nature和science上關(guān)于石墨烯的個人文獻(xiàn)總結(jié)PPT

1、南海燕Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Filmsscience OCT 22 2004作者：K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang,S. V. Dubonos,. V. Grigorieva,A. A. Firsov被引次數(shù)：5242 機(jī)械剝離法制備的石墨烯，A是在普通白光下的圖像，B是用原子力顯微鏡觀察的邊緣，C是用原子力顯微鏡觀察的單層石墨烯，D是在掃描顯微鏡下觀察到的，E是觀察D時所用的基底少層石墨烯的場效應(yīng)：A是石墨烯電阻率與柵極電壓在不

2、同溫度下的關(guān)系，B是通過一個70K的反向彎轉(zhuǎn)而得到的電導(dǎo)率曲線，C是同一薄膜空穴系數(shù)隨柵極電壓的變化A圖是單層石墨烯在不同溫度下的ShdH震蕩。B圖是單層石墨烯在ShdH震蕩頻率隨柵極電壓的變化情況通過對機(jī)械剝離法制備的石墨烯進(jìn)行觀察研究，主要發(fā)現(xiàn)石墨烯在導(dǎo)帶和價帶之間有一個小小的重疊，電子和空穴在其中都有一個很高的遷移率，這使得它有非常好的導(dǎo)電性。石墨烯只有一個原子厚度，它可以被制成尺寸不到一個分子大小的晶體管，與其他材料不同的是，石墨烯高度穩(wěn)定，即使被切成1納米寬的元件，導(dǎo)電性也非常的好。石墨烯單電子管在室溫下也可以正常工作，因此它具有取代硅的潛質(zhì)。Atomic-scale imaging

3、 of carbon nanofibre growthnature JAN 29 2004作者：Stig Helveg, Carlos Lo pez-Cartes, Jens Sehested, Poul L. Hansen,Bjerne S. Clausen, Jens R. Rostrup-Nielsen, Frank Abild-Pedersen& Jens K. Nrskov被引次數(shù)：513鎳催化劑和碳納米纖維的電子顯微圖該圖是碳納米纖維在鎳表面快速增長的序列圖像 a-h是其伸張/收縮的過程本論文首先在鎳納米晶體表面通過分解甲烷制成了碳納米纖維，其實(shí)鎳是提供的催化作用。用電子顯

4、微鏡對其進(jìn)行了觀察，得出了更精確地結(jié)構(gòu)圖。其次利用密度泛函數(shù)理論分析了碳原子和鎳在界面處吸附原子的能力，發(fā)現(xiàn)碳的吸附能力比鎳強(qiáng)。通過觀察和密度泛函數(shù)的分析，最終得出結(jié)論利用金屬作催化劑使碳原子在其表面吸附制備碳納米纖維的機(jī)制是比較優(yōu)秀的，并且在將來可能得到更加廣泛的應(yīng)用。現(xiàn)在一般就是利用在碳原子在鎳鐵合金表面的吸附來制備碳納米纖維。Electronic Confinement and Coherence in Patterned Epitaxial Graphene science MAY 26 2006作者：Claire Berger,Zhimin Song,Xuebin Li， Xiaos

5、ong Wu,Nate Brown,Ce cile Naud,Didier Mayou,Tianbo Li， Joanna Hass, Alexei N. Marchenkov,Edward H. Conrad,Phillip N. First, Walt A. de Heer被引次數(shù)：1473石墨烯薄膜的生長和表征A是在4H-SiC表面多層石墨烯的低能量電子衍射圖。B是石墨化4H-SiC在原子力顯微鏡下的圖像。C是SiC表面單層石墨烯在掃描傳輸顯微鏡下的圖像。D是C中的石墨烯通過光刻之后的圖像。E是石墨烯晶格在掃描電子顯微鏡下的圖像F是另一塊石墨烯晶格在電子力顯微鏡下的圖像。為了解釋石墨烯中

