電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用及其解析

1、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用及其解析方法交流阻抗發(fā)式電化學(xué)測試技術(shù)中一類十分重要的方法，是研究電極過程動(dòng)力學(xué)和表面現(xiàn)象的重要手段。特別是近年來，由于頻率響應(yīng)分析儀的快速發(fā)展，交流阻抗的測試精度越來越高，超低頻信號(hào)阻抗譜也具有良好的重現(xiàn)性，再加上計(jì)算機(jī)技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)阻抗譜解析的自動(dòng)化程度越來越高，這就使我們能更好的理解電極表面雙電層結(jié)構(gòu)，活化鈍化膜轉(zhuǎn)換，孔蝕的誘發(fā)、發(fā)展、終止以及活性物質(zhì)的吸脫附過程。1.阻抗譜中的基本元件交流阻抗譜的解析一般是通過等效電路來進(jìn)行的，其中基本的元件包括：純電阻R,純電容C,阻抗值為1/jcoC,純電感L,其阻抗值為jcoL。實(shí)際測量中，將某一頻率為3的微擾正弦波信號(hào)施加到電

2、解 池，這是可把雙電層看成一個(gè)電容，把電極本身、溶液及電極反應(yīng)所引起的阻力均視為電阻，則等效電 路如圖1所示。RbB16圖1.用大面積惰性電極為輔助電極時(shí)電解池的等效電路Element Freedom ValueErrorError %圖中AB分別表小RS軍池的研究邨媒(+)|助電極慢000Ra,NRA分別表不同/A材料本身的電阻，Cab表示研究電極與輔助電極之間ab電容，Cdree(+Cd '表示研E-南極和輔助陽極的雙電層na,Zf與Zf'表示研究電極與輔助電極的交流阻抗。C通常稱為電解FxedX法拉第阻抗，其數(shù)值決建吁電極動(dòng)力學(xué)W及測量信號(hào) 的頻率，Rl表示輔助電M工作電

3、極之用xe悔電阻。0一般將雙NA電容Cd吩拉第阻抗的并聯(lián)稱為界、RtFixed(X)0N/AN/A面阻抗Z。Cd'Fixed(X)0N/AN/A實(shí)際測量中，電極本身的內(nèi)阻很小，fJM|X)電極與0作電極之間白蝴A離較大，故響容Cab 一般遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于雙電層電容 Cd。女踝輔助電極上串ee出電化學(xué)反映0。即ZN/特別大，又側(cè)/A助電極的面積遠(yuǎn)大于研究電極的面積(例如用大的鉗黑電極) ，則Cd'很大，其容抗Xcd'比串聯(lián)電路中的其他元件小得多，因此輔Data FjJp助電極的界面阻抗可忽略C/版e儲(chǔ)好)化成圖2,抽相搞8朧皤軸喉mmy Ceii.mdiMode:Maximum

4、Iterations:RsRun Fitting / A與pata Points (1 - 1) 100Optimization Iterations:Type of Fitting:0ComplexCdType of Weighting:Data-Modulus圖2.用大面積惰性電極為輔助電極時(shí)電解池的簡化電路2.阻抗譜中的特殊元件以上所講的等效電路僅僅為基本ElementFreedomValueError也好，實(shí)際上，由于哪毒(X)的彌散效應(yīng)的每0，所測得的雙電扁A電容不是一個(gè)常數(shù)，而是隨交流信號(hào)白我率和幅值而發(fā)生改癡(X廠般來講，彌慨蝦主要與電極表題修電流分布有關(guān)，在腐蝕電位附近，電瓶d

5、面上陰、陽極電流Fxed(X)i介質(zhì)中存在緩直蜥1時(shí)，電極表面就/AError %N/AN/AN/AC:Sai_DemoZModelsTutor3 R-C.mdlRun Simulation / Freq. Range (0.01 - 100100會(huì)為緩蝕劑層所覆蓋，此時(shí)，鐵離子只能在局部區(qū)域穿透緩蝕劑層形成陽極電流，這樣就導(dǎo)致電流分布極度不均勻，彌散效應(yīng)系數(shù)較低。表現(xiàn)彝酰顫變“癟”，如圖3所示。另外電極表面的粗糙度也能影響 彌散效應(yīng)系數(shù)變化，一般電極表面越確cui雌強(qiáng)班累:數(shù)越低。Mode:2.1 常相位角元件(Constant MhamenAngaeoEsement CPE)Optimiz

