高電壓技術(shù)2流注理論

1、n工程上感興趣的是壓強較高氣體的擊穿，工程上感興趣的是壓強較高氣體的擊穿，如大氣壓強下空氣的擊穿如大氣壓強下空氣的擊穿n 特點：認為電子碰撞電離及空間光電離是特點：認為電子碰撞電離及空間光電離是維持自持放電的主要因素，并強調(diào)了空間維持自持放電的主要因素，并強調(diào)了空間電荷畸變電場的作用電荷畸變電場的作用 n通過大量的實驗研究（主要在電離室中進通過大量的實驗研究（主要在電離室中進行的）說明放電發(fā)展的機理行的）說明放電發(fā)展的機理 n電子崩階段電子崩階段 空間電荷畸變外電場空間電荷畸變外電場 n流注階段流注階段 光電離形成二次電子崩，等離子體光電離形成二次電子崩，等離子體 n電子崩外形電子崩外形： 電

2、子崩中的電子數(shù)： nex例如，正常大氣條件下，若E30kVcm，則 11cm-1，計算得到隨著電子崩向陽極推進，崩頭中的電子數(shù)目 崩的頭部集中了大量的電子，崩尾則是正離子。崩的頭部集中了大量的電子，崩尾則是正離子。 大大加強了崩頭及崩尾的電場，削弱了崩頭內(nèi)正、負電荷區(qū)域之間的電場 電子崩頭部：電子崩頭部：電場明顯增強，有利于發(fā)生激勵或電離激勵或電離現(xiàn)象，當(dāng)它們回復(fù)到正常狀態(tài)時，放射出光子崩頭內(nèi)部正、負電荷區(qū)域：崩頭內(nèi)部正、負電荷區(qū)域：電場大大削弱，有助于發(fā)生復(fù)合過程，發(fā)射出光子n當(dāng)電子崩走完整個間隙后，大密度的頭部空間電荷大大加強了外部的電場，并向周圍放射出大量光子n光子引起空間光電離，其中的

3、光電子被主電子崩頭部的正空間電荷所吸引，在受到畸變而加強了的電場中，造成了新的電子崩，稱為二次電子崩 光電離、二次崩光電離、二次崩1主電子崩 2二次電子崩3流注n二次電子崩中的電子進入主電子崩頭部的正空間電荷區(qū)（電場強度較?。蠖嘈纬韶撾x子。大量的正、負帶電質(zhì)點構(gòu)成了等離子體等離子體，這就是正流注正流注 n流注通道導(dǎo)電性良好，其頭部又是二次電子崩形成的正電荷，因此流注頭部前方出現(xiàn)了很強的電場 1主電子崩2二次電子崩3流注n流注不斷向陰極推進，且隨著流注接近陰極，其頭部電場越來越強，因而其發(fā)展也越來越快n流注頭部的電離放射出大量光子，繼續(xù)引起空間光電離。流注前方出現(xiàn)新的二次電子崩，它們被吸引向

4、流注頭部，延長了流注通道n流注發(fā)展到陰極，間隙被導(dǎo)電良好的等離子通道所貫通，間隙的擊穿完成，這個電壓就是擊穿電壓 在電離室中得到的初始電子崩照片圖a和圖b的時間間隔為110-7秒 p=270毫米汞柱，E=10.5千伏/厘米 初始電子崩轉(zhuǎn)變?yōu)榱髯⑺查g照片p273毫米汞柱E=12千伏/厘米電子崩在空氣中的發(fā)展速度約為電子崩在空氣中的發(fā)展速度約為1.25 107cm/s在電離室中得到的陽極流注發(fā)展過段的照片在電離室中得到的陽極流注發(fā)展過段的照片正流注的發(fā)展速度約為正流注的發(fā)展速度約為1 108 2 108cm/s 當(dāng)間隙上所加電壓較高，間隙中電場很強時，電子崩在離開陰極不遠就已經(jīng)發(fā)展到畸變電場的程度

