第3章 場(chǎng)效晶體管及場(chǎng)效晶體管放大電路

1、第3 章 場(chǎng)效晶體管及場(chǎng)效晶 體管放大電路 場(chǎng)效應(yīng)管是通過改變外加電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度來控制其導(dǎo)電能力的半導(dǎo)體器件。 它不僅具有雙極型三極管的體積小、重量輕、耗電少、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，而且還具有輸入電阻高、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、噪聲低、制造工藝簡(jiǎn)單、便于集成等特點(diǎn)。因而，在大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。 根據(jù)結(jié)構(gòu)和工作原理不同,場(chǎng)效應(yīng)管可分為兩大類:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(IGFET). 場(chǎng)效應(yīng)管：場(chǎng)效應(yīng)管：一種載流子參與導(dǎo)電，利用一種載流子參與導(dǎo)電，利用輸入回路的電場(chǎng)輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制效應(yīng)來控制輸出回路電流輸出回路電流的三極管，又稱的三極管，又稱單極型三

2、極管。單極型三極管。特點(diǎn)特點(diǎn)單極型器件單極型器件( (一種載流子導(dǎo)電一種載流子導(dǎo)電) )； 輸入電阻高；輸入電阻高；工藝簡(jiǎn)單、易集成、功耗小、體積小、工藝簡(jiǎn)單、易集成、功耗小、體積小、成本低。成本低。要求要求：1、掌握?qǐng)鲂?yīng)管的分類、特點(diǎn)、特性曲線及參數(shù)，了解其結(jié)構(gòu)、工作原理。2、掌握?qǐng)鲂?yīng)管放大電路的分析方法和指標(biāo)計(jì)算。 N溝道溝道P溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型耗盡型耗盡型N溝道溝道P溝道溝道N溝道溝道P溝道溝道（耗盡型）（耗盡型）FET場(chǎng)效晶體管場(chǎng)效晶體管JFET結(jié)型結(jié)型MOSFET絕緣柵型絕緣柵型(IGFET)場(chǎng)效晶體管分類場(chǎng)效晶體管分類：第3 章 效晶體管及場(chǎng)效晶體管放大電路3.1 結(jié)型場(chǎng)效晶

3、體管3.2 絕緣柵型場(chǎng)效晶體管3.3 各種場(chǎng)效晶體管的比較3.4 場(chǎng)效晶體管放大電路DSGN符符號(hào)號(hào)一、結(jié)構(gòu)一、結(jié)構(gòu)N型型溝溝道道N型硅棒型硅棒柵極柵極源極源極漏極漏極P+P+P 型區(qū)型區(qū)耗盡層耗盡層( (PN 結(jié)結(jié)) )在漏極和源極之間加在漏極和源極之間加上一個(gè)正向電壓，上一個(gè)正向電壓，N 型半型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子導(dǎo)體中多數(shù)載流子電子電子可可以導(dǎo)電。以導(dǎo)電。導(dǎo)電溝道是導(dǎo)電溝道是 N 型的，型的，稱稱 N 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。3. 1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管溝道場(chǎng)效應(yīng)管P P 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)圖溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)圖N+N+P型型溝溝道道GSD P 溝道場(chǎng)效

4、應(yīng)管是在溝道場(chǎng)效應(yīng)管是在 P 型硅棒的兩側(cè)做成高摻型硅棒的兩側(cè)做成高摻雜的雜的 N 型區(qū)型區(qū)( (N+) )，導(dǎo)電溝導(dǎo)電溝道為道為 P 型型，多數(shù)載流子為，多數(shù)載流子為空穴?？昭ā７?hào)符號(hào)GDS二、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理二、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理 N 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管用改變用改變 UGS 大小來控制漏極電大小來控制漏極電流流 ID 的。的。(VCCS)GDSNN型型溝溝道道柵極柵極源極源極漏極漏極P+P+耗盡層耗盡層*在柵極和源極之間在柵極和源極之間加反向電壓，耗盡層會(huì)變加反向電壓，耗盡層會(huì)變寬，導(dǎo)電溝道寬度減小，寬，導(dǎo)電溝道寬度減小，使溝道本身的電阻值增大，使溝道本身的電阻值增大

