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文檔簡(jiǎn)介
1、什么是什么是 CMOS IMAGE SENSORCMOS: Complementary Metal-Oxide Semiconductor 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 主要是利用硅和鍺這兩種元素做城的半導(dǎo)體,使其在CMOS上共存著 帶 N(帶負(fù)電)和P(帶正電)級(jí)的半導(dǎo)體,這兩種互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生 的電流即 可被處理芯片記錄和解析成影像CMOS圖像感測(cè)元件圖像感測(cè)元件 CMOS圖像感測(cè)元件是一種利用光電相關(guān)技術(shù)原理制造的圖像感測(cè)元件, 其設(shè)計(jì)方式可分為:主動(dòng)像素感測(cè)器(Active Pixel Sensor)與被動(dòng)像素 感測(cè)器(Passive Pixel Sensor)。被動(dòng)像素感測(cè)
2、器主要設(shè)計(jì)是將每一個(gè) 獨(dú)立電晶體(電容器)置于每個(gè)圖像感測(cè)單元處(像素)充當(dāng)開(kāi)關(guān),當(dāng) 光線激發(fā)電子后,將電子存儲(chǔ)于電容器中,在由每一行末端的放大器讀取 位于(行,列)交會(huì)處電容器所存儲(chǔ)的電信號(hào)進(jìn)行放大。主動(dòng)像素感測(cè)元 件是直接在每一像素位上加上的放大器及信號(hào)控制元件,讓信號(hào)得到控 制,圖像品質(zhì)的到明顯的改善 CMOS IMAGE SENSOR STRUCTUREV Shift Register H Shift RegisterCMOS IMAGE SENSOR 封裝方式封裝方式COB (Chip On Board) COB是傳統(tǒng)IC 封裝在圖像感測(cè)元件封裝的一個(gè)分支,由于COB技術(shù)相對(duì)比較復(fù)雜
3、,主要在對(duì)影像模組要求較高的客戶(hù)端使用CSP(Chip Scale Package) CSP Image Sensor 封裝是一種基于SMT技術(shù)的封裝技術(shù),目前CSP封裝主要在低像素領(lǐng)域占有絕大部分份額COF (Chip On Flex) COF 是一種基于軟板級(jí)別的封裝模式,目前主要用于高端影像模組的封裝ChipLensBarrelHolderIR FilterFingerstiffenerFPCSolder BallChipLensBarrelHolderIR FilterFingerGold WirestiffenerFPCChipLensBarrelHolderIR FilterFin
4、gerGold WireFPCCOB (Chip On Board)CSP (Chip Scale Package)COF (Chip On Flex)GlassPCB各種封裝示意圖各種封裝示意圖LensHolderIR-filterPCBSensorLensHolderCMOS SensorFPC CSP COB&COF透光量差。Sensor上的玻璃會(huì)損耗10左右的通光量,影響成像質(zhì)量。 好芯片成本高。1。CSP封裝費(fèi)用。2。在wafer上給CSP封裝預(yù)留的空間會(huì)增大die的尺寸。 低設(shè)備成本低。只需SMT。高.需要Die bonder,wire bonder,投入成本很大。 制程簡(jiǎn)
5、單。復(fù)雜。有die bonding,wire bonding,熱壓制程,可能還有wafer dicing,wafer griding,filter mount圖像質(zhì)量差(有光暈) 好良率高。95以上。芯片表面灰塵能修復(fù)。低。85左右。Sensor表面灰很難去除。CSP VS COBCSP VS COB100%97%97%100%97%92%Class 100Class 1000模組分類(lèi)模組分類(lèi)一:按模組的構(gòu)造分一:按模組的構(gòu)造分 1:Socket Type (1) B-To-B Connector Type (2) Golden Finger Type (3) Four Side With P