6、載流子的禁錮和相干而對能帶中電子的磁性傳輸特性分析所做的圖像。朗道能級激發(fā)的能量變化圖由電導(dǎo)波動和弱局域性所導(dǎo)致的電子相干該篇論文首先介紹了高真空條件下加熱SiC制備石墨烯的方法步驟，并且對其特性進(jìn)行了一定的光學(xué)表征。其次分析了由于石墨烯晶格與SiC的相互作用，以及石墨烯能帶中存在的狄拉克特性而導(dǎo)致其內(nèi)部電子的量子局限性和相位相干性。通過該篇論文也證實(shí)了先前的可以通過電學(xué)和化學(xué)摻雜來控制載流子密度的猜想是正確的。最后對石墨烯晶格中存在的這種量子相干性提出了一些應(yīng)用前景，由于石墨烯能帶可以被看作電子波導(dǎo)管，因此可以制作納米電子相干設(shè)備。Two-dimensional gas of massles

7、s Dirac fermions in graphenenture NOV 10 2005作者：K. S. Novoselov, A. K. Geim1, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos& A. A. Firsov被引次數(shù)：3483石墨烯中的電場效應(yīng)：a是其中一個實(shí)驗(yàn)器件（中間的那個石墨烯帶的寬度為0.2nm）的掃描電子顯微鏡圖。b是石墨烯的電導(dǎo)率作為門電壓Vg的函數(shù)。c是石墨烯的霍爾系數(shù)RH作為門電壓Vg的函數(shù)。d是電阻率=1/的最大值與器件的不同遷移率的關(guān)系。石墨烯

8、中的量子震蕩：a是在恒定的門電壓Vg=-60v下，作為磁場B的函數(shù)的SdHD。b是在恒定磁場B=12T下，作為Vg的函數(shù)的SdHO.石墨烯中的狄拉克費(fèi)米子：a是BF對載流子濃度n的依賴關(guān)系。（n正表示電子，n負(fù)表示空穴）。b是分析中使用的fan圖像的例子以得到BF。c是對于mc0.069和mc0.023m0，的SdHO振幅(標(biāo)記)作為T的函數(shù)；實(shí)線是最佳擬合曲線。d是電子和空穴的回旋質(zhì)量mc作為其濃度的函數(shù)，標(biāo)記是實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，實(shí)線是最佳擬合曲線。e是石墨烯的電子能譜，即零帶隙二維半導(dǎo)體的能譜，描述了速度為光速的三百分之一的無質(zhì)量狄拉克費(fèi)米子。 對于單層石墨烯，其載流子表現(xiàn)為無質(zhì)量的狄拉克費(fèi)米子，

9、在狄拉克點(diǎn)（E=0）處，存在一個朗道能級峰，使得費(fèi)米能級穿越狄拉克點(diǎn)時，出現(xiàn)一個霍爾電導(dǎo)平臺的跳躍。縱向電導(dǎo)表現(xiàn)極大，霍爾電導(dǎo)的平臺在1/2,3/2, 5/2. 4e2/h處表現(xiàn)為半整數(shù)的霍爾量子效應(yīng)。該論文還描述了幾種實(shí)驗(yàn)結(jié)論：第一，石墨烯的電導(dǎo)率從沒有低于一個最小值，即使載流子的濃度趨近于零，這個最小值相當(dāng)于電導(dǎo)率的量子單元；第二，石墨烯中的整數(shù)量子霍爾效應(yīng)發(fā)生反常，其填充因子是半整數(shù)；第三，石墨烯中無質(zhì)量的載流子的回旋質(zhì)量mc由方程E=mcc*2描述。石墨烯表現(xiàn)出了由狄拉克方程而非薛定諤方程描述的二維粒子氣的獨(dú)特的電子性質(zhì)，這將為在凝聚態(tài)實(shí)驗(yàn)中研究量子場論的可能性。該篇論文報道了一種由狄

10、拉克(相對論)方程描述其電子輸運(yùn)的凝聚態(tài)系統(tǒng)(石墨烯,即碳單原子層)的實(shí)驗(yàn)研究。Experimental observation of the quantumHall effect and Berrys phase in graphenenature NOV 10 2005作者：Yuanbo Zhang, Yan-Wen Tan, Horst L. Stormer & Philip Kim被引次數(shù)：3010該組圖是在T=1.7K時，石墨烯中電阻、載流子密度、和遷移率隨門電壓的變化情況。a是無磁場的條件下，在寬度只有5um的石墨烯表面，電阻隨門電壓的變化情況，電壓等于零時，電阻達(dá)到一個峰