5、了。這種情況下流注將在陰極附近形成并向陽極推進，最后擊穿間隙。我們稱之為陰極流注或負流注。一旦形成流注，放電就進入了新的階一旦形成流注，放電就進入了新的階段，放電可以由本身產(chǎn)生的空間光電離而段，放電可以由本身產(chǎn)生的空間光電離而自行維持，即轉(zhuǎn)入自持放電了。如果電場自行維持，即轉(zhuǎn)入自持放電了。如果電場均勻，間隙就將被擊穿。所以流注形成的均勻，間隙就將被擊穿。所以流注形成的條件就是自持放電條件，在均勻電場中也條件就是自持放電條件，在均勻電場中也就是導(dǎo)致?lián)舸┑臈l件就是導(dǎo)致?lián)舸┑臈l件20經(jīng)研究認為常數(shù)值約為常數(shù)常數(shù)ded1放電外形放電外形 Pd很大時，放電具有通道很大時，放電具有通道形式形式 流注出現(xiàn)后

6、，對周圍空間內(nèi)的電場有屏蔽作用流注出現(xiàn)后，對周圍空間內(nèi)的電場有屏蔽作用當(dāng)某個流注由于偶然原因發(fā)展更快時，將抑制當(dāng)某個流注由于偶然原因發(fā)展更快時，將抑制其它流注的形成和發(fā)展，并且隨著流注向前其它流注的形成和發(fā)展，并且隨著流注向前推進而越來越強烈推進而越來越強烈二次電子崩在空間的形成和發(fā)展帶有統(tǒng)計性，二次電子崩在空間的形成和發(fā)展帶有統(tǒng)計性，所以火花通道常是曲折的，并帶有分枝所以火花通道常是曲折的，并帶有分枝電子崩不致影響到鄰近空間內(nèi)的電場，不會影電子崩不致影響到鄰近空間內(nèi)的電場，不會影響其它電子崩的發(fā)展，因此湯遜放電呈連續(xù)響其它電子崩的發(fā)展，因此湯遜放電呈連續(xù)一片一片-輝光放電輝光放電2放電時間放

7、電時間 光子以光速傳播，所以流注發(fā)展速度極快，這就可以說明pd很大時放電時間特別短的現(xiàn)象。3陰極材料的影響陰極材料的影響 根據(jù)流注理論，維持放電自持的是空間光電離，而不是陰極表面的電離過程，這可說明為何很大Pd下?lián)舸╇妷汉完帢O材料基本無關(guān)了。 均勻電場是很少見的情況，工程中遇到的電場大多數(shù)是不均勻電場，特別是極不均勻電場。比如，高壓輸電線路線間的電場或?qū)Ь€對地的電場。另外還存在一些稍不均與電場。 由于極不均勻電場的種類較多，我們不能一一進行討論，只能選擇典型的電場進行研究，然后將結(jié)論加以推廣。 尖板電場 尖尖電場為了區(qū)分各種不同的電場，引入電場不均勻系數(shù)為了區(qū)分各種不同的電場，引入電場不均勻系

8、數(shù) f 表示各種結(jié)構(gòu)的電場的均勻程度表示各種結(jié)構(gòu)的電場的均勻程度 f4后，極不均勻電場后，極不均勻電場dUEEEfavavmaxn電場比較均勻的情況電場比較均勻的情況 放電達到自持時，放電達到自持時， 在整個間隙中部巳達到相在整個間隙中部巳達到相當(dāng)數(shù)值。這時和均勻電場中情況類似當(dāng)數(shù)值。這時和均勻電場中情況類似 n電場不均勻程度增加但仍比較均勻的情況電場不均勻程度增加但仍比較均勻的情況 當(dāng)大曲率電極附近當(dāng)大曲率電極附近 達到足夠數(shù)值時，間隙中達到足夠數(shù)值時，間隙中很大一部分區(qū)域很大一部分區(qū)域 也都已達相當(dāng)數(shù)值，流注一也都已達相當(dāng)數(shù)值，流注一經(jīng)產(chǎn)生，隨即發(fā)展至貫通整個間隙，導(dǎo)致間隙經(jīng)產(chǎn)生，隨即發(fā)展

