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1、2022-5-301第四章第四章 MCS-51單片機(jī)時(shí)鐘與復(fù)位電路單片機(jī)時(shí)鐘與復(fù)位電路2022-5-3021.1.單片機(jī)的工作原理:單片機(jī)的工作原理: 取一條指令、譯碼、進(jìn)行微操作,再取一條指令、譯碼、取一條指令、譯碼、進(jìn)行微操作,再取一條指令、譯碼、進(jìn)行微操作,這樣自動(dòng)地、進(jìn)行微操作,這樣自動(dòng)地、步一步地由微操作按次序完成步一步地由微操作按次序完成相應(yīng)指令規(guī)定的功能。單片機(jī)的時(shí)鐘信號用來為單片機(jī)芯片相應(yīng)指令規(guī)定的功能。單片機(jī)的時(shí)鐘信號用來為單片機(jī)芯片內(nèi)部的各種微操作提供時(shí)間基準(zhǔn),機(jī)器啟動(dòng)后,指令的執(zhí)行內(nèi)部的各種微操作提供時(shí)間基準(zhǔn),機(jī)器啟動(dòng)后,指令的執(zhí)行順序如下圖所示順序如下圖所示: 一、時(shí)鐘
2、的基本概念一、時(shí)鐘的基本概念取指取指分析分析執(zhí)行執(zhí)行2.2.概念概念 時(shí)序:各指令的微操作在時(shí)間上有嚴(yán)格的次序,這時(shí)序:各指令的微操作在時(shí)間上有嚴(yán)格的次序,這種微操作的時(shí)間次序稱作時(shí)序。種微操作的時(shí)間次序稱作時(shí)序。 時(shí)鐘電路:用于產(chǎn)生單片機(jī)工作所需要時(shí)鐘信號的時(shí)鐘電路:用于產(chǎn)生單片機(jī)工作所需要時(shí)鐘信號的電路成為時(shí)鐘電路。電路成為時(shí)鐘電路。2022-5-303二、振蕩器和時(shí)鐘電路二、振蕩器和時(shí)鐘電路時(shí)鐘信號有兩種方式:內(nèi)部振蕩器方式;外部引入方式時(shí)鐘信號有兩種方式:內(nèi)部振蕩器方式;外部引入方式1.內(nèi)部振蕩器方式內(nèi)部振蕩器方式MCS-51MCS-51單片機(jī)內(nèi)部有一個(gè)高增益的單片機(jī)內(nèi)部有一個(gè)高增益的
3、反相放大器,其輸入端為引腳反相放大器,其輸入端為引腳XTAL1XTAL1(1919),輸出端為引腳),輸出端為引腳XTAL2XTAL2(1818),用于外接石英晶體振蕩器),用于外接石英晶體振蕩器或陶瓷諧振器和微調(diào)電容,構(gòu)成穩(wěn)或陶瓷諧振器和微調(diào)電容,構(gòu)成穩(wěn)定的自激振蕩器,其發(fā)出的脈沖直定的自激振蕩器,其發(fā)出的脈沖直接送入內(nèi)部的時(shí)鐘電路。如右圖或接送入內(nèi)部的時(shí)鐘電路。如右圖或圖圖4.14.1(a a)所示。)所示。2022-5-304圖圖4.1 MCS-514.1 MCS-51振蕩電路及外部時(shí)鐘源的連接振蕩電路及外部時(shí)鐘源的連接2022-5-305 電容電容C1C1,C2C2 對頻率有微調(diào)作用,
4、電容一般取值對頻率有微調(diào)作用,電容一般取值5 530pF30pF,典型,典型值為值為30pF30pF; 晶振晶振CYSCYS 選擇范圍為選擇范圍為1.2 1.2 12MHz12MHz,典型值為,典型值為6 MHz6 MHz和和12MHz12MHz。參數(shù)選擇:參數(shù)選擇:2022-5-306 外部引入方式常用于外部引入方式常用于多片單片機(jī)組成的系統(tǒng)多片單片機(jī)組成的系統(tǒng)中,以便中,以便各單元之間的時(shí)鐘信號同步運(yùn)行。各單元之間的時(shí)鐘信號同步運(yùn)行。 對于對于HMOSHMOS型單片機(jī)(如型單片機(jī)(如80518051),可用來輸入外部脈沖),可用來輸入外部脈沖信號,如圖信號,如圖4.14.1 (b b)所示
