第09章Flash存儲器在線編程

1、第第9 9章章 Flash Flash存儲器在線編程存儲器在線編程主要內(nèi)容主要內(nèi)容v9.1 Flash9.1 Flash存儲器概述存儲器概述v9.2 AW609.2 AW60的的FlashFlash存儲器編程方法存儲器編程方法v9.3 AW609.3 AW60的的FlashFlash在線編程在線編程C C語言實例語言實例v9.4 S08 Flash9.4 S08 Flash存儲器的保護特性和安全性存儲器的保護特性和安全性9.1 Flash9.1 Flash存儲器概述存儲器概述9.1.1 Flash9.1.1 Flash存儲器的基本特點與編程模式存儲器的基本特點與編程模式 FlashFlash存

2、儲器的基本特點存儲器的基本特點l 固有不揮發(fā)性固有不揮發(fā)性l 易更新性易更新性l 成本低、密度高、可靠性好成本低、密度高、可靠性好 FlashFlash存儲器的編程模式存儲器的編程模式 從從FlashFlash存儲器的基本特點可以看出，在單片機中，可以利存儲器的基本特點可以看出，在單片機中，可以利用用FlashFlash存儲器固化程序，一般情況下通過編程器來完成，存儲器固化程序，一般情況下通過編程器來完成，F(xiàn)lashFlash存儲器工作于這種情況，叫監(jiān)控模式存儲器工作于這種情況，叫監(jiān)控模式(Monitor Mode)(Monitor Mode)或或?qū)懭肫髂Ｊ?，這與一般的寫入器模式，這與一般的E

3、PROMEPROM、OTPOTP、EEPROMEEPROM裝入程序的含義裝入程序的含義相似。另一方面，由于相似。另一方面，由于FlashFlash存儲器具有電可擦除功能，因此，存儲器具有電可擦除功能，因此，在程序運行過程中，有可能對在程序運行過程中，有可能對FlashFlash存儲區(qū)的數(shù)據(jù)或程序進行存儲區(qū)的數(shù)據(jù)或程序進行更新，更新，F(xiàn)lashFlash存儲器工作于這種情況，叫用戶模式存儲器工作于這種情況，叫用戶模式(User Mode)(User Mode)或在線編程模式或在線編程模式9.1.2 S089.1.2 S08系列系列MCUMCU的的FlashFlash存儲器存儲器 Freescal

4、eFreescale公司在公司在FlashFlash存儲器技術(shù)相當成熟之后才推出了片存儲器技術(shù)相當成熟之后才推出了片內(nèi)帶有內(nèi)帶有FlashFlash存儲器的存儲器的8 8位位MCUMCU，在應(yīng)用的方便性和可靠性等方面，在應(yīng)用的方便性和可靠性等方面有其獨到的特點：有其獨到的特點： 編程速度快且可靠性高編程速度快且可靠性高 S08S08系列系列MCUMCU的片內(nèi)的片內(nèi)FlashFlash存儲器的整體擦除時間可以控制在存儲器的整體擦除時間可以控制在5ms5ms以以內(nèi)，對單字節(jié)的編程（寫入）時間也在內(nèi)，對單字節(jié)的編程（寫入）時間也在40ns40ns以內(nèi)。片內(nèi)以內(nèi)。片內(nèi)FlashFlash存儲器存儲器的

5、存儲數(shù)據(jù)可以保持的存儲數(shù)據(jù)可以保持1010年以上，可擦寫次數(shù)均在年以上，可擦寫次數(shù)均在1 1萬次以上萬次以上 單一電源電壓供電單一電源電壓供電 S08S08系列系列MCUMCU通過在片內(nèi)集成的電荷泵，可由單一工作電壓在片內(nèi)通過在片內(nèi)集成的電荷泵，可由單一工作電壓在片內(nèi)產(chǎn)生出編程電壓，這樣就實現(xiàn)了單一電源供電的在線編程電壓，而不產(chǎn)生出編程電壓，這樣就實現(xiàn)了單一電源供電的在線編程電壓，而不需要為需要為FlashFlash的編程增加額外的編程電壓模塊，同時也使的編程增加額外的編程電壓模塊，同時也使S08S08系列系列MCUMCU兼具了兩種編程模式兼具了兩種編程模式 支持在線編程支持在線編程 S08

