2章習(xí)習(xí)題答案

1、2 半導(dǎo)體三極管自我檢測(cè)題一選擇和填空1. 三極管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)為_(kāi)A_，集電結(jié)為_(kāi)B_，工作在飽和區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)為_(kāi)A_，集電結(jié)為_(kāi)A_。（A正向偏置，B反向偏置，C零偏置）2. NPN和PNP型三極管的區(qū)別取決于 D 。（A半導(dǎo)體材料硅和鍺的不同，B摻雜元素的不同，C摻雜濃度的不同，DP區(qū)和N區(qū)的位置不同）3. 三極管的共射交流電流放大系數(shù)b定義為IC 變化量（或IC）與IB 變化量（或IB）之比，共基交流電流放大系數(shù)a定義為IC 變化量（或IC）與IE 變化量（或IE）之比。已知某三極管的a，那么該管的b» 99 。4. 三極管的ICBO是指_發(fā)射_極開(kāi)路時(shí)，集電_極與

2、基 極間的反向飽和電流；ICEO是指基 極開(kāi)路時(shí)，_集電_極與_發(fā)射_極之間的穿透電流。5. 隨著溫度升高，晶體管的穿透電流 A 。（ A增大，B減小，C不變）6對(duì)于同一個(gè)三極管來(lái)說(shuō)， A ； B 。（A小于， B大于，C等于）7. VCE增加時(shí)，晶體管的共射極輸入特性曲線_ A _，VCE達(dá)到1V以后，輸入特性曲線_C_。（A右移， B左移，C不變）8. 已知某三極管的PCM800mW，ICM500mA,，30V。若該管子在電路中工作電壓VCE 10V，則工作電流IC不應(yīng)超過(guò) 80 mA；若VCE1V，則IC不應(yīng)超過(guò) 500 mA。若管子的工作電流IC10mA，則工作電壓VCE不應(yīng)超過(guò) 30

3、 V；若IC200mA，則VCE不應(yīng)超過(guò) 4 V。9. N溝道和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別在于 C 。（A襯底材料前者為硅，后者為鍺， B襯底材料前者N型，后者為P型，C導(dǎo)電溝道中載流子前者為電子，后者為空穴）10. 場(chǎng)效應(yīng)管柵極的靜態(tài)輸入電流比雙極型晶體管基極的靜態(tài)輸入電流 小 ；絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管柵極的靜態(tài)輸入電流比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的 小 。11結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源之間通常加 反向 偏置電壓，因此柵極電流很?。唤^緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源之間有一層 SiO2絕緣層 ，因此柵極靜態(tài)電流幾乎等于零。12. 圖選擇題12中，（a）電路中場(chǎng)效應(yīng)管的類型是 N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，VDD的極性為 正 ；（b）電路中

4、場(chǎng)效應(yīng)管的類型是 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 ，VDD的極性為 正 ；（c）電路中場(chǎng)效應(yīng)管的類型是 P溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 ，VDD的極性為 負(fù) 。圖選擇題1213.在放大狀態(tài)下，雙極型晶體管的發(fā)射結(jié)處于 正向 偏置，集電結(jié)處于 反向 偏置；結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源之間加有 反向 偏置電壓，柵漏之間加有 反向 偏置電壓。14.雙極型晶體管的發(fā)射極電流放大系數(shù)反映了 基 極電流對(duì) 集電 極電流的控制能力；而單極型場(chǎng)效應(yīng)管常用 跨導(dǎo)gm 參數(shù)反映 柵源電壓對(duì) 漏極電流 的控制能力。15. 場(chǎng)效應(yīng)管的 柵 極電流遠(yuǎn)小于雙極型管的基極電流，因此共源放大的電路的輸入電阻遠(yuǎn) 大 于共射放大電路的輸入電阻。16結(jié)型場(chǎng)

5、效應(yīng)管利用半導(dǎo)體器件的 內(nèi)部 電場(chǎng)效應(yīng)進(jìn)行工作，MOSFET利用半導(dǎo)體器件的 表面 電場(chǎng)效應(yīng)進(jìn)行工作。17雙極型晶體管從結(jié)構(gòu)上可以分成_NPN和 PNP兩種類型，工作時(shí)有 多子 和 少子兩種載流子參與導(dǎo)電。場(chǎng)效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上可以分成 結(jié)型 和 絕緣柵型 兩大類型，因?qū)щ姕系赖牟煌恳淮箢愑挚煞譃?N溝道 和 P溝道 兩類，無(wú)論哪一類場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電過(guò)程都僅僅取決于 多數(shù) 載流子的運(yùn)動(dòng)。二判斷題（正確的在括號(hào)內(nèi)畫(huà)，錯(cuò)誤的畫(huà)×）1NPN型和PNP型三極管都有三個(gè)電極、兩個(gè)PN結(jié)，正常工作時(shí)外加電壓的要求相同。 （ × ）2三極管工作在放大狀態(tài)時(shí)，集電極電流是由多子漂移形成的。 （

