半導體物理吉林大學 半物第十章

1、1第十章第十章 半導體的光學性質半導體的光學性質 半導體的光學性質是半導體物理性質的最主半導體的光學性質是半導體物理性質的最主要的方面之一。要的方面之一。 半導體光電效應是各種光電器件的基礎。半導體光電效應是各種光電器件的基礎。 光學方法是研究半導體的能帶結構和檢測材光學方法是研究半導體的能帶結構和檢測材料參數的一種重要手段。料參數的一種重要手段。2第十章第十章 半導體的光學性質半導體的光學性質 10.2 本征吸收本征吸收 10.3 激子吸收和其它吸收過程激子吸收和其它吸收過程 10.4 光電導光電導 10.5 丹倍效應和光磁效應丹倍效應和光磁效應 10.6 光生伏特效應光生伏特效應3光電效應

2、：光電器件的基礎；光電效應：光電器件的基礎；光學方法：研究能帶結構及特性參數的手段。光學方法：研究能帶結構及特性參數的手段。 cxexpcnxtiexpEE0y (10.11)x(0eI)x(I (10.12)c2 稱為吸收系數：稱為吸收系數： 的物理意義：光在介質中傳播距離為的物理意義：光在介質中傳播距離為 時，光的強度時，光的強度 衰減到原來的衰減到原來的 。 1e1半導體吸收系數：半導體吸收系數：p.293 角頻率為角頻率為 的平面電磁波，沿固體中的平面電磁波，沿固體中x方向傳播時，電場強度：方向傳播時，電場強度： 光強：光強：4(10.11)R-1T 反射率與透射率的關系：反射率與透射

3、率的關系：R：反射率：反射率T：透射率：透射率510.2本征吸收本征吸收一、光在電介質中傳播時強度衰減的現象，稱一、光在電介質中傳播時強度衰減的現象，稱為光吸收為光吸收。禁禁帶帶中中能能級級與與能能帶帶之之間間間間；同同一一能能帶帶的的不不同同狀狀態(tài)態(tài)之之不不同同能能帶帶的的狀狀態(tài)態(tài)之之間間；.321電子吸收光子能量后電子吸收光子能量后將躍遷將躍遷（即能量狀態(tài)改變）（即能量狀態(tài)改變）1、本征吸收本征吸收：電子由價帶向導帶的躍遷所引起的光吸收。它：電子由價帶向導帶的躍遷所引起的光吸收。它是最重要的吸收，又叫基本吸收。是最重要的吸收，又叫基本吸收。本征吸收產生電子本征吸收產生電子-空穴對，從而引起

4、光電導?？昭▽Γ瑥亩鸸怆妼?。62、本征吸收限：、本征吸收限：24. 1:000000mEEhcEhhggg ：本征吸收長波限：本征吸收長波限率限；率限；引起本征吸收的最低頻引起本征吸收的最低頻為本征吸收限。為本征吸收限。，3、吸收譜：、吸收譜： 。強衰減為原來的強衰減為原來的長度時，光長度時，光中傳播中傳播為吸收系數，光在介質為吸收系數，光在介質；的關系的關系或或與與吸收系數吸收系數eeIxIhx/1/10 4、吸收邊：吸收限附近的吸收譜。、吸收邊：吸收限附近的吸收譜。0481612255075100 1cm 圖圖10.2 InSb的吸收譜的吸收譜)m( 吸收曲線在短波段陡峭上升，是半導體

5、吸收譜的一個突出特點吸收曲線在短波段陡峭上升，是半導體吸收譜的一個突出特點,標志著本征吸收的開始。標志著本征吸收的開始。75、本征吸收：、本征吸收：直接躍遷直接躍遷 間接躍遷間接躍遷8二、直接躍遷二、直接躍遷 /hckE kEk/hk k kk, ，則，則，光子波長為，光子波長為和和分別為分別為當電子的初、末態(tài)波矢當電子的初、末態(tài)波矢電子的躍遷有光子參與電子的躍遷有光子參與對于典型半導體（假定對于典型半導體（假定Eg1eV），引起本征吸收的光子波長為：），引起本征吸收的光子波長為：遷或豎直躍遷。遷或豎直躍遷。波矢不變，稱為直接躍波矢不變，稱為直接躍遷時，電子躍遷前后的遷時，電子躍遷前后的，即只

