MEMS習(xí)題1-31

1、1. 解釋微系統(tǒng)技術(shù)與微電子技術(shù)的差異微電子微系統(tǒng)（硅基）他用單晶硅片、硅化仟物、塑料使用單舗硅片和一些英他材料，例如WAs*石英、聚合物及金屬傳輸電流以實(shí)現(xiàn)特定的電路功能可以實(shí)現(xiàn)各種的也物、化學(xué)、機(jī)電和光學(xué)功能固定的結(jié)構(gòu)可能包括活動(dòng)部件主要為二維結(jié)構(gòu)復(fù)雜的二維結(jié)構(gòu)基底上高密度的復(fù)雜圖形基底上的簡單聞形少量元件裝配多元件裝配集成電路芯片被窕全保護(hù).避免外界接觸傳感器芯片勻接鮭媒介有接口成熟的集成電路設(shè)計(jì)方法學(xué)缺乏工程設(shè)計(jì)方法學(xué)和標(biāo)準(zhǔn)大量的導(dǎo)電通孔和引線少量導(dǎo)電通孔和引線有工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)沒有工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)大批量生產(chǎn)批量生產(chǎn)或訂單生產(chǎn)加工技術(shù)己經(jīng)驗(yàn)證并規(guī)定成文許多微電子加工技術(shù)可用于生產(chǎn)制造技術(shù)己經(jīng)驗(yàn)證并規(guī)定

2、成文獨(dú)特的制進(jìn)技術(shù)建立了相當(dāng)完善的封裝技術(shù)封裝技術(shù)尚處于萌芽時(shí)期12建議列表格進(jìn)行比較，優(yōu)先寫標(biāo)紅部分。2.比較MEMS封裝與IC封裝的不同MEMSIC復(fù)雜的=維結(jié)構(gòu)主要為二錐緒構(gòu)含有活動(dòng)部件或液休固定的薄固體結(jié)構(gòu)濡要將微結(jié)構(gòu)同徹電子集成不番要這種集成需接觸工作介質(zhì)并趾于惡劣通過包裝與工作介質(zhì)相隔離環(huán)境下涉及賽種不同材料只涉及少數(shù)幾種材料很多元杵需組裝少數(shù)元件諾孌俎裝主要采用人工進(jìn)行組裝具有自動(dòng)化的組裝技術(shù)封裝技術(shù)處于起步階段成熟的封裝技術(shù)3.介紹BioMEMS的分類及其典型結(jié)構(gòu)的工作原理1）用于識別和測量生物物質(zhì)的生物傳感器2）生物儀器及外科手術(shù)工具3）生物測試診斷系統(tǒng)典型結(jié)構(gòu)：生物醫(yī)學(xué)傳感

3、器工作原理：生物物質(zhì)可與傳感器內(nèi)部的某些元素化學(xué)反應(yīng)釋放出某些元素這些元素可以改變傳感器中的電流模式。參考例圖（根據(jù)時(shí)間決定畫不畫）：測量葡萄糖含量的生物醫(yī)學(xué)傳感器Bloodsample廿用electrode'乂、.PolyvinylalcoholsolutionAp/AgClReferenceelectrode 一個(gè)鉗薄電極、一個(gè)薄的Ag/AgCI薄膜對血液輸入+聚乙烯酒精溶液（含。2）葡萄糖+O2->匍萄糖酸內(nèi)酯酶+H2O2 H2O2可被鉗電極上的電壓電解，形成H+,并被電極吸引通過測量兩電極之間的電流即可知葡萄糖含量生物傳感器工作原理：基于待檢測分析物與生物分子（如酶、抗體

