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文檔簡介
1、無機(jī)材料的介電性質(zhì)6.3介電強(qiáng)度介電強(qiáng)度 v介質(zhì)的特性,指在一定的電場強(qiáng)度范圍內(nèi)的材料的特性。當(dāng)電場強(qiáng)度超過某一臨界值時(shí),介質(zhì)由介電狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)。這種現(xiàn)象稱介電強(qiáng)度的破壞,或叫介質(zhì)的擊穿。相應(yīng)的臨界電場強(qiáng)度稱為介電強(qiáng)度,或稱為擊穿電場強(qiáng)度。v擊穿類型分為三種:熱擊穿、點(diǎn)擊穿、局部放電擊穿 2 固體電介質(zhì)的擊穿 1)熱擊穿)熱擊穿 處于電場中的介質(zhì),由于其中的介質(zhì)損耗而受熱,當(dāng)外加電壓足夠高時(shí),可能從散熱與發(fā)熱的熱平衡狀態(tài)轉(zhuǎn)入不平衡狀態(tài),若發(fā)出的熱量比散去的多,介質(zhì)溫度將愈來愈高,直至出現(xiàn)永久性損壞,這就是熱擊穿。 (1)電壓長期作用,介質(zhì)內(nèi)溫度變化極慢穩(wěn)態(tài)熱擊穿; (2)電壓作用時(shí)間很短,
2、散熱來不及進(jìn)行脈沖熱擊穿。 設(shè)有厚度為d,面積無限大的平板電容器,外施直流電壓U0。設(shè)介質(zhì)導(dǎo)熱系數(shù)為,只考慮x方向熱流,得包含溫升、散熱、發(fā)熱在內(nèi)的熱平衡方程 當(dāng)處于熱穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)如果采用電流密度 J=E,則上式可化為 解此方程,可求出熱擊穿電壓U0(臨界電壓) Oxd/2d/2U0U0/2-U0/2U=0T=Tm1 溫度不均勻的厚膜介質(zhì)T=T0T=T0dxdTdxdTdxdTddxdxdTdxdJUxxx00000dxdT因?yàn)閐xdTdxdUUdxdTEUdxdTJUdTUdUOxd/2d/2U0U0/2-U0/2U=0T=TmT=T0T=T0mmTTUTTdTUdTUdUdTUdU00081
3、020設(shè)臨界電壓Uoc=U0mTTocdTU081kTWe/0電導(dǎo)率mTTkTWocdTeU008102210208kTWoceWkKTU一般T0不太大時(shí),02TBocAeU由上面的公式可以得到:1)熱擊穿電壓隨著環(huán)境溫度升高而降低2)熱擊穿電壓與介質(zhì)厚度無關(guān),當(dāng)介質(zhì)厚度增大時(shí),熱擊穿場強(qiáng)降低2 溫度均勻的薄膜介質(zhì)兩點(diǎn)假設(shè):1)試樣內(nèi)始終是等溫的2)試樣溫度T向周圍介質(zhì)溫度T0熱量傳輸時(shí),形式簡化為)(0TT 試樣溫度溫度,滿足下面的條件不會(huì)發(fā)生擊穿)(0TTUJkTWe/0利用 近似代替 其中)(00TTekTWe/020kTW)()()(0)(02000TTedUTTUETTUJTT臨界擊
4、穿溫度Toc滿足下列條件:ococococTocTTTocTTTTTTedUTTedU)()(0)(020)(0200解這個(gè)方程組:2100)(1edUTTococ擊穿電壓和試樣厚度的關(guān)系可以作為熱擊穿的判據(jù)2)電擊穿)電擊穿在強(qiáng)電場下,固體導(dǎo)帶中可能因冷發(fā)射或熱發(fā)射存在一些電子。這些電子一方面在外電場作用下被加速,獲得動(dòng)能;另一方面與晶格振動(dòng)相互作用,把電場能量傳遞給晶格。當(dāng)這兩個(gè)過程在一定溫度和場強(qiáng)下平衡時(shí),固體介質(zhì)有穩(wěn)定的電導(dǎo);當(dāng)電子從電場中得到的能量大于傳遞給晶格振動(dòng)的能量時(shí),電子的動(dòng)能就越來越大,至電子能量大到一定值時(shí),電子與晶格振動(dòng)相互作用導(dǎo)致電離產(chǎn)生新電子,使自由電子數(shù)迅速增加,
