第5章模擬電路

1、5.1 結型場效應管結型場效應管5.2 金屬金屬-氧化物氧化物-半導體場效應管半導體場效應管5.4 場效應管放大電路場效應管放大電路5.5 各種放大器件電路性能比較各種放大器件電路性能比較N溝道溝道P溝道溝道增強型增強型耗盡型耗盡型N溝道溝道P溝道溝道N溝道溝道P溝道溝道（耗盡型）（耗盡型）FET場效應管場效應管JFET結型結型MOSFET絕緣柵型絕緣柵型(IGFET)分類：分類：增強型增強型：場效應管沒有加偏置電壓時，沒有導電溝道：場效應管沒有加偏置電壓時，沒有導電溝道耗盡型耗盡型：場效應管沒有加偏置電壓時，就有導電溝道存在：場效應管沒有加偏置電壓時，就有導電溝道存在5.1 結型場效應管結型

2、場效應管 結構結構 工作原理工作原理 輸出特性輸出特性 轉移特性轉移特性 主要參數主要參數 5.1.1 JFET的結構和工作原理的結構和工作原理 5.1.2 JFET的特性曲線及參數的特性曲線及參數 5.1.1 JFET的結構和工作原理的結構和工作原理1. 結構結構 源極源極，用用S或或s表示表示N型導電溝道型導電溝道漏極漏極，用用D或或d表示表示 P型區(qū)型區(qū)P型區(qū)型區(qū)柵極柵極，用用G或或g表示表示柵極柵極，用用G或或g表示表示符號符號符號符號5.1.1 JFET的結構和工作原理的結構和工作原理5.1結型場結型場效應管工效應管工作原理作原理1. 結構結構 2. 工作原理工作原理 VGS對溝道的

3、控制作用對溝道的控制作用當當VGS0時時（以（以N溝道溝道JFET為例）為例） 當溝道夾斷時，對應當溝道夾斷時，對應的柵源電壓的柵源電壓VGS稱為稱為夾斷夾斷電壓電壓VP （ 或或VGS(off) ）。）。對于對于N溝道的溝道的JFET，VP 0。PN結反偏結反偏耗盡層加厚耗盡層加厚溝道變窄。溝道變窄。 VGS繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄繼續(xù)變窄5.1結型場結型場效應管工效應管工作原理作原理 VDS對溝道的控制作用對溝道的控制作用當當VGS=0時，時，VDS ID G、D間間PN結的反向電結的反向電壓增加，使靠近漏極處的壓增加，使靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，耗盡層加寬，溝道變窄，

4、從上至下呈楔形分布。從上至下呈楔形分布。 當當VDS增加到使增加到使VGD=VP 時，在緊靠漏極處出現預時，在緊靠漏極處出現預夾斷。夾斷。此時此時VDS 夾斷區(qū)延長夾斷區(qū)延長溝道電阻溝道電阻 ID基本不變基本不變2. 工作原理工作原理（以（以N溝道溝道JFET為例）為例）5.1結型場結型場效應管工效應管工作原理作原理（以（以N溝道溝道JFET為例）為例） VGS和和VDS同時作用時同時作用時 導電溝導電溝道更容易夾斷，道更容易夾斷， 對于同樣對于同樣的的VDS ， ID的值比的值比VGS=0時時的值要小。的值要小。在預夾斷處在預夾斷處VGD=VGS- -VDS =VP 當當VP VGS0時時U

5、GS足夠大時足夠大時（UGSVT）感）感應出足夠多電子，應出足夠多電子，這里出現以電子這里出現以電子導電為主的導電為主的N型型導電溝道。導電溝道。感應出電子感應出電子VT稱為閾值電壓稱為閾值電壓 2、MOS管的工作原理管的工作原理5.3 MOS場效應管場效應管工作原理工作原理UGS較小時，導較小時，導電溝道相當于電電溝道相當于電阻將阻將D-S連接起連接起來，來，UGS越大此越大此電阻越小。電阻越小。PNNGSDUDSUGS2、MOS管的工作原理管的工作原理5.3 MOS場效應管場效應管工作原理工作原理PNNGSDUDSUGS當當UDS不太大不太大時，導電溝時，導電溝道在兩個道在兩個N區(qū)區(qū)間是均