5、,)所示,XTAL1XTAL1(1919)接地,)接地,XTAL2XTAL2(1818)接外部時(shí)鐘,由于接外部時(shí)鐘,由于XTAL2XTAL2(1818)的邏輯電平與)的邏輯電平與TTLTTL電平不兼容,電平不兼容,所以應(yīng)接一個(gè)上拉電阻。所以應(yīng)接一個(gè)上拉電阻。 對于對于CHMOSCHMOS單片機(jī)(如單片機(jī)(如80C5180C51),外部時(shí)鐘要由),外部時(shí)鐘要由XTAL1XTAL1引入,而引入,而XTAL2XTAL2引腳應(yīng)懸空。如圖引腳應(yīng)懸空。如圖4.14.1(c c)所示。)所示。2.2.外部引入方式外部引入方式2022-5-307三、時(shí)序單位三、時(shí)序單位基本概念:基本概念:MCS- 51MCS
6、- 51時(shí)序的定時(shí)單位共有時(shí)序的定時(shí)單位共有4 4個(gè),個(gè),從小到大從小到大依次是:依次是:時(shí)時(shí)鐘周期(節(jié)拍)、狀態(tài)周期、機(jī)器周期和指令周期鐘周期(節(jié)拍)、狀態(tài)周期、機(jī)器周期和指令周期。 時(shí)鐘周期(節(jié)拍,振蕩周期):是指時(shí)鐘周期(節(jié)拍,振蕩周期):是指振蕩器產(chǎn)生一個(gè)振蕩器產(chǎn)生一個(gè)振蕩脈沖信號所用的時(shí)間,是振蕩脈沖信號所用的時(shí)間,是振蕩頻率的倒數(shù)振蕩頻率的倒數(shù),稱為節(jié),稱為節(jié)拍,為拍,為最小的時(shí)序單位最小的時(shí)序單位。2022-5-3082.2.狀態(tài)周期:指振蕩器脈沖狀態(tài)周期:指振蕩器脈沖信號經(jīng)過信號經(jīng)過時(shí)鐘電路二分頻時(shí)鐘電路二分頻之之后產(chǎn)生的單片機(jī)時(shí)鐘信號的后產(chǎn)生的單片機(jī)時(shí)鐘信號的周期(用周期(用
7、S S表示)稱為狀態(tài)表示)稱為狀態(tài)周期。故周期。故1 1個(gè)狀態(tài)周期個(gè)狀態(tài)周期S S包含包含2 2個(gè)節(jié)拍個(gè)節(jié)拍,前一時(shí)鐘周期稱,前一時(shí)鐘周期稱為為P1P1拍,后一個(gè)時(shí)鐘周期稱拍,后一個(gè)時(shí)鐘周期稱為為P2P2拍。如圖拍。如圖4.24.2所示:所示:圖圖4.2 80C514.2 80C51單片機(jī)時(shí)鐘信號單片機(jī)時(shí)鐘信號2022-5-3093. 3. 機(jī)器周期:是指機(jī)器周期:是指CPUCPU完成某一個(gè)規(guī)定操作所需的時(shí)間。完成某一個(gè)規(guī)定操作所需的時(shí)間。 MCS-51 MCS-51單片機(jī)的一單片機(jī)的一個(gè)機(jī)器周期包含個(gè)機(jī)器周期包含6 6個(gè)狀態(tài)個(gè)狀態(tài),并依次,并依次表示為:表示為:S1S1S6S6,每個(gè)狀態(tài)分為
8、每個(gè)狀態(tài)分為2 2個(gè)拍個(gè)拍。故一。故一個(gè)機(jī)器周期包個(gè)機(jī)器周期包含含1212個(gè)節(jié)拍(時(shí)鐘周期),個(gè)節(jié)拍(時(shí)鐘周期),依次表示為:依次表示為:S1P1S1P1、S1P2S1P2、S2P1S2P1、S6P1S6P1、S6P2S6P2。若采用。若采用12MHz12MHz的晶振時(shí),則一個(gè)機(jī)器的晶振時(shí),則一個(gè)機(jī)器周期為周期為1s1s;若采用晶振;若采用晶振6MHz6MHz時(shí),則一個(gè)機(jī)器周期為時(shí),則一個(gè)機(jī)器周期為2s2s。2022-5-30104. 4. 指令周期指令周期 是是CPUCPU執(zhí)行一條指令所需要的時(shí)間為指令周期。執(zhí)行一條指令所需要的時(shí)間為指令周期。 MCS-51 MCS-51單片機(jī)指令包含單片機(jī)