9、至貫通整個間隙，導(dǎo)致間隙完全擊穿完全擊穿 n電場極不均勻的情況電場極不均勻的情況 當(dāng)大曲率電極附近很小范圍內(nèi)當(dāng)大曲率電極附近很小范圍內(nèi) 已達相當(dāng)數(shù)值已達相當(dāng)數(shù)值時，間隙中大部分區(qū)域值時，間隙中大部分區(qū)域值 都仍然很小，放電都仍然很小，放電達到自持放電后，間隙沒有擊穿。電場越不均達到自持放電后，間隙沒有擊穿。電場越不均勻，擊穿電壓和電暈起始電壓間的差別也越大勻，擊穿電壓和電暈起始電壓間的差別也越大 1.存在有局部放電現(xiàn)象 2.放點存在明顯的極性效應(yīng) 極不均勻電場所特有的一種局部放電現(xiàn)象。它既可能是一種長期存在的局部放電，也可能是間隙擊穿的第一階段。n電暈放電現(xiàn)象電暈放電現(xiàn)象 電離區(qū)的放電過程造成

10、。咝咝的聲音，臭氧電離區(qū)的放電過程造成。咝咝的聲音，臭氧的氣味，回路電流明顯增加的氣味，回路電流明顯增加(絕對值仍很小絕對值仍很小)，可以測量到能量損失可以測量到能量損失n脈沖現(xiàn)象脈沖現(xiàn)象 (a) 時間刻度時間刻度T=125 s(b) 0.7 A電暈電流平均值電暈電流平均值(c) 2 A電暈電流平均值電暈電流平均值物理效應(yīng)：光、聲、電風(fēng)、噪聲物理效應(yīng)：光、聲、電風(fēng)、噪聲化學(xué)反應(yīng)：產(chǎn)生具有強氧化性和強腐蝕性的物質(zhì)化學(xué)反應(yīng)：產(chǎn)生具有強氧化性和強腐蝕性的物質(zhì)電磁脈沖：干擾無線通訊和廣播電視信號電磁脈沖：干擾無線通訊和廣播電視信號能量損耗：產(chǎn)生能量損耗，降低線路經(jīng)濟效益能量損耗：產(chǎn)生能量損耗，降低線路

11、經(jīng)濟效益 有利方面：電暈可削弱輸電線上雷電沖擊電壓波的幅有利方面：電暈可削弱輸電線上雷電沖擊電壓波的幅 值及陡度；利用電暈放電改善電場分布，值及陡度；利用電暈放電改善電場分布， 提高擊穿電壓提高擊穿電壓 ；利用電暈放電除塵等；利用電暈放電除塵等 基本出發(fā)點是增加導(dǎo)線表面的曲率半徑，提高電暈起始電壓。 采用大直徑導(dǎo)線或擴徑導(dǎo)線 采用分裂導(dǎo)線 輸電線路上的電暈 擴徑導(dǎo)線 導(dǎo)線位于正六邊形的頂點 導(dǎo)線間距450毫米 二分裂以棒板間隙為例以棒板間隙為例1. 非自持放電階段非自持放電階段n當(dāng)棒具有正極性時當(dāng)棒具有正極性時 在棒極附近，積聚起在棒極附近，積聚起正空間電荷，減少了正空間電荷，減少了緊貼棒極附

12、近的電場，緊貼棒極附近的電場，而略微加強了外部空而略微加強了外部空間的電場，棒極附近間的電場，棒極附近難以造成流注，使得難以造成流注，使得自持放電、即電暈放自持放電、即電暈放電難以形成電難以形成 Eex外電場 Esp空間電荷的電場n當(dāng)棒具有負極性時當(dāng)棒具有負極性時 電子崩中電子離開強電電子崩中電子離開強電場區(qū)后，不再引起電離，場區(qū)后，不再引起電離，正離子逐漸向棒極運動，正離子逐漸向棒極運動，在棒極附近出現(xiàn)了比較在棒極附近出現(xiàn)了比較集中的正空間電荷，使集中的正空間電荷，使電場畸變電場畸變 棒極附近的電場得到增棒極附近的電場得到增強，因而自持放電條件強，因而自持放電條件就易于得到滿足、易于就易于得