11、值。（左邊是石墨烯的低能量能帶結(jié)構(gòu)）。b是石墨烯中載流子密度（空圈）和遷移率（實(shí)圈）隨門電壓的變化函數(shù)。a是圖一的石墨烯在T=300mk、Vg=15v時測量到的霍爾電阻（黑色）和磁性電阻（紅色）隨磁場的變化函數(shù)。b是圖一的石墨烯在B=9T、T=1.6K時測量到的霍爾電阻（黑色）和磁性電阻（橙色）隨門電壓的變化函數(shù)。c是石墨烯中朗道態(tài)密度能級和相應(yīng)的量子霍爾電導(dǎo)率隨能量的變化函數(shù)。o 本文主要講述了具有高載流子遷移率的單層石墨烯磁場運(yùn)輸?shù)脑囼?yàn)研究。研究發(fā)現(xiàn)，通過電磁場作用，能觀察到半整數(shù)量子霍爾效應(yīng)；Berry相位的相關(guān)性可以通過磁震蕩確定。Graphene-based composite ma

12、terials nature JUL 20 2006作者：Sasha Stankovich, Dmitriy A. Dikin, Geoffrey H. B. Dommett, Kevin M. Kohlhaas, Eric J. Zimney,Eric A. Stach, Richard D. Piner, SonBinh T. Nguyen & Rodney S. Ruoff被引次數(shù)：1368石墨烯聚苯乙烯復(fù)合材料的制備過程。a是氧化石墨材料b是通過氧化石墨而制備的石墨烯薄膜c是原子力顯微鏡下厚度為1nm的帶有官能團(tuán)的氧化石墨烯片層。d被異氰酸鹽處理的氧化石墨和未分解的聚苯乙烯在二

13、甲基甲酰胺中的懸濁液。e是在甲醇上凝固之后的混合粉末。f是用同樣方法處理過的聚苯乙烯。g是在聚苯乙烯表面處理得到的復(fù)合材料在掃描電子顯微鏡下的放大圖像石墨烯聚苯乙烯復(fù)合材料在掃描電子顯微鏡和投射電子顯微鏡下的圖像o 本文主要講述了對氧化石墨剝離制得的單層氧化石墨做一定化學(xué)處理之后，并入復(fù)合材料而制備出石墨烯高分子復(fù)合材料的方法。這種石墨烯高分子復(fù)合材料具有一些很優(yōu)異的性質(zhì)（如在力學(xué)，電學(xué)，熱學(xué)及其他方面）。Controlling the ElectronicStructure of Bilayer Graphene science AUG 18 2006作者：Taisuke Ohta, Aar

14、on Bostwick, Thomas Seyller, Karsten Horn, Eli Rotenberg被引次數(shù)：743單層石墨烯的電子結(jié)構(gòu)。A是價帶和導(dǎo)帶在第一布里淵區(qū)的K點(diǎn)接觸。B是由于石墨層的堆積而破壞了能帶的對稱性。C是由于不對稱性而使價帶和導(dǎo)帶之間形成能量間隙。 鍵處的動量能量的色散關(guān)系p,和 A-C高度對稱方向上的色散關(guān)系D-F恒定能量等高線K點(diǎn)處的帶隙變化，利用鉀的吸附作用改變摻雜濃度而導(dǎo)致的能帶演化。A是樣品雙層石墨烯薄膜的能帶結(jié)構(gòu)B-C隨著吸附的鉀濃度的增長而導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)變化。隨著鉀濃度的增加，K點(diǎn)狀態(tài)的變化。A是K點(diǎn)能量作為鉀摻雜濃度的函數(shù)分布曲線B是摻雜濃度對能帶參

15、量U和 的影響 1該篇論文首先介紹了石墨烯特殊的能帶結(jié)構(gòu)，導(dǎo)帶和價帶在第一布里淵區(qū)的K點(diǎn)接觸，即它是一種零帶隙的材料。其次選擇堿金屬鉀作為摻雜物來控制載流子密度，從而改變電子附近的能量，使得導(dǎo)帶和價帶之間的距離發(fā)生變化。用堿金屬作為摻雜能改變間隙，但是他同時會受到電場作用的影響，因此這種方法并不是最好多的，日后可能會用通過波矢量變化來改變石墨烯的電子結(jié)構(gòu)。Half-metallic graphene nanoribbonsnature NOV 16 2006作者：Young-Woo Son，Marvin L. Cohen& Steven G. Louie被引次數(shù)：876在橫向外部電場中