6、有光子參與躍，即只有光子參與躍電子準動量；所以電子準動量；所以光子準動量光子準動量，可見：，可見：區(qū)中，線度為：區(qū)中，線度為：電子的波矢在電子的波矢在光子波矢為：光子波矢為：kkcmaBrillioumcmkm 18140010/2105224. 1 光子的動量光子的動量原子間距原子間距電子躍遷要求滿足兩個守恒：能量守恒，準動量守恒。電子躍遷要求滿足兩個守恒：能量守恒，準動量守恒。9電子吸收光子產生躍遷時波矢保持不變（電子電子吸收光子產生躍遷時波矢保持不變（電子能量增加）。這就是能量增加）。這就是電子躍遷的選擇定則電子躍遷的選擇定則。為。為了滿足選擇定則，以使電子在躍遷的過程中波了滿足選擇定則

7、，以使電子在躍遷的過程中波矢保持不變，則原來在價帶中的狀態(tài)矢保持不變，則原來在價帶中的狀態(tài)A的電子的電子只能躍遷到導帶中的狀態(tài)只能躍遷到導帶中的狀態(tài)B。A與與B在在E(k)曲線曲線上位于同一垂線上，因而這種躍遷稱為直接躍上位于同一垂線上，因而這種躍遷稱為直接躍遷。在遷。在A到到B直接躍遷中所吸收光子的能量與圖直接躍遷中所吸收光子的能量與圖24. 10mEEhcgg 因而從光吸收的測量，也可求得禁帶寬度。因而從光吸收的測量，也可求得禁帶寬度。EBA0kgE h中垂直距離中垂直距離AB相對應。顯然，對應于不同的相對應。顯然，對應于不同的k，垂直距離各不相，垂直距離各不相等。即，相當于任何一個等。即

8、，相當于任何一個k值的不同能量的光子都有可能被吸收，值的不同能量的光子都有可能被吸收，而吸收的光子最小能量應等于禁帶寬度而吸收的光子最小能量應等于禁帶寬度Eg。由此可見，。由此可見，本征吸收本征吸收形成一個連續(xù)吸收帶，并具有一個長波吸收限：形成一個連續(xù)吸收帶，并具有一個長波吸收限：10EBA0kgE h理論計算可得：在直接躍遷中，對任何理論計算可得：在直接躍遷中，對任何k值的躍遷都是允許的，則吸收系數與光子值的躍遷都是允許的，則吸收系數與光子能量關系為：能量關系為：基本為一常數?；緸橐怀怠?，AEhEhEhAhggg 021/ 23gEhhk0k0k 直直接接躍躍遷遷允允許許，這這時時值值處

9、處禁禁戒戒躍躍遷遷，但但其其它它的的躍躍遷遷幾幾率率為為零零，稱稱為為某某些些材材料料，躍躍遷遷，稱稱為為允允許許躍躍遷遷。處處的的躍躍遷遷幾幾率率不不為為零零的的 hgE 或或gE2 2 h22 或或gE外外推推可可確確定定直接躍遷吸收直接躍遷吸收系數與光子能系數與光子能量的關系：量的關系：直線直線0（10.42）(圖圖10.4，p300)11三、間接躍遷三、間接躍遷 電子、光子和聲子共同參與躍遷過程。電子、光子和聲子共同參與躍遷過程。141715pp13pifgifpcm10/2cm10a/qEHz10/c2EHz10kkq/hEEEEh ：，：，： E0 0iE000111a gESfE

10、的能帶的能帶Ge ifgpkkqEhqhhE ，則則有有，所所以以/間接帶隙半導體：間接帶隙半導體：Si, Ge, GaP能量守恒：能量守恒：動量守恒：動量守恒：間接帶間躍遷所涉及的光子能量仍然接近禁帶寬度間接帶間躍遷所涉及的光子能量仍然接近禁帶寬度聲子角頻率：聲子角頻率：光子角頻率：光子角頻率：聲子波矢：聲子波矢：光子波矢：光子波矢：12間接躍遷為一個二級過程（電子與光子作用，電子與聲子作間接躍遷為一個二級過程（電子與光子作用，電子與聲子作用），因此其發(fā)生概率比直接躍遷小得多，相應的吸收系數也用），因此其發(fā)生概率比直接躍遷小得多，相應的吸收系數也小。小。164131010101cmcm直直間

11、間； 吸收系數的理論表達式為：吸收系數的理論表達式為： pgpgpgp2pgpgp2pgp2pgEEh0EEhEE1kTEexpEEhAEEhkTEexp1EEh1kTEexpEEhAh 13四、四、補充補充1.直接帶隙半導體中，涉及聲子發(fā)射和吸收的間接躍遷直接帶隙半導體中，涉及聲子發(fā)射和吸收的間接躍遷也可能發(fā)生。主要是涉及光學聲子，發(fā)射聲子過程，吸收應發(fā)也可能發(fā)生。主要是涉及光學聲子，發(fā)射聲子過程，吸收應發(fā)生在直接躍遷吸收限短波一側。吸收聲子過程發(fā)生在吸收限長生在直接躍遷吸收限短波一側。吸收聲子過程發(fā)生在吸收限長波一側，可使直接躍遷吸收邊不是陡峭地下降為零。波一側，可使直接躍遷吸收邊不是陡峭