9、指令包含1 1個(gè)或個(gè)或2 2個(gè)或個(gè)或4 4個(gè)機(jī)器周期個(gè)機(jī)器周期。 若采用若采用6MHz6MHz晶振,則振蕩周期為晶振,則振蕩周期為1/6s1/6s,機(jī)器周期為,機(jī)器周期為2s2s、4s4s或或8s8s。2022-5-3011 MCS-51 MCS-51系列單片機(jī)的指令按其長度可分為:系列單片機(jī)的指令按其長度可分為:單字節(jié)單字節(jié)指令,雙字節(jié)指令和三字節(jié)指令指令,雙字節(jié)指令和三字節(jié)指令。四、取指令和執(zhí)行指令時(shí)間四、取指令和執(zhí)行指令時(shí)間 由圖由圖4.34.3所示,所示,ALEALE信號在一個(gè)機(jī)器周期內(nèi)兩次有效,第信號在一個(gè)機(jī)器周期內(nèi)兩次有效,第一次在一次在S1P2S1P2和和S2P1S2P1期間,第
10、二次在期間,第二次在S4P2S4P2和和S5P1S5P1期間,期間,ALEALE信信號的有效寬度為一個(gè)號的有效寬度為一個(gè)S S狀態(tài)。每出現(xiàn)一個(gè)狀態(tài)。每出現(xiàn)一個(gè)ALEALE信號,信號,CPUCPU就可就可進(jìn)行一次取指操作。進(jìn)行一次取指操作。2022-5-3012圖4.3 MCS-51單片機(jī)的去取指/執(zhí)行時(shí)序a)單字節(jié)單周期;b)雙字節(jié)單周期指令;c)單字節(jié)雙周期字節(jié);d)雙字節(jié)雙周期指令2022-5-3013 圖圖4.34.3(a a)與()與(b b)分別為單字節(jié)單周期和雙字節(jié)單周)分別為單字節(jié)單周期和雙字節(jié)單周期指令的時(shí)序。期指令的時(shí)序。 對于單周期指令對于單周期指令,在把指令碼讀入指令寄存
11、器時(shí),從,在把指令碼讀入指令寄存器時(shí),從S1P2S1P2開始執(zhí)行指令。開始執(zhí)行指令。 如果它為雙字節(jié)指今,則在同一機(jī)器周期的如果它為雙字節(jié)指今,則在同一機(jī)器周期的S4S4讀入第二讀入第二字節(jié)字節(jié); 如果它為單字節(jié)指令,則在如果它為單字節(jié)指令,則在S4S4仍舊進(jìn)行讀操作仍舊進(jìn)行讀操作,但,但讀入讀入的字節(jié)的字節(jié)( (它應(yīng)是下一個(gè)指令碼它應(yīng)是下一個(gè)指令碼) )被忽略,而且程序計(jì)數(shù)據(jù)不被忽略,而且程序計(jì)數(shù)據(jù)不加加1 1。在任何情況下,在在任何情況下,在S6P2結(jié)束指令操作結(jié)束指令操作。2022-5-3014 圖圖4.34.3(c c)為雙字節(jié)單周期指令的時(shí)序,在兩個(gè)機(jī)器)為雙字節(jié)單周期指令的時(shí)序,在
