JESD22簡介+目錄

1、順序標(biāo)準(zhǔn)編號簡稱現(xiàn)行版本標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目11A100DJul2013現(xiàn)行循環(huán)溫濕度偏置壽命2.A101THBCMar2009現(xiàn)行穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命3.A102AC)Nov2010現(xiàn)行加速水汽抵抗性-無偏置高壓蒸煮（高壓鍋）4._|A103HTSLDDec2010現(xiàn)行高溫貯存壽命TC溫度循環(huán)5.A104)Mar2009現(xiàn)行本實(shí)驗(yàn)用來確定組件、互聯(lián)器件對交替溫度極限變化產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力的耐反性PTC上電溫循6.A105CJan2004現(xiàn)行適用于半導(dǎo)體器件,在交替的高低溫極限中周期的施加卸二|除偏壓，用于模擬樣件所遭受的最惡劣環(huán)境7A106BJun2004現(xiàn)行熱沖擊8.A107CApr2013現(xiàn)行鹽霧

2、9.A108HTOL)Nov2010現(xiàn)行溫度，偏置電壓，以及工作壽命10.A109BNov2011現(xiàn)行，指密封日軍標(biāo)11A110HAST)Nov2010現(xiàn)行高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)（HAST）（有偏置電壓未飽和高壓j蒸汽）12.A111ANov2010現(xiàn)行安裝在單面板底面的小型表貼固態(tài)器件耐浸焊能力的評價流程13.A112n塑封表貼器件水汽誘發(fā)的應(yīng)力敏感性（被J-STD-020替1/彼替代代）14.A113PCFOct2008現(xiàn)行塑封表貼器件可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理15.A114FDec2008現(xiàn)行靜電放電敏感性試驗(yàn)（ESD）人體模型（HBM）16.A115CNov2010現(xiàn)行靜電放電敏感性試驗(yàn)（ES

3、D）機(jī)器模型（MM）17.A117COct2011現(xiàn)行電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）編程/擦除耐久性以及數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)18.UHSTAMar2011_加速水汽抵抗性一一無偏壓HAST（無偏置電壓未飽和高A118現(xiàn)行壓蒸汽）高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)是為評估非氣密性固態(tài)設(shè)備器件在潮濕的環(huán)境中的可靠性。19.A119Nov2004現(xiàn)行低溫貯存壽命20.A120AJan2008現(xiàn)行用于集成電路的有機(jī)材料的水汽擴(kuò)散率以及水溶解度試驗(yàn)方法21.A121AJul2008現(xiàn)行錫及錫合金表面鍍層晶須生長的測試方法n22.A122Aug2007現(xiàn)行功率循環(huán)23.B100BJun2003現(xiàn)行物理尺寸24.B10

4、1BAug2009現(xiàn)行外部目檢25.|B102EOct2007現(xiàn)行可焊性26.1B103BJun20022現(xiàn)行振動，變頻27.B104CNov2004現(xiàn)行機(jī)械沖擊28.B105DJul2011現(xiàn)行引出端完整性29.B106DApr2008現(xiàn)行通孔安裝期間的耐焊接沖擊口30.B107DMar2011現(xiàn)行標(biāo)識耐久性31.B108BSep2010現(xiàn)行表貼半導(dǎo)體器件的共面性試驗(yàn)32.B109AJan2009現(xiàn)行倒裝芯片拉脫試驗(yàn)33.B110BJul2013現(xiàn)行組件機(jī)械沖擊34.B111Jul2003現(xiàn)行手持電子產(chǎn)品組件的板級跌落試驗(yàn)35B112AOct2009現(xiàn)行高溫封裝翹曲度測試方法36.B113A