12、地下降為零。2.間接禁帶半導體中，仍可能發(fā)生直接躍遷。間接禁帶半導體中，仍可能發(fā)生直接躍遷。Ge吸收譜吸收譜的肩形結構的解釋，的肩形結構的解釋，P306，圖，圖10.8。3.重摻雜半導體（如重摻雜半導體（如n型），型），Ef進入導帶，低溫時，進入導帶，低溫時，Ef以以下能級被電子占據，價帶電子只能躍遷到下能級被電子占據，價帶電子只能躍遷到Ef以上的狀態(tài)，因而以上的狀態(tài)，因而本征吸收長波限藍移，即本征吸收長波限藍移，即伯斯坦移動伯斯坦移動(Burstein-Moss效應效應)。4.強電場作用下，能帶傾斜，小于強電場作用下，能帶傾斜，小于Eg的光子可通過光子的光子可通過光子誘導的隧道效應發(fā)生本征躍

13、遷，既本征吸收長波限紅移，即誘導的隧道效應發(fā)生本征躍遷，既本征吸收長波限紅移，即弗弗朗茲朗茲-克爾德什（克爾德什（Franz-Keldysh）效應。）效應。14研究本征吸收的意義：研究本征吸收的意義： 研究半導體的本征吸收光譜，不僅可以根據吸收限決研究半導體的本征吸收光譜，不僅可以根據吸收限決定禁帶寬度定禁帶寬度Eg，還有助于了解能帶的復雜結構，也可作為，還有助于了解能帶的復雜結構，也可作為區(qū)分直接帶隙和間接帶隙半導體的重要依據。區(qū)分直接帶隙和間接帶隙半導體的重要依據。 15光吸收光吸收：光在電介質中傳播時強度衰減的現象，稱為光吸收：光在電介質中傳播時強度衰減的現象，稱為光吸收上節(jié)課內容回顧上

14、節(jié)課內容回顧直接躍遷直接躍遷：只有電子與光子的作用，一級過程，電子躍遷前后：只有電子與光子的作用，一級過程，電子躍遷前后波矢改變很小，可以忽略，所以又稱為波矢改變很小，可以忽略，所以又稱為垂直躍遷垂直躍遷。間接躍遷間接躍遷：電子和光子作用，電子和聲子作用，二級過程，電：電子和光子作用，電子和聲子作用，二級過程，電子躍遷前后波矢改變較大。子躍遷前后波矢改變較大。光子和聲子的動能與動量之比較：光子和聲子的動能與動量之比較： 光子：動能光子：動能 大，動量大，動量 極??；極??； 聲子：動能聲子：動能 極小，動量極小，動量 大。大。 h h/p q無論是直接躍遷還是間接躍遷，都需要滿足：無論是直接躍遷

15、還是間接躍遷，都需要滿足：能量守恒能量守恒動量守恒動量守恒本征吸收：分為本征吸收：分為直接躍遷直接躍遷和和間接躍遷。間接躍遷。本征吸收限本征吸收限：Eg24. 1Eghc0 直接帶隙半導體中，也存在間接躍遷，直接帶隙半導體中，也存在間接躍遷，間接帶隙半導體中，也存在直接躍遷。間接帶隙半導體中，也存在直接躍遷。1610.3 激子吸收和其它吸收過程激子吸收和其它吸收過程比本征吸收限波長還長的光子也能被吸收：激子吸收、比本征吸收限波長還長的光子也能被吸收：激子吸收、自由載流子吸收和雜質吸收。自由載流子吸收和雜質吸收。一、激子吸收一、激子吸收 (exciton)1、光子能量、光子能量hvEI(SL)，

16、則：，則：23 dEcEvE c aEcEvE d2.電離雜質吸收電離雜質吸收: 電離施主上的空穴或電離受主上的電子，電離施主上的空穴或電離受主上的電子，可以吸收光子躍遷到價帶或導帶?？梢晕展庾榆S遷到價帶或導帶。 特征：對于淺施主或淺受主，這種躍遷對特征：對于淺施主或淺受主，這種躍遷對應的光子能量與禁帶寬度接近，將在本征吸收應的光子能量與禁帶寬度接近，將在本征吸收限的低能一側引起光吸收，形成連續(xù)譜。限的低能一側引起光吸收，形成連續(xù)譜。（圖圖10.16)吸收閾值：吸收閾值：IgEE 對于淺雜質，通常對于淺雜質，通常Eg-EIEI，則：，則：電離雜質吸收譜在中性雜質吸收譜高能側。電離雜質吸收譜在