5、，漏極電流漏極電流 ID 減小，反之，減小，反之，漏極漏極 ID 電流將增加。電流將增加。 *耗盡層的寬度改變耗盡層的寬度改變主要在溝道區(qū)。主要在溝道區(qū)。 U UGSGS對(duì)溝道的控制作用對(duì)溝道的控制作用當(dāng)當(dāng)UGS0時(shí)時(shí) 當(dāng)溝道夾斷時(shí)當(dāng)溝道夾斷時(shí),ID減小至減小至0，此時(shí)，此時(shí)對(duì)應(yīng)的柵源電壓對(duì)應(yīng)的柵源電壓UGS稱為稱為夾斷電壓夾斷電壓UGS(off) 。對(duì)于對(duì)于N溝道的溝道的JFET，UPGS(off) 0。PN結(jié)反偏結(jié)反偏耗盡層加厚耗盡層加厚溝道變窄溝道變窄 UGS繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄，繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄， ID繼續(xù)變小繼續(xù)變小DP+P+NGSUDSIDUGS 當(dāng)當(dāng)UGS=0時(shí)，時(shí)，溝道

6、最寬溝道最寬，溝道電阻最小，在，溝道電阻最小，在UDS的的作用下作用下N溝道內(nèi)的電子定向運(yùn)動(dòng)形成漏極電流溝道內(nèi)的電子定向運(yùn)動(dòng)形成漏極電流ID,此此時(shí)最大。時(shí)最大。溝道電阻變大溝道電阻變大ID變小變小 根據(jù)其結(jié)構(gòu)，它只能工作在根據(jù)其結(jié)構(gòu)，它只能工作在反偏反偏條件下，條件下，N N溝道管加溝道管加負(fù)負(fù)柵源電壓柵源電壓， P P溝道管加溝道管加正柵源電壓正柵源電壓，否則將會(huì)出現(xiàn)柵流。，否則將會(huì)出現(xiàn)柵流。二、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理二、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理 UDS對(duì)溝道的控制作用對(duì)溝道的控制作用當(dāng)當(dāng)UGS=0時(shí)時(shí)，UDS ID G、D間間PN結(jié)的反向電結(jié)的反向電壓增加，使靠近漏極處的耗壓增加，使靠近漏極處

7、的耗盡層加寬，溝道變窄，從上盡層加寬，溝道變窄，從上至下呈楔形分布。至下呈楔形分布。 當(dāng)當(dāng)U UDSDS增加到使增加到使U UGDGD= =U UGS(off) GS(off) 時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。斷。此時(shí)此時(shí)UDS 夾斷區(qū)延長(zhǎng)夾斷區(qū)延長(zhǎng)溝道電阻溝道電阻 ID基本不變基本不變DP+P+NGSUDSIDUGS二、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理二、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理UGS和和UDS同時(shí)作用時(shí)同時(shí)作用時(shí)當(dāng)當(dāng)UP UGSUGS(th)時(shí)時(shí), 溝道加厚，溝道加厚，溝道電阻減少，溝道電阻減少，在相同在相同UDS的作的作用下，用下，iD將進(jìn)一步增加。將進(jìn)一步增加。開始時(shí)無導(dǎo)電溝道，當(dāng)

8、在開始時(shí)無導(dǎo)電溝道，當(dāng)在UGS UGS(th)時(shí)才形成溝時(shí)才形成溝道道,這種類型的管子稱為這種類型的管子稱為增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOS管管一一方方面面 MOSFET是利用柵源電壓是利用柵源電壓的大小，來改變半導(dǎo)體表面感的大小，來改變半導(dǎo)體表面感生電荷的多少，從而控制漏極生電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。電流的大小。 當(dāng)當(dāng)UGSUGS(th)，且固定為某一值時(shí)，來分析漏源電壓，且固定為某一值時(shí)，來分析漏源電壓UDS的不同變化對(duì)導(dǎo)電溝道和漏極電流的不同變化對(duì)導(dǎo)電溝道和漏極電流ID的影響。的影響。UDS=UDGUGS =UGDUGSUGD=UGSUDS 當(dāng)當(dāng)UDS為為0或較小時(shí)，或較小時(shí)，相當(dāng)相當(dāng)UGD

9、UGS(th) ，此時(shí)此時(shí)UDS 基本均勻降落基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜線分布。在在溝道中，溝道呈斜線分布。在UDS作用下形成作用下形成ID。另一方面另一方面，漏源電壓漏源電壓UDS對(duì)漏極電流對(duì)漏極電流ID的控制作用的控制作用當(dāng)當(dāng)UDS增加到使增加到使UGD=UGS(th)時(shí)，時(shí)，當(dāng)當(dāng)UDS增加到增加到UGD UGS(th)時(shí)，時(shí)，增強(qiáng)型MOS管 這相當(dāng)于這相當(dāng)于UDS增加使漏極處溝道增加使漏極處溝道縮減到剛剛開啟的情況，稱為縮減到剛剛開啟的情況，稱為預(yù)夾斷預(yù)夾斷。此時(shí)的。此時(shí)的漏極電流漏極電流ID 基本飽和?；撅柡汀?此時(shí)預(yù)夾斷區(qū)域加長(zhǎng)，伸向此時(shí)預(yù)夾斷區(qū)域加長(zhǎng)，伸向S S極。極。 U