6、S08系列系列MCUMCU的片內(nèi)的片內(nèi)FlashFlash存儲器支持在線編程，允許存儲器支持在線編程，允許MCUMCU內(nèi)部運行內(nèi)部運行的程序去改寫的程序去改寫FlashFlash存儲器的內(nèi)容，這樣就可以代替外部電可擦除存存儲器的內(nèi)容，這樣就可以代替外部電可擦除存儲芯片，從而減少了外圍部件，增加了嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的方便性儲芯片，從而減少了外圍部件，增加了嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的方便性9.2 AW609.2 AW60的的FlashFlash存儲器編程方法存儲器編程方法9.2.1 Flash9.2.1 Flash存儲器編程的基本概念存儲器編程的基本概念 FlashFlash編程的基本操作有兩種：編程的基本操作

7、有兩種： 擦除（擦除（EraseErase）：將存儲單元的內(nèi)容由二進制的）：將存儲單元的內(nèi)容由二進制的0 0變成變成1 1 寫入（寫入（ProgramProgram）：將存儲單元的內(nèi)容由二進制的）：將存儲單元的內(nèi)容由二進制的1 1變成變成0 0 擦除操作包括整體擦除和頁擦除。而寫入操作是以字為單擦除操作包括整體擦除和頁擦除。而寫入操作是以字為單位進行的。在擦除及寫入過程中一般需要高于電源的電壓。位進行的。在擦除及寫入過程中一般需要高于電源的電壓。FlashFlash存儲器在片內(nèi)是以頁存儲器在片內(nèi)是以頁(Page)(Page)和行和行(Row)(Row)為單位組織的，為單位組織的，頁的大小始終為

8、行的兩倍。對頁的大小始終為行的兩倍。對FlashFlash存儲器的擦除操作可以進存儲器的擦除操作可以進行整體擦除也可以僅擦除某一起始地址開始的一頁行整體擦除也可以僅擦除某一起始地址開始的一頁(512(512字節(jié)字節(jié)) )9.2.2 Flash9.2.2 Flash存儲器的編程寄存器存儲器的編程寄存器 FlashFlash時鐘分頻寄存器時鐘分頻寄存器 FCDIV (Flash Clock Divider RegisterFLCR)FCDIV (Flash Clock Divider RegisterFLCR)的地址是的地址是 $1820$1820l D7DIVLD D7DIVLD為分頻設(shè)置狀態(tài)標

9、志位為分頻設(shè)置狀態(tài)標志位(Divisor Loaded Status (Divisor Loaded Status Flag)Flag)，DIVLDDIVLD為只讀位為只讀位l D6PRDIV8 D6PRDIV8為為FlashFlash預(yù)分頻設(shè)置位預(yù)分頻設(shè)置位( (PrescalePrescale Flash Clock by 8) Flash Clock by 8)l D5 D5D0DIV5D0DIV5DIV0DIV0為為FlashFlash時鐘分頻器的分頻因子。時鐘分頻器的分頻因子。 Flash Flash的內(nèi)部工作時鐘的內(nèi)部工作時鐘 f fFCLKFCLK的計算方法如下：的計算方法如下：

10、 如果如果PRDIV8=0PRDIV8=0，f fFCLKFCLK= =f fbusbus(DIV5:DIV0+1)(DIV5:DIV0+1) 如果如果PRDIV8=1PRDIV8=1，f fFCLKFCLK= =f fbusbus(8(8DIV5:DIV0+1)DIV5:DIV0+1)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)位位D7D6D5D4D3D2D1D0定義定義DIVLDDPRDIV8DIV5DIV4DIV3DIV2DIV1DIV0復(fù)位復(fù)位00000000在對在對FlashFlash進行編程操作時，進行編程操作時，F(xiàn)lashFlash的內(nèi)部工作時鐘必須降到的內(nèi)部工作時鐘必須降到150KHz150KHz200KHz20

11、0KHz，擦，擦/ /寫操作的脈沖是寫操作的脈沖是FlashFlash的內(nèi)部工作時鐘的一個時鐘周期，所以的內(nèi)部工作時鐘的一個時鐘周期，所以擦擦/ /寫的時間相應(yīng)地在寫的時間相應(yīng)地在6.76.7s s5 5s s。下表出了對。下表出了對FCDIVFCDIV寄存器設(shè)置不同的數(shù)寄存器設(shè)置不同的數(shù)值時對值時對FlashFlash擦寫操作的影響擦寫操作的影響fBusPRDIV8DIV5:DIV0fFCLK擦寫的時擦寫的時鐘脈沖鐘脈沖20MHz112192.3KHz5.2s10MHz049200KHz5s8MHz039200KHz5s4MHz019200KHz5s2MHz09200KHz5s1MHz042