12、兩個(gè)機(jī)器周期內(nèi)發(fā)生周期內(nèi)發(fā)生4 4次讀操作碼的操作,由于是單字節(jié)指令,次讀操作碼的操作,由于是單字節(jié)指令,后后3 3次次讀操作都是無效讀操作都是無效的。的。 圖圖4.3(d)4.3(d)是訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的是訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的指令指令MOVXMOVX的時(shí)序的時(shí)序,它是一條單字節(jié)雙周期指令。在它是一條單字節(jié)雙周期指令。在第第個(gè)機(jī)器周期個(gè)機(jī)器周期S5S5開始開始時(shí),時(shí),送出外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的地址,隨后讀或?qū)憯?shù)據(jù),讀寫期間在送出外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的地址,隨后讀或?qū)憯?shù)據(jù),讀寫期間在ALEALE端不輸出有效信號;在第二個(gè)機(jī)器周期,即外部數(shù)據(jù)存端不輸出有效信號;在第二個(gè)機(jī)器周期,即外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器被尋址和選通
13、后也不產(chǎn)生取指操作。儲(chǔ)器被尋址和選通后也不產(chǎn)生取指操作。2022-5-3015時(shí)序的共同點(diǎn)時(shí)序的共同點(diǎn): 每一次每一次ALEALE信號有效,信號有效,CPUCPU均從均從ROMROM中讀取指令碼(包中讀取指令碼(包括操作碼和操作數(shù)),但不一定有效,讀了之后再丟棄(假括操作碼和操作數(shù)),但不一定有效,讀了之后再丟棄(假讀)。讀)。 有效時(shí),有效時(shí),PC+1PCPC+1PC不變(程序計(jì)數(shù)器不變(程序計(jì)數(shù)器PCPC不加不加1 1);無無效時(shí)不變效時(shí)不變。其余時(shí)間用于執(zhí)行指令操作功能,但在時(shí)序中沒。其余時(shí)間用于執(zhí)行指令操作功能,但在時(shí)序中沒有完全反映出。如雙字節(jié)單機(jī)器周期,分別在有完全反映出。如雙字節(jié)
14、單機(jī)器周期,分別在S1S1、S4S4讀操作讀操作碼和操作數(shù),執(zhí)行指令就一定在碼和操作數(shù),執(zhí)行指令就一定在S2S2、S3 S3 、S5 S5 、S6S6中完成。中完成。2022-5-3016第第4 4節(jié)節(jié) MCS-51MCS-51系列單片機(jī)的復(fù)位與掉電處理系列單片機(jī)的復(fù)位與掉電處理 一、復(fù)位與復(fù)位電路一、復(fù)位與復(fù)位電路1.復(fù)位:復(fù)位:是單片機(jī)的初始化操作,以便使是單片機(jī)的初始化操作,以便使CPUCPU和系統(tǒng)中其和系統(tǒng)中其他部件都處于一個(gè)確定的狀態(tài),并從這個(gè)狀態(tài)開始工作。他部件都處于一個(gè)確定的狀態(tài),并從這個(gè)狀態(tài)開始工作。 當(dāng)單片機(jī)系統(tǒng)在運(yùn)行出錯(cuò)或操作錯(cuò)誤使系統(tǒng)處于死當(dāng)單片機(jī)系統(tǒng)在運(yùn)行出錯(cuò)或操作錯(cuò)誤
