江大10復(fù)試(電子技術(shù))

1、. 2010年碩士研究生復(fù)試試題模擬電路單項(xiàng)選擇題一般說二極管有單向?qū)щ娞匦?，反向不?dǎo)通，實(shí)際上反向有很微弱的電流，而且1當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將 A增大 B不變 C減小 D不可預(yù)測(cè)2對(duì)于三種不同組態(tài)的三極管根本放大電路，輸入電阻最低的電路是 A共射輸入電阻居中，輸出電阻較大 B共基C共集輸入電阻最大，輸出電阻最小 D共射和共基3.輸出量又進(jìn)入輸入叫反應(yīng)，有反應(yīng)的電路稱為閉環(huán)，而電路開環(huán)是指 A信號(hào)無源 B無反應(yīng)C無電源 D. 無負(fù)載4測(cè)得硅晶體管電路各點(diǎn)對(duì)地電位如圖1所示。則該晶體管的工作狀態(tài)為 A放大 B飽和 C截止 D損壞 E，C都比B高或低為飽和，B，E方向與箭頭相反為截止

2、。5*三極管的PCM=100mW，ICM=20 mA，VBRCEO=15V。三極管能正常工作的狀態(tài) AIC=10 mA，VCE=13V BIC=40 mA，VCE=2V CIC=20 mA，VCE=6V DIC=4 mA，VCE=20V6以下哪種互補(bǔ)對(duì)稱功放既是單電源供電，又輸出功率大。AOTL無輸出變壓器功放 B.OCL無輸出電容功放，雙電源供電 C.BTL橋式推挽功放，單電源 D任意一種7單管放大電路是信號(hào)放大器。A小 B中 C大 D任意8評(píng)價(jià)功率放大器的主要性能指標(biāo)有APo,非線性失真BAv,非線性失真CPc,非線性失真 DAv，Ri，Ro9 類功放存在交越失真。A甲類 B甲乙類C乙類D

3、丙類10 類功放效率最低，最高只能到達(dá)50。A甲類 B甲乙類C乙類D丙類1-1二極管理想限幅電路如圖a所示，輸入信號(hào)電壓如圖b所示。設(shè)二極管具有理想特性。試畫出圖示電路的輸出電壓波形，并標(biāo)出其數(shù)值。6分解：2-1電路如下圖，場(chǎng)效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型的低頻跨導(dǎo)為gm=2mS，R1=200K，R2=51K，R3=2M，Rd=20K，Rs=10K，RL=20K。試求(1)畫出微變等效電路；2求、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。10分這是三個(gè)主要的放大性能指標(biāo)解： 1 23-1在圖示電路中，分別要求6分穩(wěn)定的輸出電流；電流負(fù)反應(yīng)提高輸入電阻。串聯(lián)負(fù)反應(yīng)試問j、k、m、n四點(diǎn)哪兩點(diǎn)應(yīng)連起來？電壓負(fù)反應(yīng)穩(wěn)定輸出電

4、壓，電流負(fù)反應(yīng)穩(wěn)定輸出電流。串聯(lián)反應(yīng)提高輸入電阻，并聯(lián)反應(yīng)減小輸入電阻。解：1m連到j(luò) 2n連到k 4-1圖示為差動(dòng)放大電路，兩管均為硅管，且=100，解答以下問題： RW=0，求：VT2管的靜態(tài)集電極電位VC2=？差模輸入電阻Rid=？差模電壓放大倍數(shù)Avd=？D假設(shè)輸入電壓為V=12V，直流，VO直流=？調(diào)整RW0和RW=0時(shí)相比擬：Avd的絕對(duì)值是增大、減小、還是根本不變？RW的存在能提高電路的共模抑制比嗎？12分解：IC1=IC2=I/2=1mA 。當(dāng)Rw=0時(shí)，1；2； 3；4此時(shí)VT1處于飽和，電流絕大局部在VT1流過，VO=15V。 當(dāng)Rw0時(shí)，1由 知，Avd絕對(duì)值增大；2共模