10、UDSDS增加的部分基本降落在隨之加長(zhǎng)的增加的部分基本降落在隨之加長(zhǎng)的夾斷溝道上，夾斷溝道上，I ID D基本趨于不變。基本趨于不變。漏源電壓漏源電壓UDS對(duì)漏極電流對(duì)漏極電流ID的控制作用的控制作用UGD=UGSUDSDGSDGSGSDDiIIi時(shí)的是T0T2T0U2u)Uu() 1Uu(3、N溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線iD=f(uGS) uDS=C 轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線iD=f(uDS) uGS=C 輸出特性曲線輸出特性曲線uDS(V)iD(mA)當(dāng)當(dāng)u uGSGS變化時(shí)，變化時(shí)，R RONON將隨之將隨之變化，因此稱之為變化，因此稱之為可變可變電阻區(qū)電

11、阻區(qū)恒流區(qū)恒流區(qū)( (飽和區(qū)飽和區(qū)) )：u uGSGS一定一定時(shí)，時(shí)，i iD D基本不隨基本不隨u uDSDS變化而變化而變化。變化。uGS/V3.2.2 N溝道溝道耗盡型耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管+ + + + + + + 耗盡型耗盡型MOS管存在管存在原始導(dǎo)電溝道原始導(dǎo)電溝道1. 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)2. N溝道溝道耗盡型耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管工作原理場(chǎng)效應(yīng)管工作原理 當(dāng)當(dāng)UGS=0時(shí)，時(shí)，UDS加正向電壓，產(chǎn)加正向電壓，產(chǎn)生漏極電流生漏極電流iD,此時(shí)的漏極電流稱為此時(shí)的漏極電流稱為漏極飽和電流漏極飽和電流，用，用IDSS表示。表示。 當(dāng)當(dāng)UGS0時(shí)時(shí),將使將使iD進(jìn)一步增加。進(jìn)一步增加。 當(dāng)當(dāng)

12、UGS0時(shí)，隨著時(shí)，隨著UGS的減小漏的減小漏極電流逐漸極電流逐漸減小減小，直至，直至iD=0，對(duì)應(yīng)，對(duì)應(yīng)iD=0的的UGS稱為夾斷電壓，用符號(hào)稱為夾斷電壓，用符號(hào)UP表示。表示。UGS(V)iD(mA)UPN溝道溝道耗盡型耗盡型MOS管可工作在管可工作在UGS 0或或UGS0 N溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOS管只能工作在管只能工作在UGS03. N溝道溝道耗盡型耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線輸出特性曲線輸出特性曲線UGS(V)iD(mA)UP轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線2. 夾斷電壓夾斷電壓UP：是耗盡型：是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)?shù)膮?shù)，當(dāng)UGS=UP 時(shí)時(shí),漏極電流漏極電流為零。為零

13、。3. 飽和漏極電流飽和漏極電流IDSS 耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管當(dāng)耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管當(dāng)UGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。1. 開啟電壓開啟電壓UT：MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對(duì)值電壓的絕對(duì)值,場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。4. 直流輸入電阻直流輸入電阻RGS(DS):柵源間所加的恒定電壓柵源間所加的恒定電壓UGS與流過柵極與流過柵極電流電流IGS之比。結(jié)型之比。結(jié)型:大于大于107，絕緣柵，絕緣柵:1091015。3.2.3 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)一、直流參數(shù)一、直流參數(shù)1. 低頻跨導(dǎo)低頻跨導(dǎo)gm ：反映了柵源