15、使系統(tǒng)處于死鎖存時(shí),也可鎖存時(shí),也可按復(fù)位鍵按復(fù)位鍵重新啟動(dòng)。重新啟動(dòng)。 單片機(jī)復(fù)位后,單片機(jī)復(fù)位后,PCPC內(nèi)容初始化為內(nèi)容初始化為0000H0000H,那么單片機(jī),那么單片機(jī)就從就從0000H0000H單元單元開始執(zhí)行程序。片內(nèi)開始執(zhí)行程序。片內(nèi)RAMRAM為隨機(jī)值,運(yùn)行為隨機(jī)值,運(yùn)行中的復(fù)位操作不改變片內(nèi)中的復(fù)位操作不改變片內(nèi)RAMRAM的內(nèi)容。的內(nèi)容。2022-5-3017 復(fù)位后各寄存器的初態(tài)如下表復(fù)位后各寄存器的初態(tài)如下表4-14-1所示,其意義為:所示,其意義為: P0P3=FFH,相當(dāng)于各口鎖存器已寫入,相當(dāng)于各口鎖存器已寫入1 1,此時(shí)可用于輸出,此時(shí)可用于輸出/ /輸入;輸
16、入; SPSP07H07H,堆棧指針指向片內(nèi),堆棧指針指向片內(nèi)RAMRAM的的07H07H單元(第一個(gè)入棧內(nèi)容將寫入單元(第一個(gè)入棧內(nèi)容將寫入08H08H中);中); IPIP、IEIE和和PCONPCON的有效值為的有效值為0 0,各中斷源處于低優(yōu)先級且均被關(guān)斷,串,各中斷源處于低優(yōu)先級且均被關(guān)斷,串行通信的波特率不加倍;行通信的波特率不加倍; PSWPSW00H00H,當(dāng)前工作寄存器為,當(dāng)前工作寄存器為0 0組。組。表表4-1 4-1 寄存器的復(fù)位狀態(tài)寄存器的復(fù)位狀態(tài)2022-5-30182. 2. 復(fù)位電路復(fù)位電路圖4.4 8051復(fù)位電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)HMOSHMOS型型80518051復(fù)位
17、結(jié)構(gòu)如圖復(fù)位結(jié)構(gòu)如圖4.44.4所示。所示。復(fù)位引腳復(fù)位引腳RST/VPD(RST/VPD(它是掉電方式下它是掉電方式下內(nèi)部內(nèi)部RAMRAM的供電端的供電端VPD)VPD)通過一個(gè)通過一個(gè)施施密特觸發(fā)器與復(fù)位電路相連密特觸發(fā)器與復(fù)位電路相連。施密。施密特觸發(fā)器用來抑制噪聲,它的輸出特觸發(fā)器用來抑制噪聲,它的輸出在在每個(gè)機(jī)器周期的每個(gè)機(jī)器周期的S5P2S5P2由復(fù)位電路由復(fù)位電路采樣一次采樣一次。RSTRST引腳時(shí)復(fù)位信號的輸入端,引腳時(shí)復(fù)位信號的輸入端,復(fù)復(fù)位信號是高電平有效位信號是高電平有效,其有效時(shí),其有效時(shí)間應(yīng)持續(xù)間應(yīng)持續(xù)2424個(gè)時(shí)鐘周期個(gè)時(shí)鐘周期(2 2個(gè)機(jī)器個(gè)機(jī)器周期)以上。周期)
18、以上。2022-5-3019CHMOSCHMOS型的單片機(jī)復(fù)位結(jié)構(gòu)如圖型的單片機(jī)復(fù)位結(jié)構(gòu)如圖4.54.5所示,此處復(fù)位引腳只是單純所示,此處復(fù)位引腳只是單純的稱為的稱為RSTRST,而不是,而不是RSTRSTVPDVPD,因,因?yàn)闉镃HMOSCHMOS單片機(jī)的備用電源也由單片機(jī)的備用電源也由VCCVCC引腳提供。引腳提供。圖圖4.5 CHMOS4.5 CHMOS型單片機(jī)的復(fù)位結(jié)構(gòu)型單片機(jī)的復(fù)位結(jié)構(gòu)2022-5-3020 無論對無論對HMOSHMOS還是還是CHMOSCHMOS型,當(dāng)振蕩器正在運(yùn)行的情況下,型,當(dāng)振蕩器正在運(yùn)行的情況下,復(fù)位是靠在復(fù)位是靠在RSTRSTVPDVPD或或RSTRST