6、ation Iterations:0在表征彌散效應(yīng)時(shí)，近來提出了Type霸fF向他學(xué)元件CPE,CPE的等效Compe析式為:Type of Weighting:Data-Modulusr1Z CPE的阻抗由兩個(gè)參數(shù)來定義，即 CPE-T, CPE-P,我們知道,T (j )j p cos(-p) j sin(-p), 因此 CPE 元件的阻抗 Z 可以表示為 22Z #vcos(p) jsin(>)，這一等效元件的幅角為4=-卡兀/2,由于它的阻抗的數(shù)值是角頻率3的函數(shù)，而它的幅角與頻率無關(guān)，故文獻(xiàn)上把這種元件稱為常相位角元件。實(shí)際上，當(dāng)p=1時(shí)，如果令T=C,則有Z=1/ (jcoC

7、),此時(shí)CPE相當(dāng)于一個(gè)純電容，波特圖上為一正半圓，相應(yīng)電流的相位超過電位正好 90度，當(dāng)p=-1時(shí)，如果令T=1/L,則有Z=jcoL,此時(shí)CPE相當(dāng) 于一個(gè)純電感，波特圖上為一反置的正半圓， 相應(yīng)電流的相位落后電位正好 90度；當(dāng)p=0時(shí)，如果令T=1/R, 則Z=R,此時(shí)CPE完全是一個(gè)電阻。一般當(dāng)電極表面存在彌散效應(yīng)時(shí)，CPE-P值總是在10.5之間，阻抗波特圖表現(xiàn)為向下旋轉(zhuǎn)一定角度的半圓圖。可以證明，彌散角。=兀/2*(1-CPE-P),特別有意義的是，當(dāng)CPE-P=0.5時(shí),CPE可以用來取代有限擴(kuò)散層的Warburg元件，Warburg元件是用來描述電荷通過擴(kuò)散穿過某一阻擋層時(shí)的

8、電極行為。在極低頻率下，帶電荷的離子可以擴(kuò)散到很深的位置，甚至穿透擴(kuò)散層，產(chǎn)生一個(gè)有PM厚度的Warburg元件，如果擴(kuò)散層足夠厚或者足夠致密，將導(dǎo)致即使在極限低的頻率下，離子也無法穿透，從而形成無限厚度的Warburg元件，而CPE正好可以模擬無限厚度的Warburg元件的高頻部分。當(dāng)CPE-P=0.5 時(shí)，Z2TjJ2),其阻抗圖為圖3所示，一般在pH>13的堿溶液中，由于生成致密的鈍化膜，阻礙了離子的擴(kuò)散通道，因此可以觀察到圖4所示的波特圖。Z' (Ohm)-750101100Z -500005Z'圖5,閉環(huán)的半無限的2.3有限擴(kuò)散層的Warburg元件-發(fā)散模型1

9、0-210110010110210 3104105Frequency (Hz)Frequency (Hz)Warburg阻抗圖本元件也是用來描述一維擴(kuò)散控制的電化學(xué)體系，其阻抗為Z R ctnh(jT )P/(jT )p，其中ctnh為反正且函數(shù)，F(xiàn) (x) =Ln (1+x) / (1-x)。與閉環(huán)模型不同的是，其阻抗圖的實(shí)部在低頻時(shí)并不與實(shí)軸相交。而是向虛部方向發(fā)散。即在低頻時(shí)，更像一個(gè)電容。典型的阻抗圖如圖5。Z'10610510-210-110010110210 3104105Frequency (Hz)103102-100-75-50-25010-210-1100101102

10、10 3104105Frequency (Hz)圖6.發(fā)散的半無限的3.常用的等效電路圖及其阻抗圖譜Warburg阻抗圖對(duì)阻抗的解析使一個(gè)十分復(fù)雜的過程，這不單是一個(gè)曲線擬合的問題，事實(shí)上，你可以選擇多個(gè)等效電路來擬合同一個(gè)阻抗圖，而且曲線吻合的相當(dāng)好，但這就帶來了另外一個(gè)問題，哪一個(gè)電路符合實(shí)際情況呢這其實(shí)也是最關(guān)鍵的問題。他需要有相當(dāng)豐富的電化學(xué)知識(shí)。需要對(duì)所研究體系有比較深刻的認(rèn)識(shí)。而且在復(fù)雜的情況下，單純依賴交流阻抗是難以解決問題的，需要輔助以極化曲線以及其它暫態(tài)試驗(yàn)方法。圖4當(dāng)CPE-P為0.5時(shí)(左)及在 Na2CO3溶液中的波特圖2.2 有限擴(kuò)散層的 Warburg元件-閉環(huán)模型