6、勻的。間是均勻的。當當UDS較大較大時，靠近時，靠近D區(qū)的導電溝區(qū)的導電溝道變窄。道變窄。 2、MOS管的工作原理管的工作原理5.3 MOS場效應管場效應管工作原理工作原理PNNGSDUDSUGS夾斷后，即夾斷后，即使使UDS 繼續(xù)繼續(xù)增加，增加，ID仍仍呈恒流特性呈恒流特性。IDUDS增加，增加，UGD=VT 時，時，靠近靠近D端的溝道被夾斷，端的溝道被夾斷，稱為予夾斷。稱為予夾斷。2、MOS管的工作原理管的工作原理5.3 MOS場效應管場效應管工作原理工作原理UGS=3VUGS=4VUGS=5VU DS （V）ID（mA）01324UGS=2VUGS=1V開啟電壓開啟電壓UGS（th）固定

7、一個固定一個U DS，畫出，畫出ID和和UGS的關系曲線，稱為轉移特性的關系曲線，稱為轉移特性曲線曲線3、增強型、增強型N溝道溝道MOS管的特性曲線管的特性曲線 可可變變電電阻阻區(qū)區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)截止區(qū)5.3 MOS場效應管場效應管工作原理工作原理MOSFETMOSFET的輸出特性曲線是指在柵源電壓的輸出特性曲線是指在柵源電壓u uGSGS一定一定的情況下，漏極電流的情況下，漏極電流i iD D與漏源電壓與漏源電壓u uDSDS之間的關系：之間的關系：常常數數GSuDSDufi)()(TGSDSVuuTGSVu可變電阻區(qū)可變電阻區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)截止區(qū)當當 u uGSGSV VT T 時

8、時 ，導電溝道尚未形成，導電溝道尚未形成，I ID D=0=0為為截止工作狀態(tài)截止工作狀態(tài)開啟電壓開啟電壓V VT T為在漏源電壓作用下開始導電時的柵源電壓為在漏源電壓作用下開始導電時的柵源電壓u uGSGSTGSDSVuu2) 1(TGSDODVuIi3、增強型、增強型N溝道溝道MOS管的特性曲線管的特性曲線DTGSTnDOiVvVKI時時是是2,2 5.3 MOS場效應管場效應管工作原理工作原理N溝道增強型溝道增強型（UGS=0時，時，ID =0 ）GSDIDUGSUGS（th）開啟電壓開啟電壓UGS全正全正增強型增強型NMOS場效應管轉移特性場效應管轉移特性2) 1(TGSDODVuIi

9、5.3 MOS場效應管場效應管工作原理工作原理輸出特性曲線輸出特性曲線UGS=0VU DS （V）ID（mA）01324UGS=+1VUGS=+2VUGS=-1VUGS=-2V夾斷電壓夾斷電壓UP固定一個固定一個U DS，畫出，畫出ID和和UGS的關系曲線，稱為轉移特性的關系曲線，稱為轉移特性曲線曲線4、耗盡型、耗盡型N溝道溝道MOS管的特性曲線管的特性曲線5.3 MOS場效應管場效應管工作原理工作原理N溝道耗盡型溝道耗盡型（UGS=0時，時，有有ID）GSD0UGS（off）IDUGS夾斷電壓夾斷電壓UGS有正有正有負有負耗盡型耗盡型NMOS場效應管轉移特性場效應管轉移特性耗盡型的耗盡型的M

10、OS管管UGS=0時就有導電溝道，加反向時就有導電溝道，加反向電壓才能夾斷。電壓才能夾斷。 5.3 MOS場效應管場效應管工作原理工作原理5.4 場效應管放大電路場效應管放大電路 直流偏置電路直流偏置電路 靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點 FET小信號模型小信號模型 動態(tài)指標分析動態(tài)指標分析 三種基本放大電路的性能比較三種基本放大電路的性能比較 5.4.1 FET的直流偏置及靜態(tài)分析的直流偏置及靜態(tài)分析 5.4.2 FET放大電路的小信號模型分析法放大電路的小信號模型分析法 場效應管是電壓控制電流元件，具有高輸入阻抗。場效應管是電壓控制電流元件，具有高輸入阻抗。1. 場效應管放大電路的三種接法場效應管放大