19、引腳至少保持兩個(gè)機(jī)器周期的引腳至少保持兩個(gè)機(jī)器周期的高電平而實(shí)現(xiàn)高電平而實(shí)現(xiàn)的。在的。在RSTRST端出現(xiàn)高電平后的第端出現(xiàn)高電平后的第2 2個(gè)周期,執(zhí)個(gè)周期,執(zhí)行內(nèi)部復(fù)位,以后每個(gè)周期重復(fù)行內(nèi)部復(fù)位,以后每個(gè)周期重復(fù)次,直至次,直至RSTRST端變低。端變低。RSTRST端的外部復(fù)位電路有兩種操作方式:端的外部復(fù)位電路有兩種操作方式:上電復(fù)位和按鍵手動(dòng)復(fù)位(人工復(fù)位)上電復(fù)位和按鍵手動(dòng)復(fù)位(人工復(fù)位)2022-5-3021圖4.6 上電復(fù)位電路 如圖如圖4.64.6所示,上電復(fù)位電路是所示,上電復(fù)位電路是利利用電容器充電實(shí)現(xiàn)用電容器充電實(shí)現(xiàn)的。上電瞬間,的。上電瞬間,RSTRST端的端的電位
20、與電位與VCCVCC相同,隨著電容的逐步充電,充相同,隨著電容的逐步充電,充電電流減小。電電流減小。RSTRST電位逐漸下降。上電復(fù)位電位逐漸下降。上電復(fù)位所需的最短時(shí)間是振蕩器建立時(shí)間加上兩所需的最短時(shí)間是振蕩器建立時(shí)間加上兩個(gè)機(jī)器周期。在這段時(shí)間內(nèi),個(gè)機(jī)器周期。在這段時(shí)間內(nèi),RSTRST端口的電端口的電平應(yīng)維持高于斯密特觸發(fā)器的下閾值。平應(yīng)維持高于斯密特觸發(fā)器的下閾值。般般VCCVCC的上升時(shí)間不超過的上升時(shí)間不超過1ms1ms,振蕩器建立,振蕩器建立時(shí)間不超過時(shí)間不超過10ms10ms。 復(fù)位電路的典型值:復(fù)位電路的典型值: 電容電容C C取取10F10F,R R取取8.2K8.2K。故
21、時(shí)間常數(shù)故時(shí)間常數(shù)足以滿足要求。足以滿足要求。(1 1)上電復(fù)位)上電復(fù)位6310 108.2 1082RCms2022-5-3022圖圖4.7 4.7 外部復(fù)位電路外部復(fù)位電路 外部復(fù)位電路如圖外部復(fù)位電路如圖4.74.7所示,所示,按下按鈕時(shí),電源對外接電容器充按下按鈕時(shí),電源對外接電容器充電,使電,使RSTRST為高電平,復(fù)位按鈕松為高電平,復(fù)位按鈕松開后,開后,電容通過內(nèi)部下拉電阻放電,電容通過內(nèi)部下拉電阻放電,逐漸使逐漸使RSTRST端恢復(fù)低電平端恢復(fù)低電平。(2)外部復(fù)位電路)外部復(fù)位電路2022-5-3023 程序計(jì)數(shù)器指針程序計(jì)數(shù)器指針PCPC 典型的復(fù)位電路既具有上電復(fù)位又具
22、有典型的復(fù)位電路既具有上電復(fù)位又具有外部的復(fù)位電路如圖外部的復(fù)位電路如圖4.84.8所示,所示, 上電瞬間,上電瞬間,C C與與RxRx構(gòu)成充電電路,構(gòu)成充電電路,RSTRST引引腳出現(xiàn)正脈沖,只要腳出現(xiàn)正脈沖,只要RSTRST保持足夠的高電平,保持足夠的高電平,就能使單片機(jī)復(fù)位。就能使單片機(jī)復(fù)位。 參數(shù)選擇參數(shù)選擇: 一般取一般取C C22F22F,R R200,Rx200,Rx1K1K,此時(shí),此時(shí), 當(dāng)按下按鈕時(shí),當(dāng)按下按鈕時(shí),RSTRST端電位:端電位:(1000/12001000/1200)5=4.2V5=4.2V,使單片機(jī)復(fù)位。,使單片機(jī)復(fù)位。6322 101 1022RCms 4.
