半導(dǎo)體封測(cè)行業(yè)報(bào)告：先進(jìn)封裝驅(qū)動(dòng)未來成長(zhǎng)

1、半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告目 錄1.封測(cè)位于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈下游，專業(yè)化分工是未來發(fā)展方向.41.1 封測(cè)位于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈下游，發(fā)展可分為五個(gè)階段.41.2 傳統(tǒng) IDM 模式壓力日益明顯，專業(yè)化分工是集成電路未來發(fā)展方向. 72.全球封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)健成長(zhǎng)，先進(jìn)封裝成未來增長(zhǎng)動(dòng)力.102.1 我國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模增速快于行業(yè)平均，晶圓廠建廠潮拉動(dòng)下游封測(cè)需求. 102.2 后摩爾時(shí)代，先進(jìn)封裝成封測(cè)行業(yè)成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力.153.國(guó)內(nèi)主要集成電路封測(cè)企業(yè)介紹.193.1 長(zhǎng)電科技（600584）.193.2 華天科技（002185）.213.3 通富微電（002156）.223.4 晶方科技（603005）.

2、234.投資策略與建議關(guān)注公司. 25風(fēng)險(xiǎn)提示. 25插圖目錄圖 1：2020 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)品構(gòu)成.4圖 2：2020 年全球集成電路產(chǎn)品構(gòu)成.4圖 3：集成電路封測(cè)在產(chǎn)業(yè)鏈中的角色.4圖 4：集成電路制造工藝流程.4圖 5：集成電路測(cè)試可分為晶圓測(cè)試和成品測(cè)試.6圖 6：IDM 模式與 Foundry 模式對(duì)比.8圖 7：集成電路三大主要環(huán)節(jié).9圖 8：國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)業(yè)銷售額（億元）.10圖 9: 中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)業(yè)銷售額占比（%）.10圖 10：2012-2018 年中國(guó)封裝材料市場(chǎng)規(guī)模（億元）.10圖 11：2011-2021 年全球半導(dǎo)體銷售額.11圖 12

3、: 中國(guó)半導(dǎo)體銷售額占全球比重逐步提升.11圖 13：全球半導(dǎo)體三次產(chǎn)業(yè)變遷歷程.11圖 14：2011-2021 年國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)量（億塊）.12圖 15: 2011-2021 年中國(guó)集成電路進(jìn)口金額（億美元）.12圖 16：2011-2019 年全球封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模.12圖 17: 2011-2021 年中國(guó)集成電路進(jìn)口金額（億美元）.12圖 18：中國(guó)大陸、大陸以外晶圓產(chǎn)能（千片/月）.13圖 19：2010-2025 年 IoT、非 IoT 連接數(shù)及預(yù)測(cè).14圖 20：2008-2022 年全球半導(dǎo)體行業(yè)資本開支.14圖 21：臺(tái)積電當(dāng)月營(yíng)收及同比增長(zhǎng)率.15圖 22: 聯(lián)電當(dāng)月營(yíng)收及同比

4、增長(zhǎng)率.15圖 23：中芯國(guó)際單季度營(yíng)業(yè)收入及同比增長(zhǎng)率.15圖 24: 中芯國(guó)際單季度歸母凈利潤(rùn)及同比增長(zhǎng)率.15圖 25：摩爾定律逐步放緩.16圖 26：系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品（SiP）.17請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。2半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告圖 27：系統(tǒng)級(jí)封裝下游應(yīng)用領(lǐng)域占比.18圖 28：2014-2025 年先進(jìn)封裝和傳統(tǒng)封裝占比.18圖 29：2019 年系統(tǒng)級(jí)封裝細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模及占比（億美元）.18圖 30: 2025 年系統(tǒng)級(jí)封裝細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模及占比（預(yù)測(cè)值，億美元）. 18圖 31：中國(guó)大陸 2015-2020 年先進(jìn)封裝占全球比例逐步提升.19圖 32：長(zhǎng)電科技 2016-2020 年?duì)I收及同比

5、增長(zhǎng)率.20圖 33: 長(zhǎng)電科技 2016-2020 年歸母凈利潤(rùn)及同比增長(zhǎng)率.20圖 34：長(zhǎng)電科技 2019Q4-2021Q3 銷售毛利率、凈利率.20圖 35：華天科技 2016-2020 年?duì)I收及同比增長(zhǎng)率.21圖 36: 華天科技 2016-2020 年歸母凈利潤(rùn)及同比增長(zhǎng)率.21圖 37：華天科技 2019Q4-2021Q3 銷售毛利率、凈利率.22圖 38：通富微電 2016-2020 年?duì)I收及同比增長(zhǎng)率.22圖 39: 通富微電 2016-2020 年歸母凈利潤(rùn)及同比增長(zhǎng)率.22圖 40：通富微電 2019Q4-2021Q3 銷售毛利率、凈利率.23圖 41：晶方科技 2016

6、-2020 年?duì)I收及同比增長(zhǎng)率.24圖 42: 晶方科技 2016-2020 年?duì)I收及同比增長(zhǎng)率.24圖 43：晶方科技 2019Q4-2021Q3 銷售毛利率、凈利率.24表格目錄表 1：集成電路封裝實(shí)現(xiàn)的四大功能.5表 2：集成電路測(cè)試的主要內(nèi)容.5表 3：集成電路發(fā)展的五個(gè)階段.6表 4：國(guó)內(nèi)集成電路封測(cè)企業(yè)三個(gè)梯隊(duì).7表 5：21Q3 全球前十大晶圓廠中，僅有三星采用 IDM 生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)模式. 9表 6：2021 年全球前十大封裝測(cè)試企業(yè).12表 7：先進(jìn)封裝朝兩個(gè)方向發(fā)展.16表 8：部分重點(diǎn)公司盈利預(yù)測(cè)及投資評(píng)級(jí)（2022/3/15）.25請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。3半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告1.

7、 封測(cè)位于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈下游，專業(yè)化分工是未來發(fā)展方向1.1 封測(cè)位于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈下游，發(fā)展可分為五個(gè)階段集成電路是半導(dǎo)體制造業(yè)的核心，占半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模八成以上。從產(chǎn)業(yè)鏈角度劃分，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈可分為上游半導(dǎo)體設(shè)備及材料產(chǎn)業(yè)、中游半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)和下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)，其中中游的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)按照產(chǎn)品分類可分為光學(xué)光電子、傳感器、分立器件和集成電路四大類，而集成電路又可分為邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、模擬電路和微處理器四類。從市場(chǎng)規(guī)模占比來看，集成電路是半導(dǎo)體制造業(yè)的核心，占半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模的八成以上。圖 1：2020 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)品構(gòu)成圖 2：2020 年全球集成電路產(chǎn)品構(gòu)成資料來源：WSTS，SIA，東莞證

8、券研究所資料來源： WSTS，SIA，東莞證券研究所從制造工藝角度看，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈從上至下可分為設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)三大環(huán)節(jié)，其中集成電路封測(cè)是集成電路產(chǎn)品制造的后道工序。絕大部分芯片設(shè)計(jì)公司采用 Fabless 模式，本身無晶圓制造環(huán)節(jié)和封裝廠測(cè)試環(huán)節(jié)，其完成芯片設(shè)計(jì)后，將版圖交給晶圓代工廠制造晶圓，晶圓完工后交給下游封測(cè)企業(yè)，封測(cè)企業(yè)根據(jù)客戶要求的封裝類型和技術(shù)參數(shù)，將芯片裸晶加工成可直接裝配在 PCB 電路板上的集成電路元器件。封裝完成后，根據(jù)客戶要求，對(duì)芯片產(chǎn)品的電壓、電流、時(shí)間、溫度、電阻、電容、頻率、脈寬、占空比等參數(shù)進(jìn)行專業(yè)測(cè)試。完成晶圓芯片的封裝加工和測(cè)試后，封測(cè)企業(yè)將芯片成品交

