鑄錠工藝題庫

1、鑄錠工藝助理工程師考試題鑄錠工藝考試試題及答案模板一、填空題硅是一種化學元素，化學符號是（Si），原子序數(shù)是（14），屬于元素周期表上IVA族的類金屬元素。多晶硅按純度可分為(太陽能)級和(電子)級。單晶硅就是晶向和結(jié)構(gòu)一致的硅。多晶硅通常是由(無固定晶向)和(結(jié)構(gòu))的硅組成。 單晶硅棒生產(chǎn)最常用的工藝就是(直拉法)，簡稱CZ。太陽能級硅的固態(tài)和液態(tài)的密度分別(2.33)g/cm3、(2.53)g/cm3。晶體硅在底部形核時，核心數(shù)目較(多)，晶粒尺寸較(小)。 石英坩堝的化學成份是(二氧化硅),化學式是(SiO2)。測量爐腔壓力的兩個壓力計量程各為(11000 mbar), (01 mbar

2、)。破碎的塊狀多晶硅具有無規(guī)則的形狀和隨機尺寸分布，其線性尺寸最小為(3)mm，最大為(200)mm。塊狀、棒狀多晶硅斷面結(jié)構(gòu)應(yīng)(致密)。156*156型錠開方后產(chǎn)生(25)塊硅塊，(20)塊邊料。公司主要原料是硅、主要參雜劑為(硼)。硅的定向凝固時硼的分凝系數(shù)是(0.8),磷的分凝系數(shù)是(0.35),碳的分凝系數(shù)是(0.07)。硅晶體的晶胞是(金剛石)結(jié)構(gòu)，含有(8)個原子，密排面是(111)面。從能量轉(zhuǎn)換角度來講，硅熔化過程是(吸熱)，長晶是(放熱)。熱傳導方式有哪幾種(熱輻射)、(熱對流)、(熱傳導)，多晶鑄錠爐的熱傳導方式以(熱輻射)為主。DSS爐在氣體模式框中顯示(outlet)時，

3、此時(inlet)流量固定，(outlet)自動調(diào)節(jié)保持設(shè)定壓力。頭尾紅區(qū)不良，造成頭部紅區(qū)不良主要為(金屬)雜質(zhì)；造成尾部紅區(qū)不良主要為（氧）雜質(zhì)。位錯的類型包括(刃型位錯)，(螺型位錯)，(混合位錯)。坩堝涂層的主要成分是(氮化硅)，化學式是(Si3N4)。21現(xiàn)單晶中氧施主使P型單晶電阻率(減小)、退火后其電阻率會(增加)。22硅材料中雜質(zhì)一般有(間隙態(tài))、(替位態(tài))、(復合體)、(沉淀)四種存在形態(tài)。23氣體模式下，最大壓力值(900mbar)；真空模式下，最大壓力值(5mbar)。24硅錠號定義是：(7)位。25目前發(fā)現(xiàn)的硅有 (三)種同位素。26DSS冷供應(yīng)卻水在(24)度左右，當

4、到達(35)度時出現(xiàn)報警，如果持續(xù)上升達到(45)度時，系統(tǒng)默認無水供應(yīng)。27DSS爐運行出現(xiàn)拉弧時，電壓會(不變)、電流會(增加)、輸出功率會(增加)。28國標中對原生硅料劃分了(3)個級別。29刷邊液的主要成分為(硅粉)；刷底液的主要成分為(硅粉)和（氮化硅)。30當前使用的氮化硅主要為()晶相。31M2硅錠生產(chǎn)判斷熔化主要為(TC2)耦絲。32多晶鑄錠過程中氧雜質(zhì)主要來源(坩堝)。33坩堝噴涂所用材料化學式為(Si3N4)。34回收車間在回收的為(氮化硅)和（硅粉）。35. 回收氮化硅主要分為(干粉) 氮化硅和（濕粉）氮化硅。二、單選36以下( C )為硅片事業(yè)部生產(chǎn)的終端產(chǎn)品. . .