4、或其他形式的蛋白等）的相互作用。參考例圖（根據(jù)時(shí)間決定畫不畫）：生物傳感器原理框圖AVILA1L生物分子層（可根據(jù)測試目的選擇）作為傳感器單元輸入被分析物生物分子層吸附被分析物內(nèi)的某些特定元素它們之間的相互作用將影響傳感器輸出信號4. 介紹微型電動(dòng)機(jī)的工作原理，介紹微型加速度計(jì)的典型配置及其工作原理1）微型電動(dòng)機(jī)的工作原理：運(yùn)動(dòng)方向<W+W/3可動(dòng)電極A'B'C'D'介電材料如圖所示，對A組電極施加電壓，在電場的作用下，A與A'發(fā)生相對運(yùn)動(dòng)，使得A與A'對齊，但引起了B與B'的錯(cuò)位；接著給B組電極施加電壓，B與B'發(fā)生相對運(yùn)

5、動(dòng)，使得B與B'對齊，但引起了C與C'的錯(cuò)位；繼續(xù)給C組電極施加電壓，C與C'發(fā)生相對運(yùn)動(dòng)，使得C與C'對齊，但引起了D與D'的錯(cuò)位。如此反復(fù)，可動(dòng)電極就能想著一個(gè)方向不斷運(yùn)動(dòng)。電極間錯(cuò)開的距離越短，電極數(shù)越多，運(yùn)動(dòng)就越平穩(wěn)。除了直線電動(dòng)機(jī)，還可以通過類似的方法做出旋轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)。2）微型加速計(jì)的典型配置及工作原理典型配置：質(zhì)量振子、彈簧和阻尼器振動(dòng)基體6.工作原理：器件加速運(yùn)動(dòng)時(shí)，使得基體和彈簧同時(shí)加速運(yùn)動(dòng)，質(zhì)量振子為了平衡，也需要彈簧提供一慣性力，從而使得彈簧拉伸（壓縮）。通過測量彈簧力的大小，或彈簧引起的變形的大小，或由質(zhì)量振子和固定基體組成的電容器電

6、容的大小，來測量加速度的大小。阻尼器的作用是減弱彈簧的簡諧運(yùn)動(dòng)，使質(zhì)量振子快速穩(wěn)定，從而快速獲得測量值。MEMS中常用的加速度計(jì)有懸梁式加速度計(jì)和平衡力式加速度計(jì)。懸梁式加速度計(jì)中，懸臂梁充當(dāng)彈簧，質(zhì)量塊為質(zhì)量振子，腔內(nèi)流體充當(dāng)阻尼器，通過測量懸臂梁上的壓敏電阻值計(jì)算加速度。平衡力式加速度計(jì)中薄梁為質(zhì)量振子，彈簧鉸鏈為彈簧，周圍流體為阻尼器，通過測量差動(dòng)電容計(jì)算加速度。5.解釋硅被優(yōu)先選擇作為MEMS襯底材料的原因。1）可以被集成到硅襯底的電子器件上2）力學(xué)性能穩(wěn)定，是理想的結(jié)構(gòu)材料，擁有較高的楊氏模量和較小的密度3）高溫下的尺寸穩(wěn)定性4）熱膨脹系數(shù)小5）沒有機(jī)械遲滯，硅晶面平整6）材料來源廣

7、泛，成本較低7）設(shè)計(jì)、制造更靈活，處理、制作工藝成熟MEMS材料中壓電晶體材料、聚合物類材料各自特點(diǎn)及應(yīng)用；如何使聚合物導(dǎo)電？1）壓電晶體材料：特點(diǎn)：擁有壓電效應(yīng)（受到壓力變形時(shí)，能在上線表面產(chǎn)生電壓）和逆壓電效應(yīng)（在上下表面施加電壓，材料能產(chǎn)生一變形）；通常為固體陶瓷材料應(yīng)用：MEMS中的執(zhí)行器、壓電微泵、打印機(jī)墨盒、雙壓電微風(fēng)扇2）聚合物材料：特點(diǎn)：重量輕、成本低、熔點(diǎn)低、電導(dǎo)率差（一般為絕緣體）、處理工藝簡單、耐蝕性好、形狀穩(wěn)定性高應(yīng)用：光阻聚合物用于生產(chǎn)掩模和LIGA技術(shù)中MEMS的初模；鐵電聚合物用于MEMS中的執(zhí)行器；聚合物還用作介電材料、電磁屏蔽材料、封裝材料和有機(jī)襯底3）使聚合