17、中性雜質吸收譜高能側。24四、晶格振動吸收四、晶格振動吸收 遠紅外區(qū)，光子與晶格振動的相互作用引起的光吸收。遠紅外區(qū)，光子與晶格振動的相互作用引起的光吸收。吸收機理：紅外高頻光波電場，使離子晶體的正負離子沿相吸收機理：紅外高頻光波電場，使離子晶體的正負離子沿相反方向移動反方向移動 激發(fā)長光學波振動激發(fā)長光學波振動 交變的電偶極矩交變的電偶極矩 其與其與電磁場相互作用，導致光吸收。電磁場相互作用，導致光吸收。 晶格振動吸收，在離子晶體、極性半導體中較顯著；在元素晶格振動吸收，在離子晶體、極性半導體中較顯著；在元素半導體中，不存在固有電極矩偶，但也能觀察到晶格振動吸半導體中，不存在固有電極矩偶，但

18、也能觀察到晶格振動吸收較弱。實際上，這是一種二級效應，即，紅外光的電場感收較弱。實際上，這是一種二級效應，即，紅外光的電場感應產生電偶極矩，它反過來又與電場耦合，引起光吸收。應產生電偶極矩，它反過來又與電場耦合，引起光吸收。25五種光吸收過程：五種光吸收過程： 1、本征吸收、本征吸收 2、激子吸收、激子吸收 3、自由載流子吸收、自由載流子吸收 4、雜質吸收、雜質吸收 5、晶格振動吸收、晶格振動吸收上節(jié)課內容回顧上節(jié)課內容回顧261、本征吸收本征吸收：電子帶帶躍遷引起的光吸收。：電子帶帶躍遷引起的光吸收。 分為直接躍遷和間接躍遷分為直接躍遷和間接躍遷上節(jié)課內容回顧上節(jié)課內容回顧直接躍遷直接躍遷：

19、只有電子與光子的作用，一級過程，電子躍遷：只有電子與光子的作用，一級過程，電子躍遷前后波矢改變很小，可以忽略，所以又稱為前后波矢改變很小，可以忽略，所以又稱為垂直躍遷垂直躍遷。間接躍遷間接躍遷：電子和光子作用，電子和聲子作用，二級過程，：電子和光子作用，電子和聲子作用，二級過程，電子躍遷前后波矢改變較大。電子躍遷前后波矢改變較大。引起吸收的能量閾值：引起吸收的能量閾值：Eg吸收譜吸收譜：為連續(xù)譜，在吸收譜高能側（短波側）。：為連續(xù)譜，在吸收譜高能側（短波側）。272、激子吸收激子吸收： 電子吸收小于電子吸收小于Eg的光子，形成激子，引起光吸收。的光子，形成激子，引起光吸收。激子能級：為激子中電

20、子能量位置，激子能級：為激子中電子能量位置，n個，個，n=1為基態(tài)能級。為基態(tài)能級。激子束縛能：激子基態(tài)能級與導帶底之間的能量差激子束縛能：激子基態(tài)能級與導帶底之間的能量差 。上節(jié)課內容回顧上節(jié)課內容回顧1exEexciton吸收譜吸收譜：為分立譜（線狀譜），能量分布略低于本征吸收譜，：為分立譜（線狀譜），能量分布略低于本征吸收譜，在本征吸收限長波一側，在低溫可以測到。在本征吸收限長波一側，在低溫可以測到。引起吸收的能量閾值：引起吸收的能量閾值：1exEEg283、自由載流子吸收自由載流子吸收： 自由載流子吸收小于自由載流子吸收小于Eg的光子的光子，在同一能帶內躍遷，在同一能帶內躍遷，引起光吸

21、收。引起光吸收。吸收過程：吸收光子吸收或釋放聲子。吸收過程：吸收光子吸收或釋放聲子。（存在子帶間躍遷：基態(tài)激發(fā)態(tài)躍遷，形成線狀譜）（存在子帶間躍遷：基態(tài)激發(fā)態(tài)躍遷，形成線狀譜）上節(jié)課內容回顧上節(jié)課內容回顧吸收譜吸收譜：在本征吸收限長波一側，吸收系數隨波長的增加：在本征吸收限長波一側，吸收系數隨波長的增加而增大。吸收系數與散射機制有關。而增大。吸收系數與散射機制有關。294、雜質吸收雜質吸收： 占據雜質能級的電子或空穴的躍遷所引起的光吸收。占據雜質能級的電子或空穴的躍遷所引起的光吸收。上節(jié)課內容回顧上節(jié)課內容回顧a.中性雜質吸收：光吸收使雜質電離；吸收能量閾值為中性雜質吸收：光吸收使雜質電離；吸