13、到滿足、易于轉(zhuǎn)入流注而形成電暈放轉(zhuǎn)入流注而形成電暈放電電 Eex外電場 Esp空間電荷的電場 實驗表明：實驗表明： 棒棒板間隙中棒為正極性時電暈起始電壓板間隙中棒為正極性時電暈起始電壓比負極性時略高比負極性時略高 U+（電暈）（電暈） U-（電暈）（電暈）2. 流注發(fā)展階段流注發(fā)展階段n當(dāng)棒具有正極性時當(dāng)棒具有正極性時流注等離子體頭部的正電流注等離子體頭部的正電荷減弱等離子體中的電荷減弱等離子體中的電場，而加強其頭部電場場，而加強其頭部電場（曲線（曲線2）電場加強的流注頭部前方電場加強的流注頭部前方產(chǎn)生新電子崩，其電子產(chǎn)生新電子崩，其電子吸引入流注頭部正電荷吸引入流注頭部正電荷區(qū)內(nèi)，加強并延長

14、流注區(qū)內(nèi)，加強并延長流注通道，其尾部的正離子通道，其尾部的正離子構(gòu)成流注頭部的正電荷構(gòu)成流注頭部的正電荷 流注及其頭部的正電荷使流注及其頭部的正電荷使強電場區(qū)更向前移（曲強電場區(qū)更向前移（曲線線3），促進流注通道進），促進流注通道進一步發(fā)展，逐漸向陰極一步發(fā)展，逐漸向陰極推進推進n當(dāng)棒具有負極性時當(dāng)棒具有負極性時棒極的強電場區(qū)產(chǎn)生大量棒極的強電場區(qū)產(chǎn)生大量的電子崩，匯入圍繞棒的電子崩，匯入圍繞棒極的正空間電荷，等離極的正空間電荷，等離子體層呈擴散狀分布，子體層呈擴散狀分布，削弱前方電場（曲線削弱前方電場（曲線2）在相當(dāng)一段電壓升高的范在相當(dāng)一段電壓升高的范圍內(nèi)，電離只在棒極和圍內(nèi)，電離只在棒極

15、和等離子體層外沿之間的等離子體層外沿之間的空間內(nèi)發(fā)展空間內(nèi)發(fā)展等離子體層前方電場足夠等離子體層前方電場足夠強后，發(fā)展新電子崩，強后，發(fā)展新電子崩，其正電荷加強等離子體其正電荷加強等離子體層前沿的電場，形成層前沿的電場，形成了大量二次電子崩，匯集二次電子崩，匯集起來后使得等離子體層起來后使得等離子體層向陽極推進向陽極推進 實驗表明：實驗表明： 棒棒板間隙中棒為負極性時擊穿電壓比正板間隙中棒為負極性時擊穿電壓比正極性時高極性時高 U+（擊穿）（擊穿） U-（擊穿）（擊穿）n非自持放電階段非自持放電階段n流注發(fā)展階段流注發(fā)展階段n先導(dǎo)放電先導(dǎo)放電 熱電離熱電離過程過程n主放電階段主放電階段正棒正棒負

16、板間隙中先導(dǎo)通道的發(fā)展負板間隙中先導(dǎo)通道的發(fā)展（）先導(dǎo)和其頭部的流注；（）流注頭部電子崩的形成；（）先導(dǎo)和其頭部的流注；（）流注頭部電子崩的形成；（）由流注轉(zhuǎn)變?yōu)橄葘?dǎo)和形成流注；（）流注頭部電子崩的形成；（）由流注轉(zhuǎn)變?yōu)橄葘?dǎo)和形成流注；（）流注頭部電子崩的形成；（）沿著先導(dǎo)和空氣間隙電場強度的分布（）沿著先導(dǎo)和空氣間隙電場強度的分布 流注根部流注根部溫度升高溫度升高熱電離熱電離過程過程先導(dǎo)先導(dǎo)通道通道電離加強，更為明亮電離加強，更為明亮電導(dǎo)增大電導(dǎo)增大軸向場強更低軸向場強更低發(fā)展速度更快發(fā)展速度更快長空氣間隙的平均擊穿場強遠低于短間隙長空氣間隙的平均擊穿場強遠低于短間隙 當(dāng)先導(dǎo)通道頭部極為接近