9、付給客戶，獲得收入和利潤(rùn)。圖 3：集成電路封測(cè)在產(chǎn)業(yè)鏈中的角色圖 4：集成電路制造工藝流程資料來源：晶方科技招股說明書，東莞證券研究所請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。資料來源：集成電路工藝制造流程，東莞證券研究所4半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告封測(cè)包含封裝和測(cè)試兩個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路封測(cè)是集成電路產(chǎn)品制造的后道工序，指將通過測(cè)試的晶圓按產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立集成電路的過程，可分為封裝與測(cè)試兩個(gè)環(huán)節(jié)。從價(jià)值占比看，根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，集成電路封裝環(huán)節(jié)價(jià)值占比約為 80%-85%，測(cè)試環(huán)節(jié)價(jià)值占比約為 15%-20%。集成電路封裝：將通過測(cè)試的晶圓加工得到獨(dú)立芯片的過程，使電路芯片免受周圍環(huán)境的影響（包括物理

10、、化學(xué)的影響），起著保護(hù)芯片、增強(qiáng)導(dǎo)熱（散熱）性能、實(shí)現(xiàn)電氣和物理連接、功率分配、信號(hào)分配，以溝通芯片內(nèi)部與外部電路的作用，它是集成電路和系統(tǒng)級(jí)板如印制板（PCB）互連實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)品功能的橋梁。通常認(rèn)為，集成電路封裝主要有電氣特性的保持、芯片保護(hù)、應(yīng)力緩和及尺寸調(diào)整配合四大功能。表 1：集成電路封裝實(shí)現(xiàn)的四大功能集成電路封裝的功能芯片電氣特性保持功能芯片保護(hù)功能描述通過封裝技術(shù)的進(jìn)步，滿足不斷發(fā)展的高性能、小型化、高頻化等方面的要求，確保芯片的功能性保護(hù)芯片表面以及連接引線等，使其在電氣或物理方面免受外力損害及外部環(huán)境的影響。受外部環(huán)境影響或芯片自身發(fā)熱都會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力，封裝可以緩解應(yīng)力，防止芯片發(fā)

11、生損壞失效，保證可靠性。應(yīng)力緩和功能尺寸調(diào)整配合功能由芯片的微細(xì)引線間距調(diào)整到實(shí)裝基板的尺寸間距調(diào)整，從而便于實(shí)裝操作。資料來源：甬矽電子招股說明書，東莞證券研究所集成電路測(cè)試：主要是對(duì)芯片產(chǎn)品的性能和功能進(jìn)行測(cè)試，并挑選出功能、性能不符合要求的產(chǎn)品。封測(cè)環(huán)節(jié)的測(cè)試工藝包括后道檢測(cè)中的晶圓檢測(cè)（CP）及成品檢測(cè)（FT）。表 2：集成電路測(cè)試的主要內(nèi)容測(cè)試項(xiàng)目測(cè)試內(nèi)容直流參數(shù)主要測(cè)試芯片的電壓、電流的規(guī)格指標(biāo)，常見直流參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目有靜態(tài)電流、動(dòng)態(tài)電流、端口驅(qū)動(dòng)能力等。直流參數(shù)測(cè)試交流參數(shù)測(cè)試目的是確保芯片的所有時(shí)序符合規(guī)格，常見交流參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目有上升時(shí)間、下降時(shí)間、端到端延時(shí)等。交流參數(shù)測(cè)試功能

12、項(xiàng)目測(cè)試混合信號(hào)模塊測(cè)試模擬模塊測(cè)試射頻模塊測(cè)試芯片功能項(xiàng)目測(cè)試主要是驗(yàn)證芯片的邏輯功能是否正常，常見芯片功能測(cè)試項(xiàng)目有 ATPG、SCAN、BIST 等。測(cè)試芯片的音視頻信號(hào)相關(guān)的數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊、模擬轉(zhuǎn)數(shù)字模塊的性能指標(biāo)，常見混合信號(hào)測(cè)試項(xiàng)目有信噪比、諧波失真率、噪聲系數(shù)等。測(cè)試芯片的模擬信號(hào)的性能指標(biāo)，常見模擬模塊測(cè)試項(xiàng)目有閥值電壓、關(guān)斷漏電流、導(dǎo)通電阻值等。測(cè)試芯片的射頻信號(hào)是否符合芯片的設(shè)計(jì)規(guī)格，常見的射頻模塊測(cè)試項(xiàng)目有噪聲系數(shù)、隔離度、接收靈敏度等。資料來源：利揚(yáng)芯片招股說明書，東莞證券研究所請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。5半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告圖 5：集成電路測(cè)試可分為晶圓測(cè)試和成品測(cè)試數(shù)據(jù)來源

13、：利揚(yáng)芯片招股說明書，東莞證券研究所集成電路發(fā)展的五個(gè)階段。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體封裝業(yè)的發(fā)展，迄今為止全球集成電路封測(cè)行業(yè)可分為五個(gè)發(fā)展階段，自第三階段起的封裝技術(shù)統(tǒng)稱為先進(jìn)封裝技術(shù)。當(dāng)前，中國(guó)封裝企業(yè)大多以第一、第二階段的傳統(tǒng)封裝技術(shù)為主，例如 DiP、SOP 等，產(chǎn)品定位中低端；全球封裝業(yè)的主流技術(shù)術(shù)處于以 CSP、BGA 為主的第三階段，并向以系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）、倒裝焊封裝（FC）、芯片上制作凸點(diǎn)（Bumping）為代表的第四階段和第五階段封裝技術(shù)邁進(jìn)。先進(jìn)封裝技術(shù)更迎合集成電路微小化、復(fù)雜化和集成化的發(fā)展趨勢(shì)，是封測(cè)產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展方向。表 3：集成電路發(fā)展的五個(gè)階段階段時(shí)間封裝具體的封裝形

14、式晶體管封裝（TO）、陶瓷雙列直插封裝（CDIP）、塑料雙列直插封裝（PDIP）第一階段20 世紀(jì) 70 年代以前通孔插裝型封裝塑料有引線片式載體封裝（PLCC）、塑料四邊引線扁平封裝（PQFP）、小外形表面封裝（SOP）、無引線四邊扁平封裝（PQFN）、小外形晶體管封裝（SOT）、雙邊扁平無引腳封裝（DFN）第二階段第三階段20 世紀(jì) 80 年代以后表面貼裝型封裝塑料焊球陣列封裝（PBGA）、陶瓷焊球陣列封裝（CBGA）、球柵陣列封裝（BGA） 帶散熱器焊球陣列封裝（EBGA）、倒裝芯片焊球陣列封裝（FC-BGA）20 世紀(jì) 90 年代晶圓級(jí)封裝（WLP）引線框架 CSP 封裝、柔性插入板

