法（垂直梯度凝固法）、VB法（垂直布里支曼法）和VCZ法（蒸氣壓控制直拉法），成功制備出4英寸6英寸大

16、直徑GaAs單晶。各種方法比較詳見(jiàn)表3。移動(dòng)電話用電子器件和光電器件市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的要求，使全球砷化鎵晶片市場(chǎng)以30%的年增長(zhǎng)率迅速形成數(shù)十億美元的大市場(chǎng)，預(yù)計(jì)未來(lái)20年砷化鎵市場(chǎng)都具有高增長(zhǎng)性。日本是最大的生產(chǎn)國(guó)和輸出國(guó)，占世界市場(chǎng)的70%80%;美國(guó)在1999年成功地建成了3條6英寸砷化鎵生產(chǎn)線，在砷化鎵生產(chǎn)技術(shù)上領(lǐng)先一步。日本住友電工是世界最大的砷化鎵生產(chǎn)和銷售商，年產(chǎn)GaAs單晶30t。美國(guó)AXT公司是世界最大的VGFGaAs材料生產(chǎn)商8。世界GaAs單晶主要生產(chǎn)商情況見(jiàn)表4。國(guó)際上砷化鎵市場(chǎng)需求以4英寸單晶材料為主，而Ifff職稱論文發(fā)表與寫作指卑中心:www5916S.net.QQ:

17、1003531SS-6英寸單晶材料產(chǎn)量和市場(chǎng)需求快速增加，已占據(jù)35%以上的市場(chǎng)份額。研制和小批量生產(chǎn)水平達(dá)到8英寸。我國(guó)GaAs材料單晶以2英寸3英寸為主，4英寸處在產(chǎn)業(yè)化前期，研制水平達(dá)6英寸。目前4英寸以上晶片及集成電路GaAs晶片主要依賴進(jìn)口。砷化鎵生產(chǎn)主要原材料為砷和鎵。雖然我國(guó)是砷和鎵的資源大國(guó)，但僅能生產(chǎn)品位較低的砷、鎵材料6N以下純度），主要用于生產(chǎn)光電子器件。集成電路用砷化鎵材料的砷和鎵原料要求達(dá)7N，基本靠進(jìn)口解決。國(guó)內(nèi)GaAs材料主要生產(chǎn)單位為:中科鎵英、有研硅股、信息產(chǎn)業(yè)部46所、55所等。主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手來(lái)自國(guó)外。中科鎵英2001年起計(jì)劃投入近2億資金進(jìn)行砷化鎵材料的產(chǎn)業(yè)

18、化，初期計(jì)劃規(guī)模為4英寸6英寸砷化鎵單晶晶片5萬(wàn)片8萬(wàn)片，4英寸6英寸分子束外延砷化鎵基材料2萬(wàn)片3萬(wàn)片，目前該項(xiàng)目仍在建設(shè)期。目前國(guó)內(nèi)砷化鎵材料主要由有研硅股供應(yīng)，2002年銷售GaAs晶片8萬(wàn)片。我國(guó)在努力縮小GaAs技術(shù)水平和生產(chǎn)規(guī)模的同時(shí)，應(yīng)重視具有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的技術(shù)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，發(fā)展我國(guó)的砷化鎵產(chǎn)業(yè)。3.3氮化鎵材料GaN半導(dǎo)體材料的商業(yè)應(yīng)用研究始于1970年，其在高頻和高溫條件下能夠激發(fā)藍(lán)光的特性一開(kāi)始就吸引了半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)人員的極大興趣。但GaN的生長(zhǎng)技術(shù)和器件制造工藝直到近幾年才取得了商業(yè)應(yīng)用的實(shí)質(zhì)進(jìn)步和突破。由于GaN半導(dǎo)體器件在光電子器件和光子器件領(lǐng)域廣闊的應(yīng)用前景，其廣泛應(yīng)用預(yù)

19、示著光電信息乃至光子信息時(shí)代的來(lái)臨。2000年9月美國(guó)kyma公司利用AlN作襯底，開(kāi)發(fā)出2英寸和4英寸GaN新工藝;2001年1月美國(guó)Nitronex公司在4英寸硅襯底上制造GaN基晶體管獲得成功;2001年8月臺(tái)灣Powdec公司宣布將規(guī)模生產(chǎn)4英寸GaN外延晶片。GaN基器件和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方興未艾。目前進(jìn)入藍(lán)光激光器開(kāi)發(fā)的公司包括飛利浦、索尼、日立、施樂(lè)和惠普等。包括飛利浦、通用等光照及汽車行業(yè)的跨國(guó)公司正積極開(kāi)發(fā)白光照明和汽車用GaN基LED（發(fā)光二極管）產(chǎn)品。涉足GaN基電子器件開(kāi)發(fā)最為活躍的企業(yè)包括Cree、RfmicroDevice以及Nitronex等公司。目前，日本、美國(guó)等國(guó)家紛

20、紛進(jìn)行應(yīng)用于照明GaN基白光LED的產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)，計(jì)劃于2015年-2020年取代白熾燈和日光燈，引起新的照明革命。據(jù)美國(guó)市場(chǎng)調(diào)研公司StrstegiesUnlimited分析數(shù)據(jù)，2001年世界GaN器件市場(chǎng)接近7億美元，還處于發(fā)展初期。該公司預(yù)測(cè)即使最保守發(fā)展，2009年世界GaN器件市場(chǎng)將達(dá)到48億美元的銷售額。戰(zhàn)3彳皿單需生茯方工花橋點(diǎn)1IUVUlrVB好好好奸t反尺寸好塞辜大直徑好好打1叫1"ia:1滬盲桎號(hào)寸3,4.62、i2-62,32-64,6左杭錯(cuò)密瞧（EO存靠遷協(xié)辜伽處&000-7000-生產(chǎn)嬴段規(guī)槪生產(chǎn)規(guī)模主產(chǎn)扌比牡主產(chǎn)批議生產(chǎn)試制Ifff.5&1H.SIT職稱論文發(fā)表與寫作指卑中心:WWW5916S.net.QQ:1003531SS-因GaN材料尚處于產(chǎn)業(yè)初期，我國(guó)與世界先進(jìn)水平差距相對(duì)較小。深圳方大集團(tuán)在國(guó)家“超級(jí)863計(jì)劃”項(xiàng)目支持下，2001年與中科院半導(dǎo)體等單位合作，首期投資8千萬(wàn)元進(jìn)行GaN基藍(lán)光LED產(chǎn)業(yè)化工作，率先在我國(guó)實(shí)現(xiàn)氮化鎵基材料產(chǎn)業(yè)