16、的鋸齒形石墨烯納米帶石墨烯納米帶的能帶結(jié)構(gòu)整個數(shù)據(jù)中費(fèi)米能量設(shè)置為0半金屬機(jī)制：對于特定自旋方向上的電子來說是金屬，而對于自旋方向相反的另一半電子而言是非金屬石墨烯納米帶的半金屬機(jī)制對于系統(tǒng)尺寸的依賴關(guān)系該篇論文首先介紹了科學(xué)家已經(jīng)預(yù)測到了半金屬材料的存在，所謂半金屬，即僅對于一半的自由電子來說是金屬，而對于另一半電子則是絕緣材料。在該論文中Son等人利用“第一原理”計算預(yù)測，納米尺度的帶狀石墨烯會有半金屬的行為，當(dāng)將均勻的電磁場施加到這種帶上時，這種性質(zhì)就會出現(xiàn)。這項(xiàng)工作有可能為探索基于石墨烯的“納米自旋電子材料”開辟一條道路。Room-Temperature Quantum HallEff

17、ect in Graphenescience MAR 9 2007作者：K. S. Novoselov, Z. Jiang, Y. Zhang, S. V. Morozov, H. L. Stormer, U. Zeitler,J. C. Maan,G. S. Boebinger,P. Kim,A. K. Geim被引次數(shù)：538石墨烯中的電場效應(yīng)：a是其中一個實(shí)驗(yàn)器件（中間的那個石墨烯帶的寬度為0.2nm）的掃描電子顯微鏡圖。b是石墨烯的電導(dǎo)率作為門電壓Vg的函數(shù)。c是石墨烯的霍爾系數(shù)RH作為門電壓Vg的函數(shù)。d是電阻率=1/的最大值與器件的不同遷移率的關(guān)系。量子霍爾效應(yīng)是量子力學(xué)中一個有名

18、的效應(yīng)，只能發(fā)生在微小的尺度上。自從1980年發(fā)現(xiàn)以來，一直吸引著科學(xué)家們的目光。這個在低溫、高磁場下二維金屬電子氣體中發(fā)現(xiàn)的效應(yīng)，已經(jīng)闡明了許多重要的量子力學(xué)的問題，加深了我們對于相互作用系統(tǒng)的理解。就像其他許多量子現(xiàn)象，QHE需要在低溫下實(shí)現(xiàn)，通常低于液氦的沸點(diǎn)。努力提升QHE的溫度范圍顯得十分有必要，這既是希望能夠直接觀察到量子現(xiàn)象的好奇心的驅(qū)使，也是方便實(shí)際計量的需要，或者至少提高到液氮的溫度上并且在可能的情況下提升其精度，也能大大方便人們的使用。而之前觀察到的還沒有超過30K。在石墨烯中，QHE可以在室溫下被觀察到。這是因?yàn)槭┲休d流子非比尋常的特性，表現(xiàn)得像無質(zhì)量的相對論粒子（無

19、質(zhì)量的迪拉克費(fèi)米子）并且在周圍環(huán)境載流子的遷移伴隨著很少的散射。The structure of suspended graphene sheetsnature MAR 1 2007作者：Jannik C. Meyer, A. K. Geim, M. I. Katsnelson, K. S. Novoselov, T. J. Booth& S. Roth被引次數(shù)：764懸掛石墨烯在穿透式顯微鏡下的圖像石墨烯薄膜的原子分辨圖像石墨烯在穿透式顯微鏡下的圖像a,b是單層和雙層石墨烯梯形邊緣在穿透式電子顯微鏡下的圖像。c-e是入射角為0度，14度和26度的單層石墨烯中的電子衍射圖像。f是總強(qiáng)度

