微電子器件 (測驗)

1、 某硅突變某硅突變 PN 結的結的 NA = 1.51014 cm-3，ND = 1.51018 cm-3，試求室溫下：，試求室溫下： 1、平衡時的、平衡時的 pp0 、nn0 、pn0 和和 np0 ； 2、外加、外加 0.2V 正向電壓時的正向電壓時的 pn(xn) 和和 np(-xp) ； 3、內建電勢、內建電勢 Vbi 。AKPi693ppp0DKNi253nnn0ADbi222ln0.497V0.2()exp1.5 10 exp3.29 10 cm0.02622ln0.976V0.2()exp1.5 10 exp3.29 10 cm0.0263lnNkTVqnqVnxnkTNkTVq

2、nqVpxpkTN NkTVq、2i0.718Vn214363ip0Ap0A218323in0Dn0D11.5 10 cm ,1.5 10 cm ,1.5 10 cm ,1.5 10 cmnpNnNnnNpN、一、一、 1、寫出、寫出 PN 結正向擴散電流密度結正向擴散電流密度 Jdn 、Jdp 的表達式。的表達式。 2、當、當 NA ND 時，時，Jdn與與 Jdp 中以哪種電流密度為主？中以哪種電流密度為主？二、二、 某突變結的雪崩擊穿臨界電場為某突變結的雪崩擊穿臨界電場為 EC = 4.4 105 V/ /cm ，雪崩擊穿電壓為，雪崩擊穿電壓為 220V，試求發(fā)生擊穿時的耗盡區(qū)寬度，試求

3、發(fā)生擊穿時的耗盡區(qū)寬度 xdB 。2nnidnp0npA2ppidpn0ppDexp1exp1exp1exp1qDqD nqVqVJnLkTL NkTqDqD nqVqVJpLkTL NkT一、一、 1、 2、當、當 NA ND 時，時， Jdn Jdp二、二、BdBC3BdB5C1222 22010 cm10m4.4 10Vx EVxE 1、某、某 NPN 晶體管的晶體管的 ，試求該管的浮空電勢。，試求該管的浮空電勢。 2、試求該管當發(fā)射極開路集電結反偏時，基區(qū)中鄰近發(fā)射區(qū)一側的少子濃度、試求該管當發(fā)射極開路集電結反偏時，基區(qū)中鄰近發(fā)射區(qū)一側的少子濃度 nB(0) 是該處平衡少子濃度是該處平

4、衡少子濃度 nB0 的多少倍。的多少倍。0.99BEBB0B0B02(0)exp10.01qVnnnnkT、BE1ln(1)0.026ln(10.99)0.1197VkTVq 、 求下圖共發(fā)射極求下圖共發(fā)射極 T 形等效電路中形等效電路中 與與 并聯(lián)支路的分界頻率，通?？梢院雎圆⒙?lián)支路的分界頻率，通?？梢院雎阅膫€元件？哪個元件？erC 通常因通常因 ，所以可忽略，所以可忽略 。eeeTEDEebbecT11112222r CfrCr CCf eTr CfffC1、某、某 N 溝道溝道 MOSFET 的的 VT = 1V， = 10-3AV 2 ，試求當，試求當 VGS = 4V ，而，而 VDS 分別分別為為 2V、3V、4V 時的漏極電流之值。時的漏極電流之值。 2、試求該、試求該 MOS 管當管當 VDS = 2V，VGS 分別為分別為 2V、3V、4V 時的漏極電流之值。時的漏極電流之值。 2DSDSTGSD21)(VVVVITGSsatDVVV2TGS2Dsat