22、收能量閾值為EIb.電離雜質吸收：光吸收使電離雜質恢復中性狀態(tài)；電離雜質吸收：光吸收使電離雜質恢復中性狀態(tài)； 吸收能量閾值為吸收能量閾值為EgEI吸收譜吸收譜：在本征吸收限長波一側，均形成連續(xù)譜。：在本征吸收限長波一側，均形成連續(xù)譜。對于淺雜質，通常對于淺雜質，通常Eg-EIEI，則：，則：電離雜質吸收譜在中性雜質吸收譜高能側電離雜質吸收譜在中性雜質吸收譜高能側.深能級中性雜質吸收譜在淺能級中性雜質吸收譜高能側深能級中性雜質吸收譜在淺能級中性雜質吸收譜高能側.深能級雜質深能級雜質EI(DL)EI(SL)，則：，則：30上節(jié)課內容回顧上節(jié)課內容回顧5、晶格振動吸收：晶格振動吸收： 光子與晶格振動

23、的相互作用引起的光吸收。光子與晶格振動的相互作用引起的光吸收。吸收過程：吸收光子吸收或釋放聲子。吸收過程：吸收光子吸收或釋放聲子。吸收譜吸收譜：遠紅外區(qū)。：遠紅外區(qū)。31一、附加電導率：光電導一、附加電導率：光電導10.4 光電導光電導1. 光照射半導體，使其電導率改變的現象為光照射半導體，使其電導率改變的現象為光電導效應光電導效應。包括以下過程信息：光吸收；載流子激發(fā)與遷移；復合包括以下過程信息：光吸收；載流子激發(fā)與遷移；復合與陷阱效應與陷阱效應。 p0n0p0n00ppnne2,pne1 光光照照后后總總電電導導率率：無無光光照照，熱熱平平衡衡時時暗暗電電導導率率： 認為認為n是一致的，是

24、一致的， p也是一致的。也是一致的。（1）本征光電導：本征吸收引起載流子數目變化。）本征光電導：本征吸收引起載流子數目變化。（2）雜質光電導：雜質吸收引起載流子數目變化。）雜質光電導：雜質吸收引起載流子數目變化。（3）帶內光電導：載流子吸收引起載流子遷移率變化，但不）帶內光電導：載流子吸收引起載流子遷移率變化，但不引起載流子數目變化。引起載流子數目變化。32 光照產生的非平衡載流子，開始時它們的能量比平衡載流光照產生的非平衡載流子，開始時它們的能量比平衡載流子的平均能量高，或者說這些載流子的分布不同于平衡分布。子的平均能量高，或者說這些載流子的分布不同于平衡分布。但經過極短的時間，通過和晶格的

25、碰撞，它們把多余的能量傳但經過極短的時間，通過和晶格的碰撞，它們把多余的能量傳遞給晶格，使本身的能量相應于平衡分布。因此，非平衡載流遞給晶格，使本身的能量相應于平衡分布。因此，非平衡載流子在其存在的大部分時間內，與平衡載流子的遷移率相同。子在其存在的大部分時間內，與平衡載流子的遷移率相同。認為認為n是一致的，是一致的， p也是一致的。也是一致的。WHY?33 np2000pn00p0n0pn0pn0neCdSNpeOCuP,np,pn5pn/pnbpbnnb1pnpn4pne3 ：；：獻。獻。載流子對附加電導有貢載流子對附加電導有貢某些材料中主要有一種某些材料中主要有一種或或一種載流子的情況下

26、，一種載流子的情況下，由于陷阱效應，束縛了由于陷阱效應，束縛了制成。制成。光敏電阻要由高阻材料光敏電阻要由高阻材料，必有，必有要使要使；光電導的相對值：光電導的相對值：加電導率加電導率光電導：光照引起的附光電導：光照引起的附本征光電導34二、定態(tài)光電導及其弛豫過程二、定態(tài)光電導及其弛豫過程 1.定態(tài)光電導：恒定光照下，達到穩(wěn)定態(tài)的光電導；定態(tài)光電導：恒定光照下，達到穩(wěn)定態(tài)的光電導；2.光電導的弛豫：光照光電導的弛豫：光照 光電導率逐漸增加光電導率逐漸增加 穩(wěn)定；穩(wěn)定； 停止光照后停止光照后 光電導率逐漸下降光電導率逐漸下降 消失。消失。光電導的弛豫反映了光生載流子的積累和消失過程。光電導的弛豫