15、CSP 封裝、剛性插入板芯片級(jí)封裝（CSP）CSP 封裝、圓片級(jí) CSP 封裝多層陶瓷基板（MCM-C）、多層薄膜基板（MCM-D）、多多芯片組封裝（MCM）層印制板（MCM-L）第四階段第五階段20 世紀(jì)末開始系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）三維立體封裝（3D）芯片上制作凸點(diǎn)（Bumping）微電子機(jī)械系統(tǒng)封裝（MEMS）晶圓級(jí)系統(tǒng)封裝-硅通孔（TSV）21 世紀(jì)前 10 年開始請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。6半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告表 3：集成電路發(fā)展的五個(gè)階段階段時(shí)間封裝具體的封裝形式倒裝焊封裝（FC）表面活化室溫連接（SAB）扇出型集成電路封裝（Fan-Out）扇入型集成電路封裝（Fan-in）資料來源：甬矽電子

16、招股說明書，東莞證券研究所國(guó)內(nèi)集成電路測(cè)試企業(yè)可分為三個(gè)梯隊(duì)。按照技術(shù)儲(chǔ)備、產(chǎn)品線、先進(jìn)封裝收入占比等指標(biāo)，可將國(guó)內(nèi)集成電路企業(yè)大致分為三個(gè)梯隊(duì)：第一梯隊(duì)已實(shí)現(xiàn)了 BGA、LGA 和 CSP穩(wěn)定量產(chǎn)，具備部分或全部第四階段封裝技術(shù)量產(chǎn)能力，同時(shí)在第五階段晶圓級(jí)封裝領(lǐng)域進(jìn)行技術(shù)儲(chǔ)備或產(chǎn)業(yè)布局，國(guó)內(nèi)企業(yè)以長(zhǎng)電科技、通富微電和華天科技為代表；第二梯隊(duì)企業(yè)產(chǎn)品以第一、二階段為主，并具備第三階段技術(shù)儲(chǔ)備，這類企業(yè)大多為國(guó)內(nèi)區(qū)域性封測(cè)領(lǐng)先企業(yè)；第三梯隊(duì)企業(yè)產(chǎn)品主要為第一階段通孔插裝型封裝，少量生產(chǎn)第二階段表面貼裝型封裝產(chǎn)品，這類企業(yè)以眾多小規(guī)模封測(cè)企業(yè)為主。表 4：國(guó)內(nèi)集成電路封測(cè)企業(yè)三個(gè)梯隊(duì)類型主要特點(diǎn)

17、代表企業(yè)按照集成電路封測(cè)技術(shù)五個(gè)發(fā)展階段劃分，第一梯隊(duì)企業(yè)已實(shí)現(xiàn)了第三階段焊球陣列封裝（BGA）、柵格陣列封裝（LGA）、芯片級(jí)封裝（CSP）穩(wěn)定量產(chǎn)；具備全部或部分第四階段封裝技術(shù)量產(chǎn)能力（如 SiP、Bumping、FC）；同時(shí)已在第五階段晶圓級(jí)封裝領(lǐng)域進(jìn)行了技術(shù)儲(chǔ)備或產(chǎn)業(yè)布局（如 TSV、Fan-Out/In）。國(guó)內(nèi)封測(cè)行業(yè)龍頭企業(yè)（如長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技）及甬矽電子等第一梯隊(duì)產(chǎn)品以第一階段通孔插裝型封裝和第二階段表面貼裝型封裝為主，第二階段 QFN/DFN 產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并具備第三階段球柵陣列封裝的技術(shù)儲(chǔ)備。第二梯隊(duì)第三梯隊(duì)國(guó)內(nèi)區(qū)域性封測(cè)領(lǐng)先企業(yè)眾多小規(guī)模封測(cè)企業(yè)產(chǎn)品主

18、要為第一階段通孔插裝型封裝，少量生產(chǎn)第二階段表面貼裝型封裝產(chǎn)品。資料來源：招股說明書，東莞證券研究所1.2 傳統(tǒng) IDM 模式壓力日益明顯，專業(yè)化分工是集成電路未來發(fā)展方向全球集成電路企業(yè)生產(chǎn)模式：可分為 IDM 模式和 Foundry 模式。集成電路的制造企業(yè)的經(jīng)營(yíng)模式主要包括兩種：一種是 IDM 模式，即垂直整合制造模式，代表性公司包括英特爾、索尼、海力士和美光等，其業(yè)務(wù)涵蓋了集成電路設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)的每一環(huán)節(jié)；另一種是 Foundry 模式，即晶圓代工模式，僅專注于集成電路制造環(huán)節(jié)，并將集成電路封裝、測(cè)試委托給下游專業(yè)封測(cè)廠商進(jìn)行代工，代表性企業(yè)包括臺(tái)積電、中芯國(guó)際等。請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明

19、。7半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告圖 6：IDM 模式與 Foundry 模式對(duì)比數(shù)據(jù)來源：利揚(yáng)芯片招股說明書，東莞證券研究所傳統(tǒng) IDM 模式壓力日益加大，集成電路專業(yè)化分工成為發(fā)展方向。一般來說，垂直整合制造（IDM）模式下的集成電路企業(yè)不僅包括集成電路設(shè)計(jì)部門、晶圓制造廠，還包括下游的封裝測(cè)試廠，屬于重資產(chǎn)經(jīng)營(yíng)模式，對(duì)企業(yè)的研發(fā)能力、資金實(shí)力和技術(shù)水平都具有較高要求，在晶圓制程和封裝技術(shù)方面難以保持先進(jìn)性；而 Foundry 模式則源于產(chǎn)業(yè)鏈的專業(yè)化分工，從上游到下游形成無晶圓廠設(shè)計(jì)公司（Fabless 企業(yè)）、晶圓代工企業(yè)和封裝測(cè)試企業(yè)。與傳統(tǒng) IDM 模式相比，分工細(xì)化的模式使得成本更加節(jié)約，資

20、源更加專注，有效降低了行業(yè)的投資門檻，是近年來集成電路產(chǎn)業(yè)最重要的模式變化。為了應(yīng)對(duì)激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，大型半導(dǎo)體 IDM 公司逐步將封裝測(cè)試環(huán)節(jié)剝離交由專業(yè)的封測(cè)公司處理，封測(cè)行業(yè)變成集成電路行業(yè)中一個(gè)獨(dú)立子行業(yè)。在集成電路行業(yè)專業(yè)化、分工化的發(fā)展趨勢(shì)下，將有更多的晶圓制造和集成電路封測(cè)訂單從傳統(tǒng) IDM 廠商流出，對(duì)下游封測(cè)企業(yè)構(gòu)成利好。隨著上游高附加值的芯片設(shè)計(jì)行業(yè)加快發(fā)展，也更有利于推進(jìn)處于產(chǎn)業(yè)鏈下游的集成電路測(cè)試行業(yè)的發(fā)展。請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。8半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告圖 7：集成電路三大主要環(huán)節(jié)數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，東莞證券研究所全球晶圓制造企業(yè)集中度較高，行業(yè)前十占比合計(jì)達(dá) 97%。從

21、全球前十大半導(dǎo)體晶圓制造企業(yè)情況來看，由于晶圓制造行業(yè)具有較高的技術(shù)與資金壁壘，因此行業(yè)集中度極高，全球前十大晶圓制造企業(yè)合計(jì)營(yíng)收在全球晶圓制造市場(chǎng)規(guī)模超過 95%。根據(jù) TrendForce數(shù)據(jù)，2021 年前三季度全球前十大晶圓制造企業(yè)中，僅有三星采用 IDM 模式，擁有自身的封測(cè)產(chǎn)線，臺(tái)積電也開始將自身業(yè)務(wù)向下游封測(cè)企業(yè)滲透，其他晶圓代工企業(yè)自身均不具備封測(cè)產(chǎn)線，需要與下游封測(cè)企業(yè)合作，才能完成最后的封測(cè)工藝。表 5：21Q3 全球前十大晶圓廠中，僅有三星采用 IDM 生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)模式生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)模式21Q3 市場(chǎng)份 21Q2 市場(chǎng)份排名公司名稱國(guó)家或地區(qū)21Q3 收入環(huán)比額額123臺(tái)積電（TS

