刻蝕工藝學(xué)習(xí)教案

1、會(huì)計(jì)學(xué)1刻蝕工藝刻蝕工藝(gngy)第一頁(yè)，共37頁(yè)。第1頁(yè)/共36頁(yè)第二頁(yè)，共37頁(yè)。第2頁(yè)/共36頁(yè)第三頁(yè)，共37頁(yè)。第3頁(yè)/共36頁(yè)第四頁(yè)，共37頁(yè)。第4頁(yè)/共36頁(yè)第五頁(yè)，共37頁(yè)。第5頁(yè)/共36頁(yè)第六頁(yè)，共37頁(yè)。第6頁(yè)/共36頁(yè)第七頁(yè)，共37頁(yè)。第7頁(yè)/共36頁(yè)第八頁(yè)，共37頁(yè)。硅片SiO2薄膜氫腐酸等腐蝕液光刻膠（光致抗腐劑）橫向鉆蝕圖7-1 濕法刻蝕出現(xiàn)橫向(hn xin)鉆蝕現(xiàn)象第8頁(yè)/共36頁(yè)第九頁(yè)，共37頁(yè)。干法刻蝕物理性刻蝕化學(xué)性刻蝕反應(yīng)離子刻蝕 第9頁(yè)/共36頁(yè)第十頁(yè)，共37頁(yè)。獲得接近垂直的刻蝕輪廓缺點(diǎn)：離子是全面均勻地濺射在芯片上，光刻膠和被刻蝕材料同時(shí)被刻蝕，造

2、成刻蝕選擇性偏低。同時(shí)，被擊出的物質(zhì)并非揮發(fā)性物質(zhì)，這些物質(zhì)容易二次沉積在被刻蝕薄膜的表面及側(cè)壁。第10頁(yè)/共36頁(yè)第十一頁(yè)，共37頁(yè)。第11頁(yè)/共36頁(yè)第十二頁(yè)，共37頁(yè)。第12頁(yè)/共36頁(yè)第十三頁(yè)，共37頁(yè)。第13頁(yè)/共36頁(yè)第十四頁(yè)，共37頁(yè)。第14頁(yè)/共36頁(yè)第十五頁(yè)，共37頁(yè)。第15頁(yè)/共36頁(yè)第十六頁(yè)，共37頁(yè)。圖7-2(a) RIE設(shè)備(shbi)示意圖 圖7-2(b) 三極(sn j)式RIE設(shè)備示意圖 第16頁(yè)/共36頁(yè)第十七頁(yè)，共37頁(yè)。圖7-2(c)RIE原理圖第17頁(yè)/共36頁(yè)第十八頁(yè)，共37頁(yè)。圖7-3日本芝浦Mechatronics株式會(huì)社生產(chǎn)的適用于不同(b tn

3、)尺寸單晶硅圓片的反應(yīng)離子刻蝕裝置第18頁(yè)/共36頁(yè)第十九頁(yè)，共37頁(yè)。第19頁(yè)/共36頁(yè)第二十頁(yè)，共37頁(yè)。圖7-4 磁場(chǎng)強(qiáng)化活性離子(lz)刻蝕設(shè)備示意圖第20頁(yè)/共36頁(yè)第二十一頁(yè)，共37頁(yè)。第21頁(yè)/共36頁(yè)第二十二頁(yè)，共37頁(yè)。圖7-5 電子回旋共振(gngzhn)式等離子體刻蝕設(shè)備示意圖第22頁(yè)/共36頁(yè)第二十三頁(yè)，共37頁(yè)。第23頁(yè)/共36頁(yè)第二十四頁(yè)，共37頁(yè)。第24頁(yè)/共36頁(yè)第二十五頁(yè)，共37頁(yè)。第25頁(yè)/共36頁(yè)第二十六頁(yè)，共37頁(yè)。第26頁(yè)/共36頁(yè)第二十七頁(yè)，共37頁(yè)。為0，而二氧化硅的刻蝕速率卻基本不受影響。2. 氮化硅的干法刻蝕 Si3N4在半導(dǎo)體工藝中主要用在兩

4、個(gè)地方：用作器件區(qū)的防止氧化保護(hù)層(厚約100 nm)；作為器件的鈍化保護(hù)層。第27頁(yè)/共36頁(yè)第二十八頁(yè)，共37頁(yè)。第28頁(yè)/共36頁(yè)第二十九頁(yè)，共37頁(yè)。第29頁(yè)/共36頁(yè)第三十頁(yè)，共37頁(yè)。第30頁(yè)/共36頁(yè)第三十一頁(yè)，共37頁(yè)。第31頁(yè)/共36頁(yè)第三十二頁(yè)，共37頁(yè)。第32頁(yè)/共36頁(yè)第三十三頁(yè)，共37頁(yè)。表7-1 幾種等離子體刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)(jin c)方法第33頁(yè)/共36頁(yè)第三十四頁(yè)，共37頁(yè)。第34頁(yè)/共36頁(yè)第三十五頁(yè)，共37頁(yè)。表7-2 刻蝕質(zhì)量(zhling)檢測(cè)第35頁(yè)/共36頁(yè)第三十六頁(yè)，共37頁(yè)。NoImage內(nèi)容(nirng)總結(jié)會(huì)計(jì)學(xué)。濕法刻蝕又稱為濕化學(xué)刻蝕法，主要是借助刻蝕劑與待刻材料之間的化學(xué)反應(yīng)將待刻膜層溶解達(dá)到刻蝕的目的。優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn) ：具有較高的掩膜/底層的選擇比及等向性。解決方法：在刻蝕不需要圖形轉(zhuǎn)移的步驟(bzhu)(如光刻膠的去除)中應(yīng)用純化學(xué)刻蝕。通常，刻蝕輪廓可利用氣體的種類、比例和偏