6、× ）3三極管具有兩個(gè)PN結(jié)，因此把兩個(gè)二極管反向串聯(lián)起來(lái)，也能具有放大能力。（ × ）4. 三極管的外部電流關(guān)系是，這是一個(gè)線性方程，所以三極管是線性器件。（ × ）5三極管工作于哪個(gè)區(qū)域與外加電壓的情況有關(guān)。 （ ）6測(cè)出某三極管的共基電流放大系數(shù)小于1，表明該管子沒(méi)有放大能力。 （ × ）7由于三極管的發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的摻雜濃度不同，所以發(fā)射極和集電極互換后電流放大能力大大減小。 （ ）8. 只要是硅三極管，無(wú)論是NPN還是PNP型，正常工作時(shí)，發(fā)射結(jié)的工作電壓都為左右。 （ × ）9. 三極管的共射電流放大系數(shù)和共基直流電流放大系數(shù)之間的

7、關(guān)系為。 （ × ）10三極管的ICEO大約為ICBO的（1+b）倍。 （ ）11場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)是有很高的輸入電阻。 （ ）12絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的柵極靜態(tài)輸入電流比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的小。 （ ）13 耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的柵極靜態(tài)電流比增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的小 （ × ）14用雙極型晶體管組成的共射放大電路與用場(chǎng)效應(yīng)管組成的共源放大電路相比，前者的輸入電阻比后者大。 （ × ）15. 小功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用中，其源極和漏極可以互換（ ）；雙極型晶體管具有NPN或PNP對(duì)稱結(jié)構(gòu)，所以發(fā)射極和集電極也可以互換。（ × ）16. 場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)電壓控制實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的

8、條件是工作在恒流區(qū)。 （ ）17N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的越負(fù)，越小，不可為正（ ）；N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的也一樣。（ × ）18場(chǎng)效應(yīng)管是單極型電壓控制器件，即使柵極電流為零，也可正常放大。 （ ）19場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，這是個(gè)線性方程，所以它是線性器件。 （ × ）20場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電阻特別高。 （ × ）習(xí)題在三極管放大電路中，測(cè)得三個(gè)三極管的各個(gè)電極的對(duì)地靜態(tài)電位如圖題所示，試判斷各三極管的類型（NPN、PNP、硅、鍺），并注明電極e、b、c的位置。圖題解：（a）圖為NPN型硅三極管，左起e、b、c；（b）圖為PNP型硅三極管，左起 c、b、e；（c）

9、圖為PNP型鍺三極管，左起 c、e、b。用直流電壓表測(cè)得電路中三極管各電極的對(duì)地靜態(tài)電位如圖題所示，試判斷這些三級(jí)管分別處于什么狀態(tài)。圖題解：（1）NPN管，發(fā)射結(jié)正偏置，集電結(jié)反偏置，放大（2）PNP管，發(fā)射結(jié)正偏置，集電結(jié)反偏置，放大（3）NPN管，發(fā)射結(jié)反偏置，截止（4）NPN管，發(fā)射結(jié)電壓過(guò)高，損壞（5PNP管，發(fā)射結(jié)正偏置，集電結(jié)正偏置，飽和在某放大電路中有兩只三極管。測(cè)得每個(gè)三極管的兩個(gè)電極中的電流大小和方向如圖題（a）、（b）所示。（1）標(biāo)出另一個(gè)電極中的電流大小和方向；（2）判斷管子類型（NPN、PNP），表明電極e、b、c的位置；（3）估算管子的值。圖題解：（a）由KCL得另

10、一電極的電流為（）=，流入，管子類型為NPN，對(duì)應(yīng)于e、c、b，。（b）由KCL得另一電極的電流為=，流出，管子類型為PNP，對(duì)應(yīng)于 c、b、e，。某大功率三極管的輸出特性如圖題所示，試求出該管子的b、ICEO、VBR(CEO)和PCM。圖題解： ICEO5VBR(CEO)65VPCM1´50=50W定性畫(huà)出圖題兩種場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線，并說(shuō)明曲線與橫坐標(biāo)交點(diǎn)的含義。圖題解：（a）為N溝道結(jié)型FET，（b）為N溝道增強(qiáng)型MOSFET。已知場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性如圖題所示。試求管子的下列參數(shù)：（1）夾斷電壓或開(kāi)啟電壓；（2）飽和漏極電流或（3）時(shí)的漏源擊穿電壓；（4）、附近時(shí)的跨導(dǎo)。圖題解：N溝道增強(qiáng)型MOSFET（1）開(kāi)啟電壓=3V（2）=6V時(shí)，IDO （3）時(shí)的漏源擊穿電壓18V （4）作出轉(zhuǎn)移特性曲線如下圖示，找到附近的兩個(gè)vGS（5V、）對(duì)應(yīng)的iD值，相比即得：gmmS圖題所示是三種不同類型的場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線，試判斷它們各屬于什么類型的場(chǎng)效應(yīng)管。圖題解：（a）N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（b）P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（c）P溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 在由一個(gè)雙極型晶體管和一個(gè)MOS場(chǎng)效應(yīng)管組成的共射和共源放大電路中，測(cè)得T1和T2管的