第4章薄膜的制備

1、1一、氧化膜的制備一、氧化膜的制備二、化學氣相淀積二、化學氣相淀積三、外延生長三、外延生長四、物理汽相淀積四、物理汽相淀積 第第4章章 薄膜的制備薄膜的制備2 芯片加工過程包含在芯片加工過程包含在wafer表面生長多種膜層，導電表面生長多種膜層，導電膜層和絕緣膜層對于制作半導體芯片而言是非常重要的。膜層和絕緣膜層對于制作半導體芯片而言是非常重要的。制作膜層的方法有很多，不同作用、不同位置的薄膜制作制作膜層的方法有很多，不同作用、不同位置的薄膜制作方法也不同。常用的方法有氧化、化學氣相淀積以及物理方法也不同。常用的方法有氧化、化學氣相淀積以及物理氣相淀積等。氣相淀積等。3氧化氧化 二氧化硅二氧化

2、硅具有阻止雜質(zhì)侵入的作用，另外它還有極其穩(wěn)具有阻止雜質(zhì)侵入的作用，另外它還有極其穩(wěn)定的化學性質(zhì)和絕緣性。因為這些性質(zhì)，二氧化硅層在硅集定的化學性質(zhì)和絕緣性。因為這些性質(zhì)，二氧化硅層在硅集成電路中起著非常重要的作用。成電路中起著非常重要的作用。1.二氧化硅的結(jié)構(gòu)二氧化硅的結(jié)構(gòu) 二氧化硅由硅二氧化硅由硅-氧四面體組合而成，氧四面體組合而成，有結(jié)晶型和無定型兩種，兩者都是由有結(jié)晶型和無定型兩種，兩者都是由硅硅-氧四面體組成的，不同的是，結(jié)晶型是由氧四面體組成的，不同的是，結(jié)晶型是由硅硅-氧四面體在空間按照一定規(guī)則排列所組成，而無定型則氧四面體在空間按照一定規(guī)則排列所組成，而無定型則是隨機排列。氧化工

3、藝生長成的是無定型的二氧化硅。是隨機排列。氧化工藝生長成的是無定型的二氧化硅。 4 2.二氧化硅的性質(zhì)二氧化硅的性質(zhì)（1）物理性質(zhì)）物理性質(zhì) 二氧化硅的物理性質(zhì)用各種物理參量來表征，如密度、二氧化硅的物理性質(zhì)用各種物理參量來表征，如密度、折射率、電阻率、介電強度、介電常數(shù)以及熱膨脹系數(shù)等。折射率、電阻率、介電強度、介電常數(shù)以及熱膨脹系數(shù)等。氧化方法密度（g/cm3）電阻率（CM）介電常數(shù)介電強度（106V/cm）干氧2.242.2731015210163.4(10KHz)9濕氧2.182.213.82(1MHz)水氧2.002.20101510173.2(10KHz)6.89熱分解淀積2.09

4、2.15107108外延淀積2.371014810143.54(1MHz)565（2）化學性質(zhì)）化學性質(zhì) 二氧化硅是硅最穩(wěn)定的化合物，不溶于水，只能和氫氟二氧化硅是硅最穩(wěn)定的化合物，不溶于水，只能和氫氟酸發(fā)生反應(yīng)。二氧化硅與氫氟酸作用發(fā)生如下化學反應(yīng)：酸發(fā)生反應(yīng)。二氧化硅與氫氟酸作用發(fā)生如下化學反應(yīng)： 在生產(chǎn)中，光刻擴散窗口和引線孔窗口等，就是利用了在生產(chǎn)中，光刻擴散窗口和引線孔窗口等，就是利用了二氧化硅的這種性質(zhì)。二氧化硅的這種性質(zhì)。OHSiFHHFSiO26222663.二氧化硅的用途二氧化硅的用途 由于制備簡單并且與硅之間接觸良好，使得二氧化硅成由于制備簡單并且與硅之間接觸良好，使得二氧

5、化硅成為應(yīng)用最普遍的膜材料。為應(yīng)用最普遍的膜材料。（1）掩蔽雜質(zhì)）掩蔽雜質(zhì) 半導體器件在制作各個半導體器件在制作各個區(qū)時最常采用的方法是先在區(qū)時最常采用的方法是先在wafer表面生長一層氧化膜，刻蝕掉需要摻雜區(qū)域的氧化膜表面生長一層氧化膜，刻蝕掉需要摻雜區(qū)域的氧化膜形成摻雜窗口，雜質(zhì)通過窗口進入形成摻雜窗口，雜質(zhì)通過窗口進入wafer。離子注入時，也。離子注入時，也可用作阻擋層，以降低注入對可用作阻擋層，以降低注入對wafer表面的損傷。表面的損傷。7（2）柵氧層）柵氧層 在在MOS技術(shù)中，常用氧化膜作技術(shù)中，常用氧化膜作MOS管的絕緣柵介質(zhì)，管的絕緣柵介質(zhì)，這是由于二氧化硅具有高的電阻率和高

6、的介電強度，幾乎不這是由于二氧化硅具有高的電阻率和高的介電強度，幾乎不存在漏電流。存在漏電流。 8（3）表面鈍化和保護）表面鈍化和保護 在在wafer表面生長一層二氧化硅可以束縛硅的懸掛鍵，表面生長一層二氧化硅可以束縛硅的懸掛鍵，阻止阻止 wafer表面硅電子的各種活動，提高器件的穩(wěn)定性和表面硅電子的各種活動，提高器件的穩(wěn)定性和可靠性，起到鈍化保護的作用。它能防止電性能退化，減少可靠性，起到鈍化保護的作用。它能防止電性能退化，減少由于潮濕、離子或其它外部污染的原因?qū)е侣╇娏鞯漠a(chǎn)生。由于潮濕、離子或其它外部污染的原因?qū)е侣╇娏鞯漠a(chǎn)生。在制造過程中，還可防止在制造過程中，還可防止wafer受到機械

7、擦傷。受到機械擦傷。（4）絕緣介質(zhì)）絕緣介質(zhì) 二氧化硅是良好的絕緣體，可用于多層金屬布線結(jié)構(gòu)中二氧化硅是良好的絕緣體，可用于多層金屬布線結(jié)構(gòu)中上下兩層金屬間的絕緣層，防止短路。上下兩層金屬間的絕緣層，防止短路。9（5）介質(zhì)隔離）介質(zhì)隔離 芯片制作中的隔離方法芯片制作中的隔離方法PN結(jié)隔離、介質(zhì)隔離，介質(zhì)隔結(jié)隔離、介質(zhì)隔離，介質(zhì)隔離通常選擇的就是二氧化硅。例如，離通常選擇的就是二氧化硅。例如，LOCOS工藝中，晶體工藝中，晶體管的隔離就是在晶體管之間生長厚的二氧化硅膜；管的隔離就是在晶體管之間生長厚的二氧化硅膜；CMOS工工藝中的場氧就是用來隔離藝中的場氧就是用來隔離PMOS的有源區(qū)和的有源區(qū)和