5、 . 37Ar流量誤差最大報警值是（A）A10% B.15% C.12% D.20% 38加熱跳轉(zhuǎn)到熔化的條件是(B )ATC1=1170 B.TC1=1175 C.TC2=1170 D.TC2=117539坩堝噴涂使用的是（A）A.氮化硅懸浮液 B. 液態(tài)氮化硅 C.SiC溶液 D.液態(tài)SiC40 硅料國標中1級料對氧含量的要求為(B) atoms/cm3. 1.01016 . 1.01017 . 1.51016 . 1.5101741 硅料國標中1級料對碳含量的要求為(A) atoms/cm3. 2.51016 . 2.51017 . 4.01016 . 4.0101742 公司硅料標準4

6、級料可使用于(A).僅多晶生產(chǎn) . 僅單晶生產(chǎn) .單多晶皆可 . 單多晶都不可43邊料切下的T1料叫（C）A邊T1料 B邊尾料 C邊頭料 D邊料44判定M0和M2硅塊的主要指標為（C）A 少子壽命 B 電阻率值 C 位錯比例 D 硅錠合格率45硅塊切除頭料的厚度是（C）A 25MM B 15MM C 5MM D 5CM46PN結(jié)具有一個很重要的性質(zhì) ( B )A.不導電 .單向?qū)щ?C.雙向?qū)щ?D.單位導電47. V1閥在壓力為多少mbar時打開( C )A100 B.150 C.200 D.25048. 哪個熱電偶控制爐運行( A )ATC1 B.TCOT C.TC2 D.PYRO49.

7、有紅邊不良率的硅塊主要影響硅片的（C）A 電性能 B 碎片率 C 外觀 D 光衰減50. 公司生產(chǎn)的多晶片厚度為（B）A 300-350微米B 180-200微米 C 160-180微米D 220-250微米51. 在預(yù)抽真空前，泵應(yīng)預(yù)熱（ A）分鐘。A10 B20 C30 D4052. 多晶硅和單晶硅的區(qū)別（ B ）A多晶花紋狀，單晶白色 B多晶花紋狀，單晶沒有 C多晶彩色，單晶白色 D多晶黑色，單晶白色53. 檢查真空泵油位高是否符合標準,實際的油位應(yīng)在( A )。A 1/3h2/3 B h2/3 D 1/3h3/454. 氮化硅是(A)A高溫材料 B 防震材料 C光敏材料 D良導體55.

8、 普通原料硅的顏色為（A）A 鋼灰色 B白色 C黑色 D淡黃色三、多選題56硅的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，（A，B，C，D ）等領(lǐng)域都有硅材料的應(yīng)用A. 陶瓷工藝 B. 現(xiàn)代光纖通信 C. 宇航 D. 電子57我們公司的成品片有 （A B ）A. 多晶片 B. 單晶片 C. 電池片 D.鍍膜片 E. 刻字片58坩堝譯成英文是指 ( D )A.KILN B.Resistivity C.lifetime D.crucible59以下屬于硅料國標中顆粒料的標準范圍為（A，B）A. 1mm B. 2mm C. 4mm D. 8mm60 以下硅料國標（A，B，C）級可使用于單晶生產(chǎn)A. 1級 B. 2級 C. 3級

9、 D. 4級61. 以下硅錠編號有誤的是( A C D )A.0310220 B.0322201 C.0315919 D.131800162. 以下是正確的出爐至交錠間隔時間：（C D E）A.12小時 B.18小時 C.24小時 D.30小時 E.26小時63. 坩堝檢驗應(yīng)無(ABCDE)等不良現(xiàn)象，在眼睛距等級面得標準處以3m/min速度掃視檢查A.氣泡 B.龜裂 C.針孔 D.皺皮 E.剝離64. 以下哪些供應(yīng)商是生產(chǎn)顆粒純料（A B D）A.MEMC B.WACKER C.LDK D.SILEX E.洛陽中硅65. 以下哪些不規(guī)范操作會造成漏堝異常（ A B C E ）A.坩堝內(nèi)砸料

10、B.邊料間距未達標準 C.各類型硅料擺放未按標準擺放D.鑄錠裝料時硅料擺放位置不符合標準 E.硅料存在藥液殘留66. 斷電后DSS爐程序彈出的掉電報警窗口中包括哪些參數(shù)？（ABCD）A、 斷電時功率百分比 B、斷電時的溫度C、 斷電后退出自動運行的溫度值 D、斷電的累計時間值67. DSS爐重要組成部分有（ABCDE）A、上、下爐體 B、 電源控制柜 C、電源配電柜 D、變壓器E、冷卻系統(tǒng)68. 公司的回收料有( A、B、C、D、E) A.邊料 B.尾料 C.T2料 D.硅塊 E.碎片69. 多晶硅錠檢測項目為(ABCE)A電阻率 B少子壽命 C PN型 D TTV E IR70. 人類直接利