11、本元件主要用來解析一維擴(kuò)散控制的電化學(xué)體系，其阻抗為Z R tanh(jT )P/(jT ) p,一般在解析過程中，設(shè)置P=0.5,并且 Ws-T=L2/D ,(其中L是有效擴(kuò)散層厚度，D是微粒的一維擴(kuò)散系數(shù))，計(jì)R算表明，當(dāng)3->0時(shí),Z=R，當(dāng)3->+8，在Z_ Q2j2),與CPE-P=0.5時(shí)的阻抗表達(dá)式相同， 阻抗2.T圖如圖4。 _3 -1000103_ FitResult 102由于阻抗測量基本是一個(gè)暫態(tài)測量，所以工作電極，輔助電極以及參比電極的魯金毛細(xì)管的位置極有要求。例如魯金毛細(xì)管距離參比電極的位置不同，在阻抗圖的高頻部分就會(huì)表現(xiàn)出很大的差異，距離遠(yuǎn)時(shí),高頻部分僅

12、出現(xiàn)半個(gè)容抗弧，距離近時(shí)，高頻弧變成一個(gè)封閉的?。划?dāng)毛細(xì)管緊挨著工作電極表面時(shí)， 可能會(huì)出現(xiàn)感抗弧，這其中原因還不清楚。為了有利于大家在今后的試驗(yàn)中對(duì)阻抗圖有一個(gè)粗略的認(rèn)識(shí)，下面簡單將幾種常見阻抗圖譜介紹一下。3.1 吸附型緩蝕劑體系如果緩蝕劑不參與電極反應(yīng)，不產(chǎn)生吸附絡(luò)合物等中間產(chǎn)物 ，則它的阻抗圖僅有一個(gè)時(shí)間常數(shù)，表現(xiàn)為 變形的單容抗弧，這是由于緩蝕劑在表面的吸附會(huì)使彌散效應(yīng)增大，同時(shí)也使雙電層電容值下降，其阻 抗圖及其等效電路如圖 7。-6000Z'10410-210-110010110210310 4105Frequency (Hz)10210-110010110210310

13、4105Frequency (Hz)FreedomValueErrorFixed(X)1500N/AFixed(X)5000N/AFixed(X)1E-6N/AFixed(X)0.8N/AElementRsR1CPE1-TCPE1-P圖7.具有一個(gè)時(shí)間常數(shù)的單容抗弧阻抗圖3.2涂層下的金屬電極阻抗圖Data File:Circuit Model File:E:SaiDemoZModels涂裝金屬電極存在兩個(gè)容性時(shí)間常數(shù),一個(gè)時(shí)涂層本身的電容,阻抗圖上具有雙容抗弧，如圖8所示。-150000 FitResult-100000-10050000100000150000-50000Mode:Run

14、Simulation / Freq. I另外一個(gè)；MaXimuMteratonSii 電癡0Optimization Iterations: 0Frequency (Hz)-75-50-25010Frequency (Hz)圖8.具有兩個(gè)時(shí)間常數(shù)的涂層金屬阻抗圖ElementFreedomValueErrorError %RsFixed(X)10N/AN/ACcoat-TFixed(X)1E-7N/AN/ACcoat-PFixed(X)1N/AN/ARcoatFixed(X)15000N/AN/ACdl-TFixed(X)0.0001N/AN/ACdl-PFixed(X)0.5N/AN/ARc

15、orrFixed(X)3E5N/AN/AData File:Circuit Model File:FitResultE:Sai_DemoZModelsAppendixC CoatedMode:Run Simulation / Freq.Range (0.0005 - 15等效電路中的Ccoat為涂層本身的電容 滲透到金屬表面時(shí)，還會(huì)有電化學(xué)反應(yīng)發(fā)生 3.3局部腐蝕的電極阻抗圖當(dāng)金屬表面存在局部腐蝕（點(diǎn)腐蝕），,Rcoat為涂層電阻，Cdl為涂層下的Maximum電rations：,當(dāng)溶液通過涂層,Rcorr為電極反應(yīng)的阻抗。Optimization Iterations:0Type of Fi