8、NMOS的有源的有源區(qū)的。區(qū)的。10 4.熱氧化法生長二氧化硅膜熱氧化法生長二氧化硅膜 二氧化硅的生長方法有很多種，熱氧化、熱分解淀積、二氧化硅的生長方法有很多種，熱氧化、熱分解淀積、濺射、蒸發(fā)等。濺射、蒸發(fā)等。 由于熱氧化的氧化反應(yīng)發(fā)生在硅由于熱氧化的氧化反應(yīng)發(fā)生在硅-二氧化硅交界面，接二氧化硅交界面，接觸到的雜質(zhì)、污染比較少，形成的二氧化硅質(zhì)量也就較高，觸到的雜質(zhì)、污染比較少，形成的二氧化硅質(zhì)量也就較高，所以，多采用熱氧化法生長氧化膜。所以，多采用熱氧化法生長氧化膜。 熱氧化法熱氧化法包括干氧、水氧和濕氧三種方法，通常采用干包括干氧、水氧和濕氧三種方法，通常采用干濕干的氧化模式。濕干的氧化

9、模式。11（1）干氧氧化）干氧氧化 干氧氧化是在高溫下，氧分子與硅直接反應(yīng)生成二氧化干氧氧化是在高溫下，氧分子與硅直接反應(yīng)生成二氧化硅，反應(yīng)為：硅，反應(yīng)為：氧化溫度約為氧化溫度約為10001200，為了防止外部氣體對氧化，為了防止外部氣體對氧化的影響，爐內(nèi)的氣壓要高于爐外的氣壓。的影響，爐內(nèi)的氣壓要高于爐外的氣壓。 干氧生長的氧化膜表面干燥、結(jié)構(gòu)致密，光刻時與光刻干氧生長的氧化膜表面干燥、結(jié)構(gòu)致密，光刻時與光刻 膠接觸良好、不易產(chǎn)生浮膠，但氧化速率極慢。膠接觸良好、不易產(chǎn)生浮膠，但氧化速率極慢。22SiOOSi （氣體）（固體）12干氧氧化系統(tǒng)干氧氧化系統(tǒng)13（2）水汽氧化）水汽氧化 水汽氧化

10、是指在高溫下，硅與高純水蒸汽反應(yīng)生成二水汽氧化是指在高溫下，硅與高純水蒸汽反應(yīng)生成二氧化硅膜，反應(yīng)式為：氧化硅膜，反應(yīng)式為： 對高純水加熱產(chǎn)生高純水蒸氣，水汽進入氧化爐與硅對高純水加熱產(chǎn)生高純水蒸氣，水汽進入氧化爐與硅片反應(yīng)生成二氧化硅膜。水汽氧化氧化速率較快，但膜層片反應(yīng)生成二氧化硅膜。水汽氧化氧化速率較快，但膜層不致密，質(zhì)量很差，特別是對雜質(zhì)擴散的掩蔽作用較差，不致密，質(zhì)量很差，特別是對雜質(zhì)擴散的掩蔽作用較差，所以這種方法基本不采用。所以這種方法基本不采用。22222HSiOOHSi14水氧氧化系統(tǒng)水氧氧化系統(tǒng)15（3）濕氧氧化）濕氧氧化 濕氧氧化中，用攜帶水蒸氣的氧氣代替干氧。氧化劑是濕

11、氧氧化中，用攜帶水蒸氣的氧氣代替干氧。氧化劑是氧氣和水的混合物，反應(yīng)過程如下：氧氣和水的混合物，反應(yīng)過程如下：氧氣通過氧氣通過95的高純的高純水；氧氣攜帶水汽一起進入氧化爐在高溫下與硅反應(yīng)。水；氧氣攜帶水汽一起進入氧化爐在高溫下與硅反應(yīng)。 濕氧氧化相當于干氧氧化和水汽氧化的綜合，其速率也濕氧氧化相當于干氧氧化和水汽氧化的綜合，其速率也介于兩者之間。具體的氧化速率取決于氧氣的流量、水汽的介于兩者之間。具體的氧化速率取決于氧氣的流量、水汽的含量。氧氣流量越大，水溫越高，則水汽含量越大，氧化膜含量。氧氣流量越大，水溫越高，則水汽含量越大，氧化膜的生長速率和質(zhì)量越接近于水汽氧化的情況。反之，就越接的生

12、長速率和質(zhì)量越接近于水汽氧化的情況。反之，就越接 近于干氧氧化。近于干氧氧化。16 5.氧化生長模式氧化生長模式（1）硅消耗）硅消耗 無論是濕氧還是干氧，在氧化過程中，硅無論是濕氧還是干氧，在氧化過程中，硅-二氧化硅的二氧化硅的界面都會由硅表面移向內(nèi)部，即氧化過程要消耗硅。界面都會由硅表面移向內(nèi)部，即氧化過程要消耗硅。 17（2）硅）硅-二氧化硅界面二氧化硅界面 在界面處，有的硅原子沒在界面處，有的硅原子沒有和氧原子鍵合，累積了大量有和氧原子鍵合，累積了大量正電荷。界面處還存在一些陷正電荷。界面處還存在一些陷阱電荷、可動電荷等，這些電阱電荷、可動電荷等，這些電荷會使荷會使MOS器件的開啟電壓變

13、化不定。器件的開啟電壓變化不定。 氧化工藝，通常采用在氫氣或氫氧化工藝，通常采用在氫氣或氫-氮混合氣氛中低溫退氮混合氣氛中低溫退火的方式降低界面電荷的密度。（火的方式降低界面電荷的密度。（100）晶面的界面電荷密）晶面的界面電荷密度最低，這是常選擇（度最低，這是常選擇（100）晶面硅襯底的原因。）晶面硅襯底的原因。18（3）影響氧化物生長的因素）影響氧化物生長的因素 除了溫度和氧化劑外，還有其它一些因素會影響氧化物除了溫度和氧化劑外，還有其它一些因素會影響氧化物的生長。的生長。 壓力效應(yīng)，氧化的速率與氧化劑運動到硅表面的速率有壓力效應(yīng)，氧化的速率與氧化劑運動到硅表面的速率有關(guān)，而壓力可以強迫氧

14、分子更快的通過正在生長的氧化層，關(guān)，而壓力可以強迫氧分子更快的通過正在生長的氧化層，所以壓力越高，氧化速率越快。高壓氧化的優(yōu)點是：縮短氧所以壓力越高，氧化速率越快。高壓氧化的優(yōu)點是：縮短氧化時間或者降低氧化溫度。在氧化速率不變的前提下，每增化時間或者降低氧化溫度。在氧化速率不變的前提下，每增加一個大氣壓的壓力，氧化爐內(nèi)的溫度可降低加一個大氣壓的壓力，氧化爐內(nèi)的溫度可降低30。高壓。高壓 氧化比較適合生長厚的場氧層。氧化比較適合生長厚的場氧層。19 雜質(zhì)濃度，雜質(zhì)濃度，III-V族雜質(zhì)可以提高氧化劑在二氧化硅中族雜質(zhì)可以提高氧化劑在二氧化硅中的擴散速率，所以重摻雜硅的氧化速率高于輕摻雜硅。通常的

15、擴散速率，所以重摻雜硅的氧化速率高于輕摻雜硅。通常在氧化爐中，都會先通入含氯氣體來清洗石英管以及在氧化爐中，都會先通入含氯氣體來清洗石英管以及wafer表面，加入氯氣也會提高氧化速率。表面，加入氯氣也會提高氧化速率。 晶面方向，（晶面方向，（111）晶面的原子密度比（）晶面的原子密度比（100）晶面）晶面的大，因此，硅的大，因此，硅-二氧化硅界面處的反應(yīng)速率也較快。但從二氧化硅界面處的反應(yīng)速率也較快。但從氧化質(zhì)量的角度來看，（氧化質(zhì)量的角度來看，（100）晶面的缺陷密度較低，這也）晶面的缺陷密度較低，這也是生產(chǎn)制造中采用（是生產(chǎn)制造中采用（100）晶面的原因。）晶面的原因。20 6.氧化誘生堆