5、Sep2012現(xiàn)行手持電子產(chǎn)品組件互連可靠性特性的板級循環(huán)彎曲試驗(yàn)方法37.B114AMay2011現(xiàn)行標(biāo)識可識別性38.B115AAug2010現(xiàn)行焊球拉脫試驗(yàn)39.B116AAug2009現(xiàn)行引線鍵合的剪切試驗(yàn)40.B117BMay2014現(xiàn)行焊球剪切41口B118Mar2011現(xiàn)行半導(dǎo)體晶圓以及芯片背面外目檢42.C100/已廢止高溫連續(xù)性43.C101FOct2013現(xiàn)行靜電放電敏感性試驗(yàn)（ESD）場誘導(dǎo)帶電器件模型_JESD22標(biāo)準(zhǔn)定義及意義AEC-Q100是基，2.A100循環(huán)溫濕度|偏置壽命JESD22-A100C發(fā)布：2007年10月循環(huán)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)循環(huán)溫濕|度偏置壽命試

6、驗(yàn)以評估非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境中的可靠性為目的。它使用循環(huán)溫度，濕度，以及偏置條件來加速水汽對外部保護(hù)性材料（封裝或密封）或沿著外部保護(hù)材料和貫通其的金屬導(dǎo)體的界面的穿透作用。循環(huán)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)通常|用于腔體封裝（例如MQIADs,有蓋陶瓷引腳陣列封裝等），作為JESD22-A101或JESD22-A110的替代試驗(yàn)。1.JESD22JESD22-BPublished:Sep2000SupersededJESD22-B發(fā)布：2000年9月已被取代被系列測試方法“JESD221取代SUPERSEDEDBYTHETESTMETHODSINDICATEDBY'J“JESD22提一個

7、完整的系列試驗(yàn)方法，可在全球性的工程文件中取得。ESD22-'AcompletesetoftestmethodscanbeobtainedfromGlobalEngineeringDocuments于集成電路應(yīng)力測試認(rèn)證的失效機(jī)理的標(biāo)準(zhǔn)，它包含以下12個測試方法:AEC-Q100-001邦線切應(yīng)力測試AEC-Q100-002人體模式靜電放電測試AEC-Q100-003機(jī)械模式靜電放電測試?AEC-Q100-004集成電路閂鎖效應(yīng)測試?AEC-Q100-005可寫可擦除的永久性記憶的耐久性、數(shù)據(jù)保持及工作壽命的測試?AEC-Q100-006熱電效應(yīng)引起的寄生閘極漏電流測試?AEC-Q10

8、0-007故障仿真和測試等級?AEC-Q100-008早期壽命失效率（ELFR）?AEC-Q100-009電分配的評估?AEC-Q100-010錫球剪切測試?AEC-Q100-011帶電器件模式的靜電放電測試?AEC-Q100-01212V系統(tǒng)靈敏功率設(shè)備的短路可靠性描述二|AEC-Q101是汽車級半導(dǎo)體分立器件應(yīng)力測試認(rèn)證,它包含以下6個測試方法:?AEC-Q101-001人體模式靜電放電測試?AEC-Q101-002機(jī)械模式靜電放電測試?AEC-Q101-003邦線切應(yīng)力測試?AEC-Q101-004雜項(xiàng)測試方法?AEC-Q101-005帶電器件模式的靜電放電測試?AEC-Q101-006

9、12V系統(tǒng)靈敏功率設(shè)備的短路可靠性描述JESD22-A100CPublished:Oct-2007CYCLEDTEMPERATUREHUMIDITYBIASLIFETEST:TheCycledTemperature-humidity-biasLifeTestisperformedforthepurposeofevaluatingthereliabilityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesinhumidenvironments.Itemploysconditionsoftemperaturecycling,humidity,andbiasthatacc

10、eleratethepenetrationofmoisturethroughtheexternalprotectivematerial(encapsulateorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternalprotectivematerialandthemetallicconductorsthatpassthroughit.TheCycledTemperature-Humidity-BiasLifeTestistypicallyperformedoncavitypackages(e.g.,MQUADs,liddedceramicpingridarrays