8、物材料導(dǎo)電的方法：熱解；摻入過渡金屬原子；加入導(dǎo)電纖維7. 介紹化學(xué)氣相沉積的工作原理1）攜帶擴(kuò)散反應(yīng)物的氣體流過熱表面2）表面溫度提供的能量引起氣體中反應(yīng)物的化學(xué)反應(yīng)3）反應(yīng)中和反應(yīng)后形成薄膜4）化學(xué)反應(yīng)的副產(chǎn)品由出口排除。反應(yīng)物和進(jìn)氣口排氣口8. 比較干法腐蝕和濕法腐蝕的不同之處參數(shù)干法腐蝕溟法腐蝕方向性對務(wù)數(shù)材料好僅對單晶材料（深寬比高達(dá)400）生產(chǎn)自動(dòng)喘度好差環(huán)境詡向低高掩膜層粘附性能不是關(guān)鍵因素耳麓關(guān)鍵孵比差非常好待腐蝕材料僅特走刪所有1工藝規(guī)齡犬困難容易1清潔度有條件清S好到耳犢好1躋尺寸控制非常好(uO.lum)差裝詈成本昂貴較昂貴戯型腐蝕速率10.1um/minjlij'

9、;ffi(6um/min)燥作參數(shù)很少腐性速鞍制在緩慢腐銅好困難9. 等離子體在微加工中的作用1）等離子刻蝕2）離子注入3）薄膜沉積10. 敘述體硅微制造、表面微加工和LIGA工藝的特點(diǎn)及其優(yōu)缺點(diǎn)體硅微制造特點(diǎn):缺點(diǎn)：材料損失大;僅限于低深寬比的幾何形狀,即表面尺寸遠(yuǎn)大于深度尺寸.優(yōu)點(diǎn)：簡單,是一個(gè)成熟的工藝過程;生產(chǎn)成本低;適合簡單形狀的制造;表面微加工特點(diǎn):缺點(diǎn)：需要在基底上構(gòu)造材料層;需要復(fù)雜的掩模設(shè)計(jì)及生產(chǎn);必須要腐蝕掉犧牲層;工藝過程耗時(shí)多,成本大;有界面應(yīng)力和粘連等工程問題.優(yōu)點(diǎn)：需要在基底上構(gòu)造材料層;不受硅晶片厚度的限制;薄膜材料的選擇范圍大;適合于復(fù)雜的形狀.LIGA工藝的特

10、點(diǎn):缺點(diǎn)：所有工藝中花費(fèi)最多的工藝;X射線光刻需要用到一種特殊的同步加速器輻射設(shè)備;需要研制微注入壓模技術(shù)及進(jìn)行大批量生產(chǎn)的設(shè)備.優(yōu)點(diǎn)：微結(jié)構(gòu)的深寬比不受限制;柔性的微結(jié)構(gòu)和幾何形狀;是三種技術(shù)中唯一可生產(chǎn)金屬微結(jié)構(gòu)的工藝;在制備注入壓模的情況下,是三種制造工藝中最適合批量生產(chǎn)的.11. 表面微加工由幾個(gè)的組成部件組成？對于表面微加工過程主要存在哪些力學(xué)問題，分別闡述其原因組成部分：生成絕緣層淀積材料刻蝕暴露的材料旋涂光刻膠去除殘留光刻膠曝光力學(xué)問題：1層間的粘附層間粘結(jié)力不夠2界面應(yīng)力At1000°C:AfteroxidationDuringoxidationbyCVDArSiO.