22、MC）三星（Samsung）聯(lián)電（UMC）中國(guó)臺(tái)灣韓國(guó)FoundryIDM14,8844,8102,04211.9%11.0%12.2%53.1%17.1%7.3%52.9%17.3%7.2%中國(guó)臺(tái)灣Foundry格羅方德美國(guó)FoundryFoundryFoundry1,7051,41579912.0%5.3%6.1%5.0%2.8%6.1%5.3%2.6%45（Global Foundries）中芯國(guó)際（SMIC）華虹集團(tuán)中國(guó)大陸中國(guó)大陸21.4%67（HuaHong Group）力積電（PSMC）世界先進(jìn)（VIS）高塔半導(dǎo)體（Tower）東部高科（DB HiTek）中國(guó)臺(tái)灣中國(guó)臺(tái)灣以色列韓

23、國(guó)FoundryFoundryFoundryFoundry52542614.4%17.5%6.9%1.9%1.5%1.4%1.0%97.0%1.8%1.4%1.4%1.0%97.0%893871028315.6%11.8%全球前十合計(jì)資料來源：TrendForce，東莞證券研究所27,277我國(guó)集成電路三大環(huán)節(jié)共同發(fā)展，專業(yè)化分工趨勢(shì)明顯。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2021 年上半年我國(guó)集成電路累計(jì)實(shí)現(xiàn)銷售額 4,102.9 億元，同比增長(zhǎng) 15.93%。從各產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)看，2021 年上半年我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)環(huán)節(jié)銷售額分別為 1,766.40億元、1,171.80 億元和 1,16

24、4.70 億元，占集成電路總銷售額比重分別為 43.05%、28.56%和 28.39%。從國(guó)內(nèi)集成電路結(jié)構(gòu)來看，我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)三個(gè)環(huán)節(jié)齊頭并進(jìn)發(fā)展，專業(yè)化分工趨勢(shì)明顯。請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。9半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告圖 8：國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)業(yè)銷售額（億元）圖 9: 中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)業(yè)銷售額占比（%）資料來源：中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)，東莞證券研究所資料來源：中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)，東莞證券研究所集成電路封裝材料門檻相對(duì)較低，我國(guó)已基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。封測(cè)行業(yè)上游不僅包含晶圓制造企業(yè)，還包含半導(dǎo)體封裝材料供應(yīng)商。半導(dǎo)體封裝材料包括芯片粘結(jié)材料、封裝基板、引線框架、陶瓷基板、鍵

25、合線及包裝材料等，其中封裝基板市場(chǎng)規(guī)模最大。根據(jù)頭豹研究院數(shù)據(jù)，2018 年國(guó)內(nèi)芯片粘結(jié)材料、封裝基板、引線框架、陶瓷基板、鍵合線及包封材料市場(chǎng)規(guī)模占比分別為 3.9%、38.2%、15.8%、11.3%、13.9%和 15.0%。與晶圓制造材料相比，集成電路封裝材料的門檻相對(duì)較低，我國(guó)已基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。圖 10：2012-2018 年中國(guó)封裝材料市場(chǎng)規(guī)模（億元）數(shù)據(jù)來源：頭豹研究院，東莞證券研究所2.全球封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)健成長(zhǎng)，先進(jìn)封裝成未來增長(zhǎng)動(dòng)力2.1 我國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模增速快于行業(yè)平均，晶圓廠建廠潮拉動(dòng)下游封測(cè)需求半導(dǎo)體下游應(yīng)用廣泛，市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)定發(fā)展。半導(dǎo)體下游應(yīng)用廣泛，涵蓋消費(fèi)電子

26、、電力請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。10半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告電子、交通、醫(yī)療、通訊技術(shù)、醫(yī)療、航空航天等眾多領(lǐng)域。近年來，隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、5G、機(jī)器人等新興應(yīng)用領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，各類半導(dǎo)體產(chǎn)品的使用場(chǎng)景和用量不斷增長(zhǎng)，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入了新的增長(zhǎng)動(dòng)力。根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體銷售額從 2011 年的 3,003.4 億美元增長(zhǎng)至 2021 年的 5,475.8 億美元，2011-2021 年 CAGR 為 4.46%，市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)；而中國(guó)半導(dǎo)體銷售額從 2016 年的 1,091.6 億元增長(zhǎng)至 2021 年的 1,903.9 億元，2016-2021 年 CAGR

27、為 11.78%，增速高于全球平均水平，銷售額占全球比重從 2016 年的 30.83%提升至 2021 年的 34.77%。圖 11：2011-2021 年全球半導(dǎo)體銷售額圖 12: 中國(guó)半導(dǎo)體銷售額占全球比重逐步提升資料來源：美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)，東莞證券研究所資料來源：美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)，東莞證券研究所集成電路歷史上經(jīng)歷了兩次空間上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，目前正進(jìn)行第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。第一次為20 世紀(jì) 70 年代從美國(guó)向日本轉(zhuǎn)移，第二次是 20 世紀(jì) 80 年代從日本向韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。目前，全球集成電路行業(yè)正在開始第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，即向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移。中國(guó)憑借其巨大的消費(fèi)電子市場(chǎng)、龐大的電子制造業(yè)基

28、礎(chǔ)以及勞動(dòng)力成本優(yōu)勢(shì)，吸引了全球集成電路公司在國(guó)內(nèi)投資。歷史上已經(jīng)成功完成的兩次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移都帶動(dòng)了轉(zhuǎn)入國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、芯片封裝、集成電路測(cè)試，每一個(gè)產(chǎn)業(yè)分工環(huán)節(jié)都會(huì)有巨大的進(jìn)步，最終實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的整體發(fā)展。目前我國(guó)國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)出具規(guī)模，初步奠定了由芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、芯片封裝和集成電路測(cè)試四個(gè)主要環(huán)節(jié)及支撐配套產(chǎn)業(yè)構(gòu)成的產(chǎn)業(yè)鏈格局。因此，隨著第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的不斷深入，受益于集成電路產(chǎn)業(yè)加速向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，集成電路進(jìn)口替代也將加快步伐。圖 13：全球半導(dǎo)體三次產(chǎn)業(yè)變遷歷程數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，東莞證券研究所國(guó)內(nèi)集成電路國(guó)產(chǎn)替代速度加快。根據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局的數(shù)據(jù)，

29、我國(guó)集成電路總生產(chǎn)量從2011 年的 761.80 億塊增長(zhǎng)至 2021 年的 3,594.30 億塊，2011-2021 年的復(fù)合增長(zhǎng)率為16.78%。作為對(duì)照，國(guó)內(nèi)集成電路進(jìn)口金額從 2011 年的 1,701.99 億美元增長(zhǎng)至 2021 年的 4,325.54 億美元，2011-2022 年的復(fù)合增長(zhǎng)率為 4.42%。由此可見，近十年我國(guó)集成電請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。11半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告路生產(chǎn)速度快于集成電路進(jìn)口增長(zhǎng)速度，表明我國(guó)集成電路行業(yè)國(guó)產(chǎn)替代速度加快，集成電路生產(chǎn)量不斷提高，已部分實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。圖 14：2011-2021 年國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)量（億塊）圖 15: 2011-2021