11、I,etc.)asanalternativetoJESD22-A101orJESD22-A110.3.A101穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命4.A102加速水汽抵抗性-無偏置高壓蒸煮JESD22-A101-BPublished:Apr-1997STEADY-STATETEMPERATUREHUMIDITYBIASLIFETEST:Thisstandardestablishesadefinedmethodandconditionsforperformingatemperaturehumiditylifetestwithbiasapplied.Thetestisusedtoevaluatethereliabi

12、lityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesinhumidenvironments.Itemployshightemperatureandhumidityconditionstoacceleratethepenetrationofmoisturethroughexternalprotectivematerialora10nginterfacesbetweentheexternalprotectivecoatingandconductorsorotherfeatureswhichpassthroughit.Thisrevisionenhancestheab

13、ilitytoperformthistestonadevicewhichcannotbebiasedtoachieveverylowpowerdissipation.JESD22-A102-CPublished:Dec-2000ReaffirmedJune2008ACCELERATEDMOISTURERESIS-TANCEUNBIASEDAUTOCLAVE:Thistestallowstheusertoevaluatethemoistureresistanceofnonhermeticpackagedsolidstatedevices.TheUnbiasedAutoclaveTestisper

14、formedtoevaluatethemoistureresistanceintegrityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesusingmoisturecondensingormoisturesaturatedsteamenvironments.Itisahighlyacceleratedtestwhichemploysconditionsofpressure,humidityandtemperatureundercondensingconditionstoacceleratemoisturepenetrationthroughtheexternalp

15、rotectivematerial(encapsulantorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternal-protectivematerialandthemetallicconductorspassingthroughit.Thistestisusedtoidentifyfailuremechanismsinternaltothepackageandisdestructive.5.A103高溫貯存壽命JESD22-A103CPublished:Nov-2004HIGHTEMPERATURESTORAGELIFE:Thetestisapplicablef

16、orevaluation,screening,monitoring,and/orqualificationofallsolidstatedevices.HighTemperaturestoragetestistypicallyusedtodeterminetheeffectoftimeandtemperature,understorageconditions,forthermallyactivatedfailuremechanismsofsolidstateelectronicdevices,includingnonvolatilememorydevices(dataretentionfail

17、uremechanisms).DuringtheJESD22-A101-B發(fā)布：1997年8月穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)本標(biāo)準(zhǔn)建立了一個定義的方法，用于進(jìn)行一個施加偏置電壓的溫濕度壽命試驗(yàn)。本試驗(yàn)用于評估非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境下的可靠性。試驗(yàn)采用高溫和高濕條件以加速水汽對外部保護(hù)材料或沿著外部保護(hù)材料和外部保護(hù)涂層，貫通其的導(dǎo)體或其他部件的穿透作用。本修訂版加強(qiáng)了在無法施加J偏置以達(dá)到很低功率耗散的器件上運(yùn)用本試驗(yàn)的能力。JESD22-A102-C發(fā)布：2000年12月，2008年6月經(jīng)重新確認(rèn)有效加速水汽抵抗性一一無偏置高壓蒸煮本試驗(yàn)允許用戶評估非氣密封裝固態(tài)器件對水汽的抵抗力。進(jìn)行無偏置

18、高壓蒸煮試驗(yàn)的目的在于利用水汽冷凝或水汽飽和蒸汽環(huán)境評估非氣密封裝固態(tài)器件的水汽抵抗力。本方法是一個高加速試驗(yàn)，使用冷凝條件下的壓力，濕度和溫度以加速水汽對外部保護(hù)性材料（封裝或密封）或沿著外部保護(hù)材料和貫通其的金屬導(dǎo)體的界面的穿透作用。這一試驗(yàn)用于識|別封裝內(nèi)部的失效機(jī)理，本試驗(yàn)為破壞性。JESD22-A103C發(fā)布：2004年11月高溫貯存壽命：試驗(yàn)可應(yīng)用于所有固態(tài)器件的評估，篩選，監(jiān)控，以及鑒定。典型情況下，高溫貯存試驗(yàn)用于確定在貯存條件下，時間和溫度對固態(tài)器件，包括非易失存儲器件（數(shù)據(jù)保留失效機(jī)理）的影響（由熱激發(fā)的失效機(jī)理）。在試驗(yàn)中，只施加提高的溫度應(yīng)testelevatedtem