11、襯底與淀積材料熱膨脹系數(shù)不匹配12. 分析表面微加工中防止粘連產(chǎn)生的原因.防止粘連的主要方法主要有哪三類?原因：一旦產(chǎn)生，接難以分離。方法表3-7防止粘連的方法種類方法基本原理機(jī)械結(jié)構(gòu)支承并列的支承凸點(diǎn)沉積結(jié)構(gòu)層前在犧牲層上刻蝕一些坑，沉積的結(jié)構(gòu)層就會(huì)在坑處牙成向下的突起，在干燥時(shí)支承結(jié)構(gòu)側(cè)壁月牙結(jié)構(gòu)支承防止懸臂梁變形臨時(shí)增強(qiáng)被釋放結(jié)構(gòu)增加剛度防止懸臂梁變形、改進(jìn)釋放方法二氧化碳臨界釋放將清洗液臨界變?yōu)闅怏w防止出現(xiàn)液體-氣體相變氣體HF釋放HF氣體腐蝕犧牲層,避免表面張力，但是釋放速度很慢光刻膠支承釋放有機(jī)溶液置換清洗液，浸人光刻膠中，再用等離子刻蝕固化的光刻收冷凍升華法液體和結(jié)構(gòu)同時(shí)冷凍，然

12、后在真空中升華防止出現(xiàn)液體-氣體相變減小表面張力表面粗糙處理等離子體轟擊等方法使表面粗糙，減小實(shí)際接觸面積表面厭水處理用NHF溶液處理，得到氫基覆蓋的厭水性表面，降低毛細(xì)現(xiàn)象表面鍍膜處理表面覆蓋一層低表面能的厭水薄膜降低毛細(xì)現(xiàn)象和表面張力13.介紹LIGA工藝過程，在LIGA工藝過程中為什么電鑄是必要的？LIGA對光刻膠有什么要求LIGA包括三個(gè)工藝過程：深層同步輻射X射線光刻電鍍成形注塑IrrftCfiAlionSynciiroienMoldinsertMoldfilhngDevelopm«ntmniwialElectroformingMoldMpamtkon使用電鑄將微結(jié)構(gòu)內(nèi)部填

13、充，將聚合物取出后就可得到金屬的微結(jié)構(gòu)，并以此為模子可進(jìn)行下一步的注塑。光刻膠選?。航陙磉x用高靈敏度的SU-8，曝光時(shí)間短，適用于大尺度加工。對電子束敏感，與襯底材料附著性能好。14. 描述DRIE工藝并分析DRIE如何獲得近乎完美垂直腐蝕結(jié)構(gòu)DRIE在腐蝕過程可以在側(cè)壁生成幾毫米厚保護(hù)掩模;采用高濃度等離子體源,使基底材料等離子刻蝕過程與側(cè)壁上腐蝕保護(hù)材料沉積過程交替進(jìn)行。DIRE延伸了體硅微制造，獲得高深寬比，并且腔壁完全垂直。15. 比較體硅微制造與表面微加工工藝技術(shù)的異同點(diǎn)。體硅微加工是指對晶體或非晶體的體塊材料進(jìn)行腐蝕,得到三維形貌。表面微加工是指在襯底上逐層累積與刻蝕,從而形成結(jié)

14、構(gòu)。表面微加工尺寸上一般遠(yuǎn)小于由體硅微加工獲得的器件。共同的工藝技術(shù)：光刻、氧化、擴(kuò)散、離子注入，LPCVD、PECVD、等離子刻蝕、多晶硅的使用、濺射、蒸發(fā)、電鍍工藝技術(shù)區(qū)別：體硅微加工中采用了各向異性腐蝕、鍵合技術(shù)、腐蝕停止層、雙面工藝、電化學(xué)腐蝕；表面微加工采用干法刻蝕實(shí)現(xiàn)圖形化、各向同性腐蝕進(jìn)行結(jié)構(gòu)釋放。16. MEMS微系統(tǒng)封裝主要難點(diǎn)微系統(tǒng)有三維結(jié)構(gòu)；每層結(jié)構(gòu)由不同材料成；系統(tǒng)中含有流體或受環(huán)境排斥物質(zhì)；對需要直接與外部環(huán)境作用才能實(shí)現(xiàn)功能的MEMS器件，封裝結(jié)構(gòu)要實(shí)現(xiàn)保護(hù)及信號連接的作用。17. 鍵合技術(shù)主要應(yīng)用領(lǐng)域，微系統(tǒng)元件鍵合的難點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域：（1）基片之間的鍵合:硅晶片鍵合