16、垛層錯氧化誘生堆垛層錯 氧化誘生堆垛層錯（氧化誘生堆垛層錯（OISF），是一種插入到晶格中），是一種插入到晶格中的、在有限范圍內(nèi)的、額外的原子平面，的、在有限范圍內(nèi)的、額外的原子平面，通常位于通常位于111晶面內(nèi)，靠近晶面內(nèi)，靠近Si-SiO2界面處。界面處。OISF會會造成雙極晶體管中造成雙極晶體管中管道的短路，使管道的短路，使MOS器件漏電。摻入氯氣的氧化會大大減器件漏電。摻入氯氣的氧化會大大減少少OISF的密度，所以，經(jīng)常采用摻氯氧化的方法。的密度，所以，經(jīng)常采用摻氯氧化的方法。 摻氯氧化不但可以降低摻氯氧化不但可以降低OISF的密度，還可以減少鈉離的密度，還可以減少鈉離子的沾污，提高少

17、數(shù)載流子的壽命，也就提高了器件的電性子的沾污，提高少數(shù)載流子的壽命，也就提高了器件的電性 能和可靠性。能和可靠性。217.熱分解淀積氧化膜熱分解淀積氧化膜 將含硅的化合物進行熱分解，在將含硅的化合物進行熱分解，在wafer表面淀積一層表面淀積一層二氧化硅膜，就是熱分解淀積工藝。這種工藝中，硅不參二氧化硅膜，就是熱分解淀積工藝。這種工藝中，硅不參加反應(yīng)，只起到襯底的作用。而且氧化溫度很低，又稱為加反應(yīng)，只起到襯底的作用。而且氧化溫度很低，又稱為“低溫淀積低溫淀積”工藝。含硅的化合物有兩種：烷氧基硅烷和工藝。含硅的化合物有兩種：烷氧基硅烷和硅硅烷。烷。22（1）烷氧基硅烷熱分解法）烷氧基硅烷熱分解

18、法 烷氧基硅烷分解的反應(yīng)如下：烷氧基硅烷分解的反應(yīng)如下： 淀積時，系統(tǒng)的真空度要達到標準，密封性要好；氧基淀積時，系統(tǒng)的真空度要達到標準，密封性要好；氧基硅烷的溫度要適當，流速控制要好，溫度太高，生長速率過硅烷的溫度要適當，流速控制要好，溫度太高，生長速率過快，質(zhì)量不好，流速太大，生長速率快，質(zhì)量也不好；時間快，質(zhì)量不好，流速太大，生長速率快，質(zhì)量也不好；時間不能太長，一旦氧基硅烷變成黃色就不能使用。不能太長，一旦氧基硅烷變成黃色就不能使用。CSiOSiO氣態(tài)原子團烷氧基硅烷223（2）硅烷熱分解法）硅烷熱分解法 硅烷熱分解淀積是將硅烷在氧氣氣氛中加熱，反應(yīng)生硅烷熱分解淀積是將硅烷在氧氣氣氛中

19、加熱，反應(yīng)生成二氧化硅，淀積在成二氧化硅，淀積在wafer上，這種方法生成的氧化膜質(zhì)上，這種方法生成的氧化膜質(zhì)量較好，生長溫度也較低。反應(yīng)如下量較好，生長溫度也較低。反應(yīng)如下 淀積時，反應(yīng)室內(nèi)氣流要均勻，流量控制也要適當；淀積時，反應(yīng)室內(nèi)氣流要均勻，流量控制也要適當；反應(yīng)溫度要嚴加控制；注意安全，硅烷是易燃易爆氣體，反應(yīng)溫度要嚴加控制；注意安全，硅烷是易燃易爆氣體，使用前應(yīng)稀釋至使用前應(yīng)稀釋至3%5%的體積濃度。的體積濃度。OHSiOOSiH22242224 制備氧化膜的方法還有反應(yīng)濺射法、真空蒸發(fā)法和外延制備氧化膜的方法還有反應(yīng)濺射法、真空蒸發(fā)法和外延法等。下表是二氧化硅的常見用途及其相應(yīng)的

20、制備方法。法等。下表是二氧化硅的常見用途及其相應(yīng)的制備方法。作用目的生長方法柵氧層MOS管的柵極絕緣層干氧氧化生長至20幾百場氧層MOS器件中起隔離作用濕氧氧化至250015000雜質(zhì)掩蔽層選擇性摻雜干-濕-干氧化法墊氧化層在氮化硅與硅之間起緩沖作用熱氧化法注入阻擋層減小注入損傷熱氧化法絕緣層多層金屬之間的絕緣層淀積法25 8.熱處理熱處理 在在Wafer加工過程中的很多工序都需要高溫加熱，加加工過程中的很多工序都需要高溫加熱，加熱過程會產(chǎn)生很多負效應(yīng)，需要進行熱處理來降低這些負效熱過程會產(chǎn)生很多負效應(yīng)，需要進行熱處理來降低這些負效應(yīng)的影響。應(yīng)的影響。（1）退火）退火 退火的目的是消除材料內(nèi)因

21、缺陷而累積的應(yīng)力。方法是退火的目的是消除材料內(nèi)因缺陷而累積的應(yīng)力。方法是將待退火的材料在適當?shù)臏囟认聰R置一段時間，利用熱能，將待退火的材料在適當?shù)臏囟认聰R置一段時間，利用熱能，使材料內(nèi)的原子有能力進行晶格位置的重新排列，降低缺陷使材料內(nèi)的原子有能力進行晶格位置的重新排列，降低缺陷 密度。密度。26（2）快速熱處理）快速熱處理 進行氧化、擴散等工序時，爐溫很高，退火時的溫度雖進行氧化、擴散等工序時，爐溫很高，退火時的溫度雖然較低，但時間又很長，這樣，已經(jīng)形成的區(qū)域內(nèi)的雜質(zhì)有然較低，但時間又很長，這樣，已經(jīng)形成的區(qū)域內(nèi)的雜質(zhì)有可能會繼續(xù)擴散，改變了器件的結(jié)深、雜質(zhì)濃度，影響器件可能會繼續(xù)擴散，改變

22、了器件的結(jié)深、雜質(zhì)濃度，影響器件性能。性能。 快速熱處理（快速熱處理（RTP）是在非常短的時間內(nèi)，將單個）是在非常短的時間內(nèi)，將單個wafer加熱至加熱至4001300的一種熱處理方法。它的優(yōu)點的一種熱處理方法。它的優(yōu)點有：雜質(zhì)擴散長度最短；沾污少；加工時間短。有：雜質(zhì)擴散長度最短；沾污少；加工時間短。27 9.二氧化硅膜質(zhì)量檢測二氧化硅膜質(zhì)量檢測 氧化膜的質(zhì)量主要表現(xiàn)在表面無斑點、氧化膜的質(zhì)量主要表現(xiàn)在表面無斑點、裂紋、白霧裂紋、白霧和針和針孔等缺陷；厚度達到規(guī)定標準，薄厚均勻；可動離子含量孔等缺陷；厚度達到規(guī)定標準，薄厚均勻；可動離子含量低，符合要求等。低，符合要求等。 二氧化硅膜的質(zhì)量，

