太陽(yáng)能電池制備工藝流程-_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、2.1.3光電池的制備工藝過(guò)程:光電池的制備工藝流程簡(jiǎn)單表示如下:ITO玻璃的光刻刻蝕一劃片一洗片一氧氣Plasma-PEDOT的旋涂-蒸發(fā)PEDOT中的溶劑-有機(jī)活性層的旋涂-鍍金屬電極-包封2.1.3.1ITO玻璃的光刻刻蝕:基片的處理:低濃度(1%micro級(jí)洗涕劑超聲清洗;然后,氧Plasma處理15分鐘。勻膠:轉(zhuǎn)速為4000,轉(zhuǎn)/分鐘時(shí),光刻膠厚度為1.7微米。前烘:在對(duì)流烘箱中恒溫90'C,烘15-20分鐘。曝光:紫外燈距ITO片30厘米,曝光時(shí)間3.5分鐘。中烘:在對(duì)流烘箱中恒溫90'C,烘15-20分鐘。顯影:專(zhuān)用顯影劑以1:1.5的比例稀釋?zhuān)軠?2C左右,顯

2、影時(shí)間為2.5分鐘。后烘:在對(duì)流烘箱中恒溫120*C,烘20-30分鐘。刻蝕:36%的鹽酸50毫升,65%的硝酸10毫升,去離子水50毫升,溫度保持在50-55C,刷洗時(shí)間2-3分鐘。去膠:專(zhuān)用正膠去膜劑中泡2分鐘,然后用去離子水沖洗,再用丙酮超聲洗凈,用氮?dú)獯蹈伞?.1.3.2劃片用玻璃刀將克蝕后的大ITO玻璃劃成1厘米xl厘米寬的片,用數(shù)字萬(wàn)用表確定ITO面,并將片編號(hào)。2.1.3.3 洗片劃好并編號(hào)后的片,需按照以下程序進(jìn)行表面清洗。丙酮清洗:用丙酮超聲清洗10分鐘。清洗劑清洗:低濃度1%micro級(jí)洗滌劑超聲清洗5-10分鐘。去離子水清洗:用超純?nèi)ルx子水超聲清洗2次,每次5-10分鐘。

3、異丙醇清洗:用異丙醇超聲清洗5-10分鐘。后用氮?dú)獯蹈?并放入真空烘箱內(nèi)保存。2.1.3.4 氧氣Plasma制片前,ITO片需氧Plasma10-15分鐘。Plasma真空條件為2-3mPa,氧氣流量4-5ml/s。2.1.3.5 PEDOT的旋涂用勻膠機(jī)旋涂PEDOT,勻膠前用表面輪廓儀測(cè)定厚度并觀察表面,以確定按照需要厚度所需的勻膠速度。2.1.3.6蒸發(fā)PEDOT中的溶劑在真空烘箱中以80-85C的溫度恒溫烘2-3小時(shí),以蒸發(fā)其中的溶劑。2.1.3.7有機(jī)活性層的旋涂在半導(dǎo)體試驗(yàn)手套箱內(nèi)旋涂,半導(dǎo)體試驗(yàn)手套箱內(nèi)為高純氮?dú)庖垣@得低氧低濕度狀態(tài),手套箱內(nèi)氧含量少于5ppm,相對(duì)濕度低于1p

4、pm.旋涂前先用表面輪廓儀測(cè)厚,以確定所需厚度的旋轉(zhuǎn)速度。2.1.3.8鍍金屬電極金屬電極是在真空鍍膜機(jī)內(nèi)高溫蒸鍍,真空鍍膜機(jī)安裝在半導(dǎo)體試驗(yàn)手套箱內(nèi)。蒸鍍過(guò)程中用微型測(cè)厚儀測(cè)厚。鍍膜工藝過(guò)程:裝片:檢查分子泵進(jìn)出口開(kāi)關(guān)是否關(guān)緊,往微型鍍膜機(jī)內(nèi)通一定量的氮?dú)馐瑰兡C(jī)內(nèi)氣壓與手套箱內(nèi)氣壓一致,打開(kāi)鍍膜機(jī)鐘罩檢查金屬網(wǎng)內(nèi)是否有所需鍍膜的金屬,將片裝上裝片模板,將模板置于架上并放進(jìn)鍍膜機(jī)內(nèi),然后關(guān)上鐘罩;用機(jī)械泵抽真空微型鍍膜機(jī)與分子泵:開(kāi)啟機(jī)械泵,打開(kāi)微型鍍膜機(jī)與機(jī)械泵之間的閥門(mén),抽真空5分鐘后關(guān)上此閥門(mén),打開(kāi)機(jī)械泵與分子泵之間的閥門(mén),約5分鐘后進(jìn)行下一步;分子泵抽真空微型鍍膜機(jī):向分子泵內(nèi)通冷卻

5、水,打開(kāi)分子泵與微型鍍膜機(jī)之間的閥門(mén),開(kāi)啟分子泵,5分鐘左右分子泵顯示運(yùn)行正常,開(kāi)啟真空計(jì)并觀察讀數(shù)是否低于1.0X10-3PA,抽真空致真空低于2.0X10-5PA后開(kāi)始鍍膜。常用AL電極的真空鍍膜條件:金屬參數(shù):BulkDensity2.73Gm/cm3阻抗因子(Z-Factorl.080鍍前:溫度43C;真空2.0X10-4Pa厚度少于50nm時(shí):電壓2.8V;電流41A;速度低于1nm/s厚度大于50nm時(shí):電壓8.9V;電流60A;速度高于10nm/s鍍后:溫度54C;真空1.0X10-3Pa常用Ba的真空鍍膜條件:金屬參數(shù):BulkDensity3.5Gm/cm3阻抗因子(Z-Factor2.100鍍前:溫度43C;真空2.0X10-4Pa電壓1.34

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