15、到硅晶片、硅晶片鍵合到由玻璃、石英、藍(lán)寶石、陶瓷和金屬材料制成的承載晶片上（2）微元件固定到承載基片上:硅模片固定到由玻璃或者陶瓷制成的基板上（3）微器件上轉(zhuǎn)換器的輸入輸出引線以及導(dǎo)電線的連接微系統(tǒng)元件鍵合難點(diǎn)：（1）表面之間的緊密結(jié)合（2）溫度18. 介紹粘合劑鍵合、共晶鍵合特點(diǎn)及工藝過程檢測和控制要求（1）特點(diǎn)鍵合方法溫度密封性可靠性環(huán)氧樹脂（粘合劑）鍵合低不好不確定共晶鍵合中好不確定（2）工藝過程檢測和控制要求a粘合劑鍵和過程檢測過程溫度控制：溫度影響粘性溫度過高，流動(dòng)性好，污染表面接觸力過小，晶片與黏合劑接觸不好，強(qiáng)度不高；環(huán)氧樹脂鍵合過程失效的接觸力變化范圍較大，對測力的精確性以及重

16、復(fù)性必須檢測污染污染導(dǎo)致鍵合性變差，造成電阻增加或者導(dǎo)電性能下降污染可能是由于環(huán)氧樹脂過期或者清洗不足b共晶鍵合過程檢測過程溫度控制低于共晶點(diǎn)，長時(shí)間保溫，鍵合結(jié)點(diǎn)顆粒狀；溫度過高，熱沖擊、浸潤不足接觸力過大，不滿足共晶鍵合所要求的清洗過程過小，器件位置不平整，導(dǎo)致電路性能和機(jī)械可靠性變差清洗不充分清洗，影響共晶鍵合形成；過量清洗，共晶鍵合變薄，電路性能變差，機(jī)械性能變差空氣條件氧氣過多，氧化、妨礙潤濕。N2調(diào)節(jié)空氣成分，壓力、速度、噴嘴位置污染無機(jī)污染物，Ar等離子氣；有機(jī)，氧等離子或者化學(xué)溶液加工時(shí)間增加鍵合時(shí)間，導(dǎo)致Au過度溶解，接頭性能下降19. 介紹局部加熱鍵合的主要方法，采用激光進(jìn)

17、行局部加熱鍵合有何顯著優(yōu)點(diǎn)？主要方法：金硅共晶鍵合，硅-玻璃熔化鍵合，局部焊接鍵合，局部CVD鍵合，局部激光輔助鍵和。激光進(jìn)行局部加熱鍵合的優(yōu)點(diǎn)：反應(yīng)時(shí)間和溫度可控非接觸式過程不同材料可以使用不同波長的激光加工復(fù)雜圖形的能力和用戶選擇性20. 介紹三種導(dǎo)線鍵合方法和特點(diǎn)，對導(dǎo)線鍵合過程控制檢測要求有哪些熱壓：引線鍵合在機(jī)械壓力和大約400°C的溫度下完成鍵和過程為，加熱引線形球，用毛細(xì)管狀（熱壓頭？ppt上是那么寫的）的工具將球壓倒焊盤上，施加機(jī)械壓力在球鍵合到焊盤上之后移走毛細(xì)管狀的工具楔形-楔形超聲鍵合：室溫下的鍵合能亮是由20-60khz的超聲震動(dòng)提供。熱壓超聲：是使用超聲的熱