30、 年中國(guó)集成電路進(jìn)口金額（億美元）資料來源：美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)，東莞證券研究所資料來源：海關(guān)總署，東莞證券研究所國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)持續(xù)，我國(guó)集成電路封測(cè)產(chǎn)值占比不斷提高。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移、人力資源成本優(yōu)勢(shì)、稅收優(yōu)惠等因素促進(jìn)下，全球集成電路封測(cè)廠逐漸向亞太地區(qū)轉(zhuǎn)移，目前亞太地區(qū)占全球集成電路封測(cè)市場(chǎng) 80%以上的份額。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Yole 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，全球集成電路封測(cè)市場(chǎng)長(zhǎng)期保持平穩(wěn)增長(zhǎng)，從 2011 年的 455 億美元增至 2019 年的 564億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為 2.72%。同全球集成電路封測(cè)行業(yè)相比，我國(guó)封測(cè)行業(yè)增速較快。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2009 年至 2019 年

31、，我國(guó)封測(cè)行業(yè)年均復(fù)合增長(zhǎng)率為 16.78%，占全球封測(cè)市場(chǎng)份額比例也在不斷提升。圖 16：2011-2019 年全球封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模圖 17: 2011-2021 年中國(guó)集成電路進(jìn)口金額（億美元）資料來源：IC Insights，Yole，東莞證券研究所資料來源： IC Insights，Yole，東莞證券研究所集成電路封測(cè)為我國(guó)集成電路領(lǐng)域最具競(jìng)爭(zhēng)力環(huán)節(jié)，共有三家企業(yè)營(yíng)收位列全球前十。在集成電路設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)，我國(guó)和世界頂尖水平差距較大，特別是在制造領(lǐng)域最為薄弱，而封測(cè)環(huán)節(jié)則為我國(guó)集成電路三大領(lǐng)域最為強(qiáng)勢(shì)的環(huán)節(jié)。近年來，國(guó)內(nèi)封測(cè)龍頭企業(yè)通過自主研發(fā)和并購(gòu)重組，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域正逐漸縮小同國(guó)際先進(jìn)

32、企業(yè)的技術(shù)差距。我國(guó)封測(cè)企業(yè)在集成電路國(guó)際市場(chǎng)分工中已有了較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，有能力參與國(guó)際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。根據(jù) ittbank 數(shù)據(jù)，2021 年全球營(yíng)收前十大封測(cè)廠商排名中，有三家企業(yè)位于中國(guó)大陸，分別為長(zhǎng)電科技、通富微電和華天科技。表 6：2021 年全球前十大封裝測(cè)試企業(yè)請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。12半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告2021 年?duì)I收預(yù)估（百萬人民幣）77,240排名公司總部2021 年市占率2021 年?duì)I收增長(zhǎng)率12日月光安靠中國(guó)臺(tái)灣美國(guó)27.00%13.50%10.82%6.61%5.08%4.18%3.20%2.72%2.21%2.18%77.50%20.07%23.59%16.96%8.20

33、%38,6063江蘇長(zhǎng)電力成江蘇30,9534中國(guó)臺(tái)灣江蘇南通甘肅18,9165通富微電天水華天智路封測(cè)京元電子南茂14,53734.99%42.77%67.63%17.18%19.69%22.20%-611,9677新加坡中國(guó)臺(tái)灣中國(guó)臺(tái)灣中國(guó)臺(tái)灣9,14687,78896,32110顧邦6,247合計(jì)221,721資料來源：TrendForce，東莞證券研究所大陸晶圓廠建廠潮產(chǎn)能釋放，新增大量集成電路封測(cè)需求。根據(jù)甬矽電子招股說明書，目前中國(guó)大陸已成為全球最大的集成電路終端產(chǎn)品消費(fèi)市場(chǎng)和制造基地，受益集成電路產(chǎn)業(yè)加速向大陸轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)，全球晶圓制造產(chǎn)能也不斷向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，諸如臺(tái)積電、中芯國(guó)際

34、、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等企業(yè)在中國(guó)大陸大力投資建廠。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，美國(guó)集成電路制造業(yè)產(chǎn)能已從 1980 年的 42%，跌至 2020 年的 12.8%，而我國(guó)大陸地區(qū)晶圓產(chǎn)能已從 2011 年的 9%，提升至 2020 年的 18%。根據(jù) SEMI 預(yù)測(cè)，2018-2025 年中國(guó)大陸地區(qū)的晶圓產(chǎn)能占全球的比例將從 18%提高至 22%，年復(fù)合增長(zhǎng)率約為 7%。隨著全球集成電路制造業(yè)逐漸向大陸地區(qū)轉(zhuǎn)移，集成電路封測(cè)業(yè)作為晶圓制造產(chǎn)業(yè)鏈的下游環(huán)節(jié)，將充分受益于全球晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)移帶來的封測(cè)市場(chǎng)需求傳導(dǎo)。圖 18：中國(guó)大陸、大陸以外晶圓產(chǎn)能（千片/月）數(shù)據(jù)來源：SEMI，東莞證券研究所AIoT 時(shí)代智能連

35、接數(shù)量井噴，有效拉動(dòng)下游封測(cè)需求?；ヂ?lián)網(wǎng)時(shí)代主要解決人與人之間的連接互聯(lián)，人們可通過互聯(lián)網(wǎng)進(jìn)行交互。而物聯(lián)網(wǎng)主要提供物與物的連接方式，物與物的交互為消費(fèi)產(chǎn)業(yè)和工業(yè)產(chǎn)業(yè)都帶來了新的增長(zhǎng)機(jī)遇，終端連接數(shù)量實(shí)現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)。根據(jù) IoT Analytics 數(shù)據(jù)，2019 年全球物聯(lián)網(wǎng)連接數(shù)與非物聯(lián)網(wǎng)連接數(shù)持平，2020 年首次超過非物聯(lián)網(wǎng)連接數(shù)，而疫情加速了個(gè)人、家庭和企業(yè)擁抱 AIoT 的進(jìn)程，行業(yè)進(jìn)入快速請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。13半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告發(fā)展階段。根據(jù) IoT Analytics 預(yù)測(cè)，2020-2025 年全球 IoT 連接數(shù)將從 117.0 億只增加至309.0 億只，復(fù)合增速為 2

36、1.4%。物聯(lián)網(wǎng)終端連接數(shù)量快速增長(zhǎng)，有效拉動(dòng)了集成電路的封測(cè)需求，國(guó)內(nèi)集成電路封測(cè)市場(chǎng)有望快速擴(kuò)容。圖 19：2010-2025 年 IoT、非 IoT 連接數(shù)及預(yù)測(cè)資料來源：IoT Analytics，東莞證券研究所IC insights：預(yù)計(jì) 2022 年全球半導(dǎo)體資本開支將創(chuàng)歷史新高。受疫情影響，全球半導(dǎo)體眾多供應(yīng)鏈在疫情期間供應(yīng)持續(xù)緊張或中斷，疊加下游新能源汽車、AioT 和 AR/VR 等的旺盛需求，眾多半導(dǎo)體代工廠產(chǎn)能利用率高企?；谝咔楸尘跋聫?qiáng)勁的產(chǎn)能利用率和持續(xù)的高需求預(yù)期，全球半導(dǎo)體大廠資本開支有望保持強(qiáng)勁。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) IC insights報(bào)告顯示，繼 2021 年

37、同比增長(zhǎng) 36%后，預(yù)計(jì) 2022 年全球半導(dǎo)體行業(yè)資本開支將繼續(xù)增長(zhǎng) 24%，達(dá)到 1,904 億美元，創(chuàng)歷史新高。圖 20：2008-2022 年全球半導(dǎo)體行業(yè)資本開支資料來源：IC insights，東莞證券研究所臺(tái)積電、聯(lián)電月度營(yíng)收連創(chuàng)新高，彰顯晶圓代工高景氣度。全球晶圓代工廠景氣高企，以臺(tái)企為例，自 2020 年以來臺(tái)積電、聯(lián)電產(chǎn)能持續(xù)緊俏，特別是 8 英寸晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求。2021 年全年，臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 15,874.15 億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng) 18.53%；2022年 1 月實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 1,721.76 億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng) 35.84%；聯(lián)電 2021 年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 2,130.