20、作為c圖中傾角峰的函數(shù)圖像。g是同樣分析方法下的雙層石墨烯。顯微鏡下波形石墨烯的圖像a.理想的平面石墨烯b.具有起伏波形的石墨烯在同一顯微鏡下的圖像c.平面薄膜相應(yīng)的空間和石墨烯的垂直倒晶格d.e是起伏波狀薄膜衍射光波的重疊圖像f是衍射峰在單晶石墨烯中隨傾角的演化圖像g是單層和雙層石墨烯中衍射峰的半角寬度隨入射角的變化o 本文主要講述了能自由懸浮而不依賴于基底的石墨烯片的結(jié)構(gòu)特征，通過透射電子顯微鏡法可以發(fā)現(xiàn)這種懸浮的石墨烯片表面并不是絕對的平坦。它的表面有彈性的起伏。而這對2D薄膜結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性及其他性能（力，電，光等）可能起著關(guān)鍵性的作用。Electromechanical Resonato

21、rs from Graphene Sheets science JAN 26 2007作者：J. Scott Bunch, Arend M. van der Zande,Scott S. Verbridge, Ian W. Frank,David M. Tanenbaum, Jeevak M. Parpia,Harold G. Craighead,Paul L. McEuen被引次數(shù)：461o 本文主要講述了由單層和多層的石墨烯薄片懸浮于二氧化硅槽上而制成的機(jī)電共鳴器。其共振頻率在兆赫茲范圍內(nèi)，通過光或電的方式激發(fā)，通過光學(xué)干涉法來檢測。Chemically Derived, Ultrasmo

22、othGraphene Nanoribbon Semiconductorsscience FEB 29 2008作者：Xiaolin Li, Xinran Wang, Li Zhang, Sangwon Lee, Hongjie Dai被引次數(shù)：924用化學(xué)方法制備寬度約為10nm的石墨烯納米帶A圖左邊是石墨烯納米帶穩(wěn)定的懸浮在PV/DCE溶液中的照片，右邊是石墨烯納米帶的形成原理圖B-F是不同寬度石墨烯納米帶在原子力顯微鏡下的圖像。不同形態(tài)和存在接點(diǎn)的石墨烯納米帶A、B是存在接點(diǎn)的石墨烯納米帶在原子力顯微鏡下的圖像，這些接點(diǎn)是由不同的邊緣構(gòu)成的。C、D是刀狀形石墨烯納米帶在原子力顯微鏡下的圖

23、像，其寬度從數(shù)萬納米變化到一個非常尖銳的點(diǎn)。E是由于機(jī)械形變而導(dǎo)致的存在彎曲和褶皺的石墨烯納米帶在原子力顯微鏡下的圖像室溫下石墨烯納米帶場效應(yīng)管的開關(guān)比率圖像石墨烯納米帶場效應(yīng)管的電學(xué)性能該篇論文主要介紹了石墨烯納米帶的化學(xué)制備方法，他是通過溶液相衍生而成的，因?yàn)槿芤河蟹枪矁r聚合官能團(tuán)的存在，因此石墨烯能夠穩(wěn)定地懸浮在其中，利用吸附作用進(jìn)而生成石墨烯納米帶。這種石墨烯納米帶展現(xiàn)出了非常好的光滑性，這可能是由于鋸齒形或許椅形邊緣形成的。石墨烯納米帶制成的場效應(yīng)晶體管在室溫下有一個很好的開關(guān)比率，有可能取代硅晶體。Chaotic Dirac Billiard inGraphene Quantum

24、Dotsscience APR 18 2008作者：L. A. Ponomarenko, F. Schedin,M. I. Katsnelson, R. Yang,E. W. Hill, K. S. Novoselov, A. K. Geim被引次數(shù)：285石墨烯單電子晶體管量子束縛效應(yīng)狄拉克碰撞的統(tǒng)計分析圖電子在納米尺度石墨烯設(shè)備中的傳輸該篇論文報告了在近似圓形的石墨烯小量子點(diǎn)器件上觀察到石墨烯混沌現(xiàn)象，這一現(xiàn)象的出現(xiàn)可能會對基于石墨烯的物性研究和器件應(yīng)用產(chǎn)生影響。本文是通過高分辨率電子束來刻蝕制成量子點(diǎn)器件，并在一定溫度下測量了其電子輸運(yùn)性質(zhì)，觀測到該器件的電導(dǎo)呈現(xiàn)出清晰的庫侖阻塞效應(yīng)以及