6、lating Type 2:FPC Type (1) FPC With Connector Type (2) Golden Finger Type (3) Manual Solder Type一:按模組的調(diào)焦方式分一:按模組的調(diào)焦方式分 1:Fixed Focus Type(FF Type)固定焦距模組)固定焦距模組 2:Manual Focus Type(MF Type)手動(dòng)調(diào)焦模組)手動(dòng)調(diào)焦模組 3:Auto Focus Type(AF Type)自動(dòng)調(diào)焦模組)自動(dòng)調(diào)焦模組 4:Auto Focus +Mechanic Shutter 自動(dòng)調(diào)焦加機(jī)械快門(mén)模組自動(dòng)調(diào)焦加機(jī)械快門(mén)模組模組分類(lèi)模
7、組分類(lèi)Socket Type1 (B-To B Connector)Socket Type2 模組分類(lèi)模組分類(lèi)Socket Type3 模組分類(lèi)模組分類(lèi)模組分類(lèi)模組分類(lèi)FPC Type1(With Connector)模組分類(lèi)模組分類(lèi)FPC Type2(Golden Finger)模組分類(lèi)模組分類(lèi)FPC Type3(Manual Solder Type )模組分類(lèi)模組分類(lèi)FF MF AF封裝簡(jiǎn)介封裝簡(jiǎn)介晶片晶片 Sensor金線金線 Gold Wire導(dǎo)線架導(dǎo)線架Lead frameSubstrate黑膠黑膠EpoxyIR Glass鏡頭鏡頭LensPower/GNDFinger連接器連接器C
8、onnector軟板軟板FPC粘結(jié)劑粘結(jié)劑ACF上片圖上片圖Holder Mount圖紙圖紙焊線圖焊線圖熱壓圖紙熱壓圖紙模組的規(guī)格書(shū)模組的規(guī)格書(shū)拼版圖拼版圖Holder圖紙圖紙模組的開(kāi)發(fā)及組裝模組的開(kāi)發(fā)及組裝模組的開(kāi)發(fā)過(guò)程模組的開(kāi)發(fā)過(guò)程 模組開(kāi)發(fā)所需資料模組開(kāi)發(fā)所需資料 客戶(hù)的客戶(hù)的sensor詳細(xì)詳細(xì)DATA SHEET 客戶(hù)模組規(guī)格書(shū)客戶(hù)模組規(guī)格書(shū) 客戶(hù)對(duì)模組的其它要求客戶(hù)對(duì)模組的其它要求解讀解讀Sensor Data Sheet For PCB designer make PCB Pin define and Wire bond drawing解讀解讀Sensor Data SheetC
9、ustomer DeviceFor Wafer SawCPISFor Lens ChoiceFor Wafer SawFor Wafer BGFor Wafer Mount&DBFor Wafer BGFor Wire Bond CapillaryReturn解讀解讀Sensor Data Sheet For PCB Lay out and Test system, module approve sheet解讀解讀Sensor Data Sheet For Wafer SawThis Page be used for:1:Die Bond Rubber Tip Design2:For
10、PCB designer do DB drawing3:For PCB designer identify image top解讀解讀Sensor Data Sheet解讀解讀Sensor Data SheetThis Page be used for:1:WB Engineer choice capillary2:For PCB designer do WB drawing解讀解讀Sensor Data SheetThis Page be used for:1:For PCB designer do WB diagram pad location解讀解讀Sensor Data SheetTh