16、tting:ComplexType of Weighting:Data-Modulus點(diǎn)蝕可描述為電阻與電容的串聯(lián)電路，其中電阻Rpit為蝕點(diǎn)內(nèi)溶液電阻，一般 Rpit=1100 之間。而是實(shí)際體系測得的阻抗應(yīng)為電極表面鈍化面積與活化面積（即點(diǎn) 蝕坑）的界面阻抗的并聯(lián)耦合。但因鈍化面積的阻抗遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于活化免得阻抗，因而實(shí)際上阻抗頻譜圖反映了電極表面活化面積上的阻抗，即兩個(gè)時(shí)間常數(shù)疊合在一起，表現(xiàn)為一個(gè)加寬的容抗弧。其阻抗圖譜 與等效電路如圖9所示。FitResult1 .T 4- - U -l_ ->r-/ rf | ,I10 FZ102102 r101 t100 L 10-2-100-7

17、5 a e -5。-25 ;0 L-30000105延長時(shí)間來擴(kuò)散到金屬表面，發(fā)生電化學(xué)反應(yīng), 度的Warburg阻抗來模擬，如圖11所示。-1000 因此波特圖表現(xiàn)為一閉合的圓弧，可以用有限擴(kuò)散層厚10 3FitResult-750RsW1Frequency (Hz)ElementFreedom10 01010 2101Z -500ValueErr-2500W1-P41010RsW1-RW1-T-50-40-30-20-10010-210T 10 0101102103Frequency (Hz)500Z'7501000Fixed(X)Fixed(X)Fixed(X)Fixed(X)0

18、10000.10.5圖11.表面存在非致密的鈍化膜時(shí)的阻抗圖Data File:FitResultN/AN/AN/AN/ACircuit Model File:E:SaiDemo3.6同時(shí)受電化學(xué)和濃差極化控制在混合控制下，交流信號(hào)通過電極時(shí)，除了濃差極化外還將出現(xiàn)電化學(xué)極化,Mode:Run Simulatio這時(shí)的aximumterations:100抗比較復(fù)雜，在高頻部分為雙電層的容抗弧，而在低頻部分，擴(kuò)散控制將超過電化學(xué)控制9ptimization IteraWarbag阻抗，其等效電路及阻抗圖如圖12所示。-30000 FitResult105Type of Fitting:Comp

19、lexType of Weighting:Data-Modulus-20000-100001000020000Z'30000104FitResultRs10310210110-30000-20000 'Z-10000?.-310-210-110010110210 310Frequency (Hz)010-310-210-1100101102Frequency (Hz)1010Element Rs Cdl-T Cdl-P Rr Ws-T Ws-PRrWsFreedomValueErrorFixed(X)10N/AFixed(X)5E-6N/AFixed(X)1N/ACdlN/AN

20、/AN/AFixed(X)Fixed(X)Fixed(X)100000.00020.5Errc N/A N/A N/AN/A N/AN/A圖12.同時(shí)受擴(kuò)散和電化學(xué)控制的阻抗圖3.7具有雙容抗弧的電化學(xué)阻抗另外如果法拉第電流If不僅與極化電位E有關(guān)，而且與某一表面狀態(tài)變量Data File:Circuit Model File:FitResultE:Sai_DemoZModelspaMod辟目關(guān)，則由于 RXn Simulation / Freq. Ra位的響應(yīng)會(huì)引起弛豫現(xiàn)象，從而出現(xiàn)除雙電層電容以外的第二個(gè)時(shí)間常數(shù)，不過這第二個(gè)Maxmu嗷輛0ns: 100Optimization Iter

21、ations): %yPWFW能是容性的也可能是感性的，這取決于容抗弧。某些吸附型物質(zhì)在電極表面成膜后B值，當(dāng)B>0時(shí)，低頻出現(xiàn)感抗弧，當(dāng)B<，這層吸附層覆蓋于緊密雙電層之上，且Type身Weighting定的ata-Modulus容性阻抗Cf,它與電極表面的雙電層串聯(lián)在一起組成具有兩個(gè)時(shí)間常數(shù)的阻抗譜淇阻抗圖如圖13所示。Z'-20-15-10-50Rs C1 C2H h-rl-H H-nR1R210-210T 10010110210310 4105Frequency (Hz)ElementFreedom ValueErrorError %RsFixed(X) 1799N