11、電路的三種接法（以（以N溝道結型場效應管為例）溝道結型場效應管為例）場效應管放大電路的三種接法場效應管放大電路的三種接法（a）共源電路（）共源電路（b）共漏電路（）共漏電路（c）共柵電路）共柵電路 5.4.1 FET的直流偏置及靜態(tài)分析的直流偏置及靜態(tài)分析5.4.1 FET靜態(tài)分析靜態(tài)分析2.場效應管放大電路的靜態(tài)工作點的設置方法場效應管放大電路的靜態(tài)工作點的設置方法基本共源放大電路基本共源放大電路VDD+uO iDT+ uIVGGRGSDGRD與雙極型三極管對應關系與雙極型三極管對應關系b G , e S , c D 為了使場效應管工作為了使場效應管工作在恒流區(qū)實現放大作在恒流區(qū)實現放大作用

12、，應滿足：用，應滿足：TGSDSTGS UuuUu N 溝道增強型溝道增強型 MOS 場效應管組成的放大電路。場效應管組成的放大電路。( (UT：開啟電壓：開啟電壓) )一、基本共源放大電路一、基本共源放大電路5.4.1 FET靜態(tài)分析靜態(tài)分析靜態(tài)分析靜態(tài)分析 UGSQ 、 IDQ UDSQVDD+uO iDT+ uIVGGRGSDGRD基本共源放大電路基本共源放大電路兩種方法兩種方法近似估算法近似估算法圖解法圖解法 ( (一一) ) 近似估算法近似估算法MOS 管柵極電流管柵極電流為零，當為零，當 uI = 0 時時UGSQ = VGG而而 iD 與與 uGS 之間近似滿足之間近似滿足2TG

13、SDOD)1( UuIi( (當當 uGS UT) )式中式中 IDO 為為 uGS = 2UT 時的值。時的值。2TGSQDODQ)1( UUIIDDQDDDSQRIVU 則靜態(tài)漏極電流為則靜態(tài)漏極電流為5.4.1 FET靜態(tài)分析靜態(tài)分析 ( (二二) ) 圖解法圖解法圖解法求基本共源放大電路的圖解法求基本共源放大電路的 靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點VDDDDDRVIDQUDSQQ利用式利用式 uDS = VDD iDRD 畫出直流負載線。畫出直流負載線。圖中圖中 IDQ、UDSQ 即為靜態(tài)值。即為靜態(tài)值。5.4.1 FET靜態(tài)分析靜態(tài)分析Q點：點： UGSQ 、 IDQ 、 UDSQUGSQ =2

14、PGSQDSSDQ)1 (UUIIUDSQ =已知已知UP 或或 UGS（Off)VDD- IDQ (Rd + R ) -IDQR可解出可解出Q點的點的UGS Q、 IDQ 、 UDSQ 如知道如知道FET的特性曲線，也可采用的特性曲線，也可采用圖解法。圖解法。二、自給偏壓電路二、自給偏壓電路JFET自給偏壓共源電路自給偏壓共源電路耗盡型耗盡型MOS管自給偏壓共源電路的分析方法相同。管自給偏壓共源電路的分析方法相同。IDQ5.4.1 FET靜態(tài)分析靜態(tài)分析三、三、分壓式分壓式偏偏置置電路電路( (一一)Q)Q點點近似估算法近似估算法根據輸入回路列方程根據輸入回路列方程解聯立方程求出解聯立方程求

15、出 UGSQ 和和 IDQ。列輸出回路方程求列輸出回路方程求 UDSQUDSQ = VDD IDQ(RD + RS)將將I IDQDQ 代入，求出代入，求出U UDSDSQ QMOS管分壓式管分壓式偏偏置置電路電路VDD+ T+RGSDGRDR2RLRSR1C1CSC2+iUoUSV QVGSGV2TGSQDODQ)1( UUIISDQDD211GSQRIVRRRU 5.4.1 FET靜態(tài)分析靜態(tài)分析TGSVu可變電阻區(qū)可變電阻區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)截止區(qū)當當 u uGSGSV VT T 時時 ，導電溝道尚未形成，導電溝道尚未形成，I ID D=0=0為為截止工作狀態(tài)截止工作狀態(tài)TGSDSVuu

16、2) 1(TGSDODVuIi)(TGSDSVuu對于對于N N溝道增強型溝道增強型MOSMOS管電路的直流計算，管電路的直流計算，應該區(qū)分：應該區(qū)分：5.4.1 FET靜態(tài)分析靜態(tài)分析（2 2）結型場效應管分壓式自偏壓電路）結型場效應管分壓式自偏壓電路SV GSVGVDDg2g1g2VRRR RID 2)1(PGSDSSDVuIi 5.4.1 FET靜態(tài)分析靜態(tài)分析可變電阻區(qū)可變電阻區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)截止區(qū)當當 u uGSGSV VP P 時時 ，I ID D=0=0，為截止工作狀態(tài)，為截止工作狀態(tài)2)1(PGSDSSDVuIi )(PGSDSVuu 對于對于N N溝道溝道JFETJFET