11、is Page be used for:1:For PCB designer do WB Bonding diagram and layout finger layout解讀解讀Sensor Data SheetThis Page be used for:1:For PCB designer do WB diagram pad location模組元器件的選擇模組元器件的選擇 Lens Holder PCB FPC PCB ConnectorLens 的相關(guān)參數(shù)的相關(guān)參數(shù) F/N 鏡頭的光圈大小鏡頭的光圈大小 EFL 鏡頭的有效焦距鏡頭的有效焦距 BFL 鏡頭的光學(xué)后焦鏡頭的光學(xué)后焦 TTL
12、鏡頭的光學(xué)總長(zhǎng)度鏡頭的光學(xué)總長(zhǎng)度 FOV 鏡頭的視角鏡頭的視角 Image Cycle CRA 鏡頭的主入射角鏡頭的主入射角 Construction 鏡頭的構(gòu)成鏡頭的構(gòu)成 TV Distortion Relative illumination模組鏡頭及參數(shù)模組鏡頭及參數(shù)主光線決定像高;邊緣光線決定成像位置(焦距)主光線決定像高;邊緣光線決定成像位置(焦距)鏡頭的光路圖鏡頭的光路圖鏡頭的光學(xué)定義鏡頭的光學(xué)定義MTF(Modulation Transfer Function):空間傳遞函數(shù)空間傳遞函數(shù)空間傳遞函數(shù)的單位為:空間傳遞函數(shù)的單位為:lp/mm;即每平即每平mm所包含的線對(duì)數(shù)所包含的線
13、對(duì)數(shù) line pairMTF(Modulation Transfer Function):空間傳遞函數(shù)空間傳遞函數(shù)低頻層次感不強(qiáng)高頻解像力不足EFL有效焦距:定義為有效焦距:定義為L(zhǎng)ens等效透鏡的焦點(diǎn)到等效透鏡的焦點(diǎn)到sensor表面(成像面)的距離表面(成像面)的距離BFL 鏡頭的光學(xué)后焦距:定義為鏡頭的最后一透鏡的凸起部分到鏡頭的光學(xué)后焦距:定義為鏡頭的最后一透鏡的凸起部分到sensor表面的距離表面的距離TTL(Total Track Length):定義為鏡頭表面到):定義為鏡頭表面到sensor表面的距離表面的距離 Note:有的鏡頭廠有:有的鏡頭廠有OTTL和和MTTL之分之分
14、 OTTL:Lens中第一片透鏡中心到中第一片透鏡中心到sensor表面的距離表面的距離 MTTL:定義為鏡頭表面到:定義為鏡頭表面到sensor表面的距離表面的距離鏡頭的光學(xué)定義鏡頭的光學(xué)定義FOV:鏡頭的視角:鏡頭的視角 通常說(shuō)的視角是如圖所示的對(duì)角線視角,也有說(shuō)水通常說(shuō)的視角是如圖所示的對(duì)角線視角,也有說(shuō)水平視角和垂直視角平視角和垂直視角 在在lens的光學(xué)系統(tǒng)中,還有一個(gè)等效光學(xué)入射點(diǎn),的光學(xué)系統(tǒng)中,還有一個(gè)等效光學(xué)入射點(diǎn),視角的起點(diǎn)就是從光學(xué)入射點(diǎn)開(kāi)始。視角的起點(diǎn)就是從光學(xué)入射點(diǎn)開(kāi)始。鏡頭的機(jī)械后焦:鏡頭的機(jī)械后焦: 鏡頭的機(jī)械后焦鏡頭的機(jī)械后焦=TTL- MTTL;要求機(jī)械后焦大于
15、;要求機(jī)械后焦大于200um以上以上鏡頭的光學(xué)定義鏡頭的光學(xué)定義F/N:鏡頭的光圈:鏡頭的光圈F:鏡頭的有效焦距:鏡頭的有效焦距D:鏡頭的透光孔直徑:鏡頭的透光孔直徑 鏡頭的光學(xué)定義鏡頭的光學(xué)定義Relative illumination相對(duì)照度相對(duì)照度 定義為中心鏡頭中心光強(qiáng)和邊定義為中心鏡頭中心光強(qiáng)和邊緣光強(qiáng)的比值(通常取緣光強(qiáng)的比值(通常取0.7)鏡頭的光學(xué)定義鏡頭的光學(xué)定義Distortion:描述圖像的畸變程度:描述圖像的畸變程度鏡頭的光學(xué)定義鏡頭的光學(xué)定義因?yàn)楣鈱W(xué)系統(tǒng)的放大倍率不同而造成的畸變因?yàn)楣鈱W(xué)系統(tǒng)的放大倍率不同而造成的畸變Lens 的選擇前準(zhǔn)備的選擇前準(zhǔn)備Lens 的相關(guān)參