5、電導(dǎo)進(jìn)入不穩(wěn)定階段,擊穿發(fā)生。3. 無機(jī)材料的擊穿a) 不均勻介質(zhì)中的電壓分配設(shè)雙層介質(zhì)具有各不相同的電性質(zhì), 和第一層、第二層的介電常數(shù)、電導(dǎo)率、厚度。分別代表若在此系統(tǒng)上加直流電壓U,則各層內(nèi)的電場強(qiáng)度1,2 b) 內(nèi)電離 材料中氣泡的 及 很小,加上電壓后氣泡上的電場較高,首先氣泡擊穿,引起氣體放電(電離)產(chǎn)生大量的熱,容易引起整個(gè)介質(zhì)擊穿.由于在產(chǎn)生熱量的同時(shí),形成相當(dāng)高的內(nèi)應(yīng)力,材料也易喪失機(jī)械強(qiáng)度而被破壞,這種擊穿稱為電-機(jī)械-熱擊穿c) 表面放電和邊緣擊穿 固體介質(zhì)的表面放電屬于氣體放電。固體介質(zhì)常處于周圍氣體媒質(zhì)中,有時(shí)介質(zhì)本身并未擊穿,但有火花掠過它的表面,這就是表面放電 (
6、)固體介質(zhì)材料不同,表面放電電壓也不同。陶瓷介質(zhì)由于介電常數(shù)大、表面吸濕等原因,引起離子式高壓極化,使表面電場畸變,表面擊穿電壓降低。()固體介質(zhì)與電極接觸不好,使表面擊穿電壓降低()電場的頻率不同,表面擊穿電壓也不同。隨頻率升高,擊穿電壓降低。6.4鐵電體v鐵電體的極化強(qiáng)度與外電場呈非線性關(guān)系鐵電體的電滯回線Ps:飽和極化強(qiáng)度Pr:剩余極化強(qiáng)度Es:矯頑電場(強(qiáng)度)鐵電體存在居里點(diǎn),居里點(diǎn)以下顯鐵電性 位移型鐵電晶體,如BaTiO3、KNbO3、LiNbO3等含有氧八面體結(jié)構(gòu)的氧化物晶體,通過單胞內(nèi)正負(fù)離子的相對(duì)位移產(chǎn)生電偶極矩 無序一有序型鐵電晶體,如KDP、TGS等含有O-H-O鍵或N-
7、H-O(或N-H)鍵的化合物晶體,則通過無序的鍵取向到有序鍵取向的轉(zhuǎn)變產(chǎn)生電偶極矩,鐵電體的分類BaTiO3晶體自發(fā)極化的微觀機(jī)理鈦酸鋇的居里溫度為120度,在居里溫度以上,是立方晶系。鈦酸鋇晶體的自發(fā)極化是由晶胞中鈦離子的位移引起的。在鈦酸鋇晶體中,鈦離子處于“氧的八面體”中央。鈦氧離子間距離較鈦氧離子半徑稍大,鈦離子能在氧八面體內(nèi)移動(dòng),在居里溫度(120)以上,雖然氧八面體空隙較大,允許鈦離子向六個(gè)氧離子中的任何一個(gè)位移,然而,由于熱運(yùn)動(dòng)能量很高,不會(huì)在偏離中心的任何位置固定下來,鈦離子向周圍六個(gè)氧離子靠近的幾率是相等的,不會(huì)形成自發(fā)極化但在居里溫度以下,熱運(yùn)動(dòng)能量減小,由于鈦氧離子之間形
8、成的電場的作用,鈦離子就有可能向某個(gè)氧原子靠近,并在這個(gè)位置固定下來,產(chǎn)生自發(fā)位移,結(jié)果晶胞發(fā)生畸變,晶胞沿鈦離子位移的方向(即c軸方向)伸長,其它兩個(gè)方向(即原立方a軸與b軸方向)上則縮短,從而變成了四方晶系,晶胞中出現(xiàn)電矩,產(chǎn)生自發(fā)極化。BaTiO3晶體自發(fā)極化120以上, BaTiO3為順電態(tài),不存在自發(fā)極化1205 , BaTiO3為四方晶系,自發(fā)極化沿c軸001方向5-80 , BaTiO3為斜方晶系,自發(fā)極化沿011方向-80 以下 , BaTiO3為菱形結(jié)構(gòu),自發(fā)極化沿111方向鐵電疇鐵電疇 在鐵電體中,我們將自發(fā)極化方向相同的區(qū)域稱作鐵電疇,而不同極化方向的鐵電疇之間的界面稱作