11、用太陽能有三大技術(shù)領(lǐng)域，即( ABC )A光熱轉(zhuǎn)換 B光電轉(zhuǎn)換 C光化學轉(zhuǎn)換 D數(shù)模轉(zhuǎn)換 E風電轉(zhuǎn)換71. 最常見的元素半導體材料有（AB）A硅 B鍺 C砷化鎵 D銻化銦 E鐵 72. 太陽電池的應(yīng)用范圍很廣，可應(yīng)用于（ A B C D E ）等。A無人氣象站 B 人造衛(wèi)星 C太陽能路燈 D電視中繼站 E通訊站73. 自然界的物質(zhì)通常以三種形態(tài)存在：（A C D）A固體 B熔化 C液體 D氣體 E金剛石74. 晶體具有（ A B C ）A 規(guī)則的外形 B一定的熔點 C各向異性 D各向同性 E不規(guī)則的外形75. 在運行過程中有 ( A B C D E ) 五個步驟A加熱 B溶解 C長晶 D退火

12、E冷卻76. 氮化硅制備方法有（ABCDE）A硅粉直接氮化法 B碳熱還原二氧化硅法 C自蔓燃法 D高溫氣相反應(yīng)法 E等離子體氣相反應(yīng)法四、判斷題77硅料國標中有對表面金屬含量要求。 （） 78. 156型開方后產(chǎn)生20塊硅塊，20塊邊料。 （） 79. 一個錠在開方后A區(qū)N型最長，C區(qū)N型最短。 （）80. 隔熱籠調(diào)零要用到CB6。 （）81. 我們配料時雜質(zhì)可以放進去，因為DSS可以提純。 （）82. 坩堝的刷邊刷底是沒有順序的。 （）83. 中材坩堝的性能指標中，二氧化硅的含量要達到99.7%以上 （）84. 氮化硅是一種非?；顫姷奈镔|(zhì)，常溫下可與空氣中的氧發(fā)生反應(yīng) （）85. 純料碎塊（

13、fines）不需檢測電阻率。 （）86. 少子壽命的英文為:Liftine。 （）87. 太陽能電池片的電阻率一般要求在2.6.cm左右。 （）88. 經(jīng)過物料部分選的所有硅料都可以直接使用 （）89. 多晶料晶格排列復雜(有花紋) （）90. DSS爐有雜質(zhì)提純功能 （） 91. 配好的兩堝料的摻雜可以互換裝堝。 （）92. 員工為了加快行走速度，可以站在叉車上滑行。 （）93. DSS斷水后，爐子會自動進入E-COOL。 （）94. 形容氮化硅規(guī)格使用“目”來表示的。 ()95. 在裝料操作中，由于硅料積壓，所以可以同時幾堝料一起裝 ()五、簡答題96 簡述硅塊少子壽命硅塊體少子壽命與硅塊

14、體少子壽命的區(qū)別？硅塊少子壽命：硅塊未經(jīng)過任何處理后的硅塊少子壽命值硅塊體少子壽命：硅塊經(jīng)過去除頭尾不良后的硅塊少子壽命值97半導體材料的共性有什么?對熱敏感,導電性能隨溫度變化而急劇變化.與金屬的導電機制不同.對光、壓力、磁等敏感.98說明DSS為什么采用AR，而不是用氧氣、氮氣和氦氣？氬氣為惰性氣體，化學性能不活潑，在高溫條件下，不易與硅和DSS其他備件反映。氧氣：化學性能活潑，易與硅和DSS其他備件反映。氮氣：高溫條件下，容易與硅產(chǎn)生氮化硅。氦氣：價格高昂，且屬于不可再生氣體，不容易通過化工等技術(shù)手段得到99對金屬雜質(zhì)含量而言,多晶硅的純度高于多少?單晶硅的純度高于多少?制作太陽能電池多