14、壓對(duì)漏極電流的控制作用。：反映了柵源壓對(duì)漏極電流的控制作用。CUGSDmDSdudig 2. 極間電容極間電容Cgs柵極與源極間電容柵極與源極間電容Cgd 柵極與漏極間電容柵極與漏極間電容Csd 源極與漏極間電容源極與漏極間電容二、交流參數(shù)二、交流參數(shù)3.2.3 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)三、極限參數(shù)三、極限參數(shù)3. 漏極最大允許耗散功率漏極最大允許耗散功率 PDM2.漏源擊穿電壓漏源擊穿電壓 U(BR)DS4. 柵源擊穿電壓柵源擊穿電壓U(BR)GS 由場(chǎng)效應(yīng)管允許的溫升決定。漏極耗散功率轉(zhuǎn)化為由場(chǎng)效應(yīng)管允許的溫升決定。漏極耗散功率轉(zhuǎn)化為熱能使管子的溫度升高。熱能使管子的溫度升高。

15、當(dāng)漏極電流當(dāng)漏極電流 ID 急劇上升產(chǎn)生雪崩擊穿時(shí)的急劇上升產(chǎn)生雪崩擊穿時(shí)的 UDS 。 場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)，柵源間場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)，柵源間 PN 結(jié)處于反偏狀態(tài)，若結(jié)處于反偏狀態(tài)，若UGS U(BR)GS ，PN 將被擊穿，這種擊穿與電容擊將被擊穿，這種擊穿與電容擊穿的情況類似，屬于破壞性擊穿。穿的情況類似，屬于破壞性擊穿。1.最大漏極電流最大漏極電流IDMN溝道溝道P溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型耗盡型耗盡型N溝道溝道P溝道溝道N溝道溝道P溝道溝道（耗盡型）（耗盡型）FET場(chǎng)效晶體管場(chǎng)效晶體管JFET結(jié)型結(jié)型MOSFET絕緣柵型絕緣柵型(IGFET)場(chǎng)效晶體場(chǎng)效晶體 管的分類管的分類3.3 場(chǎng)效晶體管的比

16、較場(chǎng)效晶體管的比較絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型P溝道增強(qiáng)型3.3 各種場(chǎng)效晶體管的比較各種場(chǎng)效晶體管的比較絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道耗盡型P 溝道耗盡型場(chǎng)效晶體管與晶體管的區(qū)別場(chǎng)效晶體管與晶體管的區(qū)別1. 晶體管是晶體管是電流控制元件電流控制元件；場(chǎng)效應(yīng)管是；場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件電壓控制元件。2. 晶體管參與導(dǎo)電的是晶體管參與導(dǎo)電的是電子電子空穴空穴，因此稱其為雙極型器件；，因此稱其為雙極型器件； 場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，參與導(dǎo)電的只有場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，參與導(dǎo)電的只有一種載流子一種載流子， 因此稱其為單極型器件。因此稱其為單極型器件。3. 晶體管的晶體管的輸入電阻較低輸入電阻較低，一般，一般

17、102104 ； 場(chǎng)效晶體管的場(chǎng)效晶體管的輸入電阻高輸入電阻高，可達(dá)，可達(dá)1091014 場(chǎng)效晶體管與晶體管的應(yīng)用場(chǎng)效晶體管與晶體管的應(yīng)用均可用于放大電路和開關(guān)電路，構(gòu)成品種繁多的集成電路。均可用于放大電路和開關(guān)電路，構(gòu)成品種繁多的集成電路。 一、基本共源放大電路一、基本共源放大電路 三、分壓式偏置電路三、分壓式偏置電路 一、場(chǎng)效應(yīng)管的低頻小信號(hào)等效模型一、場(chǎng)效應(yīng)管的低頻小信號(hào)等效模型 二、基本共源放大電路的二、基本共源放大電路的動(dòng)態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析3.4.1 場(chǎng)效晶體管的直流偏置放大電路及靜態(tài)分析場(chǎng)效晶體管的直流偏置放大電路及靜態(tài)分析 二、自給偏壓電路二、自給偏壓電路3.4.2 場(chǎng)效晶體管放大電

18、路的動(dòng)態(tài)分析場(chǎng)效晶體管放大電路的動(dòng)態(tài)分析 三、基本共漏放大電路的三、基本共漏放大電路的動(dòng)態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析3.4 場(chǎng)效晶體管放大電路場(chǎng)效晶體管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流元件，具有高輸入阻抗。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流元件，具有高輸入阻抗。（以（以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例）溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例）場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的三種接法場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的三種接法（a）共源電路（b）共漏電路（c）共柵電路3.4.1 場(chǎng)效晶體管的直流偏置放大電路及靜態(tài)分場(chǎng)效晶體管的直流偏置放大電路及靜態(tài)分析析3.4.1 場(chǎng)效晶體管的直流偏置放大電路及靜態(tài)分場(chǎng)效晶體管的直流偏置放大電路及靜態(tài)分析析NJEFT PJEFT 增強(qiáng)型NMOS增強(qiáng)