17、當(dāng)先導(dǎo)通道頭部極為接近板極時，間隙場強可達板極時，間隙場強可達極大數(shù)值，引起強烈的極大數(shù)值，引起強烈的電離，間隙中出現(xiàn)離子電離，間隙中出現(xiàn)離子濃度遠大于先導(dǎo)通道的濃度遠大于先導(dǎo)通道的等離子體等離子體 新出現(xiàn)的通道大致具有極新出現(xiàn)的通道大致具有極板的電位，在它與先導(dǎo)板的電位，在它與先導(dǎo)通道交界處保持極高的通道交界處保持極高的電場強度，繼續(xù)引起強電場強度，繼續(xù)引起強烈的電離烈的電離高場強區(qū)（強電離區(qū)）迅高場強區(qū)（強電離區(qū)）迅速向陽極傳播，強電離速向陽極傳播，強電離通道也迅速向前推進，通道也迅速向前推進，這就是主放電過程。這就是主放電過程。 主放電通道主放電通道 主放電和先導(dǎo)通道的交界區(qū)主放電和先導(dǎo)

18、通道的交界區(qū) 先導(dǎo)通道先導(dǎo)通道 主放電發(fā)展和通道中軸向電場強度分布圖主放電發(fā)展和通道中軸向電場強度分布圖 1.2.1 持續(xù)作用電壓下的擊穿什么是持續(xù)作用電壓？1.均勻電場：無極性效應(yīng) 擊穿時間短 不同性質(zhì)電壓作用下?lián)舸╇妷夯鞠嗤?，在間隙不太長的情況下約為30 kV/cm。2.稍不均勻電場：情況類似于均勻電場。 3.極不均勻電場：與前兩者有很大的不同，電場不均勻度對擊穿的影響減弱，極間距離對擊穿電壓的影響增大。而且電場和電壓的形式不同，擊穿的形式也不盡相同。 除了前述的持續(xù)作用的電壓外，電力系統(tǒng)中還會出現(xiàn)另外一種電壓，稱為沖擊電壓，其特點是作用時間極短，電壓幅值較高。 沖擊電壓可分為雷電沖擊電

19、壓和操作沖擊電壓 雷電是自然界中最宏偉壯觀的現(xiàn)象之一，也是間隙最長的空氣擊穿現(xiàn)象。為了對雷電現(xiàn)象進行科學(xué)研究要規(guī)定雷電沖擊波的標(biāo)準波形 （ 三）三） 標(biāo)準雷電沖擊電壓波標(biāo)準雷電沖擊電壓波 用來模擬雷電過電壓波，采用非周期性雙指數(shù)波。T1視在波前時間； T2視在半峰值時間 ；Um沖擊電壓峰值 國際電工委員會(IEC)和我國國家標(biāo)準規(guī)定為：T1=1.2s 30% ；T2=50s20% 通常寫成1.2/50s。 （四）（四） 標(biāo)準雷電截波標(biāo)準雷電截波用來模擬雷電過電壓引起氣隙擊穿或外絕緣閃落后出現(xiàn)的截尾沖擊波，如圖。IEC標(biāo)準和我國國家標(biāo)準規(guī)定為：T1=1.2s 30% ；Tc=25s ?？蓪懗?.

20、2/ 25s .0.30.50.9100T1T2 u / Umt0.900.31 u / Um0T1Tctn最低靜態(tài)擊穿電壓最低靜態(tài)擊穿電壓U0 n擊穿時間擊穿時間tb 升壓時間升壓時間t0 、統(tǒng)計時延、統(tǒng)計時延ts 、放電發(fā)展時間、放電發(fā)展時間tf 、放放電時延電時延 tl n短間隙短間隙(1厘米以下厘米以下) tfU U （氣）氣） U U （沿面沿面）在表面潮濕污染的情況下，沿面閃落電壓會更低。在表面潮濕污染的情況下，沿面閃落電壓會更低。（1）平行：）平行： 固體介質(zhì)處于均勻電場中，且界面與電力線平行，此時的沿面放電特性與均勻電場的情況有些相似。E 固體介質(zhì)與氣體介質(zhì)交界面上的電場分布狀