12、00KHz5s200KHz00200KHz5s150KHz00150KHz6.7s FlashFlash選項寄存器選項寄存器 FlashFlash選項寄存器選項寄存器(Flash Options RegisterFOPT(Flash Options RegisterFOPT和和NVOPT)NVOPT)。MCUMCU復(fù)復(fù)位時，位時，F(xiàn)lashFlash中的非易失性的中的非易失性的NVOPTNVOPT值被賦給值被賦給FOPTFOPT寄存器，寄存器，F(xiàn)OPTFOPT可以讀，可以讀，但寫操作是無效的。要改變但寫操作是無效的。要改變FOPTFOPT寄存器的值，需要對寄存器的值，需要對FlashFlash

13、中中NVOPTNVOPT位位擦除并重新寫入新的數(shù)值。擦除并重新寫入新的數(shù)值。FOPTFOPT的地址是的地址是$1821$1821l D7KEYEND7KEYEN為后門鎖機構(gòu)允許位為后門鎖機構(gòu)允許位(Backdoor Key Mechanism Enable)(Backdoor Key Mechanism Enable)l D6FNOREDD6FNORED為矢量重定向禁止位為矢量重定向禁止位(Vector Redirection Disable)(Vector Redirection Disable)l D1D1D0D0位位SEC01SEC01SEC00SEC00為安全狀態(tài)碼為安全狀態(tài)碼數(shù)據(jù)位數(shù)

14、據(jù)位D7D6D5D4D3D2D1D0定義定義KEYENFNORED未定未定義義未定未定義義未定未定義義未定未定義義SEC01SEC00復(fù)位復(fù)位將將NVOPTNVOPT中的內(nèi)容裝載到該寄存器中的內(nèi)容裝載到該寄存器中中 FlashFlash配置寄存器配置寄存器 FCNFG(Flash Configure RegisterFCNFG)FCNFG(Flash Configure RegisterFCNFG)的地址是的地址是$1823$1823l D5KEYACCD5KEYACC為寫訪問鑰匙允許位為寫訪問鑰匙允許位(Enable Writing of Access (Enable Writing of

15、Access Key)Key)。KEYACC=1KEYACC=1時，表示寫時，表示寫B(tài)VBACKKEY($FFB0-$FFB7)BVBACKKEY($FFB0-$FFB7)被認為是進被認為是進行密碼比較；行密碼比較；KEYACC=0KEYACC=0時，表示寫時，表示寫B(tài)VBACKKEY($FFB0-$FFB7)BVBACKKEY($FFB0-$FFB7)被解被解釋為釋為FlashFlash擦寫命令的開始擦寫命令的開始數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)位位D7D7D6D6D5D5D4D4D3D3D2D2D1D1D0D0定義定義未定未定義義未定未定義義KEYACKEYACC C未定未定義義未定未定義義未定未定義義未定未定義

16、義未定未定義義復(fù)位復(fù)位0 00 00 00 00 00 00 00 0 FlashFlash保護寄存器保護寄存器 Flash Flash保護寄存器保護寄存器(Flash Protect RegisterFPROT(Flash Protect RegisterFPROT和和NVPROT)NVPROT)的地的地址是址是$1824$1824l D7D7D1FPS6D1FPS6FPS0FPS0為為FlashFlash保護區(qū)域設(shè)置。保護區(qū)域設(shè)置。FPDIS=0FPDIS=0時，這時，這7 7位決位決定了未保護區(qū)域的結(jié)束地址定了未保護區(qū)域的結(jié)束地址l D0FPDISD0FPDIS為為FlashFlash保

17、護設(shè)置位保護設(shè)置位(Flash Protection Disable)(Flash Protection Disable)。FPDIS=1FPDIS=1時，時，F(xiàn)lashFlash不進行保護；不進行保護；FPDIS=0FPDIS=0時，時，F(xiàn)lashFlash保護保護FPS6FPS6：FPS0FPS0所設(shè)置的區(qū)域所設(shè)置的區(qū)域 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)位位D7D7D6D6D5D5D4D4D3D3D2D2D1D1D0D0定義定義FPS6FPS6FPS5FPS5FPS4FPS4FPS3FPS3FPS2FPS2FPS1FPS1FPS0FPS0FPDIFPDIS S復(fù)位復(fù)位將將NVPROTNVPROT中的內(nèi)容裝載到該寄