9、鐵電疇界。各種因素對(duì)電滯回線的影響()溫度對(duì)電滯回線的影響 極化溫度的高低影響到電疇運(yùn)動(dòng)和轉(zhuǎn)向的難易。矯頑場強(qiáng)和飽和場強(qiáng)隨溫度升高而降低。極化溫度較高,可以在較低的極化電壓下達(dá)到同樣的效果,其電滯回線形狀比較瘦長。 環(huán)境溫度對(duì)材料的晶體結(jié)構(gòu)也有影響,可使內(nèi)部自發(fā)極化發(fā)生改變,尤其是在相界處(晶型轉(zhuǎn)變溫度點(diǎn))更為顯著。例如,BaTiO在居里溫度附近,電滯回線逐漸閉合為一直線(鐵電性消失) ()極化時(shí)間和極化電壓對(duì)電滯回線的影響 電疇轉(zhuǎn)向需要一定的時(shí)間,時(shí)間適當(dāng)長一點(diǎn),極化就可以充分些。實(shí)驗(yàn)表明,在相同的電場強(qiáng)度E作用下,極化時(shí)間長的,具有較高的極化強(qiáng)度,也具有較高的剩余極化強(qiáng)度。極化電壓加大,電
10、疇轉(zhuǎn)向程度高,剩余極化變大。 ()晶體結(jié)構(gòu)對(duì)電滯回線的影響 同一種材料,單晶體和多晶體的電滯回線是不同的。單晶體的電滯回線很接近于矩形,Ps和Pr很接近,而且Pr較高;陶瓷的電滯回線中Ps與Pr相差較多,表明陶瓷多晶體不易定向排列。rT 在實(shí)際制造中需要解決調(diào)整居里點(diǎn)和居里點(diǎn)處介電常數(shù)的峰值問題,這就是所謂“移峰效應(yīng)”和“壓峰效應(yīng)” 在鐵電體中引入某種添加物生成固溶體,改變?cè)瓉淼木О麉?shù)和離子間的相互聯(lián)系,使居里點(diǎn)向低溫或高溫方向移動(dòng),這就是“移峰效應(yīng)”。 “壓峰效應(yīng)”是降低居里點(diǎn)處的介電常數(shù)的峰值 反鐵電體v相似點(diǎn):反鐵電體的晶體結(jié)構(gòu)類似于鐵電體,高介電常數(shù),介電常數(shù)與溫度的非線性關(guān)系。v不
11、同點(diǎn):反鐵電體電疇內(nèi)相鄰離子沿反平行方向自發(fā)極化,每個(gè)電疇存在兩個(gè)方向相反、大小相等的偶極子。反鐵電體每個(gè)電疇總是自發(fā)極化為零。當(dāng)外電場降為零時(shí),反鐵電體沒有剩余極化。鐵電體的電滯回線反鐵電體的電滯回線鐵電體的性能及應(yīng)用 由于它有剩余極化強(qiáng)度,因而鐵電體可用來作信息存儲(chǔ)、圖象顯示。目前已經(jīng)研制出一些透明鐵電陶瓷器件,如鐵電存儲(chǔ)和顯示器件、光閥,全息照相器件等,就是利用外加電場使鐵電疇作一定的取向,目前得到應(yīng)用的是摻鑭的鋯鈦酸鉛(PLZT)透明鐵電陶瓷以及Bi4Ti3O12鐵電薄膜。 由于鐵電體的極化隨E而改變。晶體的折射率也隨E改變。這種由于外電場引起晶體折射率的變化稱為電光效應(yīng)。利用晶體的電