25、量子點(diǎn)激發(fā)態(tài)電導(dǎo)峰，還對零偏壓下量子點(diǎn)庫侖振蕩峰最近鄰峰間距和峰值作了統(tǒng)計分析，表明了量子混沌現(xiàn)象的存在。Fine Structure Constant DefinesVisual Transparency of Graphenescience JUN 6 2008作者：R. R. Nair,P. Blake， A. N. Grigorenko,K. S. Novoselov,T. J. Booth, T. Stauber,N. M. R. Peres, A. K. Geim被引次數(shù)：441白光下石墨烯樣品單層石墨烯的傳輸光譜該論文中通過利用可見光線射過單層的石墨烯，觀察到一個重要但神秘的宇宙

26、基本常數(shù)精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)。盡管只有單層原子厚度，但石墨烯有相當(dāng)?shù)牟煌该鞫?，可以吸收大約2.3%的可見光。而相關(guān)的理論研究也表明，如果將這一數(shù)字除以圓周率，就會得到較為精確的精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)值。精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)是物理學(xué)中一個重要的無量綱數(shù)，用希臘字母表示，它與量子電動力學(xué)有著緊密的淵源。精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)將電動力學(xué)中的電荷e、量子力學(xué)中的普郎克常數(shù)h、相對論中的光速c聯(lián)系起來，定義為 21137ecMeasurement of the ElasticProperties and Intrinsic Strengthof Monolayer Graphenescience JUL 18 2008作者：Changgu

27、 Lee, Xiaoding Wei, Jeffrey W. Kysar,James Hone被引次數(shù)：801懸掛石墨烯薄膜的圖像A是表面鉆有小孔的晶體薄板，這些孔的直徑為1-1.5umB是直徑為1.5um的薄層在原子力顯微鏡下的圖像。C是對放在晶體板上的石墨烯進(jìn)行納米壓橫處理的原理圖。D是斷裂薄層在原子力顯微鏡下的圖像。彈性響應(yīng)的測試結(jié)果斷裂系數(shù)的測試結(jié)果該論文對石墨烯的力學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了比較全面的研究。作者選取了10到20微米的石墨烯作為研究對象，先將這些石墨烯樣品放在表面鉆有小孔的晶體薄板上，這些孔的直徑在1到1.5微米，然后利用金剛石制成的探針對放在小孔上的石墨烯施加壓力，測試它們的承受能

28、力。結(jié)果發(fā)現(xiàn)在石墨烯樣品開始斷裂前，其每100nm米上可承受的最大壓力達(dá)到2.9uN,這一結(jié)果相當(dāng)于要施加55N的力才可以使1m的石墨烯斷裂。由此可見石墨烯具有相當(dāng)好的力學(xué)性能。這種測試方法可以被用在對非線性原子領(lǐng)域進(jìn)行測試。Control of Graphenes Propertiesby Reversible Hydrogenation:Evidence for Graphane作者：D. C. Elias, R. R. Nair,T. M. G. Mohiuddin,S. V. Morozov, P. Blake, M. P. Halsall,A. C. Ferrari, D. W. B

29、oukhvalov, M. I. Katsnelson,A. K. Geim, K. S. Novoselov被引次數(shù)：508science JAN 30 2009氫化作用引起的石墨烯電子性質(zhì)的變化：A.B是氫化之前的圖像，C.D是氫化之后的圖像，E.F是同種樣品在低溫處理之后的圖像氫化石墨烯由金屬向絕緣體的轉(zhuǎn)變氫化作用引起的拉曼光譜的變化通過穿透式電子顯微鏡觀察到的氫化石墨烯的結(jié)構(gòu)的變化A氫化之后電子衍射發(fā)生的變化，藍(lán)色表示之前的，紅色表示氫化后的B晶格間距d的變化，紅色是之前的平均值，綠色是氫化后的平均值。C.D是由原來的二維變成三維，藍(lán)色是碳原子，紅色是氫原子該論文主要講述了氫化作用對石墨烯結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的影響，可以使原來的sp2雜化，變?yōu)樵瓉淼膕p3雜化，同時使其由高導(dǎo)電的半金屬轉(zhuǎn)變?yōu)榻^緣體。石墨烯的這種氫化作用是可逆的，因此原始的金屬狀態(tài)、晶格間距、甚至量子霍爾效應(yīng)效應(yīng)都可以通過熱處理使其還原。氫化的過程給是先將所有的樣品在300攝氏度，在氬氣中保存四小時，然后再在低溫的氫等離子體中處理。Large-scale pattern growth of graphene