38、11請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。14半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng) 20.47%，2022 年 1 月實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 204.73 億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng) 31.83%，產(chǎn)能利用率接近 100%。全球晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)滿載，下游封測(cè)廠商也有望同步受益。圖 21：臺(tái)積電當(dāng)月營(yíng)收及同比增長(zhǎng)率圖 22: 聯(lián)電當(dāng)月營(yíng)收及同比增長(zhǎng)率資料來源：Wind，東莞證券研究所資料來源：Wind，東莞證券研究所中芯國(guó)際：根據(jù)公司業(yè)績(jī)快報(bào)，中芯國(guó)際 2021 年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 356.31 億元，同比增長(zhǎng)29.71%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 107.33 億元，同比增長(zhǎng) 147.70%，其中扣非后歸母凈利潤(rùn)為 52.11億元，同比增長(zhǎng) 207

39、.07%。公司于 3 月 8 日公布 2022 年前兩季度經(jīng)營(yíng)數(shù)據(jù)，公司 2022年 1 至 2 月實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約 12.23 億美元，同比增長(zhǎng) 59.1%，實(shí)現(xiàn)歸屬上市公司股東的凈利潤(rùn) 3.09 億美元左右，同比增長(zhǎng) 94.9%。綜合來看，中芯國(guó)際一季度代工產(chǎn)能持續(xù)偏緊，漲價(jià)挑單持續(xù)；資本開支方面，公司 2021 年全年資本開支達(dá) 45 億美元，超過此前指引的 43 億美元。公司預(yù)計(jì) 2022 年全年資本開始將達(dá)到 50 億美元，主要用于京城、臨港和深圳三個(gè)新廠的建設(shè)和老廠的擴(kuò)容。在持續(xù)高 CAPEX 投入之下，晶圓制造企業(yè)下游的封測(cè)廠商有望獲益。圖 23：中芯國(guó)際單季度營(yíng)業(yè)收入及同比增長(zhǎng)率

40、圖 24: 中芯國(guó)際單季度歸母凈利潤(rùn)及同比增長(zhǎng)率資料來源：Wind，東莞證券研究所資料來源：Wind，東莞證券研究所2.2 后摩爾時(shí)代，先進(jìn)封裝成封測(cè)行業(yè)成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力“摩爾定律”發(fā)展陷入瓶頸，集成電路進(jìn)入后摩爾時(shí)代。在集成電路制程方面，“摩爾定律”認(rèn)為集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔 18-24 個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。長(zhǎng)期以來，“摩爾定律”一直引領(lǐng)著集成電路制程技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步，自 1987 年的 1um 制程至 2015 年的 14nm 制程，集成電路制程迭代一直符合“摩爾定律”的規(guī)律。但 2015 年以后，集成電路制程的發(fā)展進(jìn)入了瓶頸，7nm、5nm、3nm 制程的量請(qǐng)務(wù)

41、必閱讀末頁(yè)聲明。15半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告產(chǎn)進(jìn)度均落后于預(yù)期。隨著臺(tái)積電宣布 2nm 制程工藝實(shí)現(xiàn)突破，集成電路制程工藝已接近物理尺寸的極限，行業(yè)進(jìn)入了“后摩爾時(shí)代”。圖 25：摩爾定律逐步放緩資料來源：AMD，東莞證券研究所后摩爾時(shí)代，先進(jìn)封裝成為提升芯片性能的重要途徑?！昂竽枙r(shí)代”制程技術(shù)突破難度較大，工藝制程受成本大幅增長(zhǎng)和技術(shù)壁壘等因素上升改進(jìn)速度放緩。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) ICInsights 統(tǒng)計(jì)，28nm 制程節(jié)點(diǎn)的芯片開發(fā)成本為 5,130 萬美元，16nm 節(jié)點(diǎn)的開發(fā)成本為 1 億美元，7nm 節(jié)點(diǎn)的開發(fā)成本需要 2.97 億美元，而 5nm 節(jié)點(diǎn)開發(fā)成本則上升至 5.4 億美元。

42、由于集成電路制程工藝短期內(nèi)難以突破，通過先進(jìn)封裝技術(shù)提升芯片整體性能成為了集成電路行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。晶圓級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝成為未來發(fā)展方向。隨著下游應(yīng)用領(lǐng)域?qū)呻娐沸酒墓δ堋⒛芎募绑w積要求越來越高，集成電路技術(shù)發(fā)展形成了兩個(gè)方向：?jiǎn)涡酒到y(tǒng)（SoC,System on Chip）和系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP，System in Package）。其中單芯片系統(tǒng)（SoC）是從設(shè)計(jì)和晶圓制造角度出發(fā)，將系統(tǒng)所需的組件和功能集成到一枚芯片上；系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）則是從封裝角度出發(fā)，將不同功能的芯片和元器件組裝到一個(gè)封裝體內(nèi)。表 7：先進(jìn)封裝朝兩個(gè)方向發(fā)展發(fā)展方向相關(guān)說明代表性技術(shù)晶圓上制作凸點(diǎn)工藝為了在

43、更小的封裝面積下容納更多的引腳，先進(jìn)封裝向晶圓制程領(lǐng)域發(fā)展，直接在晶圓上實(shí)施封裝工藝，通過晶圓重構(gòu)技術(shù)在晶圓上完成重布線并通過晶圓凸點(diǎn)工藝形成與外部互聯(lián)的金屬凸點(diǎn)。（Bumping）、晶圓重構(gòu)工藝、硅通孔技術(shù)（TSV）、晶圓扇出技術(shù)（Fan-out）、晶圓扇入技術(shù)（Fan-in）等。向上游晶圓制程領(lǐng)域發(fā)展（晶圓級(jí)封裝）將以前分散貼裝在 PCB 板上的多種功能芯片，包括處 系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)（SiP）、包理器、存儲(chǔ)器等功能芯片以及電容、電阻等 括采用了倒裝技術(shù)元器件集成為一顆芯片，壓縮模塊體積，縮短電氣連 （Flip-Clip）的系統(tǒng)級(jí)封裝向下游模組領(lǐng)域發(fā)展（系統(tǒng)級(jí)封裝）接距離，提升芯片系統(tǒng)整體功能