16、數(shù)的相關(guān)參數(shù) F/N 鏡頭的光圈大小鏡頭的光圈大小 EFL 鏡頭的有效焦距鏡頭的有效焦距 BFL 鏡頭的光學(xué)后焦鏡頭的光學(xué)后焦 TTL 鏡頭的光學(xué)總長(zhǎng)度鏡頭的光學(xué)總長(zhǎng)度 FOV 鏡頭的視角鏡頭的視角 Image Cycle CRA 鏡頭的主入射角鏡頭的主入射角 Construction 鏡頭的構(gòu)成鏡頭的構(gòu)成 TV Distortion Relative illuminationLens 的光學(xué)定義的光學(xué)定義Lens 的光學(xué)定義的光學(xué)定義EFL有效焦距:定義為有效焦距:定義為L(zhǎng)ens為等效單片透鏡的中心點(diǎn)到為等效單片透鏡的中心點(diǎn)到sensor表面的距離表面的距離BFL 鏡頭的光學(xué)后焦距:定義為鏡
17、頭的最后一透鏡的凸起部分到鏡頭的光學(xué)后焦距:定義為鏡頭的最后一透鏡的凸起部分到sensor表面的距離表面的距離TTL(Total Track Length):定義為鏡頭表面到):定義為鏡頭表面到sensor表面的距離表面的距離 Note:有的鏡頭廠有:有的鏡頭廠有OTTL和和MTTL之分之分 OTTL:Lens中第一片透鏡中心到中第一片透鏡中心到sensor表面的距離表面的距離 MTTL:定義為鏡頭表面到:定義為鏡頭表面到sensor表面的距離表面的距離Lens 的光學(xué)定義的光學(xué)定義FOV:鏡頭的視角:鏡頭的視角 通常說(shuō)的視角是如圖所示的對(duì)角線視角,也有說(shuō)水通常說(shuō)的視角是如圖所示的對(duì)角線視角,
18、也有說(shuō)水平視角和垂直視角平視角和垂直視角 在在lens的光學(xué)系統(tǒng)中,還有一個(gè)等效光學(xué)入射點(diǎn),的光學(xué)系統(tǒng)中,還有一個(gè)等效光學(xué)入射點(diǎn),視角的起點(diǎn)就是從光學(xué)入射點(diǎn)開(kāi)始。視角的起點(diǎn)就是從光學(xué)入射點(diǎn)開(kāi)始。鏡頭的機(jī)械后焦:鏡頭的機(jī)械后焦: 鏡頭的機(jī)械后焦鏡頭的機(jī)械后焦=TTL- MTTL;要求機(jī)械后焦大于;要求機(jī)械后焦大于200um以上以上Lens 的光學(xué)定義的光學(xué)定義F/N:鏡頭的光圈:鏡頭的光圈F:鏡頭的有效焦距:鏡頭的有效焦距D:鏡頭的透光孔直徑:鏡頭的透光孔直徑 Lens 的光學(xué)定義的光學(xué)定義Relative illumination相對(duì)照度相對(duì)照度 定義為中心鏡頭中心光強(qiáng)和邊定義為中心鏡頭中心光
19、強(qiáng)和邊緣光強(qiáng)的比值(通常取緣光強(qiáng)的比值(通常取0.7)Lens 的光學(xué)定義的光學(xué)定義Distortion:描述圖像的畸變程度:描述圖像的畸變程度Lens 的選擇的選擇選定選定Lens的條件的條件Sensor的的image Cycle 要求要求Lens Image Cycle -Sensor Image Cycle0.10.15mmSensor的像數(shù)大小的像數(shù)大小 (Sensor 解析比例解析比例 VGA 1.3M。,。,Sensor Pixel Size)模組的整個(gè)高度模組的整個(gè)高度 (Sensor TTL+Sensor Height+Epoxy Height+ PCB Height+?)客戶(hù)
20、的特殊要求客戶(hù)的特殊要求 (Lens 的外觀及其他要求,如的外觀及其他要求,如IR的波長(zhǎng),的波長(zhǎng),IR的類(lèi)型)的類(lèi)型)實(shí)際例子如下實(shí)際例子如下(以(以Pixelplus 2.0M 為例)為例) Sensor Data通過(guò)計(jì)算我們得到如下數(shù)據(jù):通過(guò)計(jì)算我們得到如下數(shù)據(jù): Sensor Effective Image Cycle= 6.60mm Sensor Maximal Image Cycle=6.74mm,和迪和迪F010客戶(hù)模組規(guī)格書(shū)客戶(hù)模組規(guī)格書(shū)Camtech CIS Module Assembly TrainingHAWK LONGCamtechProcessFlowWafer IQC