18、存器中的內(nèi)容裝載到該寄存器中中 FlashFlash狀態(tài)寄存器狀態(tài)寄存器 FSTAT(Flash Status RegisterFSTAT)FSTAT(Flash Status RegisterFSTAT)的地址是的地址是$1825$1825l D7FCBEFD7FCBEF為為FlashFlash命令緩沖區(qū)空標志位命令緩沖區(qū)空標志位(Flash Command Buffer (Flash Command Buffer Empty Flag)Empty Flag)l D6FCCFD6FCCF為為FlashFlash命令完成標志位命令完成標志位(Flash Command Complete Fla

19、g)(Flash Command Complete Flag)l D5FPVIOD5FPVIO為侵害保護標志位為侵害保護標志位(Protection Violation Flag)(Protection Violation Flag)l D4FACCERD4FACCER為訪問出錯標志位為訪問出錯標志位(Access Error Flag)(Access Error Flag)l D2FBLANKD2FBLANK為為FlashFlash空白標志位空白標志位(Flash Verified All Blank Flag)(Flash Verified All Blank Flag)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)位位D7D

20、7D6D6D5D5D4D4D3D3D2D2D1D1D0D0定義定義FCBEFCBEF FFCCFFCCFFPVIFPVIO OFACCFACCERER未定未定義義FBLAFBLANKNK位位未定未定義義未定未定義義復(fù)位復(fù)位1 11 10 00 00 00 00 00 0 FlashFlash命令寄存器命令寄存器 FCMD(Flash Command RegisterFCMD)FCMD(Flash Command RegisterFCMD)的地址是的地址是$1826$1826l D7D7D0D0對對FlashFlash進行訪問的命令字節(jié)。表進行訪問的命令字節(jié)。表9-29-2列出了對列出了對Fla

21、shFlash訪問訪問的命令字節(jié)的命令字節(jié)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)位位D7D7D6D6D5D5D4D4D3D3D2D2D1D1D0D0定義定義FCMD7FCMD7FCMD6FCMD6FCMD5FCMD5FCMD4FCMD4FCMD3FCMD3FCMD2FCMD2位位FCMD1FCMD1FCMD0FCMD0復(fù)位復(fù)位0 00 00 00 00 00 00 00 09.2.3 Flash9.2.3 Flash存儲器的編程過程存儲器的編程過程 FlashFlash命令的執(zhí)行步驟命令的執(zhí)行步驟l向向FlashFlash地址中寫入一個數(shù)據(jù)地址中寫入一個數(shù)據(jù)l向向FlashFlash命令寄存器命令寄存器FCMDFCMD中寫

22、入需要執(zhí)行的命令中寫入需要執(zhí)行的命令l執(zhí)行命令執(zhí)行命令 FlashFlash命令的執(zhí)行流程命令的執(zhí)行流程 看下面的看下面的 兩個流程圖兩個流程圖 AW60 Flash AW60 Flash編程例程圖編程例程圖AW60 FlashAW60 Flash批量寫入流程圖批量寫入流程圖 FlashFlash命令出錯的狀況命令出錯的狀況 在執(zhí)行以下操作時，會導(dǎo)致出錯，在執(zhí)行以下操作時，會導(dǎo)致出錯，F(xiàn)ACCERRFACCERR自動置自動置1 1l 在向在向FlashFlash地址寫入信息前沒有進行地址寫入信息前沒有進行FCDIVFCDIV寄存器設(shè)置寄存器設(shè)置l 在向在向FlashFlash地址寫入信息前地址

23、寫入信息前FCBEFFCBEF沒有置沒有置1 1l 在執(zhí)行命令前，執(zhí)行兩次向在執(zhí)行命令前，執(zhí)行兩次向FlashFlash地址寫入信息操作地址寫入信息操作l 在向在向FlashFlash地址寫入信息后，設(shè)置除地址寫入信息后，設(shè)置除FCMDFCMD外的其他外的其他FlashFlash控制寄存器控制寄存器l 向向FCMDFCMD中寫入表中寫入表9-29-2以外的命令字以外的命令字l 向向FCMDFCMD中寫入命令字后，試圖讀寫除中寫入命令字后，試圖讀寫除FSTATFSTAT外的寄存器外的寄存器l 在執(zhí)行命令時，在執(zhí)行命令時，MCUMCU進入進入STOPSTOP模式模式l MCUMCU處于保密狀態(tài)時，