23、直接關(guān)系到半導體芯片的性能。因二氧化硅膜的質(zhì)量，直接關(guān)系到半導體芯片的性能。因此，其質(zhì)量必須達到預(yù)定的要求。此，其質(zhì)量必須達到預(yù)定的要求。（1）氧化膜厚度的測量）氧化膜厚度的測量 比色法，膜的厚度不同，在光的照射下，由于光的干比色法，膜的厚度不同，在光的照射下，由于光的干 涉，會呈現(xiàn)出不同的顏色。根據(jù)干涉次數(shù)與顏色，就涉，會呈現(xiàn)出不同的顏色。根據(jù)干涉次數(shù)與顏色，就28能估測出膜的厚度。能估測出膜的厚度。但誤差太大，且當膜但誤差太大，且當膜厚超過厚超過7500 時，時，色彩變化不明顯，因色彩變化不明顯，因此僅限于測量此僅限于測量10007000 之之間的氧化膜厚度。間的氧化膜厚度。 氧化膜顏色氧

24、化膜厚度（）1次干涉2次干涉3次干涉4次干涉灰色100黃褐色300棕色500藍色800紫色1000275046506500深藍色1500300049006850綠色1850330052007200黃色2100370056007500橙色225040006000紅色25004300625029 光干涉法，光干涉法需要將氧化光干涉法，光干涉法需要將氧化膜腐蝕出一個斜面，用短波長的單色膜腐蝕出一個斜面，用短波長的單色光垂直入射至斜面處，用顯微鏡觀察光垂直入射至斜面處，用顯微鏡觀察斜面處的干涉條紋。根據(jù)條紋的個數(shù)斜面處的干涉條紋。根據(jù)條紋的個數(shù)即可計算出膜的厚度：即可計算出膜的厚度： ，式中，式中，D

25、為二氧化硅膜的厚度，為二氧化硅膜的厚度，N為干為干涉條紋數(shù)，涉條紋數(shù)，為入射光波長，為入射光波長，n為二氧化硅的折射率。光干為二氧化硅的折射率。光干涉法比較適合測量厚度在涉法比較適合測量厚度在200nm以上的氧化膜。以上的氧化膜。22/SiOnND30 橢偏光法的測量精度高達橢偏光法的測量精度高達10，且可同時測出薄膜的，且可同時測出薄膜的折射率，它還是一種非破壞性測量方法。折射率，它還是一種非破壞性測量方法。 橢偏光法是用橢圓偏振光照射被測樣品，觀察反射光偏橢偏光法是用橢圓偏振光照射被測樣品，觀察反射光偏振狀態(tài)的改變，從而測出樣品上膜的厚度或光學常數(shù)。光源振狀態(tài)的改變，從而測出樣品上膜的厚度

26、或光學常數(shù)。光源發(fā)出自然光，經(jīng)過起偏器后成為線偏振光，其偏振發(fā)出自然光，經(jīng)過起偏器后成為線偏振光，其偏振31方向由起偏器決定，轉(zhuǎn)動起偏器可改變偏振光的偏振方向。方向由起偏器決定，轉(zhuǎn)動起偏器可改變偏振光的偏振方向。此線偏振光經(jīng)過四分之一波長片后變?yōu)闄E圓偏振光，該偏振此線偏振光經(jīng)過四分之一波長片后變?yōu)闄E圓偏振光，該偏振光經(jīng)過樣品反射后通常仍為橢圓偏振光，但橢圓率和長短軸光經(jīng)過樣品反射后通常仍為橢圓偏振光，但橢圓率和長短軸的方位變了。對于厚度一定的薄膜，轉(zhuǎn)動起偏器可使發(fā)射后的方位變了。對于厚度一定的薄膜，轉(zhuǎn)動起偏器可使發(fā)射后的光變?yōu)榫€偏振光。這時，轉(zhuǎn)動檢偏器，可找到消光狀態(tài)。的光變?yōu)榫€偏振光。這時，

27、轉(zhuǎn)動檢偏器，可找到消光狀態(tài)。在消光狀態(tài)下，一定的膜厚對應(yīng)一定的起偏器方位角在消光狀態(tài)下，一定的膜厚對應(yīng)一定的起偏器方位角P和檢和檢偏器方位角偏器方位角A。測量時，只要讀出。測量時，只要讀出P和和A的值，就可以計算的值，就可以計算出膜厚和折射率，橢偏光儀還可以用來檢驗?zāi)ず窬鶆蛐?、鑒出膜厚和折射率，橢偏光儀還可以用來檢驗?zāi)ず窬鶆蛐?、鑒 別膜層的成分，測量材料的消光系數(shù)等。別膜層的成分，測量材料的消光系數(shù)等。32（2）氧化膜缺陷的檢測）氧化膜缺陷的檢測 膜厚不均勻，膜層表面顏色一致就說明膜厚均勻，若顏膜厚不均勻，膜層表面顏色一致就說明膜厚均勻，若顏色有較明顯的變化，則說明膜厚不均。二氧化硅膜厚度不均

28、色有較明顯的變化，則說明膜厚不均。二氧化硅膜厚度不均勻會影響其雜質(zhì)掩蔽功能、使絕緣性變差等。氧化爐內(nèi)的氧勻會影響其雜質(zhì)掩蔽功能、使絕緣性變差等。氧化爐內(nèi)的氧氣或水汽不均勻、爐溫變化不定以及恒溫區(qū)太短等都是造成氣或水汽不均勻、爐溫變化不定以及恒溫區(qū)太短等都是造成膜厚不均的原因。要得到厚度均勻的氧化層，必須有長而溫膜厚不均的原因。要得到厚度均勻的氧化層，必須有長而溫度的恒溫區(qū)，對氧化氣體的流量、爐溫都要嚴格控制。度的恒溫區(qū)，對氧化氣體的流量、爐溫都要嚴格控制。 表面斑點，斑點一般肉眼無法看到，要通過顯微鏡觀表面斑點，斑點一般肉眼無法看到，要通過顯微鏡觀 察。產(chǎn)生表面斑點的原因一般有：察。產(chǎn)生表面斑

29、點的原因一般有：wafer表面清洗不表面清洗不33徹底，殘留了一些雜質(zhì)顆粒，這些雜質(zhì)在高溫下粘附在二徹底，殘留了一些雜質(zhì)顆粒，這些雜質(zhì)在高溫下粘附在二氧化硅膜表面形成斑點；石英管在高溫下工作時間過長，氧化硅膜表面形成斑點；石英管在高溫下工作時間過長，脫落的顆粒落在脫落的顆粒落在wafer表面，出現(xiàn)斑點；表面，出現(xiàn)斑點；wafer清洗后水清洗后水跡未干、濕氧過程中有水滴落在跡未干、濕氧過程中有水滴落在wafer上，都會使二氧化上，都會使二氧化硅膜表面出現(xiàn)斑點。為了避免斑點的出現(xiàn)，要仔細清潔硅膜表面出現(xiàn)斑點。為了避免斑點的出現(xiàn)，要仔細清潔wafer表面、清洗石英管、嚴格控制水溫以及氧氣流量。表面、