21、使用高倍顯微鏡檢驗(yàn)客戶(hù)提供或者購(gòu)買(mǎi)的wafer的品質(zhì)是否有不良在我們公司采取抽樣檢驗(yàn),為5區(qū),每一區(qū)域抽25ea sensorWafer Taping將裝有產(chǎn)品的晶舟盒放入貼片機(jī)器并在晶園正面貼上膠膜(通常為Blue Tape)用以保護(hù)產(chǎn)品在研磨過(guò)程中不受到刮傷關(guān)鍵控制點(diǎn): 滾輪壓力 Micro Lens壓傷滾輪速度 Blue Tape 氣泡 防靜電 影響IC電氣性能關(guān)鍵控制點(diǎn): 滾輪壓力 Micro Lens壓傷滾輪速度 Blue Tape 氣泡Wafer Grinding將裝有已經(jīng)帖片好的產(chǎn)品放入研磨機(jī)器內(nèi),機(jī)器自動(dòng)上下料進(jìn)行加工。經(jīng)過(guò)粗磨和細(xì)磨后達(dá)到我們制程要求之研磨高度。通常研磨機(jī)器的
22、精度控制在2um以?xún)?nèi)。關(guān)鍵控制點(diǎn): 砂輪壽命 研磨進(jìn)給速度 DI water電阻率Wafer Detaping將研磨好的產(chǎn)品放入撕片機(jī)器中,機(jī)器自動(dòng)取片,并用帶粘性之tape將晶圓正面的Blue tape撕起.關(guān)鍵控制點(diǎn): 揭膜速度 晶片損傷防靜電 影響IC電氣性能 UV能量 UV Tape殘膠Wafer Mount將晶圓,鐵環(huán),藍(lán)膜同時(shí)置于機(jī)器上,利用機(jī)器滾輪將晶圓正貼月藍(lán)膜上,同時(shí)藍(lán)膜也固定在鐵環(huán)上.關(guān)鍵控制點(diǎn): 滾輪速度 氣泡 滾輪壓力 Micro Lens制程關(guān)鍵因素制程關(guān)鍵因素 貼片前需要檢查晶圓上Ink的大小,避免有凸塊效應(yīng),造成研磨破片 貼片機(jī)器的切割到需要嚴(yán)格的控制壽命,以避免
23、膠絲殘留造成研磨破片 粗磨和精磨的砂輪需要定時(shí)清理,以控制研磨后的表明粗糙度 研磨機(jī)器的5S需要特別注意,避免硅渣掉落在Chuck Table上,造成研磨破片 貼片和撕片過(guò)程中有高 靜電產(chǎn)生,ESD防護(hù)需要特別注意 貼片時(shí)Tape與晶圓結(jié)合面的氣泡大小需要控制,避免wafer 切割產(chǎn)生飛Die現(xiàn)象 Wafer Saw將晶圓片送入切割機(jī)器中切割成我們?cè)O(shè)定大小的die。在此作業(yè)中需要先設(shè)定坐標(biāo),且在切割后需要用高壓DI水清洗表明的硅粉. PS:對(duì)于CIS wafer,在切割過(guò)程中最好加入Diama Flow液體或者機(jī)器加上二流體以減少硅粉殘留對(duì)sensor的影響.關(guān)鍵控制點(diǎn): 切割進(jìn)刀速度 芯片崩
24、裂 噴水柱方向 硅粉殘留 清洗水壓 硅粉殘留 清洗轉(zhuǎn)速 硅粉殘留Post Saw Inspection使用高倍顯微鏡已100%全檢切割后的品質(zhì)。主要檢驗(yàn)項(xiàng)目:切割道寬度 晶圓嘣角硅粉殘留晶圓表面是否有殘膠像素點(diǎn)是否有破壞外物Die Bond Process上片的目的是將sensor置于基板上并以銀膠或者環(huán)氧樹(shù)脂黏著固定。PS:對(duì)于對(duì)于sensor需要特別注意需要特別注意: Sensor的偏移量(offset) 1mil Epoxy的高度(Thickness)5kgEpoxy Cure銀膠烘烤的目的是將上片完成之半成品置于烤箱中使sensor與基板完成粘結(jié)PS: Epoxy Cure需要特別注意
25、需要特別注意: 烘烤溫度曲線 烘烤時(shí)氮?dú)饬髁縒ire Bond Process焊線是將sensor上的節(jié)點(diǎn)(I/0)用1830um的金線連接到基板的相應(yīng)管腳,從而使senor的相關(guān)電性訊號(hào)傳輸至外界 PS: Wire Bond需要特別注意需要特別注意: 參數(shù)控制 線弧控制 焊點(diǎn)精度控制 QA需要控制 Wire Pull 1mil 5g,0.8mil 4g Ball Shear Base On Pad Open(6.5g/mil) Ball Size Base On Pad Open Loop Height Base On Control PlanPost Bond Inspection 使用5