24、使用背景調(diào)試接口進行頁擦除或?qū)懱幱诒Ｃ軤顟B(tài)時，使用背景調(diào)試接口進行頁擦除或?qū)慒lashFlash操作操作l 向向FCBEFFCBEF位寫位寫0 0取消一個命令的執(zhí)行取消一個命令的執(zhí)行9.3 AW609.3 AW60的的FlashFlash在線編程在線編程C C語言實例語言實例9.3.1 Flash9.3.1 Flash存儲器的擦除及寫入存儲器的擦除及寫入C C語言子程序語言子程序 由于由于AW60AW60內(nèi)部的監(jiān)控內(nèi)部的監(jiān)控ROMROM中沒有固化中沒有固化FlashFlash編程子程序，要在運行中能對編程子程序，要在運行中能對 Flash Flash進行在線編程，初始裝入的用戶程序，必須包含對

25、進行在線編程，初始裝入的用戶程序，必須包含對FlashFlash的擦除及的擦除及寫入子程序?qū)懭胱映绦?擦除和寫入流程的一些公共操作擦除和寫入流程的一些公共操作 擦除和寫入操作的代碼必須放在內(nèi)存中執(zhí)行編譯完后對應(yīng)機器碼字節(jié)保擦除和寫入操作的代碼必須放在內(nèi)存中執(zhí)行編譯完后對應(yīng)機器碼字節(jié)保存到下表中的存到下表中的volatile unsigned char PGM57volatile unsigned char PGM57的數(shù)組中。這樣實際使的數(shù)組中。這樣實際使用時就無需進寫入子程序行內(nèi)存的拷貝，就可以實現(xiàn)擦除寫入操作用時就無需進寫入子程序行內(nèi)存的拷貝，就可以實現(xiàn)擦除寫入操作 頁擦除子程序頁擦除子程

26、序Flash_PageEraseFlash_PageErase 首先根據(jù)頁號計算出頁首地址，然后將首先根據(jù)頁號計算出頁首地址，然后將FlashFlash執(zhí)行命令更改為擦除命令執(zhí)行命令更改為擦除命令0 x400 x40，調(diào)用并執(zhí)行擦除代碼，調(diào)用并執(zhí)行擦除代碼 寫入程序?qū)懭氤绦?首先根據(jù)頁號和頁內(nèi)偏移計算出寫入首地址，然后將首先根據(jù)頁號和頁內(nèi)偏移計算出寫入首地址，然后將FlashFlash執(zhí)行命令更改執(zhí)行命令更改為擦除命令為擦除命令0 x200 x20，逐個字節(jié)進行寫入直至完成，逐個字節(jié)進行寫入直至完成 擦除與寫入子程序編程要點說明擦除與寫入子程序編程要點說明l RAMRAM中有中有5757字節(jié)的

27、空間存放擦出寫入機器碼，使用內(nèi)存時不要忘記字節(jié)的空間存放擦出寫入機器碼，使用內(nèi)存時不要忘記計算計算l 一次擦除后未被寫入過的區(qū)域可以再次調(diào)用寫入子程序?qū)懭?，但寫一次擦除后未被寫入過的區(qū)域可以再次調(diào)用寫入子程序?qū)懭耄珜懭脒^的區(qū)域，未經(jīng)擦除不能重寫入過的區(qū)域，未經(jīng)擦除不能重寫l 由于擦除是每次擦除一頁（由于擦除是每次擦除一頁（512512字節(jié)），所以數(shù)據(jù)應(yīng)合理安排，避字節(jié)），所以數(shù)據(jù)應(yīng)合理安排，避免誤擦免誤擦l 頁首地址的定義須遵照保護寄存器頁首地址的定義須遵照保護寄存器FPROTFPROT定義的規(guī)則定義的規(guī)則l 對對FPROTFPROT設(shè)置的保護塊進行的在線編程，是無效的設(shè)置的保護塊進行的在線