12、光效應(yīng)可制作光調(diào)制器、晶體光閥、電光開關(guān)等光器件。目前應(yīng)用到激光技術(shù)中的晶體很多是鐵電晶體,如LiNbO3LiTaO3,KTN(鉭鈮酸鉀等) 鐵電陶瓷的擴(kuò)散相變化引起電致伸縮。電效應(yīng)變大,回零好,熱穩(wěn)定,可用于電控微位移,致動(dòng)器。v鐵電陶瓷具有比較的介電常數(shù),有些達(dá)20000以上。利用其高介電常數(shù)可制成大容量電容器,其介電常數(shù)與外電場呈非線性關(guān)系,可用于介質(zhì)放大器。v最常用反鐵電體由PbZrO3基固溶體組成。反鐵電陶瓷具有儲(chǔ)能密度高,儲(chǔ)能釋放充分等優(yōu)點(diǎn),用作儲(chǔ)能電容器。反鐵電體發(fā)生反鐵電 鐵電相變時(shí),伴隨很大應(yīng)變(0.1%0.5%),利用相變形變作成電換能器。反電陶瓷還可用作電壓調(diào)節(jié)器和介質(zhì)天
13、線。6.5 壓電性v壓電性 電介質(zhì)晶體可以通過機(jī)械作用發(fā)生極化,導(dǎo)致介質(zhì)兩端表面出現(xiàn)符號(hào)相反的束縛電荷,電荷密度同外力成比例。材料的這種效應(yīng)(性質(zhì))稱為壓電效應(yīng)(性)。 正壓電效應(yīng) 晶體在受機(jī)械力而變形時(shí),在晶體表明產(chǎn)生電荷的現(xiàn)象稱為正壓電效應(yīng)。 逆壓電效應(yīng) 對(duì)晶體施加電壓時(shí),晶體發(fā)生變形的現(xiàn)象稱為逆壓電效應(yīng)。壓電效應(yīng)機(jī)理A 自由狀態(tài)B 壓縮狀態(tài)C 拉伸狀態(tài)壓電效應(yīng)本質(zhì):機(jī)械作用(應(yīng)力與應(yīng)變)引起晶體的極化,導(dǎo)致兩端表面出現(xiàn) 了符號(hào)相反的電荷v對(duì)于壓電體,應(yīng)力引起額外電荷,電荷正比于應(yīng)力(正壓電效應(yīng))。單位面積的電荷Q/A(介質(zhì)電位D )與應(yīng)力的關(guān)系,通過壓電系數(shù)d聯(lián)系起來: D Q/A dT
14、 。 式中d的單位C/N。v對(duì)于逆壓電效應(yīng),施加電場E,產(chǎn)生成比例的應(yīng)變S,則: S dE 。式中d的單位m/V。 以上二式中的比例常數(shù)d和 d稱為壓電應(yīng)變系數(shù)d。v壓電電壓常數(shù)g:表示壓電材料在壓力作用下產(chǎn)生的電磁場,或應(yīng)變引起的電位移的關(guān)系。通過介電常數(shù)把d和g聯(lián)系起來: g= d /v壓電體的電行為和彈性行為之間的關(guān)系,需用壓電方程來表示,這里不做介紹壓電效應(yīng)的表達(dá)方法 壓電振子及其參數(shù) a) 諧振頻率和反諧振頻率若壓電振子是具有固有振動(dòng)頻率fr的彈性體,當(dāng)施加于壓電振子上的激勵(lì)信號(hào)頻率等于fr時(shí),壓電振子由于逆壓電效應(yīng)產(chǎn)生機(jī)械諧振,它又借助于正壓電效應(yīng)而輸出電信號(hào)。 ofZfmfn壓電
15、振子諧振時(shí),輸出電流達(dá)最大值,此時(shí)的頻率為最小阻抗頻率fm。當(dāng)信號(hào)頻率繼續(xù)增大到fn,輸出電流達(dá)最小值,fn叫最大阻抗頻率 壓電振子在最小阻抗頻率fm附近,存在一個(gè)使信號(hào)電壓與電流同位相的頻率,這個(gè)頻率就是壓電振子的諧振頻率fr; 在fn附近存在另一個(gè)使信號(hào)電壓與電流同位相的頻率,這個(gè)頻率叫壓電振子的反諧振頻率fa. 在機(jī)械損耗為零的條件下,fm=fr,fn=fa b) 頻率常數(shù) 壓電元件的諧振頻率與沿振動(dòng)方向的長度的乘積為一常數(shù)稱為頻率常數(shù)N(kHzm) 例如陶瓷薄長片沿長度方向伸縮振動(dòng)的頻率常數(shù)Nl: lfNr1其中fr為陶瓷薄片的諧振頻率Ylfr21Y楊氏模量,為材料的密度YN211頻率