23、8 4.8 上電外部復(fù)位電路上電外部復(fù)位電路2022-5-3024(4 4)抗干擾復(fù)位電路)抗干擾復(fù)位電路4.9 4.9 兩種實(shí)用復(fù)位電路兩種實(shí)用復(fù)位電路 上面幾種復(fù)位電路,干擾信號易串入復(fù)位端。一般情況不會(huì)造成單片機(jī)上面幾種復(fù)位電路,干擾信號易串入復(fù)位端。一般情況不會(huì)造成單片機(jī)的錯(cuò)誤復(fù)位,但有可能引起內(nèi)部某些寄存錯(cuò)誤復(fù)位。在應(yīng)用系統(tǒng)中,為了的錯(cuò)誤復(fù)位,但有可能引起內(nèi)部某些寄存錯(cuò)誤復(fù)位。在應(yīng)用系統(tǒng)中,為了保證復(fù)位電路可靠地工作,保證復(fù)位電路可靠地工作,常將常將RCRC電路在接施密特電路后再接入單片機(jī)復(fù)電路在接施密特電路后再接入單片機(jī)復(fù)位端及外圍電路復(fù)位端位端及外圍電路復(fù)位端。圖。圖4.94.9
24、給出了兩種實(shí)用電路。給出了兩種實(shí)用電路。2022-5-3025二、掉電處理二、掉電處理1.掉電保護(hù)方式掉電保護(hù)方式1234ABCD4321DCBATitleNumberRevisionSiz eA4Date:27-Feb-2006Sheet of File:C:Documents and SettingsAdministrator桌面MyDesign.ddbDrawn By:23486751RS T/VPDP1.0555C1C20.1uFR110KVCC掉電保護(hù):單片機(jī)如遇到掉電,掉電保護(hù):單片機(jī)如遇到掉電,將導(dǎo)致片內(nèi)將導(dǎo)致片內(nèi)RAMRAM和和SFRSFR中的信息丟中的信息丟失。為避免發(fā)生此種
25、情況,把失。為避免發(fā)生此種情況,把HMOSHMOS型的型的80518051單片機(jī)單片機(jī)RST/VPDRST/VPD引腳引腳作為備用電源,只要作為備用電源,只要VCCVCC上的電壓上的電壓低于低于VPDVPD上的電壓時(shí),備用電源就上的電壓時(shí),備用電源就通過通過VPDVPD端給內(nèi)部端給內(nèi)部RAMRAM供電,以低供電,以低功耗保持內(nèi)部功耗保持內(nèi)部RAMRAM中的數(shù)據(jù),這種中的數(shù)據(jù),這種方式稱為掉電保護(hù)。掉電保護(hù)電方式稱為掉電保護(hù)。掉電保護(hù)電路如圖路如圖4.104.10所示:所示:4.10 4.10 掉電保護(hù)電路掉電保護(hù)電路2022-5-3026 如如4.104.10所示,當(dāng)電源電壓所示,當(dāng)電源電壓V
26、CCVCC降到降到CPUCPU工作電源電壓所工作電源電壓所允許的最低下限之前,允許的最低下限之前,通過中斷服務(wù)程序通過中斷服務(wù)程序,把一些必須保,把一些必須保護(hù)信息轉(zhuǎn)存到片內(nèi)護(hù)信息轉(zhuǎn)存到片內(nèi)RAMRAM中,中,然后向然后向P1.0P1.0寫入寫入“0”0”,由,由P1.0P1.0輸出的低電平觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)電路輸出的低電平觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)電路555555。 在主電源恢復(fù)之前,片內(nèi)振蕩器被封鎖,一切功能停在主電源恢復(fù)之前,片內(nèi)振蕩器被封鎖,一切功能停止,并依靠止,并依靠VPDVPD引腳提供的電源來保護(hù)片內(nèi)引腳提供的電源來保護(hù)片內(nèi)RAMRAM中的數(shù)據(jù)。中的數(shù)據(jù)。 當(dāng)電源恢復(fù)時(shí),當(dāng)電源恢復(fù)時(shí),VPDVPD上的電