19、型PMOS耗盡型NMOS耗盡型PMOSUGS負(fù)正正負(fù)正、零、負(fù)正、零、負(fù)UDS正負(fù)正負(fù)正負(fù)場(chǎng)效應(yīng)管偏置電壓的極性表場(chǎng)效應(yīng)管偏置電壓的極性表一、自給偏壓電路一、自給偏壓電路sDQSQGQGSQsDQSQGQ0RIUUURIUU ，2PGSQDSSD)1 (UUII)(sdDQDDDSQRRIVU+由正電源獲得負(fù)偏壓由正電源獲得負(fù)偏壓稱為自給偏壓稱為自給偏壓哪種場(chǎng)效應(yīng)管能夠采用這種電路形式設(shè)置哪種場(chǎng)效應(yīng)管能夠采用這種電路形式設(shè)置Q點(diǎn)？點(diǎn)？3.4.1 場(chǎng)效晶體管的直流偏置放大電路及靜態(tài)分場(chǎng)效晶體管的直流偏置放大電路及靜態(tài)分析析1. 估算法估算法一、自給偏壓電路一、自給偏壓電路sDQSQGQGSQRI

20、UUU)(sdDQDDDSQRRIVU+3.4.1 場(chǎng)效晶體管的直流偏置放大電路及靜態(tài)分場(chǎng)效晶體管的直流偏置放大電路及靜態(tài)分析析2.2.圖解法圖解法二、分壓式偏置電路二、分壓式偏置電路sDQSQDDg2g1g1AQGQRIUVRRRUU+2TGSQDOD) 1(UUII)(sdDQDDDSQRRIVU+為什么加為什么加Rg3?其數(shù)值應(yīng)大些小些？其數(shù)值應(yīng)大些小些？哪種場(chǎng)效應(yīng)管能夠采用這種電路形式設(shè)置哪種場(chǎng)效應(yīng)管能夠采用這種電路形式設(shè)置Q點(diǎn)？點(diǎn)？即典型的即典型的Q點(diǎn)穩(wěn)定電路點(diǎn)穩(wěn)定電路3.4.1 場(chǎng)效晶體管的直流偏置放大電路及靜態(tài)分場(chǎng)效晶體管的直流偏置放大電路及靜態(tài)分析析),(DSGSDuufi i

21、D 的全微分為的全微分為DSDSDGSGSDDdddGSDSuuiuuiiUU + + 上式中定義：上式中定義：DSGSDmUuig GSDSDSD1Uuir 場(chǎng)效應(yīng)管的跨導(dǎo)場(chǎng)效應(yīng)管的跨導(dǎo)( (毫毫西門子西門子 mS) )。 場(chǎng)效應(yīng)管漏源之間等效電阻。場(chǎng)效應(yīng)管漏源之間等效電阻。一、場(chǎng)效應(yīng)管的微變等效模型一、場(chǎng)效應(yīng)管的微變等效模型3.4.2 場(chǎng)效晶體場(chǎng)效晶體 管放大電路的動(dòng)態(tài)分析管放大電路的動(dòng)態(tài)分析DSGSDmUuig近似分析時(shí)可認(rèn)近似分析時(shí)可認(rèn)為其為無窮大！為其為無窮大！根據(jù)根據(jù)iD的表達(dá)式或轉(zhuǎn)移特性可求得的表達(dá)式或轉(zhuǎn)移特性可求得gm。dSDSgsmd1UrUgI+ + 由于沒有柵極電流，所以

22、柵源是懸空的。由于沒有柵極電流，所以柵源是懸空的。是一個(gè)受控源。是一個(gè)受控源。 gsmUgDSDSDGSGSDDdddGSDSuuiuuiiUU + + 2TGSDOD) 1(UUIIDODTDODTDOTGSTDOGSD22) 1(2DSDSIIUIIUIUUUIuigUUm2PGSQDSSDQ)1 (UUIIDSSDQP2IIUgm對(duì)于對(duì)于N溝道溝道增強(qiáng)型管子：增強(qiáng)型管子：對(duì)于對(duì)于N溝道耗盡型管子：溝道耗盡型管子：二、共源放大電路的動(dòng)態(tài)分析二、共源放大電路的動(dòng)態(tài)分析LdoiLdmgsLddio/RRRRRRgURRIUUAu若Rd=RL=3k， Rg=5k， gm=2mS，則與共射電路比較。?uA1.1.自給