17、管電路的直流計算，應該區(qū)分：管電路的直流計算，應該區(qū)分：0 GSuPVPGSVu DSu0 GSuPV5.4.1 FET靜態(tài)分析靜態(tài)分析( (二二) )圖解法圖解法由式由式SDDD211SDGQGSRiVRRRRiUu 可做出一條直線，可做出一條直線，另外，另外，iD 與與 uGS 之間滿之間滿足轉移特性曲線的規(guī)律，足轉移特性曲線的規(guī)律，二者之間交點為靜態(tài)工二者之間交點為靜態(tài)工作點，確定作點，確定 UGSQ， IDQ 。MOS管分壓式管分壓式偏偏置置電路電路VDD+ T+RGSDGRDR2RLRSR1C1CSC2+iUoU5.4.1 FET靜態(tài)分析靜態(tài)分析SDDDRRV 根據漏極回路方程根據漏

18、極回路方程在漏極特性曲線上做直流負載線，在漏極特性曲線上做直流負載線， 與與 uGS = UGSQ 的的交點確定交點確定 Q，由，由 Q 確定確定 UDSQ 和和 IDQ值。值。UDSQuDS = VDD iD(RD + RS)3 uDS/ViD/mA012152 V105uGS4.5V4V3.5V UGSQ3 VVDDQIDQuGS/ViD/mAO24612QIDQUGSQSGQRUUGQ5.4.1 FET靜態(tài)分析靜態(tài)分析場效應管的微變等效電路場效應管的微變等效電路GSD),(DSGSDuufi DSDSDGSGSDDuuiuuiiDSDSGSmurug 1GSDmuig 跨導跨導DDSDS

19、iur 漏極輸出電阻漏極輸出電阻uGSiDuDS1. FET小信號模型小信號模型 5.4.2 FET放大電路的小信號模型分析法放大電路的小信號模型分析法很大，很大，可忽略?？珊雎?。 場效應管的微變等效電路為：場效應管的微變等效電路為：GSDuGSiDuDSSGDugsgmugsudsSGDrDSugsgmugsuds一般一般 g gm m 約為約為 0.1 0.1 至至 20 mS20 mS。 r rDSDS 為為幾百千歐的數量級。當幾百千歐的數量級。當 R RD D 比比 r rDSDS 小得小得多時，可認為等效電路的多時，可認為等效電路的 r rDSDS 開路開路。5.4.2 FET小信號

20、模小信號模型分析型分析5.4.2 FET放大電路的小信號模型分析法放大電路的小信號模型分析法1. FET小信號模型小信號模型 （1）低頻模型）低頻模型5.4.2 FET小信號模小信號模型分析型分析（2）高頻模型）高頻模型2. 動態(tài)指標分析動態(tài)指標分析 （1 1）中頻小信號模型）中頻小信號模型5.4.2 FET小信號模小信號模型分析型分析2. 動態(tài)指標分析動態(tài)指標分析 （2）中頻電壓增益）中頻電壓增益（3）輸入電阻）輸入電阻（4）輸出電阻）輸出電阻忽略忽略 rD iVgsVRVggsm )1(mgsRgV oVdgsmRVg mVARgRgmdm1 /iiRR 由輸入輸出回路得由輸入輸出回路得則

21、則giiIVR )/(g2g1g3RRR )/()1(g2g1g3mgsgsRRRRgrr 通常通常則則)/(g2g1g3iRRRR doRR Rgrr)1(mgsgs gsgsgsmgsgsgs)(rVRVgrVV rgs極大,g、s間可視為開路5.4.2 FET小信號模小信號模型分析型分析共漏極放大電路如圖示。共漏極放大電路如圖示。試求中頻電壓增益、輸入試求中頻電壓增益、輸入電阻和輸出電阻。電阻和輸出電阻。（2）中頻電壓增益）中頻電壓增益（3）輸入電阻）輸入電阻 iVgsV)/(LgsmRRVg )/(1LmgsRRgV oV)/(LgsmRRVg mVA)/(1)/(LmLmRRgRRg