27、反映了光生載流子的積累和消失過程。012 3 4 012 3 4 t s 光照光照停止光照停止光照353. I：光強（單位時間，通過單位面積的光子數），：光強（單位時間，通過單位面積的光子數）， 設強度為設強度為I的光均勻地垂直照射到樣品表面，的光均勻地垂直照射到樣品表面，為吸收系數，為吸收系數， , 則則 nsststssst0neeentnnn0tndtnd).2Innte1Itn0n0tnIdtnd).1nU11IGIdxdI: 所所以以，停停止止光光照照后后穩(wěn)穩(wěn)定定值值，時時，則則有有時時，設設變變化化過過程程光光照照后后非非平平衡衡載載流流子子的的，由由連連續(xù)續(xù)性性方方程程，得得小小

28、注注入入時時，復復合合率率為為為為量量子子產產額額空空穴穴對對的的產產生生率率電電子子吸吸收收的的光光能能量量單單位位時時間間、單單位位體體積積內內)xexp(II0 吸收一個光吸收一個光子產生載流子產生載流子的數目子的數目如果如果I是以光子數表示的光強是以光子數表示的光強(即單位時間通過單位即單位時間通過單位面積的光子數面積的光子數)，則單位時間，在單位體積中吸收，則單位時間，在單位體積中吸收的光子數為的光子數為)x(I .對應于上升曲線對應于上升曲線對應于下降曲線對應于下降曲線36 tI11Itnnn0tndtndInnttItanhIn0n0tnIdtndnnU22121s221s212

29、122 ，時，時，成反比成反比壽命與壽命與形，形，對強注入，直接復合情對強注入，直接復合情（圖（圖10.17）（有光照：）（有光照：）（停止光照：）（停止光照：）012 3 4 012 3 4 t s 光照光照停止光照停止光照37 光電導的馳豫代表光電導對于光強變化反應的快慢。光電導的馳豫代表光電導對于光強變化反應的快慢。 通常引入馳豫時間來表征光電導上升和下降所需時間的長通常引入馳豫時間來表征光電導上升和下降所需時間的長短，弛豫時間定義為短，弛豫時間定義為 上升和下降到定態(tài)值的一半所用時間，上升和下降到定態(tài)值的一半所用時間，對于小注入，為對于小注入，為 ；對于大注入，為；對于大注入，為 。討

30、論：討論：定態(tài)光電導定態(tài)光電導 線性光電導：線性光電導： (與光強成正比與光強成正比) 拋物線性光電導：拋物線性光電導： (與光強平方根成正比與光強平方根成正比) 定態(tài)光電導越大，光敏電阻的靈敏度越高。定態(tài)光電導越大，光敏電阻的靈敏度越高。 線性光電導中，線性光電導中， 越大，定態(tài)值越大，定態(tài)值 越大，則光敏電阻靈越大，則光敏電阻靈敏度越高。但對于高頻信號，馳豫時間必須足夠短，光電導才敏度越高。但對于高頻信號，馳豫時間必須足夠短，光電導才能跟上光信號的變化。所以，實際應用中，既要靈敏度高，又能跟上光信號的變化。所以，實際應用中，既要靈敏度高，又要馳豫時間短，則需要選擇適當材料來制作器件。要馳豫

31、時間短，則需要選擇適當材料來制作器件。s )I(enensns 2/1nsns)I(ene sn n 2ln 2/1)I( 38四、陷阱效應及其對光電導的影響四、陷阱效應及其對光電導的影響半導體中的雜質和缺陷在禁帶中形成能級，它們的作用半導體中的雜質和缺陷在禁帶中形成能級，它們的作用除了起施主、受主和復合中心作用外，還能引起陷阱效應。除了起施主、受主和復合中心作用外，還能引起陷阱效應。在熱平衡情況下，每種雜質能級上都有一定數目的電子，在熱平衡情況下，每種雜質能級上都有一定數目的電子，通過電子的俘獲和激發(fā)過程與能帶之間保持平衡。當半導體通過電子的俘獲和激發(fā)過程與能帶之間保持平衡。當半導體處于非平

