吉時(shí)利經(jīng)典測試測量和行業(yè)解決方案

1、吉時(shí)利經(jīng)典測試測量和行業(yè)解決方案吉時(shí)利為精度和速度開發(fā)的解決方案我們的設(shè)備用在哪些地方？半導(dǎo)體 二極管/晶體管/場效應(yīng)管 IGBT/Triac/power nMOSFET等大功率器件材料 光電材料 納米材料 電化學(xué)數(shù)據(jù)采集 連接器/電纜 老化測試 IC芯片的LLCR電源 可穿戴設(shè)備的低功耗測試 電源設(shè)計(jì)和系統(tǒng)集成半導(dǎo)體應(yīng)用一-二極管/晶體管/場效應(yīng)管 IV曲線測試半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源半導(dǎo)體應(yīng)用二-DC到DC轉(zhuǎn)換器測試SMUs可以讓用戶靈活地同時(shí)提供和測量電流和電壓。VOUT端子上的電流源使得用戶能夠改變負(fù)載。通過使用兩條通道，吉時(shí)利SMU進(jìn)一步簡化了測試，因?yàn)橛脩糁恍枰獙σ慌_(tái)儀器編程。:通道

2、通道1通道2半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源半導(dǎo)體應(yīng)用三-IGBT/power nMOSFET等大功率器件測試半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源典型參數(shù)擊穿電壓(Bvdss, Bvceo)開態(tài)電流(Vdson, Vcesat, Vf)漏極/集電極泄漏(Idss, Ir/Icbo,Iceo)閾值或截止電壓(Vth, Vf, Vbeon)基極泄漏(Igss, Ib)正向傳輸(yfs, Gfs, Hfe, gain)電容 (Ciss, Coss, Crss) 14 May 20228材料應(yīng)用一-光電材料及器件測試(Laser Diode)LIV系統(tǒng)測LD的應(yīng)用半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源材料應(yīng)用一-光電材料及器件測試(太陽能電

3、池) 半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源dPulsePerioPulseWidthIVPDCDCDissipated雙通道脈沖測量單元半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源材料應(yīng)用二-納米材料測試(CNT FET) 減少能耗和電流漂移 研究高速響應(yīng)材料應(yīng)用三-電化學(xué)材料相關(guān)應(yīng)用（電池充放電測試） 11.11.21.31.41.50246Voltage (Volts)Time (Hours)2300mAH AA Battery Discharged at 460 mA (0.2 C)Model 2450或2460配置為電池充電/放電觸摸屏顯示器可以編程，為用戶提供更新的測試數(shù)據(jù)，如電池電壓、負(fù)載電流和經(jīng)過的測試時(shí)間半導(dǎo)體材

4、料數(shù)據(jù)采集電源數(shù)據(jù)采集應(yīng)用一-連接器/電纜的導(dǎo)通性與絕緣性測試(LLCR)半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源導(dǎo)通電阻絕緣電阻數(shù)據(jù)采集應(yīng)用二-汽車安全氣囊橋路，短路，絕緣電阻測試半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源短路電阻 10M (1M)觸點(diǎn)檢查 20電源應(yīng)用一-可穿戴設(shè)備的低功耗測試半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源運(yùn)行狀運(yùn)行狀態(tài)態(tài)/喚醒喚醒每個(gè)pulse可能只持續(xù)幾微秒。電流可能達(dá)到數(shù)安培深度睡深度睡眠眠電流可能在幾納安培之小電流睡眠睡眠待機(jī)待機(jī)Time電流在幾u(yù)A到mA不等電流在幾u(yù)A 到mA之間不等電源應(yīng)用二-待機(jī)功耗測試“待機(jī)功耗指的是當(dāng)電子設(shè)備在其最低功率模式下運(yùn)行時(shí)所消耗的功率“-Lawrence Berkley National Laboratory.例如:筆記本/平板電腦/手機(jī)充電器帶時(shí)鐘顯示的家電等待遙控操作的音頻播放設(shè)備November 2013PA1000 Power Analyzer15半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源我們的設(shè)備用在哪些地方？半導(dǎo)體 二極管/晶體管/場效應(yīng)管 IGBT/Triac/power nMOSFET等