21、況對沿面放電特性有很大影響。界面電場分布可分為典型二種情況。 下面就三種情況分別介紹放電特性。 情況一中，雖界面與電力線平行，但沿面閃落電壓仍要比空氣間隙的擊穿電壓低很多。說明電場發(fā)生了畸變，主要原因如下： （2）強法線：）強法線：固體介質(zhì)處于極不均勻電場中，且界面電場的垂直分量 En 比平行于表面的切線分量 Et 大得多。如右上圖EtEnE（3）弱法線：）弱法線：固體介質(zhì)處于極不均勻電場中，但大部分分界面上的電場切線分量 Et 大于垂直分量 En 。右下圖。EtEnE （1）固體介質(zhì)與電極表面接觸不良，存在小氣隙。小氣隙中的電場強度很大，首先發(fā)生放電，所產(chǎn)生的帶電粒子沿固體介質(zhì)表面移動，畸變

22、了原有電場。 （2）大氣的濕度影響。大氣中的潮氣吸附在固體介質(zhì)表面形成水膜，其中的離子受電場的驅(qū)動而沿著介質(zhì)表面移動，降低了閃落電壓。與固體介質(zhì)吸附水分的性能也有關(guān)。 （3）固體介質(zhì)表面電阻的不均勻和表面的粗糙不平也會造成沿面電場畸變。 當(dāng)當(dāng)U升高的過程中：升高的過程中：1 法蘭處電暈放電，如右法蘭處電暈放電，如右 a 圖圖2 平行的火花細線組成的光帶平行的火花細線組成的光帶，如，如b 圖圖 3 細線突然迅速增長，轉(zhuǎn)為分細線突然迅速增長，轉(zhuǎn)為分叉的樹枝狀明亮火花通道叉的樹枝狀明亮火花通道（滑（滑閃放電）閃放電），如，如 c 圖圖4 完成表面氣體的完全擊穿，完成表面氣體的完全擊穿，稱為沿面閃絡(luò)或

23、簡稱稱為沿面閃絡(luò)或簡稱 “閃絡(luò)閃絡(luò)” 導(dǎo)桿法蘭（二）極不均勻電場具有強垂直分量時的（二）極不均勻電場具有強垂直分量時的沿面放電。沿面放電。 支柱絕緣子的兩個電極之間的距離較長，其間固體介質(zhì)本支柱絕緣子的兩個電極之間的距離較長，其間固體介質(zhì)本身不可能被擊穿，只可能出現(xiàn)沿面閃絡(luò)。身不可能被擊穿，只可能出現(xiàn)沿面閃絡(luò)。干閃絡(luò)電壓隨極間距離的增大而提高，平均閃絡(luò)場強大于前干閃絡(luò)電壓隨極間距離的增大而提高，平均閃絡(luò)場強大于前一種有滑閃放電時的情況。一種有滑閃放電時的情況。 三、沿面放電電壓的影響因素和提高方法三、沿面放電電壓的影響因素和提高方法 影響因素：影響因素： （一）固體介質(zhì)材料主要取決于該材料的親

24、水性或憎水性。（一）固體介質(zhì)材料主要取決于該材料的親水性或憎水性。 （二）電場形式（二）電場形式 同樣的表面閃落距離下同樣的表面閃落距離下均勻與稍不均勻電場閃落電壓最高均勻與稍不均勻電場閃落電壓最高弱垂直分量極不均勻電場則低（距離，絕緣子）弱垂直分量極不均勻電場則低（距離，絕緣子）界面電場主要為強垂直分量的極不均勻電場中，閃落電壓更低界面電場主要為強垂直分量的極不均勻電場中，閃落電壓更低（電場最強處厚度，套管）（電場最強處厚度，套管） 主要是增大極間距離（橫向），防止或推遲滑閃放電。主要是增大極間距離（橫向），防止或推遲滑閃放電。 以瓷套管為例，加大法蘭處瓷套的外直徑和壁厚或涂半導(dǎo)體漆或半導(dǎo)體