19、peratures(acceleratedtestconditions)力（加速試驗(yàn)條件），而不施加電areusedwithoutelectricalstressapplied.Thistestmay應(yīng)力。本試驗(yàn)取決于時間，溫度bedestructive,dependingonTime,Temperatureand和包裝（如果有），可能為破壞性。Packaging(ifany).6,A104|JESD22-A104CJESD22-A104C溫度循jPublished:May-2005TEMPERATURECYCLING:發(fā)布：2005年5月環(huán)Thisstandardprovidesametho

20、dfordeterminingsolidstate溫度循環(huán)：本標(biāo)準(zhǔn)提供了一種用devicescapabilitytowithstandextremetemperaturecyclin于確定固態(tài)器件耐受極限溫度循g.Changesinthisrevisionincluderequirementsthatthewor環(huán)能力的方法。在本修訂版中，st-caseloadt改變之處包括最壞條件下，加載溫emperaturemustreachthespecificextremesratherthanjust度而不是試驗(yàn)箱環(huán)境溫度必須達(dá)requiringthatthechamberambienttemper

21、aturereachtheex到規(guī)定的極值的要求。這保證了無tremes.Thisensuresthatthetestspecimenswillreachthespe論試驗(yàn)箱負(fù)載情況如何，試驗(yàn)樣品cifiedtemper均會達(dá)到規(guī)定的溫度極值。本修atureextremesregardlessofchamberloading.Definitionsa訂版提供了負(fù)載監(jiān)控傳感器，最壞reprovidedforLoad,MonitoringSensor,Worst-CaseLoa情況負(fù)載溫度，以及工作區(qū)的定dTemperature,andWorkingZone.Thetransfertimehasb

22、ee義。轉(zhuǎn)換時間由5分鐘加嚴(yán)到1ntightenedfrom5minute分鐘。新增了五個試驗(yàn)條件，以sto1minute.Fivenewtestconditionshavebeenaddedaswel及試驗(yàn)條件超過塑封固態(tài)器件玻lasacautiono璃化轉(zhuǎn)變溫度時的注意事項(xiàng)。ntestconditionswhichexceedtheglasstransitiontemperatureofplasticpackagesoliddevices.7.A105JESD22-A105CJESD22-A105C上電溫Published:Jan-2004發(fā)布：2004年1月循POWERANDTEMPER

23、ATURECYCLING:功率溫度循環(huán)：功率溫度循環(huán)試Thepowerandtemperaturecyclingtestisperformedtodeter驗(yàn)用于確定器件耐受變化的暴露minetheabilityofadevicetowithstandalternateexposuresa于極限高低溫，同時周期性施加thighandlowtemperatureextremesandsimultaneouslythe和去除工作偏置。本試驗(yàn)的目的是operatingbiasesareperiodicallyappliedandremoved.Itisi模擬應(yīng)用環(huán)境中達(dá)到的最嚴(yán)苛條ntendedto

24、simulateworstcaseconditionsencounteredinap件。功率溫度循環(huán)試驗(yàn)視為破壞pli性，且只用于器件的鑒定。本試cationenvironments.Thepowerandtemperaturecyclingte驗(yàn)方法應(yīng)用于需經(jīng)受超溫，需要在stisconsidereddestructivean所有溫度條件上下電的半導(dǎo)體器disonlyintendedfordevicequalification.Thistestmethoda件。ppliestosemiconductordevicesthataresubjectedtotemperatureexcursion