44、性和靈活性。產(chǎn)品。請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。16半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告表 7：先進(jìn)封裝朝兩個(gè)方向發(fā)展發(fā)展方向相關(guān)說明代表性技術(shù)資料來源：TrendForce，東莞證券研究所系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）是先進(jìn)封裝市場(chǎng)的重要?jiǎng)恿?。系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）可以把多枚功能不同的晶粒（Die，如運(yùn)算器、傳感器、存儲(chǔ)器）、不同功能的電子元器件（如電阻、電容、電感、濾波器、天線）甚至微機(jī)電系統(tǒng)、光學(xué)器件混合搭載于同一封裝體內(nèi)，產(chǎn)品靈活度大，研發(fā)成本和周期遠(yuǎn)低于復(fù)雜程度相同的單芯片系統(tǒng)（SoC）。在后摩爾時(shí)代，SiP開發(fā)成本較低、開發(fā)周期較短、集成方式靈活多變，具有更大的設(shè)計(jì)自由度。針對(duì)有更多功能、更高頻率、更低功耗需求的應(yīng)用市場(chǎng)

45、，包括 5G 通信用的射頻前端、物聯(lián)網(wǎng)用的傳感器芯片、智能汽車用的功率芯片等，系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）具有較為顯著的優(yōu)勢(shì)，下游應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)封裝的依賴程度增加，先進(jìn)封裝企業(yè)迎來更好的發(fā)展機(jī)遇。圖 26：系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品（SiP）資料來源：電子發(fā)燒友，東莞證券研究所新興應(yīng)用場(chǎng)景快速興起，先進(jìn)封裝下游應(yīng)用廣泛。隨著 5G 通信技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能、視覺識(shí)別、自動(dòng)駕駛等應(yīng)用場(chǎng)景的快速興起，應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)芯片功能多樣化的需求程度越來越高。在芯片制程技術(shù)進(jìn)入“后摩爾時(shí)代”后，先進(jìn)封裝技術(shù)能在不單純依靠芯片制程工藝實(shí)現(xiàn)突破的情況下，通過晶圓級(jí)封裝和系統(tǒng)級(jí)封裝，提高產(chǎn)品集成度和功能多樣化，滿足終端應(yīng)用對(duì)芯片

46、輕薄、低功耗、高性能的需求，同時(shí)大幅降低芯片成本。因此，先進(jìn)封裝在高端邏輯芯片、存儲(chǔ)器、射頻芯片、圖像處理芯片、觸控芯片等領(lǐng)域均得到了廣泛應(yīng)用。以系統(tǒng)級(jí)封裝為例，現(xiàn)階段，以智能手機(jī)為代表的移動(dòng)消費(fèi)電子領(lǐng)域是系統(tǒng)級(jí)封裝最大的下游應(yīng)用市場(chǎng)，占了系統(tǒng)級(jí)封裝下游應(yīng)用的 70%。根據(jù) Yole 預(yù)測(cè)，未來 5 年，系統(tǒng)級(jí)封裝增長(zhǎng)最快的應(yīng)用市場(chǎng)將是可穿戴設(shè)備、Wi-Fi 路由器、IoT 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)施以及電信基礎(chǔ)設(shè)施。尤其隨著 5G 通訊的推廣和普及，5G 基站對(duì)倒裝球柵陣列（FC-BGA）系統(tǒng)級(jí)封裝芯片的需求將大幅上升，未來 5 年基站類系統(tǒng)級(jí)芯片市場(chǎng)規(guī)模年均復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)高達(dá)41%。請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。1

47、7半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告圖 27：系統(tǒng)級(jí)封裝下游應(yīng)用領(lǐng)域占比資料來源：Yole，東莞證券研究所預(yù)計(jì)先進(jìn)封裝所占份額將持續(xù)提升。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Yole 預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，全球先進(jìn)封裝在集成電路封測(cè)市場(chǎng)中所占份額將持續(xù)增加。Yole 指出，2019 年先進(jìn)封裝占全球封裝市場(chǎng)的份額約為 42.60%，2019 年至 2025 年，預(yù)計(jì)全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將以 6.6%的年均復(fù)合增長(zhǎng)率持續(xù)增長(zhǎng)，并在 2025 年占整個(gè)封裝市場(chǎng)的比重接近于 50%。與此同時(shí)，Yole預(yù)測(cè) 2019 年至 2025 全球傳統(tǒng)封裝年均復(fù)合增長(zhǎng)率僅為 1.9%，增速遠(yuǎn)低于先進(jìn)封裝。圖 28：2014-2025 年先進(jìn)封裝和傳統(tǒng)封裝占

48、比資料來源：Yole，東莞證券研究所系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）方面，根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2019 年全球系統(tǒng)級(jí)封裝的市場(chǎng)規(guī)模約為 134億美元，占全球封測(cè)市場(chǎng)份額為 23.76%，預(yù)計(jì)到 2025 年全球系統(tǒng)級(jí)封裝市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 188 億美元，2019-2025 年復(fù)合增長(zhǎng)率為 5.81%。圖 30: 2025 年系統(tǒng)級(jí)封裝細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模及占比（預(yù)測(cè)圖 29：2019 年系統(tǒng)級(jí)封裝細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模及占比（億美元）值，億美元）請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。18半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告資料來源：Yole，東莞證券研究所資料來源：Yole，東莞證券研究所我國(guó)先進(jìn)封裝產(chǎn)值占全球比重穩(wěn)步提升，未來有望繼續(xù)提高。與集成電路其他環(huán)

49、節(jié)相比，我國(guó)集成電路封測(cè)業(yè)起步較早且發(fā)展較快，但仍以傳統(tǒng)封裝產(chǎn)品為主，先進(jìn)封裝產(chǎn)值占比較低。近年來，國(guó)內(nèi)廠商通過兼并收購(gòu)，快速積累先進(jìn)封裝技術(shù)，目前封測(cè)廠商技術(shù)平臺(tái)基本做到與海外同步，大陸先進(jìn)封裝產(chǎn)值占全球比例也在逐漸提升，從 2015 年的10.3%提升至 2020 年的 14.8%。作為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，在“下游需求高景氣度+集成電路高端領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代加速”的雙輪驅(qū)動(dòng)下，我國(guó)先進(jìn)封裝產(chǎn)值占全球比重有望進(jìn)一步提高。圖 31：中國(guó)大陸 2015-2020 年先進(jìn)封裝占全球比例逐步提升資料來源：Yole，東莞證券研究所3. 國(guó)內(nèi)主要集成電路封測(cè)企業(yè)介紹大陸集成電路企業(yè)具備較強(qiáng)全球競(jìng)爭(zhēng)力，共有

50、三家企業(yè)營(yíng)收進(jìn)入世界前十。目前，國(guó)內(nèi)規(guī)模較大的集成電路封測(cè)企業(yè)包括長(zhǎng)電科技（600584）、通富微電（002156）、華天科技（002185）和晶方科技（603005）等。3.1 長(zhǎng)電科技（600584）公司簡(jiǎn)介。公司成立于 1998 年，并于 2003 年在上交所主板上市，總部位于江蘇省無錫請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。19半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告市。公司是全球領(lǐng)先的集成電路封裝測(cè)試廠商，主營(yíng)業(yè)務(wù)包括集成電路的系統(tǒng)集成、設(shè)計(jì)仿真、技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品認(rèn)證、晶圓中測(cè)、晶圓級(jí)中道封裝測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)封裝測(cè)試、芯片 成 品 測(cè) 試并 可 向 世 界 各 地 的 半導(dǎo) 體 客 戶 提 供 直 運(yùn)服 務(wù) 。 根 據(jù) 芯 思 想