18、壓鍵合，鍵和溫度為100-150C,鍵合形狀為球形-楔形或者是楔形-楔形導(dǎo)線鍵合鍵合過程檢測過程溫度控制超聲波鍵合：室溫；超聲焊接：125175C；熱壓鍵合：250300C；工具溫度超聲波及熱聲鍵合：室溫；熱壓鍵合：300400C；鍵合力過度鍵合：鍵合節(jié)點(diǎn)弱化鍵合不足：鍵合材料形變不夠，難以焊接過程時(shí)間過短，無法完成鍵合；過長：超聲損壞焊點(diǎn)超聲波耦合調(diào)整超聲波發(fā)生器的輸出電壓調(diào)整超聲能量；靜態(tài)和動(dòng)態(tài)下諧振頻率和阻抗的偏差；固定傳感器的晶體堆鍵合表面金屬化薄而硬鍵合表面需要更大的超聲波能量和接觸力，較大的鍵合表面；截尾時(shí)需要小的接觸壓力；厚而軟的鍵合表面需較小的超聲波能量和接觸力，較小鍵和表面；

19、截尾時(shí)要更大的接觸壓力。鍵合表面污染：濕法清洗、等離子清洗有機(jī)：氧或者氫等離子清洗或化學(xué)刻蝕；無機(jī)：氬等離子體清洗熱壓鍵合受表面污染的影響最大；熱聲受污染影響最小鍵合材料屬性（純度、硬度延展性）硬度大，需要大的接觸力，高的溫度，大的超聲能量；延展性引起截?cái)鄷r(shí)段點(diǎn)發(fā)生變化21. 為何對于MEMS器件制造，密封工序是要重點(diǎn)考慮的對象？按照材料分類，密封分為哪兩類，各有何特點(diǎn)？MEMS密封的必要性:防化學(xué)污染、濕氣腐蝕、鹽霧污染、來自生物體污染、空氣污染；防止機(jī)械破壞。密封材料：有機(jī)材料、無機(jī)材料有機(jī)材料經(jīng)濟(jì)、耐久性不夠，性能受所用聚合物樹脂滲透性控制；無機(jī)密封相對長久、且是氣密的，甚至實(shí)現(xiàn)真空封裝

20、，成本高。22. 集成密封過程的主要優(yōu)點(diǎn)、步驟。集成密封過程的主要優(yōu)點(diǎn)：晶片切割和處理工序之前，可以對機(jī)械元件進(jìn)行原位密封，避免受到污染。集成密封過程的步驟： 采用微細(xì)加工技術(shù)制作器件和起間隔作用的犧牲層； 沉積犧牲層并形成圖形，之后是封裝蓋層的沉積和圖形制作過程，從而形成具有刻蝕通道和空腔的密封外殼。 去除犧牲層 沉積密封通道和空腔微機(jī)械結(jié)構(gòu)、犧牲層(a)微結(jié)構(gòu)與犧牲層/r-J11r犧牲層封裝外売多犧牲層與密封外殼犧牲層去除P(C)去除犧牲層密封釋放孔和通道23. 使用中間層進(jìn)行晶片鍵合其工藝過程的主要特征。使用中間層進(jìn)行晶片鍵合的主要步驟。主要特征：廣泛用于陶瓷工業(yè)，形成金屬與金屬之間或者

21、金屬與陶瓷之間的鍵合，包含如下特征融合或熔化兩種材料形成一個(gè)穩(wěn)定的、易于鍵合的中間成分?jǐn)U散作用。被擠壓的鏈接部分被加熱到材料熔點(diǎn)70%的溫度，從而在界面上形成一個(gè)穩(wěn)定的中間層材料焊接過程。將填充材料放入待連接的兩個(gè)部件之間，并在加熱作用下形成穩(wěn)定的中間層材料鍵合過程中，中間層可能流入并填充兩個(gè)鍵合面之間的縫隙，從而對粗糙度的要求沒有晶片直接鍵合高主要步驟： 制作密封蓋和器件在密封蓋晶片上制作4微米厚多晶硅薄膜;可斷裂連接鏈由金/多晶硅材料制作成;金焊接頭分布在密封蓋的邊緣 熱壓鍵合采用熱壓鍵合,金焊接頭被焊到硅基底的密封環(huán)上 連接鏈分離24. 判斷真空密封好壞的依據(jù)。陽極鍵合工藝與局部CVD沉