25、sandrequiredtopoweronandoffduringalltemperatures.8.A106JESD22-A106BJESD22-A106C熱沖擊Published:Jun-2004發(fā)布：2004年6月THERMALSHOCK:熱沖擊：本試驗(yàn)用于確定部件對Thistestisconductedtodeterminetheresistanceofaparttos于突然暴露于極限溫變條件的抵uddenexposuretoextremechangesintemperatureandtothe抗力，以及交替暴露于這些極限effectofalternateexposurestothes

26、eextremes.條件的影響。9.A107JESD22-A107CJESD22-A107CPublished:April-2013SALTATMOSPHERE:ThissaltAtmospheretestisconductedtodeterminetheresisJtanceofsolidstatedevicestocorrosion.Itisanacceleratedtestthatsimulatestheeffectsofsevereseacoastatmosphereonallexposedsurfaces.Thesaltatmospheretestisconsidereddestru

27、ctive.Itisintendedforlotac_|ceptance,processmonitor,andqualificationtesting.ThelatestrevisionofMethod1041ofMIL-STD-750shallbeusedfordiscretesolid-statedevices.ThelatestrevisionofMethod1009ofMIL-STD-883shallbeusedforsolid-statemicrocircuits,integratedcircuits,hybrids,andmodules.發(fā)布：2013年4月鹽霧：本鹽霧試驗(yàn)用于確定

28、固態(tài)器件對于腐蝕的抵抗力。本方法是一個加速試驗(yàn)方法，模擬嚴(yán)酷的海濱氣氛環(huán)境對所有暴露表面的影響。本鹽霧試驗(yàn)視為破壞性。本試驗(yàn)可用于批接收，工藝監(jiān)控，以及鑒定試驗(yàn)。MIL-STD-750試驗(yàn)方法1041的最后修訂版應(yīng)用于分立固態(tài)器件。MIL-STD-883試驗(yàn)方法1009的最后修訂版應(yīng)用于固態(tài)微電路、集成電路及組件。10.A108以及工作壽命JESD22-A108CPublished:Jun-2005TEMPERATURE,BIAS,ANDOPERATINGLIFE:Arevisedmethodfordeterminingtheeffectsofbiasconditionsandtemperat

29、ure,overtime,onsolidstatedevicesisnowavailable.RevisionBofA108includeslowtemperatureoperatinglife(LTOL)andhightemperaturegatebibias(HTGB)stressconditions,revisedcooldownrequirementsforhightemperaturestress,andaproceduretofollowifpartsarenottestedwithintheallowedtimewindow.發(fā)布：2005年6月溫度，偏置電壓，以及工作壽命：JE

30、SD22-A108C本標(biāo)準(zhǔn)提供了一個可用的經(jīng)修訂的試驗(yàn)方法，用于確定偏置條件和溫度在長時間下對固態(tài)器件的作用。A108修訂版B包括了低溫工作壽命（LTOL）以及高溫柵偏（HTGB）應(yīng)力條件，修訂了高溫應(yīng)力的冷卻需求，以及如果樣品沒有在允許的時間窗口中測試的情況下，應(yīng)遵循的程序。11.A109密封（指向軍標(biāo)）JESD22-A109BPublished:Nov-2011,RewriteoftotaldoctopointtoMilitarystandards.HERMETICITY:Mostofthesetestsarecontrolledandupdatedinthemilitarystandar

31、ds,thetwostandardsthatapplyareMIL-STD-750forDiscretes,&MIL-STD-883formicrocircuits.Thetestwithinthesestandardscanbeusedforallpackagetypes.Withinthesestandardsthetestsaresimilar;MIL-STD-750TestMethod1071HermeticSealisrecommendedforanycommercialhermeticrequirements.ForMIL-STD-883theapplicabletestm