16、常數(shù)只與材料的性質(zhì)有關(guān)v表示壓電材料的機(jī)械能與電能之間的耦合關(guān)系,定義為: v壓電振子的機(jī)械能與振子的形狀和震動(dòng)模式有關(guān)。不同的模式有不同的耦合系數(shù)。機(jī)電耦合系數(shù)K6.6 熱釋電性v 某些晶體當(dāng)溫度變化時(shí)產(chǎn)生極化現(xiàn)象,或者某些晶體原來存在的自發(fā)極化,當(dāng)溫度變化時(shí)其極化強(qiáng)度會(huì)發(fā)生變化,這些現(xiàn)象稱為熱釋電現(xiàn)象。 v熱釋電體的自發(fā)極化Ps 由于熱膨脹隨溫度T而發(fā)生變化, Ps= T, 成為熱釋電系數(shù)。 熱釋電系數(shù)電介質(zhì)鐵電體壓電體熱釋電體w電介質(zhì)、壓電體、熱釋電體和鐵電體之間的關(guān)系,如下圖所示:v晶體的對(duì)稱性和壓電效應(yīng) 壓電效應(yīng)的本質(zhì)是對(duì)晶體施加應(yīng)力時(shí),改變了晶體內(nèi)部的電極化。具有對(duì)稱中心的晶體不具
17、有壓電效應(yīng),因?yàn)檫@類晶體在受到壓力的作用時(shí),內(nèi)部發(fā)生均勻的形變,仍然保持質(zhì)點(diǎn)間的對(duì)稱排列規(guī)律,正、負(fù)電荷重心重合,不產(chǎn)生電極化。只有不具有對(duì)稱中心的晶體才會(huì)具有壓電效應(yīng)。 在32種宏觀對(duì)稱類型中,不具有對(duì)稱中心的有21種,其中有一種的壓電常數(shù)為0,其余20種具有壓電效應(yīng)。v熱釋電性和極性 熱釋電效應(yīng)是由于晶體中存在自發(fā)極化而引起的。具有對(duì)稱中心的晶體,不具有熱釋電性。這點(diǎn)同壓電晶體是一樣的。但是,壓電晶體不一定具有熱釋電性。只有當(dāng)晶體中存在有與其他極軸都不相同的惟一極軸時(shí),才有可能由熱膨脹引起晶體總電矩的改變,從而表現(xiàn)出熱釋電效應(yīng)。在20種壓電晶體中,只有10種點(diǎn)群的晶體可能具有熱釋電性。v鐵
18、電、壓電陶瓷 具有壓電效應(yīng)的晶體有很多種,但是成為陶瓷材料后,往往不具有壓電性能,這是因?yàn)樘沾墒且环N多晶體,由于其中各細(xì)小的晶體的紊亂取向,將各晶粒的壓電效應(yīng)抵消。宏觀上不表現(xiàn)壓電效應(yīng)。鐵電陶瓷也是這樣,宏觀上一般無極性。 將鐵電陶瓷預(yù)先經(jīng)強(qiáng)直流電場作用,使各晶粒的自發(fā)極化方向都擇優(yōu)取向成為有規(guī)則的排列(這個(gè)過程稱為人工極化),當(dāng)外電場去處后,陶瓷內(nèi)仍能保留相當(dāng)?shù)氖S鄻O化強(qiáng)度,這時(shí)陶瓷具有了宏觀極性,也就有了壓電性。因此壓電陶瓷一般也是鐵電陶瓷,稱為鐵電、壓電陶瓷極化電場極化電場 極化電場越高,促使電疇取向排列的作用越大,極化就越充分。極化電場通常為矯頑電場的二至三倍極化溫度極化溫度 在極化電場和時(shí)間一定的條件下,極化溫度高,電疇取向排列較易,極化效果好。常用壓電陶瓷材料的極化溫度通常取320-420K 極化時(shí)間極化時(shí)間極化時(shí)間長,電疇取向排列的程度高,極化效果較好,一般極化時(shí)間從幾分鐘到幾十分鐘 第一階段:從發(fā)現(xiàn)壓電效應(yīng)之年(188O 年)起至第一次世界大戰(zhàn)間,壓電效應(yīng)并未引起人們足夠重視,故壓電材料實(shí)際上尚未進(jìn)入實(shí)用階段。第二階段:第一次世界大戰(zhàn)(
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