22、/AN/AC1Fixed(X) 4.0001E-N/AN/AR1Fixed(X) 600N/AN/AC2Fixed(X) 4.7112E-NAN/AR2Fixed(X) 1675N/AN/A圖13.具有兩個(gè)時(shí)間常數(shù)的阻抗圖Data File:FitResultCircuit Model File: E:Sai_DemoZModelsTutorMode:Run Simulation / Freq. Rang%Bximuimiter就ons10竄本身Optimization Iterations:Type of Fitting: ComplexType of Weighting:Data-Modu

23、lus3.8低頻出現(xiàn)感抗弧的電化學(xué)體系前面說過，當(dāng)法拉第電流不僅與電極電位有關(guān)，而且受電極表面狀態(tài)變量X 1BX dX又是電極電位E的函數(shù)，則會(huì)有Yf B,式中a ()ss,X Rt a jXdt11當(dāng)B>0時(shí)，Yf - ，低頻部分出現(xiàn)感抗弧。Rt R0 j L當(dāng)電極反應(yīng)出現(xiàn)中間產(chǎn)物時(shí)，這種中間產(chǎn)物吸附與金屬電極表面產(chǎn)生表面吸附絡(luò)合物，該表面絡(luò)合 物產(chǎn)生于電極反應(yīng)的第一步，而消耗于第二步反應(yīng)，而一般情況下，吸附過程的弛豫時(shí)間常數(shù)要比電雙 層電容Cdl與Rt組成的充放電過程的弛豫時(shí)間常數(shù)RtCdl大的多，因此在阻抗圖的低頻部分會(huì)出現(xiàn)感抗弧。如圖14所示。-40010020030040050

24、0Z' (Ohm)10310-75當(dāng) B<0210i10-210T 10 010110210 310 4Frequency (Hz)-50-2502510Frequency (Hz)圖14.低頻出現(xiàn)感抗弧的阻抗圖Zf時(shí)，上式可改寫為Rt -ElementFreedomValueErrorError %RsFixed(X)15N/AN/AR1Fixed(X)500N/AN/AR2Fixed(X)450N/AN/AL1Fixed(X)1N/AN/ACPE1-TFixed(X)1E-6N/AN/ACPE1-PFixed(X)1N/AN/AData File:Circuit Model

25、File:Mode:Maximum Iterations:Optimization Iterations:C:Sai_DemoZModelsTutor3 R-C.mdlRun Simulation / Freq. Range (0.01 - 100000) 100 0Type of Fitting:Complex,進(jìn) '_*Type ofWeighting等到 atO-ModuiuslOl 抗RaZf Rt1 j RaCa，這相當(dāng)于 RC并聯(lián)電路，即法拉第阻抗本身具有一個(gè)時(shí)間常數(shù)，加上雙電層電容，整個(gè)EIS出現(xiàn)兩個(gè)容抗弧，如圖 13所示?；旌想娢幌碌淖杩棺V特征上面所述的阻抗譜均是在自然

26、電位下測量的，而電極反應(yīng)在自然電位下同時(shí)具有陰陽極兩個(gè)反 應(yīng)，所以阻抗譜所反映的是兩個(gè)電極反應(yīng)的頻譜特征，即文獻(xiàn)所述的混合電位下的阻抗譜，當(dāng)沒有狀態(tài)變量時(shí)，EIS仍只有一個(gè)時(shí)間常數(shù)， 當(dāng)有一個(gè)狀態(tài)變量影響電極反應(yīng)速度時(shí)，阻抗譜會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)時(shí)間常數(shù)。不過在某些情況下，需要研究單一陽極反應(yīng)特征，就必須將研究電極的電位極化（弱極 化區(qū)）到不同的陽極電位下進(jìn)行阻抗測量，以抑制陰極反應(yīng)，這就是所謂的直流偏壓下的阻抗測試，這一點(diǎn)在研究鈍化膜的臨界破裂電位下的阻抗特征尤為重要，它能提供點(diǎn)蝕誘發(fā)期的重要特征，另 外在研究緩蝕劑的陽極脫附行為時(shí)也十分重要。交流阻抗的不足之處前面指出，對(duì)于同一組抗譜，可以找到不止一