32、衡態(tài)時，這種平衡遭到破壞，引起雜質能級上電子處于非平衡態(tài)時，這種平衡遭到破壞，引起雜質能級上電子數目的變化。數目的變化。若電子增加了，則說明該能級能收容一部分電子；若電若電子增加了，則說明該能級能收容一部分電子；若電子減少了，則可以看成該能級收容了空穴。子減少了，則可以看成該能級收容了空穴。非平衡載流子注入將使非平衡載流子注入將使Nt上電子數變化上電子數變化391. 陷阱效應陷阱效應：雜質或缺陷能級對某一種非平衡載流子的：雜質或缺陷能級對某一種非平衡載流子的顯著積累作用。顯著積累作用。 （所俘獲的非平衡載流子數目可以與（所俘獲的非平衡載流子數目可以與導帶或價帶中非平衡載流子數目相比擬）導帶或價

33、帶中非平衡載流子數目相比擬）具有顯著陷阱效應的雜質能級，稱為具有顯著陷阱效應的雜質能級，稱為陷阱陷阱，相應，相應的雜質或缺陷稱為陷阱中心。的雜質或缺陷稱為陷阱中心。 影影響響與與之之類類似似：的的的的影影響響，實實際際上上值值。只只考考慮慮表表示示熱熱平平衡衡時時的的偏偏微微分分陷陷阱阱電電子子積積累累，陷陷阱阱中中pn0pnnnnnnpnnn. 20t0tttt 40考慮到陷阱能級對電子和空穴的俘獲與激發(fā)過程，穩(wěn)定時由電考慮到陷阱能級對電子和空穴的俘獲與激發(fā)過程，穩(wěn)定時由電子的凈復合率子的凈復合率=空穴的凈復合率可得：空穴的凈復合率可得： nnpnNccnppnnpnppnnNnccnppc

34、nncpcncNcnppcnncpcncNcnnppcnncpcncNnttpnttpnpnpntntpnpntntpnpntt 時，可得時，可得，當當，有，有若若則：則：；00101001101021010012111111可見，此時雜質對非平衡載流子沒有顯著的陷阱效應。而實際可見，此時雜質對非平衡載流子沒有顯著的陷阱效應。而實際上，有時上，有時cn，cp常常相差很大。常常相差很大。（P214, 7.198式）(10.90)41若若 ，陷阱俘獲一個電子后，很難再俘獲，陷阱俘獲一個電子后，很難再俘獲一個空穴引起復合，這種陷阱就是一個空穴引起復合，這種陷阱就是電子陷阱電子陷阱。pnCC 則若則若

35、 ，陷阱為，陷阱為空穴陷阱空穴陷阱。npCC (1)、pnCC (2)、設、設 ，(10.90)式中略去含式中略去含Cp的項，有：的項，有：n)nn(nNn2101tt 42 效效應應最最顯顯著著。時時，陷陷阱阱，即即：時時令令ftctccfc0tmaxt10410101t210t1tEEkTEEexpNkTEEexpNnn4Nnnn0nnnnnN2nnNdnnd n0若為多子，通常若為多子，通常Nt n0，陷阱效應顯著。陷阱效應顯著。實際的陷阱問題大都是少數載流子的陷阱效應。實際的陷阱問題大都是少數載流子的陷阱效應。43設半導體為設半導體為N型，在禁帶中除了復合中心能級型，在禁帶中除了復合中

36、心能級 以外，還存以外，還存在少數載流子的陷阱能級在少數載流子的陷阱能級 。cEdE EtEvE 型型N間。間。在陷阱中的平均存在時在陷阱中的平均存在時為空穴為空穴；陷阱俘獲前的平均壽命陷阱俘獲前的平均壽命為空穴被為空穴被為少子空穴壽命；為少子空穴壽命；設設21 p3. 陷阱對穩(wěn)態(tài)光電導的影響：陷阱對穩(wěn)態(tài)光電導的影響： EtEpp 1p 2tp 4421 tptpppGdtpdGpp 則：則：假定是均勻的。假定是均勻的。，：光激發(fā)產生率：光激發(fā)產生率度；度；穴濃穴濃：陷阱能級上的過?？眨合葳迥芗壣系倪^剩空度；度；：價帶中的過?？昭猓簝r帶中的過剩空穴濃價帶的速率價帶的速率陷阱中空穴重新激發(fā)到陷

37、阱中空穴重新激發(fā)到俘獲率俘獲率陷阱對價帶過?？昭ǖ南葳鍖r帶過剩空穴的穴的復合率穴的復合率復合中心對價帶過?？諒秃现行膶r帶過剩空:p:p:p2t1p 0dtpd0dtpdppdtpdt2t1t ，穩(wěn)穩(wěn)態(tài)態(tài)時時：，陷阱中的空穴：陷阱中的空穴：45pn1pppnGppp1212tp12t ，則，則若陷阱效應顯著，必有若陷阱效應顯著，必有電中性條件：電中性條件：過?？昭舛龋┻^剩空穴濃度）（陷阱沒有改變價帶中（陷阱沒有改變價帶中所以所以 陷阱作用陷阱作用1： 陷阱的作用使得過剩多子濃度比無陷阱時高出許多倍陷阱的作用使得過剩多子濃度比無陷阱時高出許多倍46 pn12p12npn12nppnpn12p