5、和差模電壓增益均增大，所以RW不能提高共模抑制比。 5-1試推導(dǎo)圖示電路的輸出電壓與輸入電壓的關(guān)系。10分運(yùn)放有負(fù)反應(yīng)，是線性應(yīng)用用作運(yùn)算等。解：6-1直流穩(wěn)壓電路如下圖，三端集成穩(wěn)壓器7805W7800系列型號(hào)后面的兩個(gè)數(shù)字表示輸出電壓值的靜態(tài)電流I3=2mA，晶體管T的=150，VBE=0.7V ，Vi=16V，R1=200，R2=300。求輸出電壓Vo是多少伏？6分?jǐn)?shù)字電路1. JK觸發(fā)器在CP時(shí)鐘脈沖作用下，不能實(shí)現(xiàn)Q n+1 = n 的輸入信號(hào)是 ( )Qn+1=JQn+KQn A. J=Q n , K=n B. J=n , K= Q nC. J=n , K=1 D. J=1 , K

6、=Q n2. 關(guān)于PROM和PLA的構(gòu)造,以下表達(dá)不正確的選項(xiàng)是 ( )A.PROM的與陣列固定,不可編程 B. PROM的或陣列可編程C.PLA的與、或陣列均可編程 D. PROM的與、或陣列均不可編3. 和TTL電路相比，CMOS電路最突出的優(yōu)勢(shì)在于A.可靠性高 B.抗干擾能力強(qiáng) C.速度快 D.功耗低4. ( ) 碼的特點(diǎn)是相鄰兩個(gè)代碼之間僅有一位不同。A. BCD碼 B. 余3碼 C. 奇偶校驗(yàn)碼 D. 格雷碼5. 八路 數(shù)據(jù)分配器 , 其地址輸入端有 ( )個(gè)。A. 4 B. 3 C. 2 D. 16. 4個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成8421BCD碼計(jì)數(shù)器，共有 ( )個(gè)無效狀態(tài)A. 6 B. 8

7、C. 10 D.不定7. *存貯器芯片的容量為32KB，則其地址線和數(shù)據(jù)線的根數(shù)分別為A.15和8B.16和8.C.5和4D.6和48. ROM中的容，當(dāng)電源掉電后又接通，存貯器中的容A.全部改變 B.全部為0 C.不可預(yù)料 D.保持不變9 可以將輸出端直接并聯(lián)實(shí)現(xiàn)“線與邏輯的門電路是 A. 推拉式輸出構(gòu)造的TTL門電路B. 三態(tài)輸出的門電路C.互補(bǔ)輸出構(gòu)造的CMOS門電路D.集電極開路輸出的TTL電路10. 555集成定時(shí)器是( )A.模擬電路的電子器件 B.數(shù)字電路的電子器件C.模擬電路和數(shù)字電路相結(jié)合的電子器件 D. 分立元件電路計(jì)算題邏輯主要是“與“或“非三類，其表達(dá)有三種方式：邏輯圖

8、，表達(dá)式，真值表1-1化簡(jiǎn)每題3分，共6分主要用公式，1 (2)解： 122-1用譯碼器和門電路生成多輸出函數(shù)的電路圖，多輸出邏輯函數(shù)為8分解：13-1用74160計(jì)數(shù)器構(gòu)成同步七進(jìn)制加計(jì)數(shù)器，并畫出其狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖。8分解：1狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖2用 74LS160設(shè)計(jì)七進(jìn)制計(jì)數(shù)器的圖： 采用同步置數(shù)法4-1*同步時(shí)序電路由兩個(gè)D-FF構(gòu)成，其驅(qū)動(dòng)方程為,，A為控制輸入信號(hào)，請(qǐng)畫出該時(shí)序邏輯電路的邏輯圖，列出狀態(tài)方程和畫出狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖及波形圖。設(shè)初態(tài)為“0，且為上升沿觸發(fā)10分解：1邏輯圖狀態(tài)方程：，3狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖4波形圖5-1. 用555定時(shí)器構(gòu)成多諧振蕩器，試畫出電容兩端電壓uc及輸出uo的波形。R1+R215K，R3+R210K，C0.05F，Vcc9V，估算振蕩頻率和占空比。8分解：12其振蕩頻率為: 占空比為：6-1設(shè)計(jì)用三個(gè)開關(guān)控制一個(gè)電燈的邏輯電路，要求改變?nèi)魏我粋€(gè)開關(guān)的狀態(tài)都能控制電燈由亮變滅或由滅變亮，要求用數(shù)據(jù)選擇器來實(shí)現(xiàn)。10分 輸 入輸 出選通地 址數(shù) 據(jù)A0A1DiY 1 0 0 0 0