22、 得得)/(g2g1g3iRRRR 解：解： （1 1）中頻小信號模型）中頻小信號模型由由ioVV1 例題例題（4 4）輸出電阻）輸出電阻 TIRIgsmVg RVT gsVTV oRm11gR 所以所以由圖有由圖有TTIVgsmVg m1/gR 5.4.2 FET小信號模小信號模型分析型分析3. 三種基本放大電路的性能比較三種基本放大電路的性能比較組態(tài)對應關系：組態(tài)對應關系：CECSCCCDBJTFETCBCGBJTFET電壓增益：電壓增益：beLc)/(rRR )/)(1()/()1(LebeLeRRrRR beLc)/(rRR CE：CC：CB：)/(LdmRRg )/(1)/(LmLm

23、RRgRRg )/(LdmRRgCS：CD：CG：5.4.2 FET小信號模小信號模型分析型分析3. 三種基本放大電路的性能比較三種基本放大電路的性能比較輸入電阻：輸入電阻：beb/rR輸出電阻：輸出電阻：cR )/)(1(/LebebRRrR 1)/(/bebserRRR 1/beerRcRBJTFETCE：CC：CB：CS：CD：CG：)/(g2g1g3RRR m1/gR)/(g2g1g3RRR CE：CC：CB：CS：CD：CG：dRm1/gRdR5.4.2 FET小信號模小信號模型分析型分析 場效應管共源極放大電路場效應管共源極放大電路一、靜態(tài)分析一、靜態(tài)分析求：求：UDS和和 ID。

24、設：設：UGUGS則：則：UG US而：而：IG=0所以：所以：UDD=20VuoRSuiCSC2C1R1RDRGR2RL150k50k1M10k10kGDS10kV5212DDGURRRUmA5 . 0SGSSDRURUIV10)(DSDDDDSRRIUU5.4.2 FET小信號模小信號模型分析型分析uoUDD=20VRSuiCSC2C1R1RDRGR2RL150k50k1M10k10kGDS10k二、動態(tài)分析二、動態(tài)分析sgR2R1RGRLdRLRD微變等效電路微變等效電路gsmUggsU5.4.2 FET小信號模小信號模型分析型分析sgR2R1RGRLdRLRDgsUgsmUgiUoUg

25、siUU)/(LDgsmoRRUgULmuRgA21/RRRrGiM0375. 1ro=RD=10k 5.4.2 FET小信號模小信號模型分析型分析場效應管源極輸出器場效應管源極輸出器一、靜態(tài)分析一、靜態(tài)分析US UGmA50.RURUISGSSDUDS=UDD- US =20-5=15VV5211DDGURRRUuo+UDDRSuiC1R1RGR2RL150k50k1M10kDSC2G5.4.2 FET小信號模小信號模型分析型分析uo+UDDRSuiC1R1RGR2RL150k50k1M10kDSC2GLgsmgsLgsmiouRUgURUgUUA11LmLmRgRgiUoUgsUgsmUg

26、dIriro ro gR2R1RGsdRLRS微變等效電路微變等效電路二、動態(tài)分析二、動態(tài)分析5.4.2 FET小信號模小信號模型分析型分析riro ro gR2R1RGsdRLRS微變等效電路微變等效電路21/RRRrGiM0375. 1輸入電阻輸入電阻 ri5.4.2 FET小信號模小信號模型分析型分析輸出電阻輸出電阻 ro加壓求流法加壓求流法mgsmgsdogUgUIUr1SooRrr/UIdIgd微變等效電路微變等效電路ro ro R2R1RGsRSgsUgsmUg5.4.2 FET小信號模小信號模型分析型分析 解：解：畫中頻小信號等效電路畫中頻小信號等效電路 gsmVg iV gsV

27、2gsmRVg bIbI bI oVcbRI MVA2mcm1RgRg 6 .128 giRR coRR M 5則電壓增益為則電壓增益為sgRR 例題例題放大電路如圖所示。已知放大電路如圖所示。已知，ms 18m g，100 試求電路的中頻增益、輸入電阻和輸出電阻。試求電路的中頻增益、輸入電阻和輸出電阻。， k 1ber根據電路有根據電路有 ioVV由于由于則則 sMVA soVV iosiVVVV k 20 MisiVARRR6 .128M VA場效應管放大電路的特點場效應管放大電路的特點1. 1. 場效應管是電壓控制元件；場效應管是電壓控制元件； 2. 2. 柵極幾乎不取用電流，輸入電阻非