27、壓應(yīng)保持足夠的時(shí)間(約上的電壓應(yīng)保持足夠的時(shí)間(約10ms10ms),以完成復(fù)位操作,然后開始正常的工作。),以完成復(fù)位操作,然后開始正常的工作。2022-5-30272.2.節(jié)電工作方式節(jié)電工作方式對于對于CHMOSCHMOS型單片機(jī)(如型單片機(jī)(如80C5180C51)才有節(jié)電方式。)才有節(jié)電方式。有兩種:有兩種:待機(jī)(空閑)方式;掉電保護(hù)(停機(jī))方式待機(jī)(空閑)方式;掉電保護(hù)(停機(jī))方式。 持機(jī)持機(jī)( (空閑空閑) )方式:可使功耗減小,電流約為方式:可使功耗減小,電流約為1.71.75mA5mA; 掉電掉電( (停機(jī)停機(jī)) )方式:備用電源直接由方式:備用電源直接由VCCVCC端輸入,
28、可僅端輸入,可僅功耗減到最小,電流一般為功耗減到最小,電流一般為5 550uA50uA。 因此,因此,CHMOSCHMOS型單片機(jī)特別適用于低功耗應(yīng)用的場合型單片機(jī)特別適用于低功耗應(yīng)用的場合。 2022-5-3028待機(jī)待機(jī)( (空閑空閑) )方式和掉電方式和掉電( (停機(jī)停機(jī)) )方式都是由專用寄存器方式都是由專用寄存器PCON(PCON(電源控制寄存器電源控制寄存器) )中的有關(guān)位來控制的,其格式及各位中的有關(guān)位來控制的,其格式及各位的作用如下:的作用如下:(1)SMOD(1)SMOD:波特率倍增位。在串行口工作方式:波特率倍增位。在串行口工作方式1 1、2 2或或3 3下,下,SMODS
29、MOD1 1使波特率加倍。使波特率加倍。(2)GFl(2)GFl和和GF2GF2:通用標(biāo)志位。由軟件置位、復(fù)位。:通用標(biāo)志位。由軟件置位、復(fù)位。2022-5-3029(3)PD(3)PD:掉電方式位。若:掉電方式位。若PDPD1 1,進(jìn)入掉電工作方式。,進(jìn)入掉電工作方式。(4)IDL(4)IDL:待機(jī)方式位。各:待機(jī)方式位。各IDLIDL1 1,進(jìn)入持機(jī)工作方式。,進(jìn)入持機(jī)工作方式。 當(dāng)當(dāng)PDPD扣扣IDLIDL同時(shí)為同時(shí)為l l,則先進(jìn)入掉電工作方式。復(fù)位后,則先進(jìn)入掉電工作方式。復(fù)位后,PSONPSON中所有定義位均為中所有定義位均為“0”0”。2022-5-3030(1 1)待機(jī)方式)待機(jī)方式 用指令使用指令使PCONPCON中的中的IDLIDL位置位置1 1,80C5180C51就進(jìn)入待機(jī)方式。就進(jìn)入待機(jī)方式。 在待機(jī)方式下,振蕩器繼續(xù)運(yùn)行,時(shí)鐘信號繼續(xù)提在待機(jī)方式下,振蕩器繼續(xù)運(yùn)行,時(shí)鐘信號繼續(xù)提供給中斷邏輯。串行口和定時(shí)器,
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