38、pnp1pn2eGpe1eGnepe ，則，則因為因為穩(wěn)態(tài)時，穩(wěn)態(tài)時，導的靈敏度。導的靈敏度。：陷阱可顯著增加光電：陷阱可顯著增加光電陷阱作用陷阱作用，時，時，（無陷阱）（無陷阱）（有陷阱）（有陷阱）陷阱作用陷阱作用3：陷阱使多子的穩(wěn)態(tài)壽命比少子的大得多。：陷阱使多子的穩(wěn)態(tài)壽命比少子的大得多。47陷阱的存在增大了光電導的上升和下降的弛豫時間，陷阱的存在增大了光電導的上升和下降的弛豫時間，光電導上升（要填充陷阱能級）；光電導上升（要填充陷阱能級）；光電導衰減（陷阱中的載流子緩慢釋放）。光電導衰減（陷阱中的載流子緩慢釋放）。 陷阱作用陷阱作用4：對光電導衰減的影響：對光電導衰減的影響：以電子陷阱為

39、例：電子被陷阱俘獲后，基本上不能直接與空穴以電子陷阱為例：電子被陷阱俘獲后，基本上不能直接與空穴復合，它們必須先被激發(fā)到導帶，然后才能通過復合中心復合。復合，它們必須先被激發(fā)到導帶，然后才能通過復合中心復合。電子被激發(fā)到導帶之前在陷阱中的平均存在時間，一般比導帶電子被激發(fā)到導帶之前在陷阱中的平均存在時間，一般比導帶電子的壽命要長得多，因此：電子的壽命要長得多，因此：48圖圖10.20 具體分析具體分析P型硅的光電導衰減型硅的光電導衰減在在P型硅中存在深、淺兩種陷阱，開始時兩種陷阱都基本飽和，型硅中存在深、淺兩種陷阱，開始時兩種陷阱都基本飽和，即陷阱基本上被電子填滿，導帶中尚有相當數量的非平衡電

40、子。即陷阱基本上被電子填滿，導帶中尚有相當數量的非平衡電子。610 410 210 121041013101300129012801270123 阻阻電電）時間（時間（s型硅的光電導衰減型硅的光電導衰減P圖中圖中1，2，3三部分三部分分別對應于導帶中電分別對應于導帶中電子、淺陷阱中電子和子、淺陷阱中電子和深陷阱中電子的衰減。深陷阱中電子的衰減。49紅外淬滅紅外淬滅：在激發(fā)本征光電導的同時，用適當波長的紅外光：在激發(fā)本征光電導的同時，用適當波長的紅外光照射半導體樣品，可能導致光電導顯著下降，這種現象稱為照射半導體樣品，可能導致光電導顯著下降，這種現象稱為紅外淬滅紅外淬滅。陷阱效應陷阱效應原因原因

41、：在無長波長的光照射時，陷阱中的載流子只能依靠熱：在無長波長的光照射時，陷阱中的載流子只能依靠熱激發(fā)回到相應的能帶，其幾率通常是很小的。用長波長的光激發(fā)回到相應的能帶，其幾率通常是很小的。用長波長的光照射樣品，被陷的載流子可以由光激發(fā)脫離陷阱，因而增大照射樣品，被陷的載流子可以由光激發(fā)脫離陷阱，因而增大了被激發(fā)回能帶的幾率（了被激發(fā)回能帶的幾率（ ），大大減小了在陷阱中的平），大大減小了在陷阱中的平均自由時間（均自由時間（ ），導致光電導顯著下降（），導致光電導顯著下降（(10.101)式式）。）。2/1 因此，在相同的本征激發(fā)條件下，用自然光激發(fā)比用單色光因此，在相同的本征激發(fā)條件下，用自然光激發(fā)比用單色光有較小的靈敏度。有較小的靈敏度。2 5010.5丹倍效應和光磁效應丹倍效應和光磁效應(p.326)1.由于光激發(fā)非平衡載流子的擴散，在光照面與背面之由于光激發(fā)非平衡載流子的擴散，在光照面與背面之間產生的電勢差，稱為丹倍電勢差，有時也稱為光擴散電勢差。間產生的電勢差，稱為丹倍電勢差，有時也稱為光擴散電勢差。這個效應稱為這個效應稱為丹倍效應丹倍效應（Dember effe