32、ethodis1014Seal.12.A110高加速JESD22-A110DPublished:Nov-2010JESD22-A109A發(fā)布：2011年11月，重新編制了整份文檔以指向軍用標(biāo)準(zhǔn)。密封：大部分這些試驗(yàn)在軍用標(biāo)準(zhǔn)中控制和更新，應(yīng)用的兩份標(biāo)準(zhǔn)分別是MIL-STD-750（分立器件），以及MIL-STD-883（微電路）。這些試驗(yàn)?zāi)軌虮挥糜谒械姆庋b類型。在這些標(biāo)準(zhǔn)中，試驗(yàn)方法是類似的，MIL-STD-750試驗(yàn)方法1071推薦作為所有商用密封的要求。對于MIL-STD-883,可應(yīng)用的試驗(yàn)方法是試驗(yàn)方法1014密封。JESD22-A110D發(fā)布：2010年11月HIGHLYACCEL

33、ERATEDTEMPERATUREANDHU應(yīng)力試驗(yàn)溫濕度(HASTMIDITYSTRESSTEST(HAST)Thepurposeofthisnewtestmethodistoevaluatethereliabilityofnonhermeticpackagedsolidstatedevices)inhumidenvironments.Itemployssevereconditionsoftemperature,humidity,andbiasthatacceleratethepenetrationofmoisturethroughtheexternalprotectivematerial(

34、encapsulantorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternalprotectivematerialandthemetallicconductorswhichpassthroughit.高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)（HAST）:該新的試驗(yàn)方法的目的是評價非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境下的可靠性。它采用嚴(yán)酷的溫度、濕度和偏執(zhí)電壓以加速水汽對外部保護(hù)材料（封裝或密封）或沿著外部保護(hù)性材料和金屬導(dǎo)體間的界面的穿透作用。JESD22-A111APublished:May-2004EVALUATIONPROCEDUREFORDETERMININGCAPABILITYT

35、OBOTTOMSIDEBOARDATTACHBYFULLBODYSOLDERIMMERSIONOFSMALLSURFAJESD22-A111A發(fā)布：2004年5月安裝在單面板底面的小型表貼固態(tài)器件耐浸焊能力的評價流程：小型表貼器件（SMDs）常常被貼14.A112CEMOUNTSOLIDSTATEDEVICES:裝在印制線路板底面，通過Frequently,smallSurfaceMountDevices(SMDs)areattachedtothebottomsideofaprintedcircuitboardbypassingthemthroughawavesolder(fullbodyim

36、mersion)whilesimultaneouslysolderingdeviceswithpinsonthetopoftheboard(platedthroughholeattach).Asaresult,thesesmallSMDsmaybeexposedtohightemperaturesashighas265波峰焊接（整體浸焊）同時焊接表貼器件和安裝在印制線路板正面的插裝器件（通過通孔安裝）果是在這種組裝方法下，這些小型SMDs可能暴露于高至265C的高溫。如果足夠多的水汽°CduringthistypecfbSaTd寸裝內(nèi)，暴露于熔化的焊料attachmethod.Ifs

37、ufficientmoistureexistsinthepackage,exposuretothemoltensoldercausesthemoisturetoturntovapor,resultinginincreasedpressurewithinthepackagewhichinturnmaycausequalityand/orreliabilitydegradation.Thetestmethodinthisdocumentwilladdresstheissuesrelatedtothedeterminationofthecapabilityofasolidstatedevicetow

38、ithstandthestressesoffullbodywavesolderimmersionandsubsequentfielduse.JESD22-A112-APublished:Nov-1995RescindedMay2000MOISTURE-INDUCEDSTRESSSENSITIVITYFORPLASTICSUR引起水分變?yōu)檎羝?，?dǎo)致封裝內(nèi)部壓強(qiáng)，可引起質(zhì)量和可靠性退化。本試驗(yàn)方法關(guān)注與確定固態(tài)器件耐受整體波峰/浸焊能力，以及隨后的使用相關(guān)的問題。JESD22-A112-A發(fā)布：1995年11月，2000年發(fā)的應(yīng)020A,April1999.J-STD-020isnowonrevi