28、常高；柵極幾乎不取用電流，輸入電阻非常高；3. 3. 一種極性的載流子導電，噪聲小，受外界一種極性的載流子導電，噪聲小，受外界 溫度及輻射影響?。粶囟燃拜椛溆绊懶?； 4. 4. 制造工藝簡單，有利于大規(guī)模集成；制造工藝簡單，有利于大規(guī)模集成；5. 5. 存放管子應將柵源極短路，焊接時烙鐵外殼存放管子應將柵源極短路，焊接時烙鐵外殼應接地良好，防止漏電擊穿管子；應接地良好，防止漏電擊穿管子； 6. 6. 跨導較小，電壓放大倍數一般比三極管低?？鐚л^小，電壓放大倍數一般比三極管低。場效應管放大電路小結場效應管放大電路小結(2) (2) 場效應管共源極放大器場效應管共源極放大器( (漏極輸出漏極輸出)

29、 )輸輸入輸出反相，電壓放大倍數大于入輸出反相，電壓放大倍數大于1 1；輸出；輸出電阻電阻= =R RD D。(4) 場效應管有三個極：源極（場效應管有三個極：源極（s s）、柵極（、柵極（g g）漏）漏 極（極（d d），對應于晶體管的），對應于晶體管的e e、b b、c c； 有有三個工作區(qū)域：截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻三個工作區(qū)域：截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)，對應于區(qū)，對應于晶體晶體管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。(1) (1) 場效應管放大器輸入電阻很大。場效應管放大器輸入電阻很大。(3) (3) 場效應管源極跟隨器輸入輸出同相，場效應管源極跟隨器輸入輸出同相，

30、電壓放大倍數小于電壓放大倍數小于1 1且約等于且約等于1 1；輸出電阻小。；輸出電阻小。2.7.3場效應管放大電路的動態(tài)分析場效應管放大電路的動態(tài)分析),(DSGSDuufi iD 的全微分為的全微分為DSDSDGSGSDDdddGSDSuuiuuiiUU 上式中定義：上式中定義：DSGSDmUuig GSDSDSD1Uuir 場效應管的跨導場效應管的跨導( (毫毫西門子西門子 mS) )。 場效應管漏源之間等效電阻。場效應管漏源之間等效電阻。一、場效應管的低頻小信號等效模型一、場效應管的低頻小信號等效模型如果輸入正弦信號，則可用相量代替上式中的變量。如果輸入正弦信號，則可用相量代替上式中的變

31、量。成為：成為：dSDSgsmd1UrUgI 根據上式做等效電路如圖所示。根據上式做等效電路如圖所示。MOS管的管的低頻小信號等效模型低頻小信號等效模型由于沒有柵極電流，所以柵源是懸空的。由于沒有柵極電流，所以柵源是懸空的。是一個受控源。是一個受控源。 gsmUg+gsUgsmUgdsUdIDSrgdSsgd微變參數微變參數 gm 和和 rDS ( (1) ) 根據定義通過在特性曲線上作圖方法中求得。根據定義通過在特性曲線上作圖方法中求得。( (2) ) 用求導的方法計算用求導的方法計算 gmDDOTTGSTDOGSDm2)1(2ddiIUUuUIuig 在在 Q 點附近，可用點附近，可用 I

32、DQ 表示上式中表示上式中 iD，則則DQDOTm2IIUg 一般一般 gm 約為約為 0.1 至至 20 mS。 rDS 為幾百千歐的數量級。為幾百千歐的數量級。當當 RD 比比 rDS 小得多時，可認為等效電路的小得多時，可認為等效電路的 rDS 開路開路。二、基本二、基本 共源放大電路的動態(tài)分析共源放大電路的動態(tài)分析VDD+uO iDT+ uIVGGRGSDGRD基本共源放大電路的等效電路基本共源放大電路的等效電路將將 rDS 開路開路gsiUU 而而DgsmDdoRUgRIU 所以所以DmioRgUUAu 輸出電阻輸出電阻Ro = RDMOS 管輸入電阻高達管輸入電阻高達 109 。 D+ gsUgsmUgoUdIDRGSRG+ iU1.基本共源放大電路基本共源放大電路動態(tài)分析動態(tài)分析2.分壓式偏置電路的動態(tài)分析分壓式偏置電路的動態(tài)分析等效電路入圖所示等效電路入