30、清洗石英管、嚴格控制水溫以及氧氣流量。 針孔，針孔會破壞氧化膜的雜質(zhì)掩蔽能力，會造成器針孔，針孔會破壞氧化膜的雜質(zhì)掩蔽能力，會造成器件漏電流增大，甚者會使器件擊穿而失效。由于件漏電流增大，甚者會使器件擊穿而失效。由于wafer拋拋光效果不好，存在嚴重位錯，在位錯處不能形成二氧光效果不好，存在嚴重位錯，在位錯處不能形成二氧34化硅，于是產(chǎn)生針孔。針孔對器件的危害很大，且不易發(fā)化硅，于是產(chǎn)生針孔。針孔對器件的危害很大，且不易發(fā)現(xiàn)，因此要采用化學腐蝕法、電解染色法、陽極氧化法以及現(xiàn)，因此要采用化學腐蝕法、電解染色法、陽極氧化法以及電解鍍銅法等方法檢驗它。為了消除針孔，應(yīng)嚴格選擇襯底電解鍍銅法等方法檢

31、驗它。為了消除針孔，應(yīng)嚴格選擇襯底材料，表面應(yīng)平整、光亮，而且要加強清潔。材料，表面應(yīng)平整、光亮，而且要加強清潔。 鈉離子污染，鈉離子主要來源于生產(chǎn)環(huán)境。去離子水直鈉離子污染，鈉離子主要來源于生產(chǎn)環(huán)境。去離子水直接接觸晶圓，水質(zhì)直接影響表面質(zhì)量。鈉離子的含量可由水接接觸晶圓，水質(zhì)直接影響表面質(zhì)量。鈉離子的含量可由水的電阻率來表征，要求的電阻率來表征，要求25時水的電阻率高于時水的電阻率高于18M。在。在高溫下，鈉離子會穿過石英管管壁進入氧化爐內(nèi)，影響氧化高溫下，鈉離子會穿過石英管管壁進入氧化爐內(nèi)，影響氧化膜的質(zhì)量，因此生產(chǎn)上用的都是雙層管壁的石英管。膜的質(zhì)量，因此生產(chǎn)上用的都是雙層管壁的石英管

32、。35化學氣相淀積化學氣相淀積 淀積是指在淀積是指在wafer上淀積一層膜的工藝，淀積薄膜的工上淀積一層膜的工藝，淀積薄膜的工藝有很多種，化學氣相淀積、物理氣相淀積、蒸發(fā)等很多。藝有很多種，化學氣相淀積、物理氣相淀積、蒸發(fā)等很多。 化學氣相淀積（化學氣相淀積（CVD）是通過氣態(tài)物質(zhì)的化學反應(yīng)在）是通過氣態(tài)物質(zhì)的化學反應(yīng)在wafer表面淀積一層固態(tài)薄膜的工藝。表面淀積一層固態(tài)薄膜的工藝。CVD法淀積薄膜可法淀積薄膜可用以下幾個步驟解釋薄膜的生長過程：參加反應(yīng)的氣體傳輸用以下幾個步驟解釋薄膜的生長過程：參加反應(yīng)的氣體傳輸?shù)降絯afer表面；反應(yīng)物擴散至表面；反應(yīng)物擴散至wafer表面并吸附在其上；

33、表面并吸附在其上；wafer表面發(fā)生化學反應(yīng)，生成膜分子和副產(chǎn)物；膜分子沿表面發(fā)生化學反應(yīng)，生成膜分子和副產(chǎn)物；膜分子沿wafer表面向膜生長區(qū)擴散并與晶格結(jié)合成膜；反應(yīng)副產(chǎn)物表面向膜生長區(qū)擴散并與晶格結(jié)合成膜；反應(yīng)副產(chǎn)物 隨氣流流動至排氣口，被排出淀積區(qū)。隨氣流流動至排氣口，被排出淀積區(qū)。36 化學氣相淀積根據(jù)反應(yīng)氣體壓力可分為常壓化學氣相淀化學氣相淀積根據(jù)反應(yīng)氣體壓力可分為常壓化學氣相淀積（簡稱積（簡稱APCVD）、次大氣壓化學氣相淀積（簡稱）、次大氣壓化學氣相淀積（簡稱SACVD）、低壓化學氣相淀積（簡稱）、低壓化學氣相淀積（簡稱LPCVD）、超低壓）、超低壓化學氣相淀積（簡稱化學氣相淀

34、積（簡稱ULPCVD）。）。 若按反應(yīng)激活方式來分，有熱活化式若按反應(yīng)激活方式來分，有熱活化式CVD、等離子體、等離子體增強增強CVD以及光量子以及光量子CVD。37 1.常壓化學氣相淀積系統(tǒng)常壓化學氣相淀積系統(tǒng) APCVD是指在大氣壓下進行的一種化學氣相淀積的方是指在大氣壓下進行的一種化學氣相淀積的方法，這種工藝所需的系統(tǒng)簡單，反應(yīng)速度快，并且淀積速率法，這種工藝所需的系統(tǒng)簡單，反應(yīng)速度快，并且淀積速率可超過可超過10000埃埃/min，特別適于介質(zhì)積，但是它特別適于介質(zhì)積，但是它的缺點是均勻性較差，的缺點是均勻性較差，氣氣體消耗量大，且臺階覆蓋體消耗量大，且臺階覆蓋能力差，能力差，所以，所

35、以，APCVD一般用在厚的介質(zhì)淀積，一般用在厚的介質(zhì)淀積，常用來淀常用來淀 積用于層間絕緣、表面平坦化等功能的氧化膜。積用于層間絕緣、表面平坦化等功能的氧化膜。382.低壓化學氣相淀積系統(tǒng)（低壓化學氣相淀積系統(tǒng)（LPCVD） 低壓低壓CVD就是將反應(yīng)室內(nèi)的壓強降至就是將反應(yīng)室內(nèi)的壓強降至0.15 Torr，反應(yīng)溫度介于反應(yīng)溫度介于300900。相對。相對APCVD來講，來講，LPCVD系統(tǒng)成本更低、產(chǎn)量系統(tǒng)成本更低、產(chǎn)量更高、淀積的薄膜性更高、淀積的薄膜性能更好，因此應(yīng)用更能更好，因此應(yīng)用更廣泛。廣泛。 LPCVD經(jīng)常用經(jīng)常用 于多晶硅和氮化硅膜的淀積于多晶硅和氮化硅膜的淀積 。39 3.等離

36、子體增強型淀積（等離子體增強型淀積（PECVD） PECVD是一種射頻輝光放電的物理過程和化學反應(yīng)相是一種射頻輝光放電的物理過程和化學反應(yīng)相結(jié)合的技術(shù)，結(jié)合的技術(shù)，是在是在LPCVD的基礎(chǔ)上增加了高頻電場，使氣的基礎(chǔ)上增加了高頻電場，使氣體電離形成由光子、電子、受激分子和原子構(gòu)成的等離子體電離形成由光子、電子、受激分子和原子構(gòu)成的等離子體。帶電粒子在電場的作用下能量提高加速運動，與反應(yīng)氣體。帶電粒子在電場的作用下能量提高加速運動，與反應(yīng)氣體不斷碰撞，使反應(yīng)氣體電離或被激活成為活潑的活性基體不斷碰撞，使反應(yīng)氣體電離或被激活成為活潑的活性基團，很容易成膜。團，很容易成膜。 等離子體帶來的好處有：工