51、 研究 院（ChipInsights）發(fā)布的 2021 年全球封測(cè)十強(qiáng)榜單，長(zhǎng)電科技 2021 年預(yù)估營(yíng)收為 309.53億人民幣，同比增長(zhǎng) 16.96%，營(yíng)收規(guī)模在全球前十大 OSAT 中排名第三，在中國(guó)大陸位列第一。公司業(yè)績(jī)。2016-2020 年，公司營(yíng)業(yè)收入從 19.15 億元增長(zhǎng)至 26.46 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 8.42%，歸母凈利潤(rùn)從 1.06 億元增長(zhǎng)至 13.04 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 87.28%。公司近年來毛利率、凈利率總體呈上升趨勢(shì)，其中毛利率從 19Q4 的 12.85%上升至 21Q3 的18.80%，凈利率從 19Q4 的 3.78%上升至 21Q3 的 9.8

52、0%。截 至 21Q3，公司近 8 個(gè)季度的毛利率平均值為 15.95%，凈利率平均值為 6.43%。圖 33: 長(zhǎng)電科技 2016-2020 年歸母凈利潤(rùn)及同比增長(zhǎng)圖 32：長(zhǎng)電科技 2016-2020 年?duì)I收及同比增長(zhǎng)率率資料來源：Wind，東莞證券研究所資料來源：Wind，東莞證券研究所圖 34：長(zhǎng)電科技 2019Q4-2021Q3 銷售毛利率、凈利率資料來源：Wind，東莞證券研究所業(yè)績(jī)預(yù)告情況。公司于 2022 年 1 月 25 日發(fā)布 2021 年業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)計(jì) 2021 年度實(shí)現(xiàn)歸請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。20半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告母凈利潤(rùn) 28.00 億元至 30.80 億元，同比增長(zhǎng)

53、114.72%到 136.20%。報(bào)告期內(nèi)，公司持續(xù)聚焦高附加值、快速成長(zhǎng)的市場(chǎng)熱點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域，整合提升全球資源效率, 強(qiáng)化集團(tuán)下各公司間的協(xié)同效應(yīng)、技術(shù)能力和產(chǎn)能布局等舉措，以更加匹配市場(chǎng)和客戶需求，打造業(yè)績(jī)長(zhǎng)期穩(wěn)定增長(zhǎng)的長(zhǎng)效機(jī)制，使公司各項(xiàng)運(yùn)營(yíng)積極向好。同時(shí)，來自于國(guó)際和國(guó)內(nèi)客戶的訂單需求強(qiáng)勁，各工廠持續(xù)加大成本管控與營(yíng)運(yùn)費(fèi)用管控，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，全面推動(dòng)盈利能力提升。此外，公司在報(bào)告期向獨(dú)立第三方出售全資子公司長(zhǎng)電國(guó)際（香港）貿(mào)易投資有限公司持有的 SJ SEMICONDUCTOR CORPORATION 全部股權(quán)，影響當(dāng)期投資損益2.86 億元。3.2 華天科技（002185）公司簡(jiǎn)介。公

54、司成立于 1998 年，并于 2007 年在深交所上市，總部位于甘肅天水。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為集成電路封裝測(cè)試，目前集成電路封裝產(chǎn)品主要包括 DIP/SDIP、SOT、SOP、SSOP、TSSOP/ETSSOP、QFP/LQFP/TQFP、QFN/DFN、BGA/LGA、FC、MCM(MCP)、SiP、WLP、TSV、Bumping、MEMS、Fan-Out 等多個(gè)系列。產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)，網(wǎng)絡(luò)通訊，消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端，物聯(lián)網(wǎng)，工業(yè)自動(dòng)化控制，汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。根據(jù)芯思想研究院（ChipInsights）發(fā)布的 2021 年全球封測(cè)十強(qiáng)榜單，華天科技 2021年預(yù)估營(yíng)收為 119

55、.67 億人民幣，同比增長(zhǎng) 42.77%，營(yíng)收規(guī)模在全球前十大 OSAT 中位列第六，在中國(guó)大陸位列第三。公司業(yè)績(jī)。2016-2020 年，公司營(yíng)業(yè)收入從 5.48 億元增長(zhǎng)至 8.38 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為11.20%，歸母凈利潤(rùn)從 3.91 億元增長(zhǎng)至 7.02 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 15.76%。公司近年來毛利率、凈利率穩(wěn)中有升，其中毛利率從 19Q4 的 22.19%上升至 21Q3 的 25.59%，凈利率從 19Q4 的 5.14%上升至 21Q3 的 14.45%。截至 21Q3，公司近 8 個(gè)季度的毛利率平均值為 23.12%，凈利率平均值為 10.74%。圖 36: 華天科技

56、 2016-2020 年歸母凈利潤(rùn)及同比增長(zhǎng)圖 35：華天科技 2016-2020 年?duì)I收及同比增長(zhǎng)率率資料來源：Wind，東莞證券研究所資料來源：Wind，東莞證券研究所請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。21半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告圖 37：華天科技 2019Q4-2021Q3 銷售毛利率、凈利率資料來源：Wind，東莞證券研究所業(yè)績(jī)快報(bào)情況。公司于 2021 年 3 月 10 日發(fā)布業(yè)績(jī)快報(bào)，預(yù)計(jì) 2021 年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 121.05億元，同比增長(zhǎng) 44.42%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 13.99 億元，同比增長(zhǎng) 99.36%。報(bào)告期內(nèi)，受集成電路國(guó)產(chǎn)替代、5G 建設(shè)加速、消費(fèi)電子及汽車電子需求增長(zhǎng)等因素影響，集成

57、電路市場(chǎng)需求旺盛，公司封測(cè)訂單飽滿，業(yè)務(wù)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。3.3 通富微電（002156）公司簡(jiǎn)介。公司成立于 1994 年，并于 2007 年在深交所上市，總部位于江蘇南通。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為集成電路封裝與測(cè)試，持續(xù)在高性能計(jì)算、5G 通訊產(chǎn)品、存儲(chǔ)器和顯示驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域布局，并于 AMD、聯(lián)發(fā)科、卓勝微、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等國(guó)內(nèi)外細(xì)分領(lǐng)域頭部客戶保持緊密合作，在 SoC、MCU、電源管理、功率器件和天線通訊產(chǎn)品等高成長(zhǎng)領(lǐng)域持續(xù)深耕。以 AMD 為例，公司與 AMD 形成“合資+合作”的模式，2020 年超過 50%收入來自 AMD。根據(jù)芯思想研究院（ChipInsights）發(fā)布的 2021 年全球封測(cè)十強(qiáng)榜單

58、，通富微電 2021 年預(yù)估營(yíng)收為 145.37 億人民幣，同比增長(zhǎng) 34.99%，營(yíng)收規(guī)模在全球前十大 OSAT 中位列第五，在中國(guó)大陸位列第二。公司業(yè)績(jī)。2016-2020 年，公司營(yíng)業(yè)收入從 4.59 億元增長(zhǎng)至 10.77 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 23.77%，歸母凈利潤(rùn)從 1.81 億元增長(zhǎng)至 3.38 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 16.90%。公司近年來毛利率、凈利率穩(wěn)中有升，其中毛利率從 19Q4 的 15.74%上升至 21Q3 的 20.03%，凈利率從 19Q4 的 2.38%上升至 21Q3 的 7.40%。截 至 21Q3，公司近 8 個(gè)季度的毛利率平均值為 16.66%，凈利率平均值為 4.40%。圖 39: 通富微電 2016-2020 年歸母凈利潤(rùn)及同比增長(zhǎng)圖 38：通富微電 2016-2020 年?duì)I收及同比增長(zhǎng)率率請(qǐng)務(wù)必閱讀末頁(yè)聲明。22半導(dǎo)體封測(cè)專題報(bào)告資料來源：Wind，