25、釉，防止滑閃放電過早出現(xiàn)。四、固體表面有水膜時的沿面放電四、固體表面有水膜時的沿面放電 此處討論的是潔凈的瓷表面被雨水淋濕時的沿面放電，相應(yīng)的電壓稱為濕閃電壓。濕閃電壓。絕緣子表面有濕污層時的閃落電壓稱為污閃電壓污閃電壓，將在后面再作專門探討。部分淋濕，絕緣子表面的水膜是不部分淋濕，絕緣子表面的水膜是不連續(xù)的（連續(xù)的（AB濕濕 BCA干）干）有水膜覆蓋的表面電導(dǎo)大，無水膜有水膜覆蓋的表面電導(dǎo)大，無水膜處的表面電導(dǎo)小處的表面電導(dǎo)小大多數(shù)外加電壓將由干表面（圖中大多數(shù)外加電壓將由干表面（圖中的的BCA）段來承受。）段來承受?；蛘呖諝忾g隙或者空氣間隙BA先擊穿或者干表先擊穿或者干表面面BCA先閃落，

26、但結(jié)果都是形成先閃落，但結(jié)果都是形成ABA電弧放電通道電弧放電通道閃絡(luò)閃絡(luò)如雨量特別大時，傘間（如雨量特別大時，傘間（BB）被被雨水短接構(gòu)成電弧通道雨水短接構(gòu)成電弧通道閃絡(luò)閃絡(luò)ABCAB沿濕表面沿濕表面AB和干表面和干表面BCA發(fā)展發(fā)展沿濕表面沿濕表面AB和空氣間隙和空氣間隙BA發(fā)展發(fā)展沿濕表面沿濕表面AB和水流和水流BB發(fā)展發(fā)展 濕閃只有干閃電壓的40%50%，還受雨水電導(dǎo)率的影響。 絕緣子的濕閃電壓不會降低太多。 濕閃電壓將降低到很低的數(shù)值。 在設(shè)計時對各級電壓的絕緣子應(yīng)有的傘裙數(shù)、傘在設(shè)計時對各級電壓的絕緣子應(yīng)有的傘裙數(shù)、傘的傾角、傘裙直徑應(yīng)仔細考慮、合理選擇。的傾角、傘裙直徑應(yīng)仔細考慮

27、、合理選擇。 絕緣子污染通常可分為積污、受潮、干區(qū)形成、局部電弧的出現(xiàn)和發(fā)展等四個階段。 采取措施抑制或阻止其中任何一個階段的完成就能防止污閃事故的發(fā)生。積污：積污：氣候條件：氣候條件：包括雨、露、霜、雪、風(fēng)等環(huán)境作用：環(huán)境作用：和工業(yè)粉塵、廢氣、自然鹽堿、灰塵、鳥糞等污穢外絕緣被污染的過程一般是漸進的。染污絕緣子表面上的污層在干燥狀態(tài)下一般不導(dǎo)電。污層濕潤：污層濕潤： 遇到雨、霧、露等不利天氣時，污層被濕潤，電導(dǎo)增大，在工作電壓下的泄漏電流大增。干區(qū)形成：干區(qū)形成：電流所產(chǎn)生的焦耳熱，既可能使污層電導(dǎo)增大，又可能使水分蒸發(fā)、污層變干而減小其電導(dǎo)。電場畸變：電場畸變：干區(qū)的電阻比其余濕區(qū)的電阻大的多。整個絕緣子上的電壓都集中到干區(qū)上，一般干區(qū)寬度不大，所以電場強度很大。局部電?。壕植侩娀。喝绻妶鰪姸纫炎阋岩鸨砻婵諝獾碾婋x，開始出現(xiàn)電暈放電或輝光放電，由于此時泄漏電流較大，電暈或輝光放電很容易轉(zhuǎn)為絕緣子局部表面的有明亮通道的電弧擊穿：擊穿：隨著干區(qū)的擴大，電弧被拉長。在霧、露天，污層濕潤度不斷增大，泄漏電流也隨之增大，在一定電壓下能維持的局部電弧長度也不斷增大。自動延伸直至貫穿兩極完成沿面閃落 污閃后果嚴重：污閃后果嚴重：由于