39、sionD.01.替代，1999年4月。J-STD-020力敏感性（被J-STD-020替代）現(xiàn)行版本為修訂版D.01.15.A113塑表JESD22-A113FPublished:Oct-2008JESD22-A113F發(fā)布：2008年8月貼器件PRECONDITIONINGOFPLASTICSURFACEMOUN塑封表貼器件可靠性試驗(yàn)前的預(yù)1貼器件水汽誘FACEMOUNTDEVICES-SUPERSEDEDBYJ-STD-5月取消塑封表貼器件水汽誘發(fā)的應(yīng)力敏感性，被J-STD-020A處理：本試驗(yàn)方法建立了一個非氣密固態(tài)SMDs（表面貼裝器件）的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化的預(yù)處理流程，這一流程代表了一個典

40、型的工業(yè)化多次回流焊接操作。這些SMDs在由半導(dǎo)體制造商進(jìn)行規(guī)定的內(nèi)部可靠性試驗(yàn)（鑒定及可靠性監(jiān)控）前，應(yīng)經(jīng)受本文檔中適當(dāng)?shù)腗延理,列，以評估7長期可靠性|（器件的長期可靠性可能受到回流焊接過程的影響）。JESD22-A114F發(fā)布：2008年12月靜電放電敏感性試驗(yàn)（ESD）人體模型（HBM）:本試驗(yàn)方法建立了一個通過將微電路暴露在定義的人體模型的靜電放電應(yīng)力下，根據(jù)其受損或降級的敏感度，對微電路進(jìn)行試驗(yàn)和評級的標(biāo)準(zhǔn)化流程。目標(biāo)是提供可靠的，可重復(fù)性的HBMESD試驗(yàn)結(jié)果，以使準(zhǔn)確的等級評定能夠進(jìn)行。A115A發(fā)布：1997年10月。本試驗(yàn)方法有效，然而卻不是業(yè)界常用標(biāo)準(zhǔn)，推薦的工業(yè)試驗(yàn)方法

41、為JESD22A114或JESD22C101靜電放電敏感性試驗(yàn)（ESD）機(jī)器模型（MM）:本試驗(yàn)方法建立了一個通過將微電路暴露在定義的人體模型的靜電放電應(yīng)力下，根據(jù)其受損或降級的敏感度，對微電路進(jìn)行試驗(yàn)和評級的標(biāo)準(zhǔn)化流程。目標(biāo)是提供可靠的，可重復(fù)性的MMESD試驗(yàn)結(jié)果，以使準(zhǔn)確的等級評定能夠進(jìn)行。JESD22-JESD22-A117A發(fā)布：2006年3月電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）編程/擦除耐久性以及數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)：本方法建立了一個標(biāo)準(zhǔn)化的流程，以確定非易失1存儲單元的數(shù)據(jù)循環(huán)耐久性和數(shù)TDEVICESPRIORTORELIABILITYTESTING:ThisTestMethode

42、stablishesanindustrystandardpreconditioningflowfornonhermeticsolidstateSMDs(surfacemountdevices)thatisrepresentativeofatypicalindustrymultiplesolderreflowoperation.TheseSMDsshouldbesubjectedtotheappropriatepreconditioningsequenceofthisdocumentbythesemiconductormanufacturerpriortobeingsubmittedtospec

43、ificin-housereliabilitytesting(qualificationandreliabilitymonitoring)toevaluatelongtermreliability(whichmightbeimpactedbysolderreflow).JESD22-A114FPublished:Dec-2008ELECTROSTATICDISCHARGE(ESD)SENSITIVITYTESTINGHUMANBODYMODEL(HBM):Thistestmethodestablishesastandardprocedurefortestingandclassifyingmic

44、rocircuitsaccordingtotheirsusceptibilitytodamageordegradationbyexposuretoadefinedelectrostaticHumanBodyModel(HBM)discharge(ESD).Theobjectiveistoprovidereliable,repeatableHBMESDtestresultssothataccurateclassificationscanbeperformed.JESD22-A115APublished:Oct1997。Thisisavalidtestmethod,howeveritisnotcu