37、藝溫度低；對深寬比高的溝等離子體帶來的好處有：工藝溫度低；對深寬比高的溝槽填充好；制備的薄膜與硅片之間粘附性好；淀積槽填充好；制備的薄膜與硅片之間粘附性好；淀積40速率高；膜的致密性高等。所以，比較適合淀積熱穩(wěn)定性差速率高；膜的致密性高等。所以，比較適合淀積熱穩(wěn)定性差的材料。的材料。 PECVD主要生長用于鈍化和多層布線電介質(zhì)的氮化硅主要生長用于鈍化和多層布線電介質(zhì)的氮化硅 和二氧化硅。和二氧化硅。 41外延生長外延生長 外延是指在硅單晶襯底（外延是指在硅單晶襯底（wafer）上生長一層硅單晶薄）上生長一層硅單晶薄膜的工藝，新生的單晶薄膜即外延層。膜的工藝，新生的單晶薄膜即外延層。 外延生長具

38、有以下幾個優(yōu)點：外延層的厚度、電阻率、外延生長具有以下幾個優(yōu)點：外延層的厚度、電阻率、均勻性、晶格完整性等可控性較強，對器件的、可靠性以及均勻性、晶格完整性等可控性較強，對器件的、可靠性以及穩(wěn)定性都有很好的影響；可在外延層及襯底之間得到突變型穩(wěn)定性都有很好的影響；可在外延層及襯底之間得到突變型雜質(zhì)分布；雜質(zhì)含量較襯底材料低；尤其正外延式生長方式雜質(zhì)分布；雜質(zhì)含量較襯底材料低；尤其正外延式生長方式應(yīng)用非常廣泛，應(yīng)用于雙極晶體管時可同時提高集電結(jié)的擊應(yīng)用非常廣泛，應(yīng)用于雙極晶體管時可同時提高集電結(jié)的擊穿電壓和降低集電極的串聯(lián)電阻，應(yīng)用于穿電壓和降低集電極的串聯(lián)電阻，應(yīng)用于MOS晶體管時防晶體管時防

39、止止 閂鎖效應(yīng)。閂鎖效應(yīng)。421.外延分類外延分類 根據(jù)外延層與襯底的材料可以將外延生長分為同質(zhì)外延根據(jù)外延層與襯底的材料可以將外延生長分為同質(zhì)外延和異質(zhì)外延，同質(zhì)外延又可分為真同質(zhì)外延和準同質(zhì)外延，和異質(zhì)外延，同質(zhì)外延又可分為真同質(zhì)外延和準同質(zhì)外延，異質(zhì)外延亦可分為真異質(zhì)外延以及準異質(zhì)外延；根據(jù)摻雜濃異質(zhì)外延亦可分為真異質(zhì)外延以及準異質(zhì)外延；根據(jù)摻雜濃度的不同可分為正外延和反外延；根據(jù)生長方式的不同有間度的不同可分為正外延和反外延；根據(jù)生長方式的不同有間接外延和直接外延。接外延和直接外延。432.硅氣相外延生長硅氣相外延生長（1）清潔）清潔 硅外延生長的目的是得到一層缺陷少、厚度及雜質(zhì)濃度硅

40、外延生長的目的是得到一層缺陷少、厚度及雜質(zhì)濃度均可以控制的單晶薄膜，它的先決條件是襯底必須干凈、無均可以控制的單晶薄膜，它的先決條件是襯底必須干凈、無缺陷，而且襯底的表面溫度夠高，或者可提供非熱能能量，缺陷，而且襯底的表面溫度夠高，或者可提供非熱能能量，使吸附原子有足夠的動能移動到適當?shù)奈恢?，達到外延生長使吸附原子有足夠的動能移動到適當?shù)奈恢?，達到外延生長的目的。所以，要對硅襯底進行清潔。的目的。所以，要對硅襯底進行清潔。44常用的的清潔方法有兩種：常用的的清潔方法有兩種： 將襯底置于溫度高于將襯底置于溫度高于1000的氫氣氣氛中，使硅表面的氫氣氣氛中，使硅表面的自然氧化層與氫氣反應(yīng)生成一氧化

41、硅和水氣，反應(yīng)如的自然氧化層與氫氣反應(yīng)生成一氧化硅和水氣，反應(yīng)如下下 ： 將襯底置于溫度高于將襯底置于溫度高于850的超高真空中，使氧化層自的超高真空中，使氧化層自然脫附，用等離子體刻蝕去除二氧化硅。然脫附，用等離子體刻蝕去除二氧化硅。 OHSiOHSiO22245（2）裝爐）裝爐 裝爐就是將清潔好的裝爐就是將清潔好的wafer放在已處理好的石墨基座放在已處理好的石墨基座上，裝入反應(yīng)爐內(nèi)。裝爐上，裝入反應(yīng)爐內(nèi)。裝爐之前，應(yīng)先通入氮氣或氫之前，應(yīng)先通入氮氣或氫氣凈化反應(yīng)爐，接著再通氣凈化反應(yīng)爐，接著再通入氯化氫氣體。反應(yīng)爐有入氯化氫氣體。反應(yīng)爐有立式、桶式、臥式三種，立式、桶式、臥式三種，都使用

42、射頻加熱方式，生產(chǎn)上大多采用臥式反應(yīng)爐。都使用射頻加熱方式，生產(chǎn)上大多采用臥式反應(yīng)爐。臥式反應(yīng)爐臥式反應(yīng)爐46桶式反應(yīng)爐桶式反應(yīng)爐立式反應(yīng)爐立式反應(yīng)爐47（3）換氣）換氣 將氫氣通入反應(yīng)室以排除室內(nèi)的空氣。氫氣的流速不將氫氣通入反應(yīng)室以排除室內(nèi)的空氣。氫氣的流速不能太大，否則，會將爐壁上的雜質(zhì)吹落到能太大，否則，會將爐壁上的雜質(zhì)吹落到wafer上。上。（4）升溫）升溫 將反應(yīng)室內(nèi)的空氣完全排除才可升溫，升溫速度很將反應(yīng)室內(nèi)的空氣完全排除才可升溫，升溫速度很快，只需幾分鐘的時間，溫度就可達到快，只需幾分鐘的時間，溫度就可達到1200左右。左右。（5）氣相拋光）氣相拋光 氣相拋光就是用化學腐蝕的方

43、法除掉氣相拋光就是用化學腐蝕的方法除掉wafer表面的氧表面的氧化層和晶格損傷。氣相拋光包括氯化氫拋光、水汽拋化層和晶格損傷。氣相拋光包括氯化氫拋光、水汽拋48光以及氯氣拋光三種，通常采用氯化氫拋光。光以及氯氣拋光三種，通常采用氯化氫拋光。（6）外延生長）外延生長 拋光結(jié)束排空室內(nèi)氣體后，通入反應(yīng)氣體，確定好溫拋光結(jié)束排空室內(nèi)氣體后，通入反應(yīng)氣體，確定好溫度、氣體流量，即可開始生長。生長過程中，溫度、流量度、氣體流量，即可開始生長。生長過程中，溫度、流量不應(yīng)波動，否則，生長速率會發(fā)生變化，繼而影響外延層不應(yīng)波動，否則，生長速率會發(fā)生變化，繼而影響外延層的厚度均勻性、摻雜均勻性。的厚度均勻性、摻