27、個(gè)電路能滿足它的解析，而對(duì)于同一個(gè)電路，當(dāng) 電路中的元件參數(shù)不同時(shí)，可以得到完全不同類型的阻抗譜，因此依靠等效電路來推測電極過程的 動(dòng)力學(xué)機(jī)構(gòu)是一個(gè)不可靠的方法。附錄ZView電化學(xué)阻抗分析軟件使用說明1. Zview擬合快速指南ZView是一款功能較強(qiáng)的電化學(xué)阻抗分析與繪圖軟件，能對(duì) EIS數(shù)據(jù)進(jìn)行各種電化學(xué)參數(shù)計(jì)算，還 能對(duì)電位、電流原始數(shù)據(jù)進(jìn)行平滑和數(shù)字濾波處理，同時(shí)還可以通過軟件方式補(bǔ)償溶液電阻。ZView操作界面簡單明了，數(shù)據(jù)、圖形可以方便地打印和存儲(chǔ)，并可以矢量方式輸出到Word文檔中，其良好的幫助系統(tǒng)能回答用戶在使用過程中的大部分問題。圖4-1. Zview阻抗分析界面工具條按鈕

28、實(shí)際上是菜單的快捷鍵，如果鼠標(biāo)停留在工具條圖標(biāo)上，則會(huì)出現(xiàn)相關(guān)文字說明，所有 圖標(biāo)的功能均可通過菜單實(shí)現(xiàn)。工具條也包括了幾種不同的功能，下面將按其功能分類詳細(xì)說明。T1A與保存文檔MlT印圖形全部文件際擬合IblarkFor |加入數(shù)據(jù) J 贏分析'-重畫巫春一1一馀定數(shù)據(jù)顯示方苴點(diǎn)出時(shí)間21電位”.前期 電簫.nmnsi一'一數(shù)據(jù)值一圖4-2工具條詳細(xì)說明打開+保存圖形文檔：用于加載 ZView文檔，一個(gè)文檔包括了重繪圖形的相關(guān)信息。打印圖形：打印當(dāng)前選定的圖形；重畫坐標(biāo)：提供了幾種用于重畫圖形坐標(biāo)的方法；數(shù)據(jù)顯示：決定調(diào)入的數(shù)據(jù)如何顯示，以及數(shù)據(jù)光標(biāo)的控制；1)打開數(shù)據(jù)文件

29、，從菜單“File” - “Data File”將阻抗數(shù)據(jù)文件通過箭頭導(dǎo)入到右邊列表中，如下圖4-3。圖4-3. Zview導(dǎo)入數(shù)據(jù)文件窗口2.激活數(shù)據(jù):從圖4-4中的“1”位置的下拉框中選擇將要分析的數(shù)據(jù)。J6 o OH三巳口馬目氯黑O叵口昌 國西由 乳我 2% M Files r Live |7 FitFfequencj? Hzt63100r.O 329Z,r-o 220.75oaND*口圖4-4. Zview中選擇活動(dòng)的數(shù)據(jù)4 .刪除不需要的數(shù)據(jù)，通過光標(biāo)選擇不需要的數(shù)據(jù)段，也就是 zview不能擬合的部分，然后用菜單Tools » “ Delete DataRange ”刪除

30、之。圖4-5.從Zview中選擇要?jiǎng)h除的數(shù)據(jù)段演示圖5 .快速擬合，也就是為后面正式擬合獲取初值：1）這個(gè)需要一個(gè)一個(gè)元件單獨(dú)進(jìn)行，如圖 4-6中“2”處所標(biāo)，選中部分準(zhǔn)備進(jìn)行即時(shí)擬合;2）在左上角打框的地方，點(diǎn)擊它就是快速擬合。3）選擇適宜的等效元件，如“ 2”處所標(biāo)識(shí)，獲得等效電路的初值。當(dāng)日號(hào)翟跳跳鼠燒,上jFreq: 6310PI-匈 廠廠Lw 17 Fit工|期號(hào)Instwit Fitim0.75Fiequen*Hz: 031Q 21. 0.973 fi.，a,50圖4-6.從Zview中選擇即使擬合等效電路來確定擬合初值演示圖6.建立適宜的等效電路，如圖 4-7,這個(gè)取決于用戶的測試體系，詳情參見Zview在線幫助:叵Q Q國以鼠鼠 段國畫團(tuán)僅回回0EO r Al Ftal-一Live p FitM.bitTJj . .uPt; 4 Freq: 6310 Biag:0 Amtl: 0N間酒聲3ZTb/QD0O6Mag:0L97G33Phase： 4.735411n1C圖4-7.從Zview中選擇合適的等效電路來進(jìn)行正式擬合演示圖7.把圖4-8中“1”處的數(shù)據(jù)，用鼠標(biāo)拖到到“2”處位置。.J 峭RI Aiw QF；eqLexi (H2：631