45、rrentlybeingusedintheindustry,thepreferredindustrytestmethodsareJESD22A114orJESD22C101ELECTROSTATICDISCHARGE(ESD)SENSITIVITYTESTINGMACHINEMODEL(MM):ThismethodestablishesastandardprocedurefortestingandclassifyingmicrocircuitsaccordingtotheirsusceptibilitytodamageordegradationbyexposuretoadefinedMachi

46、neModel(MM)electrostaticdischarge(ESD).Theobjectiveistoprovidereliable,repeatableMMESDtestresultssothataccurateclassificationscanbeperformed.JESD22-A117APublished:Mar-2006ELECTRICALLYERASABLEPROGRAMMABLEROM(EEPROM)PROGRAM/ERASEENDURANCEANDDATARETENTIONTEST:Thismethodestablishesastandardprocedureford

47、eterminingthedatacyclingenduranceanddataretentioncapabilityo程/擦除fnon-據(jù)保持能力。本試驗(yàn)方法可用十鑒耐久性volatilememorycells.Itisintendedasaqualificationandmo定和監(jiān)控試驗(yàn)流程。本試驗(yàn)也可以及數(shù)nitortestprMTFLASHEEPROM集成電路據(jù)保持ocedure.ThistestisalsoapplicabletoFLASHEEPROMint以及帶有內(nèi)嵌的EEPROM或試驗(yàn)egratedcircuitsandFLASH存儲器的可擦除可編程ErasableProgram

48、mableLogicDevices(EPLD)withembe邏輯器件（EPLD）oddedEEPROMorFLASHmemory.19.A118JESD22-A118AJESD22-A118A加速水Published:Mar-2011發(fā)布：2011年3月汽抵抗ACCELERATEDMOISTURERESISTANCE-加速水汽抵抗性一-無偏壓性UNBIASEDHAST:HAST:無偏壓HAST用于評估無偏壓TheUnbiasedHASTisperformedforthepurposeofevaluati非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境HASTngthereliabilityofnon-herme

49、ticpackagedsolid-下的可靠性。這是一個高加速試statedevicesinhumidenvironments.Itisahi驗(yàn)方法，利用非冷凝條件下的溫度ghlyacceleratedtestwhichemploystemperatureandhumid和濕度來加速水汽對外部保護(hù)性ityundernoncondensingconditionstoacceleratethepenetr材料（封裝或密封）或沿著外部保ationofmoisturethroughtheexternalprotectivematerial(e護(hù)材料和貫通其的金屬導(dǎo)體的界ncapsulantorseal)

50、oralongtheinterfacebetweentheexterna面的穿透作用。不施加偏壓以保lprotectiv證被偏置電壓掩蓋的失效機(jī)理能ematerialandthemetallicconductorswhichpassthroughit.夠被發(fā)現(xiàn)（如：賈凡尼式腐蝕（原Biasisnotappliedinthistesttoensurethefailuremechanism電池腐蝕）。本試驗(yàn)用于確定封裝spotentiallyo內(nèi)部的失效機(jī)理，為破壞性試驗(yàn)。vershadowedbybiascanbeuncovered(e.g.galvaniccorrosion).Thistest

51、isusedtoidentifyfailuremechanismsinternaltothepackageandisdestructive.20.JESD22-A119JESD22-A119A119低Published:Nov-2004發(fā)布：2004年11月溫貯存LOWTEMPERATURESTORAGELIFE低溫貯存壽命：本試驗(yàn)可用于所壽命Thetestisapplicableforevaluation,screening,monitoring,有固態(tài)器件的評估，篩選，監(jiān)控以and/orqualificationofallsolidstatedevices.Lo及鑒定。低溫貯存試驗(yàn)通常用于wTemperaturestoragetestistypicallyusedtodeterminethe確定在貯存條件下，時間和溫度對effectoftimeandtemperatu