28、編程，是無效的9.3.2 Flash9.3.2 Flash存儲器在線編程擦寫測試工程存儲器在線編程擦寫測試工程測試測試FlashFlash的程序運行界面的程序運行界面命令命令功能功能?MCUMCU向向PCPC發(fā)送一些使用說明發(fā)送一些使用說明E:8擦除擦除第第8 8頁頁R:8:0:4從從第第8 8頁第頁第0 0個字處讀取個字處讀取4 4個字節(jié)的內(nèi)容個字節(jié)的內(nèi)容W:8:0:4:A,C,B,D向向第第8 8頁第頁第0 0個字位置寫個字位置寫4 4個字節(jié)的數(shù)據(jù)個字節(jié)的數(shù)據(jù)ACBDACBDB:8,7,6,5,4,3,2,1設(shè)置設(shè)置FlashFlash后門密鑰，密碼為字符串后門密鑰，密碼為字符串87654

29、32187654321M:8,7,6,5,4,3,2,1驗證驗證FlashFlash后門密鑰，密碼為字符串后門密鑰，密碼為字符串8765432187654321D密鑰密鑰刪除刪除U加密加密解除解除P:8塊塊保護，保護第保護，保護第8 8頁至頁至0 xFFFF0 xFFFF的地址的地址串口調(diào)試工具操作串口調(diào)試工具操作FlashFlash的命令格式的命令格式9.4 S08 Flash9.4 S08 Flash存儲器的保護特性和安全性存儲器的保護特性和安全性9.4.1 S08 Flash9.4.1 S08 Flash存儲器的保護特性存儲器的保護特性 由于由于FlashFlash是非易失性存儲器，所以

30、編程人員一般會將一是非易失性存儲器，所以編程人員一般會將一些重要參數(shù)或數(shù)據(jù)存于些重要參數(shù)或數(shù)據(jù)存于FlashFlash。為了防止對這些重要數(shù)據(jù)區(qū)。為了防止對這些重要數(shù)據(jù)區(qū)的誤擦寫，的誤擦寫，S08S08芯片提供了對芯片提供了對FlashFlash的保護機制。如果一個的保護機制。如果一個FlashFlash區(qū)域被保護，那么是不能對這塊區(qū)域進行任何擦寫的。區(qū)域被保護，那么是不能對這塊區(qū)域進行任何擦寫的。9.4.2 S08 Flash9.4.2 S08 Flash存儲器的安全性存儲器的安全性 設(shè)置設(shè)置MCUMCU為保密狀態(tài)為保密狀態(tài) 為了防止為了防止FlashFlash中的程序被非法讀中的程序被非法

31、讀出，就要將出，就要將MCUMCU設(shè)置為保密狀態(tài)，下設(shè)置為保密狀態(tài)，下面提供兩種加密面提供兩種加密FlashFlash方法方法安全狀態(tài)安全狀態(tài)l方法一方法一通過修改文件通過修改文件isr.cisr.c文件中的安全配置域（即修改文件中的安全配置域（即修改FOPTFOPT寄存器，地址寄存器，地址0 xFFBF0 xFFBF的值和密鑰地址的值和密鑰地址0 xFFB0 0 xFFB70 xFFB0 0 xFFB7的值）實的值）實現(xiàn)加密。例如，若要設(shè)置密碼現(xiàn)加密。例如，若要設(shè)置密碼0 x31323334353637380 x3132333435363738，則只要將，則只要將這這8 8字節(jié)數(shù)據(jù)依次寫到地

32、址字節(jié)數(shù)據(jù)依次寫到地址0 xFFB00 xFFB00 xFFB70 xFFB7處即可，該密碼即處即可，該密碼即為字符串為字符串“1234567812345678”l方法二方法二 在程序運行中，通過調(diào)用自定義函數(shù)在程序運行中，通過調(diào)用自定義函數(shù)Flash_SecureFlash_Secure修改修改FlashFlash相關(guān)地址處的內(nèi)容來加密相關(guān)地址處的內(nèi)容來加密FlashFlash。通過修改。通過修改NVOPTNVOPT地址的地址的內(nèi)容，復(fù)位后，該寄存器的值將自動載入內(nèi)容，復(fù)位后，該寄存器的值將自動載入FOPTFOPT中中 解除解除MCUMCU的保密狀態(tài)的保密狀態(tài)l 方法一：通過將寫入器的方法一：通過將寫入器的BDMBDM接口，對已經(jīng)加密的芯片進行整體擦除接口，對已經(jīng)加密的芯片進行整體擦除l 方法二：在芯片中駐留擦除密碼或擦除方法二：在芯片中駐留擦除密碼或擦除FlashFlash的操作接口，通過