26、X40X顯微鏡100%檢驗(yàn)焊線的連接情況,并確認(rèn)品質(zhì)是否有異常PS PBI需要特別注意需要特別注意: 漏線 焊球偏移 焊球大小 金線相互短路 金線斷路 第一焊點(diǎn)不黏(NSOP) 第二焊點(diǎn)不黏(NSOL) 線弧高度Sensor Clean Process 使用5X100X顯微鏡100%檢驗(yàn)sensor表面的塵埃情況PS: PBI需要特別注意需要特別注意: Sensor 臟點(diǎn) 像素點(diǎn)順壞 硅粉殘留 外物殘留 切割水漬 切割殘膠Holder Mount 在PCB基板上加蓋已經(jīng)裝上鏡頭的底座.底座安裝提示底座安裝提示: 支撐及定位鏡頭; 保護(hù)sensor 需要注意事項(xiàng); 底座方向; 底座和PCB結(jié)合之
27、縫隙; 底座的偏移量; 底座是否有壓傷sensor的危險(xiǎn).Lu Cut Process將PCB基板切割成單獨(dú)LU.LU CUT提示提示: 根據(jù)機(jī)種正確選擇程式; 嚴(yán)格按照SOP選擇銑刀和進(jìn)刀速度; 及時(shí)清洗切割后的產(chǎn)品; 檢查切割后產(chǎn)品的尺寸; 清點(diǎn)產(chǎn)出產(chǎn)品,檢查產(chǎn)品外觀; 保持機(jī)臺(tái)清潔;機(jī)器工作時(shí)不能打開(kāi)安全蓋.ACF Attach ACF ACF 膠貼附膠貼附ACF AttachACF Attach在LU 金手指上貼附ACF膠.ACF膠貼附提示膠貼附提示: ACF膠為異向?qū)щ娔z; ACF膠作用是將金手指和FPC進(jìn)行電氣連接; 在貼附前需用酒精搽拭金手指; ACF膠保存在-5冰箱中,使用時(shí)在
28、室溫下回溫30min.Pre Heat Bonding 假壓假壓Pre Heat BondingPre Heat Bonding使用顯示器把FPC在LU上對(duì)位,進(jìn)行預(yù)壓.假壓提示假壓提示: : 查看生產(chǎn)機(jī)種熱壓圖,查看熱壓方向; 根據(jù)BOM表,選擇正確FPC;按照SOP 查看機(jī)臺(tái)溫度,壓著時(shí)間,壓力 產(chǎn)品對(duì)位應(yīng)準(zhǔn)確,無(wú)傾斜,無(wú)偏移; 取下和拿放產(chǎn)品應(yīng)輕拿輕放; LU上的ACF膠應(yīng)完全覆蓋需壓著金手指部分;一次壓一個(gè)批次,不得混批.Heat Bonding 本壓本壓Heat BondingHeat Bonding在180下,壓著20秒,使FPC完全貼附在LU上.本壓提示本壓提示:按照SOP 查看
29、機(jī)臺(tái)溫度,壓著時(shí)間,壓力按照SOP做首件; 壓頭溫度每2小時(shí)測(cè)量一次,并做記錄; 壓力每4小時(shí)測(cè)量一次,并做記錄.Enhance Glue Dispenser 點(diǎn)補(bǔ)強(qiáng)膠點(diǎn)補(bǔ)強(qiáng)膠Enhance GlueEnhance Glue在FPC和LU連接處點(diǎn)UV膠,增強(qiáng)FPC和LU的連接力.點(diǎn)補(bǔ)強(qiáng)膠提示點(diǎn)補(bǔ)強(qiáng)膠提示:UV膠應(yīng)避光使用,使用深色針筒;調(diào)節(jié)點(diǎn)膠機(jī)氣壓值0.30.75MPa之間;針頭使用27#針頭;UV照射時(shí)間為5分鐘.Function Test 調(diào)焦調(diào)焦Function TestFunction Test使用測(cè)試主板和治具,調(diào)整Lens高度,使產(chǎn)品滿足客戶(hù)要求.本壓提示本壓提示:按照生產(chǎn)機(jī)種選
30、取正確主板和治具;查看BOM,了解測(cè)試標(biāo)準(zhǔn);測(cè)試光箱高度,按照SOP點(diǎn)檢光箱參數(shù);每測(cè)試產(chǎn)品50ea后應(yīng)檢查頭板上Connector 一次;調(diào)膠后在Lens螺紋上點(diǎn)1/3周長(zhǎng)膠水;烤箱溫度:80 ,時(shí)間為15分鐘;如有異常及時(shí)通知組長(zhǎng)和相關(guān)人員.Final Visual Inspection外觀檢驗(yàn)外觀檢驗(yàn)FVIFVI檢查產(chǎn)品表面是否符合外觀檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn).外觀檢驗(yàn)提示外觀檢驗(yàn)提示:按照Lens,Holder,FPC,Connector順序依次檢驗(yàn);檢驗(yàn)項(xiàng)目尺寸,溢膠,劃痕,刮傷,臟物;維修影響性能的產(chǎn)品應(yīng)重新測(cè)試準(zhǔn)確填寫(xiě)流程卡.Package 包裝包裝PackagePackage把通過(guò)檢驗(yàn)的產(chǎn)品,