22、積結(jié)合的真空密封步驟。判斷真空密封好壞的依據(jù)： 密封后真空腔的真空度； 真空腔在經(jīng)過一定時(shí)間剩余真空度（泄漏速度）。陽極鍵合工藝與局部CVD沉積工藝結(jié)合的真空密封步驟： 通過KOH濕法刻蝕工藝在硅晶片上形成凹形空腔采用薄膜沉積、光刻和刻蝕形成MEMS結(jié)構(gòu)和互連導(dǎo)線采用化學(xué)機(jī)械拋光磨平表面 將玻璃晶片通過陽極鍵合連接到硅基底 采用CVD工藝對通風(fēng)孔進(jìn)行密封25.微組裝過程中微觀操作與宏觀尺寸操作不同，具體敘述其特點(diǎn)1. 操作對象肉眼看不見。很難通過肉眼直接觀察來進(jìn)行操作，需借助特定的顯微鏡進(jìn)行。2. 操作對象重量輕、結(jié)構(gòu)脆弱，易于損毀。因而需要對操作過程中施加的力要有正確估計(jì)，擁有力傳感器非常關(guān)

23、鍵。3. 操作對象形狀復(fù)雜，因而操縱的不確定性較多。4. 制約微操作過程的物理化學(xué)規(guī)律與大尺寸情況不同。微操作的力作用規(guī)律不同宏觀，重力可以忽略，而黏附力、靜電力、范德華力等變得重要。5. 微操作的行為呈多樣化，對于操作要求更高。6. 用于制造微夾持器的材料呈現(xiàn)多樣化。26. 比較微組裝過程中，串行微組裝與并行微組裝的不同答：微組裝分為串行微組裝（順序）與并行微組裝（隨機(jī)），串行微組裝中零件是一個(gè)一個(gè)裝配的；并行微組裝中許多相同或不同的零件同時(shí)被裝配。兩者不同：1. 裝配機(jī)理:串行微組裝采用微操作機(jī)械手或微夾持器進(jìn)行裝配;并行微組裝采用靜電力、磁場力、毛細(xì)作用力、離心力等進(jìn)行分布操作。2. 信

24、息反饋：串行微組裝需顯微視覺及微力反饋以實(shí)現(xiàn)微小零件的準(zhǔn)確定位，需閉環(huán)控制；并行微組裝很少需反饋信息，為開環(huán)控制。3. 組裝系統(tǒng)復(fù)雜度及效率：串行微組裝可裝配結(jié)構(gòu)復(fù)雜零件，效率低；并行微組裝裝配結(jié)構(gòu)簡單零件，效率高。4. 組裝靈活性：串行微組裝靈活性比并行高。27. 微組裝系統(tǒng)設(shè)計(jì)一般準(zhǔn)則及主要流程一般準(zhǔn)則：1.從系統(tǒng)角度出發(fā)設(shè)計(jì)，涉及機(jī)器人、計(jì)算機(jī)視覺、顯微光學(xué)、物理和化學(xué)；2. 重視封裝過程的結(jié)合，采用自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和技術(shù)來降低機(jī)器人系統(tǒng)的對準(zhǔn)精度要求；3. 可重新配置的能力，基于功能分解的模塊化設(shè)計(jì)；主要流程：1.送料2. 微夾具、機(jī)械手或機(jī)器人加持器件3. 器件鍵合和固定，包括引線鍵合和特殊表面鍵合4. 封裝，包括金屬、陶瓷、塑