44、雜均勻性。 49反應(yīng)物生長氣壓溫度（）生長速率（m/min）常壓115013000.22.0低壓110012500.10.6常壓110012500.22.0低壓105012000.10.8常壓105011500.11.0低壓100011000.10.6常壓90011000.10.522ClSiH4SiH4SiCl3SiHCl 反應(yīng)氣體通常是氫氣和硅氯化物，上表列出了幾種硅氯化物外延生長的生長條件及對外延層性質(zhì)的影響，可以看出氣體中Cl的含量越高，生長速率越快，但所需的反應(yīng)溫度也就越高，同時生成更多的氯化氫氣體，對wafer造成腐蝕，嚴重影響摻雜效果。氣體中H的含量越高，反應(yīng)溫度越低，但生長速率

45、卻越慢，另外會生成多晶，且易氧化形成硅粉，外延層的缺陷密度也比使用其它反應(yīng)物生長時要高。所以目前最普遍使用的是 。22ClSiH50反應(yīng)物生長氣壓溫度（）生長速率（m/min）常壓115013000.22.0低壓110012500.10.6常壓110012500.22.0低壓105012000.10.8常壓105011500.11.0低壓100011000.10.6常壓90011000.10.522ClSiH4SiH4SiCl3SiHCl 反應(yīng)氣體通常是氫氣和硅氯化物，上表列出了幾種硅氯反應(yīng)氣體通常是氫氣和硅氯化物，上表列出了幾種硅氯化物外延生長的生長條件及對外延層性質(zhì)的影響?；锿庋由L的生

46、長條件及對外延層性質(zhì)的影響。51 外延生長的溫度很外延生長的溫度很高，這是因為，只有在高，這是因為，只有在足夠的溫度下，硅原子足夠的溫度下，硅原子才能在才能在wafer表面擴散，表面擴散，找到合適的位置固定下找到合適的位置固定下來形成單晶薄膜。但不來形成單晶薄膜。但不同的反應(yīng)氣體，反應(yīng)過同的反應(yīng)氣體，反應(yīng)過程也不同。程也不同。52 在高倍電子顯微鏡下，可觀察到外延生長的過程，生長在高倍電子顯微鏡下，可觀察到外延生長的過程，生長過程過程可可分解為以下步驟：分解為以下步驟： 反應(yīng)氣體分子從氣相轉(zhuǎn)移到到生長層表面；反應(yīng)氣體分反應(yīng)氣體分子從氣相轉(zhuǎn)移到到生長層表面；反應(yīng)氣體分子被生長層表面吸附；在生長層

47、表面，反應(yīng)物完成化學反子被生長層表面吸附；在生長層表面，反應(yīng)物完成化學反應(yīng)，生成硅原子和其它副產(chǎn)物；副產(chǎn)物從生長層表面脫離；應(yīng)，生成硅原子和其它副產(chǎn)物；副產(chǎn)物從生長層表面脫離；副產(chǎn)物排出反應(yīng)室；硅原子在生長層表面擴散；硅原子擴散副產(chǎn)物排出反應(yīng)室；硅原子在生長層表面擴散；硅原子擴散至晶格形成處，與其它硅原子結(jié)合形成晶核；晶核生長成單至晶格形成處，與其它硅原子結(jié)合形成晶核；晶核生長成單晶外延層。晶外延層。5354 外延層有外延層有P型、型、N型之分，也有重摻雜與輕摻雜之分。型之分，也有重摻雜與輕摻雜之分。摻雜是通過對硅氯化物的摻雜來完成的，通常的做法是加入摻雜是通過對硅氯化物的摻雜來完成的，通常的

48、做法是加入磷化氫、砷化氫或硼化氫，使得硅中含有磷化氫、砷化氫或硼化氫，使得硅中含有P、As或或B雜質(zhì)。雜質(zhì)。也可在外延結(jié)束后，采用離子注入、擴散的方式摻入雜質(zhì)。也可在外延結(jié)束后，采用離子注入、擴散的方式摻入雜質(zhì)。（7）閉源降溫、取片）閉源降溫、取片 外延生長結(jié)束，停止提供反應(yīng)氣體及摻雜源，通入高純外延生長結(jié)束，停止提供反應(yīng)氣體及摻雜源，通入高純氫氣保持恒溫片刻，再緩慢降溫，溫度降至室溫后，將氮氣氫氣保持恒溫片刻，再緩慢降溫，溫度降至室溫后，將氮氣通入室內(nèi)排空氫氣，打開反應(yīng)器，取出生長好外延層的通入室內(nèi)排空氫氣，打開反應(yīng)器，取出生長好外延層的wafer。553.外延層檢測外延層檢測（1）外延層電

49、阻率的測量）外延層電阻率的測量 半導體器件大多制作在外延層上，外延層電阻率對器件半導體器件大多制作在外延層上，外延層電阻率對器件有很大的影響。常用的測量電阻率的方法有三探針、四探針有很大的影響。常用的測量電阻率的方法有三探針、四探針以及電容以及電容-電壓法。三探針測量速度快、無破壞性，可精確電壓法。三探針測量速度快、無破壞性，可精確測量電阻率為測量電阻率為0.15cm的外延層。的外延層。56測量步驟如下：測量步驟如下： 確定測量點，先在樣品中心位置確定一點作為參考點，確定測量點，先在樣品中心位置確定一點作為參考點，在對角線上平均選擇四點，共五個測量位置作為測量點。在對角線上平均選擇四點，共五個

50、測量位置作為測量點。 測量擊穿電壓，將標準樣品經(jīng)過研磨、拋光去除掉表面測量擊穿電壓，將標準樣品經(jīng)過研磨、拋光去除掉表面的沾污、缺陷，置于氟化氫溶液中浸泡的沾污、缺陷，置于氟化氫溶液中浸泡15min后，用去離后，用去離子水沖洗至中性。用三探針測試儀分別測出五個測量點的擊子水沖洗至中性。用三探針測試儀分別測出五個測量點的擊穿電壓，求平均值；穿電壓，求平均值； 求電阻率，每臺測試儀都有專用的求電阻率，每臺測試儀都有專用的-關(guān)系曲線，根據(jù)關(guān)系曲線，根據(jù)曲線查出對應(yīng)的電阻率。曲線查出對應(yīng)的電阻率。5758（2）厚度測量）厚度測量 外延層厚度的測量方法有稱重法、層錯法、磨角法以及外延層厚度的測量方法有稱重

51、法、層錯法、磨角法以及紅外干涉法等。紅外干涉法等。 紅外干涉法，由于紅外入射光束直徑小，可逐點測量，紅外干涉法，由于紅外入射光束直徑小，可逐點測量，所以紅外干涉法的測量結(jié)果比較精確。但只限于測量襯底電所以紅外干涉法的測量結(jié)果比較精確。但只限于測量襯底電阻率低于，外延層電阻率高于的外延層的厚度。阻率低于，外延層電阻率高于的外延層的厚度。 59 層錯法，層錯法利用了不同層錯形狀的邊長與外延層層錯法，層錯法利用了不同層錯形狀的邊長與外延層厚度的關(guān)系。測量步驟如下：用腐蝕液腐蝕厚度的關(guān)系。測量步驟如下：用腐蝕液腐蝕wafer，顯示出，顯示出層錯形狀；用顯微鏡測層錯邊長，計算外延層厚度。層錯形狀；用顯微