31、按照客戶(hù)要求進(jìn)行包裝.包裝提示包裝提示:包裝方式按照BOM表要求保護(hù)膜,墊片,托盤(pán),泡沫應(yīng)按照包裝說(shuō)明清點(diǎn)入箱產(chǎn)品,做好記錄按實(shí)際出貨打印標(biāo)簽Die Bonder 基本知識(shí)基本知識(shí)Die Bond Process MaterialWire Bond 原理原理GLASSSiO2SiGOLD BALL B.PRINCIPLE銲接條件銲接條件 HARD WELDING Pressure (Force)Amplify & Frequecy Welding Time (Bond Time)Welding Tempature (Heater)THERMAL BONINGThermal Compre
32、ssure Ultrasonic Energy (Power)Eagle60Bonding SystemBonding Method Thermosonic (TS)BQM Mode Constant Current, Voltage, Power and Normal (Programmable)Loop Type Normal, Low, Square & JXY Resolution 0.2 umZ Resolution (capillary travelling motion)2.5 umFine Pitch Capability 35 mm pitch 0.6 mil wir
33、eNo. of Bonding Wires up to 1000Program Storage 1000 programs on Hard DiskMultimode Transducer System Programmable profile, control and vibration modesEagle60 Vision SystemPattern Recognition Time 70 ms / pointPattern Recognition Accuracy + 0.37 umLead Locator Detection 12 ms / lead (3 leads/frame)L
34、ead Locator Accuracy + 2.4 umPost Bond Inspection First Bond, Second Bond Wire TracingMax. Die Level Different 400 500 umFacilitiesVoltage 110 VAC (optional 100/120/200/210/220/230/240 VACEagle60 Material Handling SystemIndexing Speed 200 250 ms 0.5 “ pitchIndexer Resolution 1umLeadframe Position Ac
35、curacy + 2 milApplicable Leadframe W = 17 75 mm bonding area in Y = 65mm = 17 90 mm bonding area in Y = 54mm L = 280 mm Maximum T = 0.075 0.8 mmApplicable Magazine W = 100 mm (Maximum) L = 140 300 mm H = 180 mm (Maximum)Magazine Pitch 2.4 10 mm (0.09” 0.39 “)Device Changeover 4 minutesPackage Change
36、over 100 0,4 90/1004,8,11 9011,15IC type loop typeGold Wire Gold Wire Manufacturer (Nippon , SUMTOMO , TANAKA. ) Gold Wire Data ( Wire Diameter , Type , )SPEC Pad Open & Bond Pad Pitch Ball Size Ball Thickness Loop height Wire Pull Ball short Crater TestBPO&BPP 單位單位: um or Mil BPO :是指是指Pad內(nèi)層