15、晶硅的純度應(yīng)大于多少?冶金級硅的純度是多少?多晶硅的純度高于9個”9”單晶硅的純度高于11個”9”制作太陽能電池多晶硅的純度大于6個”9”冶金級硅的純度2至3個”9”100 TC1失效，如何處理？可復位：則復位，記得 P./T轉(zhuǎn)換，檢查參數(shù)是否與配方一致。不可復位：調(diào)用以前相同配方相同重量的正常功率曲線控制，并注意壓力（溫度）變化。如壓力升高，可能存在泄露（改造后泄露的可能性小得多）。如溫度高于1575度可能會自動關(guān)閉加熱器，我們可以拔掉TC1運行。如曲線不同步時可先重新調(diào)用新的相同配方相同重量正常的功率曲線，若還不行可往下跳一步試試，如再不行我們可以重啟LCM4（要遵循重啟LCM4操作規(guī)程）

16、。101. 斷水情況下，你主要關(guān)注什么？如何處理？主要關(guān)注：壓力、水流、溫度變化、斷水前的功率溫度值；斷水時間過長可手動進入緊急冷卻，如果斷水時間較短，溫度變化沒有超過參數(shù)值，可等待水恢復連接電源，同時加上功率使溫度升到當前值再恢復運行。102. 運行中如何處理M階段時功率曲線波動大？運行中功率波動大是由于TC1溫度探測組件引起，它不會對DSS爐運行造成太大的危害。但功率一旦波動到一定程度會引發(fā)溫度誤差報警。遇到這種情況我們可以手動控制一下，方法為：暫停模式下選擇P控制，設(shè)定功率28%左右，等溫度稍微穩(wěn)定后（大概需要7-8分鐘）轉(zhuǎn)為T控制運行即可103. 在裝料和運行前，我們要做哪些檢查？水系

17、統(tǒng)、真空泵、Ar、CDA、熱區(qū)、溢流棉、溢流線、配方、叉車、護板、螺桿、螺帽、蜂鳴器（包括SPILL及TCOT報警器）、在維護窗口中的電壓電流值等。104. 硅錠編號定義是什么？如下硅錠號0102201是否正確，如不正確請解釋，如正常請說明代表意義。正確。硅錠編號定義如下: 0 1 022 01 出錠年份 出錠月份 出錠DSS號 當月該爐出錠數(shù) 105. TC1、TC2和TCOT的作用是什么TC1：測爐腔內(nèi)實際溫度.TCOT：超高溫報警.TC2：用于測量DS-BLOCK溫度106. 坩堝噴氮化硅在DSS運行中的作用是什么？隔離硅液與坩堝直接接觸以防發(fā)生溢流；硅錠出爐后更容易與坩堝分開。計算/分

18、析題107. 計算480KG硅錠在合格率為96%的條件下出材率。理論高度=480 /2.33/0.84/0.84=292mm有效高度=292-45=247mm有效重量=0.156*0.156*2.33*247*25*0.96/480=70.03%108. 在硅材料中，簡述PPBA及PPBW的含義，計算PPBA和PPBW的關(guān)系（百萬分之一），ppb（十億分之一） a 是原子數(shù) w是質(zhì)量ppba 是以原子個數(shù)的十億分之一ppbw是以質(zhì)量分數(shù)的十億分之一雜質(zhì)原理量為N，PPBA系數(shù)為MPPBW=（M*N）/28110. 一個508KG硅錠，如果該錠的合格率為100%，則該錠單個硅塊的理論可切片長度是

19、多少？（坩堝尺寸為845mm*845mm） 硅塊長度：508/0.845/0.845/2330=305.3475mm 100%合格率硅塊可切片長度：305.3475-45=260.3475mm111 一個508KG硅錠，如果該錠的合格率為90%，則該錠頭尾料的理論重量是多少？（坩堝尺寸為845mm*845mm，不算邊料重量） 硅塊長度：508/0.845/0.845/2330=305.3475mm 該錠頭尾料的理論重量：0.3053475*0.1*0.156*0.156*25*2330=43.2852KG112. 切片車間收集了120KG的硅粉，按當前工藝回收率30%，問每個硅錠按800g硅粉刷涂量，切片車間120KG的硅粉可用于刷多少個硅錠？ 回收后可使用于刷涂的硅粉總量：120*0.3=36KG 可刷涂硅錠個數(shù)：36/0.8=45個113. 有方形坩堝一個，型號為720型坩堝，內(nèi)尺寸的長寬為690mm，內(nèi)高度為400mm，在離坩堝頂部5cm的位置以上不噴涂氮化硅涂層，現(xiàn)提供300g氮化硅，求出此坩堝需噴涂的面積和單位面積上需噴涂的氮化硅重量。（損耗忽略不計）114. 270KG（或450KG）固