52、鏡測層錯邊長，計算外延層厚度。60物理氣相淀積物理氣相淀積 物理氣相淀積（物理氣相淀積（PVD）是以物理方式進行薄膜淀積的）是以物理方式進行薄膜淀積的一種技術(shù)，金屬薄膜一般都是用這種方法淀積的。一種技術(shù)，金屬薄膜一般都是用這種方法淀積的。PVD主主要有三種技術(shù)：蒸鍍、濺鍍以及分子束外延生長。要有三種技術(shù)：蒸鍍、濺鍍以及分子束外延生長。 1.蒸發(fā)蒸發(fā) 在早期，金屬薄膜都是通過物理蒸發(fā)淀積形成的。但由在早期，金屬薄膜都是通過物理蒸發(fā)淀積形成的。但由于蒸發(fā)的淀積速率低，臺階覆蓋能力、溝槽填充能力都較于蒸發(fā)的淀積速率低，臺階覆蓋能力、溝槽填充能力都較差，上個世紀差，上個世紀70年代，就已逐漸被濺射所代

53、替。蒸發(fā)按加年代，就已逐漸被濺射所代替。蒸發(fā)按加熱源的不同分為真空蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)兩種。熱源的不同分為真空蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)兩種。61（1）真空蒸發(fā)）真空蒸發(fā) 真空蒸發(fā)就是在真空室真空蒸發(fā)就是在真空室中，把所要蒸發(fā)的金屬加熱中，把所要蒸發(fā)的金屬加熱到相當高的溫度，使其原子到相當高的溫度，使其原子或分子獲得足夠的能量，脫或分子獲得足夠的能量，脫離金屬材料表面的束縛而蒸離金屬材料表面的束縛而蒸發(fā)到真空中，淀積在基片表發(fā)到真空中，淀積在基片表面形成一層薄的金屬膜。面形成一層薄的金屬膜。62 蒸發(fā)流程如下：蒸發(fā)流程如下： 選擇選擇金屬源、清潔處理、金屬源、清潔處理、打開機械泵打開機械泵閥門、真空室閥門、

54、電源、機械泵開關(guān)，開啟鐘罩、掛鋁閥門、真空室閥門、電源、機械泵開關(guān)，開啟鐘罩、掛鋁絲、抽真空、基片加熱、絲、抽真空、基片加熱、蒸發(fā)、取片。蒸發(fā)、取片。 通常鋁層的厚度為通常鋁層的厚度為12m，太薄，不易鍵合；太，太薄，不易鍵合；太厚，不易光刻。鋁層的厚度取決于蒸發(fā)源與基片之間的距厚，不易光刻。鋁層的厚度取決于蒸發(fā)源與基片之間的距離、基片溫度、真空室內(nèi)的真空度以及蒸發(fā)時間，控制好這離、基片溫度、真空室內(nèi)的真空度以及蒸發(fā)時間，控制好這些參數(shù)，就可以得到厚度理想的膜層。些參數(shù)，就可以得到厚度理想的膜層。63（2）電子束蒸發(fā)）電子束蒸發(fā) 電子束蒸發(fā)是利用高電壓加速并聚焦電子束，直接打到電子束蒸發(fā)是利用

55、高電壓加速并聚焦電子束，直接打到源表面使金屬熔化并蒸發(fā)源表面使金屬熔化并蒸發(fā)到基片表面形成薄膜。到基片表面形成薄膜。 電子束蒸發(fā)的優(yōu)點：電子束蒸發(fā)的優(yōu)點：膜層純度高、鈉離子含量膜層純度高、鈉離子含量低；膜層均勻低；膜層均勻；膜層晶粒膜層晶粒致密均勻致密均勻；原料節(jié)省原料節(jié)?。粦?yīng)應(yīng) 用廣泛用廣泛。64 電子束蒸發(fā)的核心是偏轉(zhuǎn)電子槍，電子槍的工作過程如電子束蒸發(fā)的核心是偏轉(zhuǎn)電子槍，電子槍的工作過程如下：燈絲加熱后發(fā)射下：燈絲加熱后發(fā)射出大量電子，電子在陽出大量電子，電子在陽極作用下加速（加速電極作用下加速（加速電場是可調(diào)的）飛入磁場；場是可調(diào)的）飛入磁場；電子在磁場中受到洛侖電子在磁場中受到洛侖茲

56、力的作用發(fā)生偏轉(zhuǎn)，調(diào)節(jié)磁場的強度或電子速度可改變電茲力的作用發(fā)生偏轉(zhuǎn)，調(diào)節(jié)磁場的強度或電子速度可改變電子的運動半徑，使之準確的擊中蒸發(fā)源；擊中蒸發(fā)源的電子的運動半徑，使之準確的擊中蒸發(fā)源；擊中蒸發(fā)源的電 子的動能轉(zhuǎn)化為熱能，使鋁蒸發(fā)。子的動能轉(zhuǎn)化為熱能，使鋁蒸發(fā)。 652.濺射濺射 濺射是利用等離子體轟擊被濺射物質(zhì)使其原子或分子逸濺射是利用等離子體轟擊被濺射物質(zhì)使其原子或分子逸出，淀積到基片表面形成薄膜的一種物理氣相淀積方法。濺出，淀積到基片表面形成薄膜的一種物理氣相淀積方法。濺射具有以下優(yōu)點：可實現(xiàn)大面積基片膜層的均勻淀積；膜的射具有以下優(yōu)點：可實現(xiàn)大面積基片膜層的均勻淀積；膜的厚度、臺階覆

57、蓋能力等特性的可控性好；可不改變合金成分厚度、臺階覆蓋能力等特性的可控性好；可不改變合金成分進行薄膜淀積；可通過原位濺射刻蝕清除掉基片表面的沾污進行薄膜淀積；可通過原位濺射刻蝕清除掉基片表面的沾污的自然氧化層。的自然氧化層。66（1）濺射的步驟）濺射的步驟 向高真空室內(nèi)通入放電所需的惰性氣體；在高空電場作向高真空室內(nèi)通入放電所需的惰性氣體；在高空電場作用下使氣體放電，產(chǎn)生大量離子；離子在電場作用下加速能用下使氣體放電，產(chǎn)生大量離子；離子在電場作用下加速能量升高，以高速去轟擊靶材料；離子的動能高于材料的原量升高，以高速去轟擊靶材料；離子的動能高于材料的原子、分子結(jié)合能，使靶材料的原子或分子逸出；逸出的原子子、分子結(jié)合能，使靶材料的原子或分子逸出；逸出的原子或分子飛向基片，在基片表面淀積成膜?；蚍肿语w向基片，在基片表面淀積成膜。（2）離子體的產(chǎn)生）離子體的產(chǎn)生 轟擊靶材的高能離子是氬氣輝光放電所產(chǎn)生的，而輝光轟擊靶材的高能離子是氬氣輝光放電所產(chǎn)生的，而輝光 放電就是放電就是低壓氣體中顯示輝光的氣體放電現(xiàn)象。在置低壓氣體中顯示輝光的氣體放電現(xiàn)象。在置67有板狀電極的玻璃管內(nèi)充入低壓有板狀電極的玻璃管內(nèi)充入低壓氣體或蒸氣，在兩個電極間氣體或蒸氣，在兩個電極間加上約加上約1000多伏的電壓時，稀薄氣體中的殘余正離子在電多伏的電壓時，稀薄氣體中的殘余正離子在電場中加速，