37、內(nèi)層X(jué)方向及方向及Y方向的方向的size,一般是取最小值為一般是取最小值為 我們的我們的data BPO :是指是指Pad如左邊內(nèi)層至右邊如左邊內(nèi)層至右邊Pad左邊外層邊緣其它依左邊外層邊緣其它依此類(lèi)推此類(lèi)推;或著一個(gè)或著一個(gè)Die上出現(xiàn)不同上出現(xiàn)不同Pad大小那就是以?xún)蓚€(gè)大小那就是以?xún)蓚€(gè)Pad中中心距離為心距離為BPP,但是一般我們要取一個(gè)但是一般我們要取一個(gè)Die上最小的上最小的BPPBond Pad PitchBond Pad OpenBond Pad OpenBall SizeBall ThicknessBall Size & Ball Thickness 單位單位: um,M
38、il 量測(cè)倍率量測(cè)倍率: 50X Ball Thickness 計(jì)算公式 60 um BPP 1/2 WD=50% 60 um BPP 1/2 WD=40%50%Ball SizeLoop Heigh 單位單位: um,Mil 量測(cè)倍率量測(cè)倍率: 20XLoop Height 線長(zhǎng)線長(zhǎng)Wire Pull 1 Lifted Bond (Rejected) 2 Break at neck (Refer wire-pull spec) 3 Break at wire ( Refer wire-pull spec) 4 Break at stitch (Refer stitch-pull spec)
39、5 Lifted weld (Rejected)Ball Shear 單位單位: gram or g/milg/mil Ball Shear Ball Shear 計(jì)算公式計(jì)算公式 IntermetallicIntermetallic(IMCIMC)有有75%75%的共晶的共晶, ,SHEAR STRENGTH SHEAR STRENGTH 標(biāo)準(zhǔn)為標(biāo)準(zhǔn)為6.06.0g/milg/mil。 SHEAR STRENGTHBall Shear/Area (g/mil) Ball Shear/Area (g/mil) Ball Shear = x; Ball Size = y; Area = (y/2
40、) Ball Shear = x; Ball Size = y; Area = (y/2) x/(y/2) = z g/mil x/(y/2) = z g/milCBall bondTest specimenSpecimen clampShearing ramWireBond shoulderInterfacial contactball bond weld areaBonding padh(A) UnshearedCLCBall bondCLTest specimenSpecimen clampBonding padFull ball attached towire-except for r
41、egionsof intermetallic voidingBall separated at bonding pad-Ball interface-residual intermetallic(and sometimes portion of unalloyedball and metal) on pad in bondinteraction area(D) Ball bond-bonding pad interface separation (typical Au to Al)CTest specimenSpecimen clampShearing ramWireMinor fragment of ballattached to wireBonding padCLBall sheared too high(off line, etc.)only aportion of shoulder andball top removedInterfacial contactball bond weld area(B) Wire (ball top and/or side) shearCBall bondCLTest specimenSpecimen clampShearing ramBonding padMajor portionof ball atta
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